| 【発明の名称】 |
回路基板及び回路基板の製造方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】水谷 大輔
【氏名】田島 竜彦
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| 【要約】 |
【課題】伝送損失を低減させる。
【構成】対向するグランド層１４及び電源層１３と、グランド層１４と電源層１３との間に設置された配線層１０と、配線層１０を挟むようにグランド層１４及び電源層１３の間に形成された絶縁部１２を有する回路基板１において、その絶縁部１２より誘電正接の低い低誘電損失層１１を配線層１０の少なくとも上面または下面に形成させる。このような回路基板１によれば、絶縁部１２と配線層１０の界面に、低誘電損失層１１が形成されているので、高周波領域における伝送損失が低減する。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向するグランド層と電源層との間の絶縁部中に配置された配線層を有する回路基板において、
前記絶縁部より誘電正接の低い低誘電損失層が前記配線層の少なくとも上面または下面に形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記低誘電損失層が前記配線層の上面及び下面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記低誘電損失層が前記配線層の上面、下面及び側面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
前記低誘電損失層の誘電正接が前記絶縁部の誘電正接の１０分の１以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記低誘電損失層の誘電正接が０．００２以下であることを特徴とする請求項４記載の回路基板。
【請求項６】
前記低誘電損失層の材質が金属酸化物を含有する熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
前記熱硬化性樹脂に前記金属酸化物が９２ｗｔ％含有されていることを特徴とする請求項６記載の回路基板。
【請求項８】
前記金属酸化物がアルミナまたはシリカであることを特徴とする請求項６又は７記載の回路基板。
【請求項９】
前記低誘電損失層の膜厚が２μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１０】
グランド層の表面に絶縁部を形成させた第１の基板を作製する工程と、
電源層の表面に前記絶縁部を形成させた第２の基板を作製する工程と、
配線層の少なくとも上面または下面に前記絶縁部より誘電正接が低い低誘電損失層を形成する工程と、
前記低誘電損失層を形成させた前記配線層を前記第１の基板の前記絶縁部と前記第２の基板の前記絶縁部で挟むように張り合わせる工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
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【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板及び回路基板の製造方法に関し、特に高速に電気信号を伝送するための回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ネットワーク機器の高速化に伴い、通信基地局やハイエンドサーバ等、大型の回路基板においては、１ＧＨｚを超える高周波領域での伝送が要求される。回路基板における高周波領域での伝送には、ストリップ線路が一般的に用いられている。
【０００３】
図１５はストリップ線路の配線構造を説明する要部断面模式図である。
この配線構造は、多層回路基板を構成する最も基本的なユニットであり、多層回路基板を構成するときは、このユニットを多層に重ねて用いる。
【０００４】
具体的な構造としては、中心導体である配線層１００と、配線層１００を取り囲む絶縁部１０１とが設けられ、絶縁部１０１の上面、下面には配線層１００より著しく幅の広い電源層１０２、グランド層１０３が設けられている。
【０００５】
配線層１００、電源層１０２、グランド層１０３の材質は、例えば銅箔で、絶縁部１０１の材質には、有機材料である誘電体材料が用いられている。このような配線構造によれば、高周波領域における信号を配線層１００と電源層１０２、または配線層１００とグランド層１０３の間に発生する電磁場、即ち準ＴＥＭ（Transverse Electro-Magnetic）波により伝送させることができる。
【０００６】
しかし、高周波領域での信号伝送では、一般に抵抗損失、または誘電損失による伝送損失が生じる。特に、伝送損失には周波数依存があり、伝送速度が１ＧＨｚを超える高周波領域では、伝送損失が増大することが知られている。このため回路基板においては、１ＧＨｚを超える高周波領域で伝送損失を低減させる検討がなされている。
【０００７】
例えば、抵抗損失低減の検討では、表面粗さの低減による伝送損失の低減化が検討されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、表面粗さの低減には複雑な表面処理技術が利用され、実用的にはコストが高くなるという問題がある。また、表面粗さを低減させると、配線層と絶縁部の界面の密着力が低下する。従って、配線層と絶縁部の界面の密着力を保持するには、所定の表面粗さが必要になり、表面粗さを低減させることにより抵抗損失低減を図ることについては限界がある。
【０００８】
一方、誘電損失低減の検討では、絶縁部の誘電率、誘電正接を低減させることによる伝送損失の低減化が検討されている（例えば、特許文献２参照）。
例えば、回路基板の絶縁部の材料として一般的に用いられているＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）の誘電率は４．４で、誘電正接は０．０２である。
【０００９】
これに対し、低誘電率、低誘電損失として期待されているポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）を主成分とする材料の誘電率、誘電正接は、夫々およそ３．５、０．００２である。
【００１０】
このように、絶縁部の低誘電率化、低誘電損失化を図ることで、１ＧＨｚを超える高周波領域で伝送損失を低減させる検討がなされている。
【特許文献１】特開２００４−３２７７４５号公報
【特許文献２】特開２００４−１４０２６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、伝送損失の低減を図るために、低誘電率、低誘電損失の絶縁部材料を用いると、絶縁部を構成する有機材料の極性等の低下により他の特性、例えば、絶縁部材料の熱特性、層間密着性、機械特性、耐薬品性が低下する。従って、回路基板に誘電率、誘電正接が極端に低い絶縁部材料を用いると、例えば、半田付け等の加熱プロセスにおいて絶縁部の変形、配線からの剥離が生じるという問題がある。特に、有機材料については、誘電正接を低下させると、誘電率が共に低下するという一般的な傾向があり、熱特性、層間密着性、機械特性、耐薬品性を維持させたまま、誘電正接のみを低下させる材料の作製には限界がある。
【００１２】
また、配線の特性インピーダンスを整合させることに関し、これまで用いてきた回路基板の絶縁部の誘電率を大きく変動させることは好ましくない。そして、伝送損失については、充分に低減させる必要がある。
【００１３】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、高速に電気信号を伝送するための回路基板及びその製造方法に関し、高周波領域における伝送損失を低減するための回路基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明では上記課題を解決するために、対向するグランド層と電源層との間の絶縁部中に配置された配線層を有する回路基板において、前記絶縁部より誘電正接の低い低誘電損失層が前記配線層の少なくとも上面または下面に形成されていることを特徴とする回路基板が提供される。
【００１５】
このような回路基板によれば、対向するグランド層と電源層との間の絶縁部中に配置された配線層を有する回路基板において、絶縁部より誘電正接の低い低誘電損失層が配線層の少なくとも上面または下面に形成される。
【００１６】
また本発明では、グランド層の表面に絶縁部を形成させた第１の基板を作製する工程と、電源層の表面に前記絶縁部を形成させた第２の基板を作製する工程と、配線層の少なくとも上面または下面に前記絶縁部より誘電正接が低い低誘電損失層を形成する工程と、前記低誘電損失層を形成させた前記配線層を前記第１の基板の前記絶縁部と前記第２の基板の前記絶縁部で挟むように張り合わせる工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【００１７】
このような回路基板の製造方法によれば、グランド層の表面に絶縁部を形成させた第１の基板が作製され、電源層の表面に絶縁部を形成させた第２の基板が作製され、配線層の少なくとも上面または下面に絶縁部より誘電正接が低い低誘電損失層が形成され、低誘電損失層を形成させた配線層が第１の基板の絶縁部と第２の基板の絶縁部で挟むように張り合わされる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、対向するグランド層と電源層との間の絶縁部中に配置された配線層を有する回路基板において、絶縁部より誘電正接の低い低誘電損失層を配線層の少なくとも上面または下面に形成するようにした。
【００１９】
これにより、高周波領域における伝送損失を低減するための回路基板の実現が可能になる。
また本発明では、グランド層の表面に絶縁部を形成させた第１の基板を作製し、電源層の表面に絶縁部を形成させた第２の基板を作製し、配線層の少なくとも上面または下面に絶縁部より誘電正接が低い低誘電損失層を形成し、低誘電損失層を形成させた配線層を第１の基板の絶縁部と第２の基板の絶縁部で挟むように張り合わせるようにした。
【００２０】
これにより、高周波領域における伝送損失を低減するための回路基板の製造方法の実現が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
最初に、多層回路基板を構成する回路基板の基本構造の概要について説明する。
図１は回路基板の要部断面模式図である。
【００２２】
この回路基板１は、ストリップ配線構造をしている。図１に示すように、中心部に中心導体である配線層１０があり、配線層１０の全面を取り囲むように低誘電損失層１１が形成されている。
【００２３】
そして、配線層１０及び低誘電損失層１１は、さらに絶縁部１２により取り囲まれ、絶縁部１２の上面、下面には配線層１０より著しく幅の広い電源層１３、グランド層１４が設けられている。絶縁部１２と低誘電損失層１１は共に誘電体である。
【００２４】
ここで、配線層１０、電源層１３及びグランド層１４の材質は、例えば銅である。また、低誘電損失層１１の材質は、例えばアルミナ（酸化アルミニウム）を主成分とする誘電体である。そして、絶縁部１２の材質は、例えばガラス基材エポキシ樹脂であるＦＲ−４である。
【００２５】
ところで、配線層１０が発生する電界強度は、配線層１０の表面近傍が最も強い。伝送損失は、配線層１０と配線層１０の近傍の誘電体層の相互作用によって生じる。従って、伝送損失を抑制するには、電界強度の最も強い配線層１０の近傍に誘電正接の低い低誘電損失層１１を形成させることで達成することができる。
【００２６】
低誘電損失層１１の膜厚については、配線層１０の表面粗さ程度の被膜を形成させることで、伝送損失を抑制する効果がある。具体的には、低誘電損失層１１の膜厚を数μｍとすることで、伝送損失を低減させる効果があり（後述）、ここでは、例えば２μｍ以下とする。
【００２７】
そして、この図に示す低誘電損失層１１の誘電正接は絶縁部１２の誘電正接よりも一桁以上低くさせ、１０分の１以下とする。例えば、絶縁部１２の材質がＦＲ−４ならば、誘電正接は０．０２で、低誘電損失層１１の材質がアルミナを主成分とする誘電体ならば、誘電正接は０．００２以下となり、低誘電損失層１１の誘電正接は絶縁部１２の誘電正接より１０分の１以下である。
【００２８】
また、回路基板１の伝播遅延、特性インピーダンスは、対向する配線層１０とグランド層１４の相互作用、または配線層１０と電源層１３の相互作用により決定される。対向する電極間に存在する誘電体の大部分の容積は、絶縁部１２によって占められている。従って、伝播遅延、特性インピーダンスは、絶縁部１２の特性によって決定される。即ち、低誘電損失層１１を形成させた前後で、回路基板１の伝播遅延、特性インピーダンスは大きく変動しない。
【００２９】
尚、低誘電損失層１１の膜厚と絶縁部１２の膜厚の関係については、低誘電損失層１１の膜厚をｄ１とし、絶縁部１２の膜厚をｄ２とすると、ｄ２のｄ１に対する割合は、２％以下とする。２％より大きくなると、絶縁部１２に対する低誘電損失層１１の容量が増大し、低誘電損失層１１の影響により回路基板１の伝播遅延、特性インピーダンスに変動が生じるので、ｄ２のｄ１に対する割合は、２％以下とする。例えば、低誘電損失層１１の膜厚が２μｍならば、絶縁部１２の膜厚は１００μｍ以上である。
【００３０】
このように、上記回路基板１では、絶縁部１２の材質として、これまで一般的に用いられてきた絶縁材料、例えばＦＲ−４を用いている。そして、薄い低誘電損失層１１が配線層１０近傍に形成されている。従って、回路基板１としては充分な熱特性、層間密着性、機械特性、耐薬品性を有し、伝播遅延、特性インピーダンスが大きく変動することはなく、伝送損失を充分に低減させることができる。
【００３１】
次に、低誘電損失層を形成させた場合の効果について検討したので説明する。
ここでは、その効果を確認するために、三次元電磁界解析法によるシミュレーションを行い、回路基板の伝送損失を計算した。具体的には、回路基板の立体的構造内の電磁場強度分布を数値シミュレーションすることで伝送特性を解析している。
【００３２】
図２はシミュレーションに用いた回路基板の要部断面模式図である。
シミュレーションに用いた回路基板２の構造は、材質が銅の配線層１０の幅を５４μｍ、配線層１０の厚さを３５μｍとし、絶縁部１２の材質は、ＦＲ−４で、その誘電率を４．４、誘電正接を０．０２としている。そして、絶縁部１２の厚さを２３５μｍとし、電源層１３、グランド層１４の幅を配線層１０の幅よりも著しく広い５０Ω整合のストリップ配線構造とした。
【００３３】
このシミュレーションではストリップ配線構造を採用しているので、配線層１０と電源層１３、または配線層１０とグランド層１４の間の方向に発生する電磁場により、信号が伝送する伝送モードを想定している。即ち、対向する電極間に発生する電磁場により、信号が伝送する伝送モードを想定している。
【００３４】
従って、低誘電損失層１１については、対向する電極間の方向、即ち、この図に示す配線層１０の上面と下面のみに形成させ、充分な損失低減効果が得られると予測し、そのシミュレーションにより解析を行った。
【００３５】
具体的には、配線層１０の上面と下面に、一例として誘電率が９．８、誘電正接が０．０００１のアルミナ層の低誘電損失層１１を設け、その厚さを１μｍとしている。即ち、絶縁部１２の厚さ２３５μｍに対するアルミナ層の厚さ１μｍは、このモデルでは０．４％である。そして、回路基板２の長さを１ｍの単位で伝送損失を計算した。
【００３６】
図３は周波数と伝送損失の関係を示す図である。
このシミュレーションでは、低誘電損失層を設けた場合をＡ、設けていない場合をＢとしている。
【００３７】
この図からＡとＢを比較すると、ＡのほうがＢよりも伝送損失が少ないことが分かる。特に周波数が５〜８ＧＨｚの範囲では、ＡはＢに対して約１．５ｄＢ／ｍの損失低減効果があり、周波数が８〜１０ＧＨｚの範囲になると、ＡはＢに対して約２ｄＢ／ｍの損失低減効果があり、周波数が１０ＧＨｚ以上では、ＡはＢに対して約３ｄＢ／ｍの損失低減効果が認められる。このように、このモデルでは周波数が高くなるほど損失低減効果が増大することが分かった。
【００３８】
また、このシミュレーションでは、配線層の表面は理想的な平面として計算している。実際の製品の配線表面は、シミュレーションで用いたモデルより粗くなる。従って、実際の製品で低誘電損失層を設けない場合は、伝送損失がＢよりさらに増大する。その結果、実際の製品に低誘電損失層を設けた場合は、低誘電損失層を設けない場合に比べ、損失低減効果は、図３を用いて説明した比較例に比べてより増大し、その効果はより増大する。
【００３９】
尚、図２の説明では、配線層１０の上面及び下面に低誘電損失層１１を形成させているが、ストリップ配線構造では、配線層１０と電源層１３、または配線層１０とグランド層１４の間の方向に発生する電磁場により、信号が伝送する。従って、少なくとも配線層１０の上面または下面に低誘電損失層１１を形成させることで、伝送損失の低減の効果がある。即ち、図２に示す回路基板２において、配線層１０の上面または下面のどちらか一方の面に低誘電損失層１１を形成させることで、伝送損失の低減を図ることができる。
【００４０】
次に、図１に示す回路基板１の具体的な製造方法について説明する。この製造方法では、第１〜３の製造方法を説明する。
図４〜図５、図７〜図１４は、回路基板の具体的な製造方法の要部断面模式図である。
【００４１】
＜第１の製造方法＞
最初に、第１の製造方法について説明する。
図４は基板作製工程の要部断面模式図である。
【００４２】
グランド層２２となる金属板上に、絶縁部２３を加熱プレスにより貼り合わせ、回路基板を構成する基板５を作製する。この基板を第１の基板と定義する。グランド層２２の材質は、例えば銅で、絶縁部２３の材質は、ＦＲ−４である。
【００４３】
図５は低誘電損失層形成工程の要部断面模式図である。
次に、配線となる銅箔２０の下面に、一例としてアルミナを主成分とする低誘電損失層２１を形成させる。
【００４４】
ここでは低誘電損失層２１の材質として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、触媒の混合物中に粒径０．３μｍのアルミナ粉末を９２ｗｔ％分散させたワニスをメチルエチルケトンで希釈して粘度を調整したものを用いる。
【００４５】
低誘電損失層２１を銅箔２０の下面に張り合わせるには、上述した材料を銅箔２０の下面に塗布した後、乾燥させ、熱硬化させる。
ここで、低誘電損失層２１の材質として、アルミナ粉末を９２ｗｔ％分散させた理由について説明する。
【００４６】
図６はアルミナ含有量と誘電正接の関係を示す図である。
図６に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、触媒の混合物中に粒径０．３μｍのアルミナ粉末を分散させたワニス中のアルミナ含有量（ｗｔ％）と誘電正接の関係を示す。この関係は、アルミナ含有量（ｗｔ％）を変化させた上記ワニスを乾燥・熱硬化させ、０．５ｍｍ厚の板を作製し、これを平板板電極で挟んだときの誘電正接を計測して求めた。この図の横軸は、アルミナ含有量（ｗｔ％）、縦軸は誘電正接を示している。
【００４７】
アルミナ含有量が５０〜７０ｗｔ％までは、徐々に誘電正接が減少する。７０ｗｔ％を超えると急激に誘電正接が減少し、９２ｗｔ％以上で０．００２以下になる。
上述したように、ＦＲ−４の誘電正接は０．０２である。この値よりも１０分の１以下の誘電正接は０．００２以下となる。そのためには、低誘電損失層２１の材質として、９２ｗｔ％以上のアルミナを含有させることが必要になる。従って、ここでは９２ｗｔ％のアルミナを含有させた誘電体材料を用いる。
【００４８】
図７は配線層パターニング工程の要部断面模式図である。
グランド層２２の上面に絶縁部２３を形成させた基板５上に、図５に示した低誘電損失層２１を形成させた銅箔２０を加熱プレスにより貼り合わせる（不図示）。そして、エッチングによってパターニングを行い、配線層２４を形成させる。絶縁部２３の材質は、例えばＦＲ−４である。この工程で、グランド層２２の上面に絶縁部２３を形成させた基板上に、配線層２４が形成する。
【００４９】
図８は低誘電損失層形成工程の要部断面模式図である。
配線層２４を形成させた後、配線層２４の表面と側面に低誘電損失層２１を形成する。ここでの低誘電損失層２１の形成は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、触媒の混合物中に粒径０．３μｍのアルミナ粉末を９２ｗｔ％分散させたワニスをメチルエチルケトンで希釈して粘度を調整したものを高圧で吹き付けるエアロデポジション法または無機酸化物粒子を高濃度で含有させた樹脂ワニスを塗布することにより行う。
【００５０】
図９は絶縁部形成工程の要部断面模式図である。
配線層２４の表面と側面に形成させた低誘電損失層２１が残存するように、絶縁部２３上の低誘電損失層２１のエッチングを行い、配線層２４の両側の絶縁部２３の表面を露出させる。
【００５１】
図１０は張り合わせ工程の要部断面模式図である。
そして、低誘電損失層２１で被覆された配線層２４を上下方向から挟むように、グランド層２２の上面に絶縁部２３を形成させた基板６と、電源層２５の下面に絶縁部２６を形成させた基板を対向するように合わせ、加熱プレスにより両者を貼り合わせる。基板６については、これを第２の基板と定義し、張り合わせる前に予め作製しておく。そして、図１に示す回路基板１と同じ構成の回路基板の完成に至る。
【００５２】
＜第２の製造方法＞
次に、第２の製造方法について説明する。第２の製造方法は、第１の製造方法の変形例である。尚、この製造方法においては、図４から図８までに示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、図４から図８までの製造工程と同一の製造工程で実施できるので、その詳細の説明については省略し、図８に示す工程の次の工程から説明する。
【００５３】
図１１はエッチング工程の要部断面模式図である。
絶縁部２３上と配線層２４の側面に形成させた低誘電損失層２１のエッチングを行い、絶縁部２３の表面と配線層２４の側面を露出させる。
【００５４】
図１２は張り合わせ工程の要部断面模式図である。
そして、低誘電損失層２１で被覆された配線層２４を上下方向から挟むように、グランド層２２の上面に絶縁部２３を形成させた基板５と、電源層２５の下面に絶縁部２６を形成させた基板６を対向するように合わせ、加熱プレスにより両者を貼り合わせる。そして、図２に示す回路基板２と同じ構成の回路基板の完成に至る。
【００５５】
＜第３の製造方法＞
次に、第３の製造方法について説明する。第３の製造方法は、第１の製造方法、第２の製造方法に続き、さらなる変形例である。尚、この製造方法においては、図４から図８までに示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、図４から図８までの製造工程と同一の製造工程で実施できるので、その詳細の説明については省略し、図８に示す工程の次の工程から説明する。
【００５６】
図１３は張り合わせ工程の要部断面模式図である。
低誘電損失層２１で被覆された配線層２４を上下方向から挟むように、グランド層２２の上面に絶縁部２３を形成させた基板５と、電源層２５の下面に絶縁部２６を形成させた基板６を対向するように合わせ、加熱プレスにより両者を貼り合わせる。
【００５７】
図１４は張り合わせ後の回路基板の要部断面模式図である。
そして、加熱プレスにより両者を貼り合わせた後に、回路基板３の完成に至る。
この回路基板３では、低誘電損失層２１が絶縁部２３、２６の間に残存しているが、上述したように、ストリップ配線構造では、配線層２４と電源層２５、または配線層２４とグランド層２２の間の方向に発生する電磁場により、信号が伝送する。従って、少なくとも配線層２４の上面または下面に低誘電損失層２１を形成させることで、伝送損失の低減を図ることができる。低誘電損失層２１が絶縁部２３、２６の間に形成されていても、伝播遅延、特性インピーダンス等の電気的な特性に影響は与えない。
【００５８】
尚、上記の説明では低誘電損失層の材料として、アルミナを用いているが、特にアルミナに限る必要はなく、他の誘電正接の低いセラミック材料、例えばシリカ等を用いてもよい。
【００５９】
また、図１、図２の説明では、絶縁部１２の上面に電源層１３、絶縁部１２の下面にグランド層１４を設けているが、絶縁部１２の下面に電源層１３、絶縁部１２の上面にグランド層１４を設けてもよい。同様に、図１４の説明では、絶縁層２６の上面に電源層２５、絶縁層２３の下面にグランド層２２を設けているが、絶縁層２３の下面に電源層２５、絶縁層２６の上面にグランド層２２を設けてもよい。
【００６０】
（付記１） 対向するグランド層と電源層との間の絶縁部中に配置された配線層を有する回路基板において、
前記絶縁部より誘電正接の低い低誘電損失層が前記配線層の少なくとも上面または下面に形成されていることを特徴とする回路基板。
【００６１】
（付記２） 前記低誘電損失層が前記配線層の上面及び下面に形成されていることを特徴とする付記１記載の回路基板。
（付記３） 前記低誘電損失層が前記配線層の上面、下面及び側面に形成されていることを特徴とする付記１記載の回路基板。
【００６２】
（付記４） 前記低誘電損失層の誘電正接が前記絶縁部の誘電正接の１０分の１以下であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
（付記５） 前記低誘電損失層の誘電正接が０．００２以下であることを特徴とする付記４記載の回路基板。
【００６３】
（付記６） 前記低誘電損失層の材質が金属酸化物を含有する熱硬化性樹脂であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の回路基板。
（付記７） 前記熱硬化性樹脂に前記金属酸化物が９２ｗｔ％含有されていることを特徴とする付記６記載の回路基板。
【００６４】
（付記８） 前記金属酸化物がアルミナまたはシリカであることを特徴とする付記６又は７記載の回路基板。
（付記９） 前記低誘電損失層の膜厚が２μｍ以下であることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載の回路基板。
【００６５】
（付記１０） 前記絶縁部の膜厚に対する前記低誘電損失層の膜厚の割合が２％以下であることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１項に記載の回路基板。
（付記１１） グランド層の表面に絶縁部を形成させた第１の基板を作製する工程と、
電源層の表面に前記絶縁部を形成させた第２の基板を作製する工程と、
配線層の少なくとも上面または下面に前記絶縁部より誘電正接が低い低誘電損失層を形成する工程と、
前記低誘電損失層を形成させた前記配線層を前記第１の基板の前記絶縁部と前記第２の基板の前記絶縁部で挟むように張り合わせる工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００６６】
（付記１２） 前記低誘電損失層を形成する工程においては、金属酸化物の粒子を分散させたワニスを高圧で吹き付けるエアロデポジション法または前記金属酸化物の粒子を高濃度で含有させた樹脂ワニスを塗布する方法により前記低誘電損失層を形成することを特徴とする付記１１記載の回路基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】回路基板の要部断面模式図である。
【図２】シミュレーションに用いた回路基板の要部断面模式図である。
【図３】周波数と伝送損失の関係を示す図である。
【図４】基板作製工程の要部断面模式図である。
【図５】低誘電損失層形成工程の要部断面模式図である（その１）。
【図６】アルミナ含有量と誘電正接の関係を示す図である。
【図７】配線層パターニング工程の要部断面模式図である。
【図８】低誘電損失層形成工程の要部断面模式図である（その２）。
【図９】絶縁部形成工程の要部断面模式図である。
【図１０】張り合わせ工程の要部断面模式図である（その１）。
【図１１】エッチング工程の要部断面模式図である。
【図１２】張り合わせ工程の要部断面模式図である（その２）。
【図１３】張り合わせ工程の要部断面模式図である（その３）。
【図１４】張り合わせ後の回路基板の要部断面模式図である。
【図１５】ストリップ線路の配線構造を説明する要部断面模式図である。
【符号の説明】
【００６８】
１、２、３ 回路基板
５、６ 基板
１０、２４ 配線層
１１、２１ 低誘電損失層
１２、２３、２６ 絶縁部
１３、２５ 電源層
１４、２２ グランド層
２０ 銅箔
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００５２２３
【氏名又は名称】富士通株式会社
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| 【出願日】 |
平成１８年７月３１日（２００６．７．３１） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００９２１５２
【弁理士】
【氏名又は名称】服部 毅巖
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| 【公開番号】 |
特開２００８−３４７４２（Ｐ２００８−３４７４２Ａ） |
| 【公開日】 |
平成２０年２月１４日（２００８．２．１４） |
| 【出願番号】 |
特願２００６−２０８７７０（Ｐ２００６−２０８７７０） |
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