既存のシリコントランジスタは、最高で40GHzしか達成できないが、米IBMが遮断周波数100GHzという最高速のトランジスタを開発した。ゲート長240ナノメートルで、グラフェンという素材を用いている。このグラフェンが高性能デバイスと集積回路基板に適用する。IBMがさらにそのゲート長を減らすことを目指して研究を続けている。

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