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【発明の名称】 配線部材およびプリント配線基板
【発明者】 【氏名】川口 利行

【氏名】田原 和時

【氏名】佐賀 努
【要約】 【課題】同時スイッチングによる電源層とグランド層との間の共振を抑えることによって、電源電位を安定化でき、不要なノイズの放射を抑制できるプリント配線基板用の配線部材、および該配線部材を具備するプリント配線基板を提供する。

【構成】表面粗さＲz が２μｍ以下である平滑面を有する銅箔１１と、金属または導電性セラミックスを含む、厚さ５〜２００ｎｍのノイズ抑制層１３と、銅箔１１の平滑面側とノイズ抑制層１３との間に設けられた絶縁性樹脂層１２とを有する配線部材１０を用いる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面粗さＲz が２μｍ以下である平滑面を有する銅箔と、
金属材料または導電性セラミックスを含む、厚さ５〜２００ｎｍのノイズ抑制層と、
前記銅箔の平滑面側と前記ノイズ抑制層との間に設けられた絶縁性樹脂層と
を有する、配線部材。
【請求項２】
前記ノイズ抑制層が、金属材料または導電性セラミックスが存在しない欠陥を有する、請求項１に記載の配線部材。
【請求項３】
前記銅箔の平滑面側と前記絶縁性樹脂層との間に接着促進層を有する、請求項１または２に記載の配線部材。
【請求項４】
前記ノイズ抑制層の、前記銅箔側とは反対側の表面に、接着促進層を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の配線部材。
【請求項５】
前記絶縁性樹脂層の厚さが、０．１〜１０μｍである、請求項１〜４のいずれかに記載の配線部材。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の配線部材を具備する、プリント配線基板。
【請求項７】
前記銅箔が、電源層であり、
電源層とグランド層との間に、前記ノイズ抑制層が配置されている、請求項６に記載のプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板を構成するための配線部材およびプリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ユビキタス社会が訪れ、情報処理機器、通信機器等、特にパソコン、携帯電話、ゲーム機器等においては、ＭＰＵの高速化、多機能化、複合化、およびメモリ等の記録装置の高速化が進行している。
しかし、これらの機器から放射されるノイズ、または機器内の導体を伝導するノイズがもたらす、自身または他の電子機器、部品の誤作動、人体に対する影響が問題となっている。これらノイズとしては、ＭＰＵ、電子部品等が実装されたプリント配線板内の導体のインピーダンス不整合によるノイズ、導体間のクロストークによるノイズ、ＭＰＵ等の半導体素子の同時スイッチングによる電源層とグランド層との層間の共振よって誘起されるノイズ等がある。
【０００３】
これらノイズが抑えられたプリント配線基板としては、下記プリント配線基板が知られている。
（１）銅箔からなる電源層およびグランド層の両面に、銅箔よりも抵抗率が大きい金属からなる金属膜を形成したプリント配線基板（特許文献１）。
（２）銅箔からなる電源層およびグランド層の両面に、導電性物質を含む、プリント配線基板面に対して垂直方向の異方導電性を有する膜を形成したプリント配線基板（特許文献１）。
【０００４】
（１）のプリント配線基板においては、銅箔表面に流れる高周波うず電流を減衰させることができ、半導体素子が同時スイッチングを起こしても、電源電位等を安定化でき、不要なノイズの放射を抑制できるとされている。なお、導体表面（表皮）を流れる高周波電流（表皮電流）を、表皮の深さと同程度の数μｍの金属膜で減衰させるためには、対象となる高周波電流の周波数にもよるが、かなりの高抵抗率を有する材料が必要となる。しかし、このような材料は入手できず、（１）のプリント配線基板では、充分なノイズ抑制効果が得られない。
【０００５】
（２）のプリント配線基板においても、同様に高周波うず電流を減衰させることができるとされている。しかし、表皮の深さと同等以上の銅箔の表面粗さを有するように異方導電性の膜を形成することは、工程が複雑である。また、（２）のプリント配線基板では、充分なノイズ抑制効果が得られない。
【特許文献１】特開平１１−９７８１０号公報
【特許文献２】特開２００６−６６８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
よって本発明の目的は、同時スイッチングによる電源層とグランド層との間の共振を抑えることによって、電源電位を安定化でき、不要なノイズの放射を抑制できるプリント配線基板用の配線部材、および該配線部材を具備するプリント配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線部材は、表面粗さＲz が２μｍ以下である平滑面を有する銅箔と、金属または導電性セラミックスを含む、厚さ５〜２００ｎｍのノイズ抑制層と、前記銅箔の平滑面側と前記ノイズ抑制層との間に設けられた絶縁性樹脂層とを有することを特徴とする。
前記ノイズ抑制層は、金属または導電性セラミックスが存在しない欠陥を有することが好ましい。
【０００８】
本発明の配線部材は、前記銅箔の平滑面側と前記絶縁性樹脂層との間に接着促進層を有することが好ましい。
本発明の配線部材は、前記ノイズ抑制層の、前記銅箔側とは反対側の表面に、接着促進層を有することが好ましい。
前記絶縁性樹脂層の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【０００９】
本発明のプリント配線基板は、本発明の配線部材を具備することを特徴とする。
本発明のプリント配線基板においては、前記銅箔が、電源層であり、電源層とグランド層との間に、前記ノイズ抑制層が配置されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線部材によれば、プリント配線基板において同時スイッチングによる電源層とグランド層との間の共振を抑えることによって、電源電位を安定化でき、不要なノイズの放射を抑制できる。
本発明のプリント配線基板は、同時スイッチングによる電源層とグランド層との間の共振が抑えられ、電源電位が安定化され、不要なノイズの放射が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜配線部材＞
図１は、本発明の配線部材の一例を示す概略断面図である。配線部材１０は、銅箔１１と、銅箔１１上に設けられた絶縁性樹脂層１２と、絶縁性樹脂層１２の表面に形成されたノイズ抑制層１３とを有するものである。
【００１２】
（銅箔）
銅箔１１としては、電解銅箔、圧延銅箔等が挙げられる。
通常、銅箔の表面は、絶縁性樹脂層１２との接着性をよくするために、表面に微細な銅粒を付着させる等により粗面化処理されている。一方、本発明においては、ノイズ抑制層１３側の銅箔１１の表面は、表面粗さＲz が２μｍ以下である平滑面とされている。平滑面の表面粗さＲz が２μｍ以下であれば、絶縁性樹脂層１２を薄く形成しても、絶縁性樹脂層１２に銅箔１１の表面の凹凸によるピンホール等の欠陥が発生しにくくなり、銅箔１１とノイズ抑制層１３との短絡が抑えられ、充分なノイズ抑制効果が得られる。表面粗さＲz は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に規定される十点平均粗さＲｚ である。
【００１３】
銅箔１１としては、電解銅箔が特に好ましい。電解銅箔は、電解反応を利用して銅を陰極の回転ドラム表面に析出させ、回転ドラムから引き剥がして得られるものであり、ドラムと接触していた面は、ドラムの表面状態が転写された平滑面となる。一方、銅が電解析出した面の形状は、析出する銅の結晶成長速度が結晶面ごとに異なるため粗面となり、他の絶縁性樹脂層（図示略）との貼り合わせに都合のよい面となっている。
銅箔１１の厚さは、３〜５０μｍが好ましい。
【００１４】
（絶縁性樹脂層）
絶縁性樹脂層１２は、樹脂組成物からなる層、または樹脂組成物をガラス繊維等の補強繊維に含浸させた繊維強化樹脂からなる層である。繊維強化樹脂の状態は、Ｂ−ステージ（半硬化状態）であってもよく、Ｃ−ステージ（硬化状態）であってもよい。
【００１５】
樹脂組成物は、樹脂を主成分とする組成物である。該樹脂としては、プリント配線基板の製造の際の加熱に耐え、かつプリント配線基板に要求される耐熱性を有するものが好ましく、また、誘電率、誘電正接等、プリント配線基板の設計に必要とされる特性値が既知であるのものが好ましい。該樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリ四フッ化エチレン、ポリフェニレンエーテル等が挙げられる。
【００１６】
樹脂組成物としては、エポキシ樹脂、必要に応じて硬化剤、硬化促進剤、可とう性付与剤等を含有するものが好ましい。
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂の量は、樹脂組成物１００質量％のうち、２０〜８０質量％が好ましい。
【００１７】
硬化剤としては、ジシアンジアミド、イミダゾール類、芳香族アミン等のアミン類；ビスフェノールＡ、臭素化ビスフェノールＡ等のフェノール類；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック類；無水フタル酸等の酸無水物等が挙げられる。
硬化促進剤としては、３級アミン、イミダゾール系硬化促進剤、尿素系硬化促進剤等が挙げられる。
【００１８】
可とう性付与剤としては、ポリエーテルサルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、弾性樹脂等が挙げられる。
芳香族ポリアミド樹脂としては、芳香族ジアミンとジカルボン酸との縮重合により合成されるものが挙げられる。芳香族ジアミンとしては、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−キシレンジアミン、３，３’−オキシジアニリン等が挙げられる。ジカルボン酸としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フマル酸等のジカルボン酸が挙げられる。
弾性樹脂としては、天然ゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等が挙げられる。絶縁性樹脂層１２の耐熱性を確保するために、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴムを併用してもよい。ニトリルゴムとしては、ＣＴＢＮ（カルボキシ基末端ブタジエンニトリルゴム）が好ましい。
【００１９】
絶縁性樹脂層１２は、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶解または分散させたワニスを銅箔１１上（または後述の接着促進層１５上）に塗布し、乾燥させることにより形成される。また、該ワニスの塗布および乾燥を２回以上に分けて行い、２層以上の絶縁性樹脂層を形成してもよい。ワニスは、各層が同じ種類のワニスであってもよく、各層ごとに違う種類であってもよい。
【００２０】
絶縁性樹脂層１２の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。絶縁性樹脂層１２の厚さが０．１μｍ以上であれば、銅箔１１とノイズ抑制層１３との絶縁が充分に維持され、銅箔１１とノイズ抑制層１３との短絡が抑えられ、充分なノイズ抑制効果が得られる。また、銅箔１１をエッチングによってパターン加工する際に、エッチングによってノイズ抑制層１３が侵されることがない。一方、絶縁性樹脂層１２の厚さが１０μｍ以下であれば、配線部材を具備するプリント配線基板を薄肉化できる。また、ノイズ抑制層１３と銅箔１１とが接近することにより、ノイズ抑制層１３と銅箔１１との電磁結合が強くなり、充分なノイズ抑制効果が得られる。また、ノイズ抑制層１３にパターン加工を銅箔１１側から施す際に、絶縁性樹脂層１２を除去しやすく、加工時間が短くなる。
【００２１】
（ノイズ抑制層）
ノイズ抑制層１３は、金属材料または導電性セラミックスを含む、厚さ５〜２００ｎｍの薄膜である。
ノイズ抑制層１３の厚さが５ｎｍ以上であれば、充分なノイズ抑制効果が得られる。一方、ノイズ抑制層１３の厚さが２００ｎｍを超えると、後述のマイクロクラスターが成長し、金属材料等からなる均質な薄膜が形成され、表面抵抗が小さくなって、金属反射が強まり、ノイズ抑制効果も小さくなる。
ノイズ抑制層１３の厚さは、ノイズ抑制層の膜厚方向断面の高分解能透過型電子顕微鏡像（例えば、図４）をもとにして、５箇所のノイズ抑制層（色の濃い部分）の厚さを電子顕微鏡像上で測定し、平均することにより求める。
【００２２】
ノイズ抑制層１３の表面抵抗は、１０0 〜１０4 Ωが好ましい。ノイズ抑制層１３が均質な薄膜の場合、体積抵抗率の高い限られた材料が必要となるが、材料の体積抵抗率がそれほど高くない場合は、ノイズ抑制層１３に金属材料または導電性セラミックスが存在しない物理的な欠陥を設け、不均質な薄膜とすることによって、表面抵抗を上昇させることができる。ノイズ抑制層１３の表面抵抗は、以下のように測定する。
２本の単位長さを有した金の蒸着電極のような薄膜金属電極を、単位長さ隔置された測定電極に、被測定物を５０ｇ／ｃｍ2 のような定荷重で押し付け、このときの１ｍＡ以下の測定電流で電極間の抵抗を測定する。この値を持って表面抵抗とする。
【００２３】
金属材料としては、強磁性金属、常磁性金属が挙げられる。強磁性金属としては、鉄、カルボニル鉄；Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等の鉄合金；コバルト、ニッケル；これらの合金等が挙げられる。常磁性金属としては、金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、それらの合金、アモルファス合金、強磁性金属との合金等が挙げられる。これらのうち、酸化に対して抵抗力のある点から、ニッケル、鉄クロム合金、タングステン、貴金属が好ましい。なお、貴金属は高価であるため、実用的にはニッケル、ニッケルクロム合金、鉄クロム合金、タングステンが好ましく、ニッケルまたはニッケル合金が特に好ましい。
【００２４】
導電性セラミックスとしては、金属と、ホウ素、炭素、窒素、ケイ素、リンおよび硫黄からなる群から選ばれる１種以上の元素とからなる合金、金属間化合物、固溶体等が挙げられる。具体的には、窒化ニッケル、窒化チタン、窒化タンタル、窒化クロム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化クロム、炭化モリブデン、炭化タングステン、炭化ケイ素、ホウ化クロム、ホウ化モリブデン等が挙げられる。
【００２５】
導電性セラミックスは、金属よりも体積抵抗率が高いため、導電性セラミックスを含むノイズ抑制層は、特定の共鳴周波数を有さない、ノイズ抑制効果を発揮する周波数が広帯域化する、保存安定性が高い等の利点を有する。導電性セラミックスとしては、後述の物理的蒸着法における反応性ガスとして窒素ガスを用いることによって容易に得られることから、金属と窒素とからなるものが特に好ましい。
【００２６】
ノイズ抑制層１３の形成方法としては、通常の湿式メッキ法、物理的蒸着法、化学的蒸着法等が挙げられる。該方法においては、条件や用いる材料によっても異なるが、薄膜の成長を初期の段階で終了することにより、均質な薄膜とはならず、微細な物理的な欠陥を有する不均質な薄膜を形成できる。または、均質な薄膜を酸等によりエッチングして欠陥を形成する方法、レーザーアブレーションにより均質な薄膜に欠陥を形成する方法によっても、不均質な薄膜を形成できる。
【００２７】
図２は、絶縁性樹脂層の表面に物理的蒸着法によって形成された金属材料からなるノイズ抑制層の表面を観察したフィールドエミッション走査電子顕微鏡像であり、図３は、その模式図である。ノイズ抑制層１３は、複数のマイクロクラスター１４の集合体として観察される。マイクロクラスター１４は、絶縁性樹脂層１２上に金属材料が非常に薄く物理的に蒸着されて形成されたものであり、マイクロクラスター１４の間には物理的な欠陥があって均質な薄膜になっていない。マイクロクラスター１４が互いに接触して集団化しているものの、集団化したマイクロクラスター１４の間には、金属材料の存在しない欠陥が多く存在している。
【００２８】
図４は、ノイズ抑制層１３の膜厚方向断面の高分解能透過型電子顕微鏡像である。図２、図４から、非常に小さな結晶として数Å間隔の金属原子が配列された結晶格子（マイクロクラスター）、および非常に小さい範囲で金属材料が存在しない欠陥が認められる。すなわち、マイクロクラスター同士の間隔が空いた状態であり、金属材料からなる均質な薄膜には成長していない。このような物理的な欠陥を有する状態は、ノイズ抑制層１３の表面抵抗の実測値から換算した体積抵抗率Ｒ1 （Ω・ｃｍ）と金属材料（または導電性セラミックス）の体積抵抗率Ｒ0 （Ω・ｃｍ）（文献値）との関係から確認できる。すなわち、体積抵抗率Ｒ1 と体積抵抗率Ｒ0 とが、０．５≦ｌｏｇＲ1 −ｌｏｇＲ0 ≦３を満足する場合に、優れたノイズ抑制効果が発揮される。
【００２９】
ノイズ抑制層１３は、所望の形状にパターン加工されていてもよく、スルーホール等のアンチビアが形成されていてもよい。ノイズ抑制層１３は、通常のエッチング法、レーザーアブレーション法等により所望の形状に加工できる。
【００３０】
（接着促進層）
銅箔１１と絶縁性樹脂層１２との密着性を向上させるために、銅箔１１の平滑面に接着促進層１５が設けられていることが好ましい。
接着促進層１５は、銅箔１１の平滑面を接着促進剤で処理することにより形成される。接着促進剤としては、シラン系カップリング剤、またはチタネート系カップリング剤が挙げられる。
【００３１】
シラン系カップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００３２】
チタネート系カップリング剤としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジ−トリデシルホスファイト）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等が挙げられる。
【００３３】
接着促進剤としては、通常、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが用いられ、銅箔１１と絶縁性樹脂層１２との剥離強度を１．０ｋｇｆ／ｃｍ以上に高める場合には、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましい。
接着促進層１５の形成方法としては、塗布法、浸漬法、シャワーリング法、噴霧法等が挙げられる。
【００３４】
また、ノイズ抑制層１３と他の絶縁性樹脂層（図示略）との密着性を向上させるために、ノイズ抑制層１３上に接着促進層（図示略）を設けてもよい。
接着促進層は、前記シラン系カップリング剤またはチタネート系カップリング剤を塗布する方法、該カップリング剤がインテグラルブレンドされたエポキシ樹脂等を塗布する方法によって形成できる。接着促進層は、ノイズ抑制層１３のパターン加工後に形成してもよい。
【００３５】
＜プリント配線基板＞
本発明のプリント配線基板は、本発明の配線部材を具備するものである。配線部材における銅箔は、プリント配線基板においては、信号配線層、電源層またはグランド層である。ノイズ抑制効果を充分に発揮させるためには、配線部材における銅箔は、電源層またはグランド層であることが好ましく、電源層であることがより好ましい。また、ノイズ抑制効果を充分に発揮させるためには、電源層とグランド層との間にノイズ抑制層が配置されていることが好ましい。
【００３６】
図５は、本発明のプリント配線基板の一例を示す概略断面図である。プリント配線基板２０は、上から順に、パターン加工された信号配線層２１、プリント配線基板２０のほぼ全面にわたるグランド層２２、電源層２３、パターン加工された信号配線層２１が、絶縁層２４を介して積層されたものである。
【００３７】
電源層２３は、配線部材１０の銅箔１１であり、電源層２３のグランド層２２側には、絶縁性樹脂層１２を介して、グランド層２２とほぼ同じ大きさのノイズ抑制層１３が設けられている。また、電源層２３は２分割されていて、分割された電源層２３同士は絶縁されている。
【００３８】
プリント配線基板２０は、例えば以下のようにして製造される。
配線部材１０と他の銅箔との間に、エポキシ樹脂等をガラス繊維等に含浸させてなるプリプレグを挟んで硬化させ、配線部材１０の銅箔１１を電源層２３、他方の銅箔をグランド層２２とする。
ついで、フォトリソグラフィー法等により、配線部材１０の銅箔１１に、所望の形状（２分割パターン）となるようにエッチングを施す。この際、絶縁性樹脂層１２がエッチング液に対し耐性を有し、また絶縁性樹脂層１２にはピンホール等がないことから、ノイズ抑制層１３はエッチングにてダメージを受けずに存在する。電源層２３とグランド層２２をコアに、その両外面に銅箔をプリプレグで張り合わせ信号配線層２１とする。
【００３９】
以上説明した本発明の配線部材にあっては、表面粗さＲz が２μｍ以下である平滑面を有する銅箔と、金属または導電性セラミックスを含む、厚さ５〜２００ｎｍのノイズ抑制層と、前記銅箔の平滑面側と前記ノイズ抑制層との間に設けられた絶縁性樹脂層とを有するため、銅箔とノイズ抑制層との間の絶縁を充分に確保できる。
【００４０】
また、以上説明した本発明のプリント配線板にあっては、本発明の配線部材を具備するため、同時スイッチングによって電源層に流れ込む高周波電流をノイズ抑制層が減衰させ、電源層とグランド層との間の共振を抑えることができる。その結果、基板の周端部からのノイズの放射を抑えることができる。
【実施例】
【００４１】
（ノイズ抑制層の厚さ）
（株）日立製作所製、透過型電子顕微鏡Ｈ９０００ＮＡＲを用いてノイズ抑制層の断面を観察し、５箇所のノイズ抑制層の厚さを測定し、平均した。
【００４２】
（接着強度）
配線部材の銅箔と絶縁性樹脂層との間の剥離強度を、ＪＩＳ Ｃ５０１２に準拠し、テンシロンにより、引張角度９０°、引張速度５０ｍｍ／分にて測定した。
【００４３】
（ノイズ抑制効果）
グランド層と電源層とからなる２層基板を作製し、２分割された一方の電源層の両末端に、電源層とグランド層に繋がるＳＭＡコネクタを搭載し、該コネクタに接続されたネットワークアナライザー（アンリツ社製、３７２４７Ｄ）を用いてＳパラメーター法によるＳ２１（透過減衰量、単位：ｄＢ）を測定し、Ｓ２１パラメータの共振状態を確認した。ノイズ抑制効果がある場合は、共振周波数における減衰量が大きくなり、減衰量と周波数を示すグラフは滑らかになる。
【００４４】
（電源層間抵抗）
分割された２つの電源層のそれぞれにプローブをあて、東亜ＤＫＫ製超絶縁計ＳＭ−８２１０を用い、５０Ｖの測定電圧を印加した際の電源層間の抵抗を測定した。
【００４５】
〔実施例１〕
一方の表面（平滑面）の表面粗さＲz が２μｍであり、他方の粗面化された表面の表面粗さＲz が５．３μｍである、厚さ３５μｍの電解銅箔の平滑面上に、１質量％の３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン溶液を塗布、乾燥し、接着促進層を形成した。
【００４６】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、８２８）３０質量部、臭素化ビスフェノールＡ型樹脂（東都化成社製、ＹＤＢ−５００）３０質量部およびクレゾールノボラック樹脂（東都化成社製、ＹＤＣＮ−７０４）３５質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、ついでイミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製、キュアゾール２Ｅ４ＭＺ）０．２質量部を加え、８質量％の樹脂組成物のワニスを調製した。
該樹脂組成物のワニスを、接着促進層の上に乾燥後の厚さが１０μｍとなるようにグラビアコーターを用いて塗布し、塗膜を形成した。該塗膜を１５分間風乾した後、１５０℃で１５分間加熱して硬化させ、絶縁性樹脂層を形成した。
【００４７】
ついで、該絶縁性樹脂層の全面にニッケル金属をＥＢ蒸着法により物理的に蒸着した。１５０℃で４５分間加熱して絶縁性樹脂層をさらに硬化させ、図２に示す表面を有する、厚さ１５ｎｍの不均質なノイズ抑制層を形成し、総厚４５μｍの配線部材を得た。
【００４８】
該配線部材から幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状の試験片を切り出し、該試験片を、幅３５ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ１ｍｍのプリプレグの幅方向に３枚並べ、試験片とプリプレグをプレスにより接着した後、剥離強度の測定および剥離状態の観察を行った。結果を表１に示す。剥離強度は、３枚の試験片の値の平均値とした。
【００４９】
前記配線部材と厚さ３５μｍの銅箔とを厚さ０．２ｍｍのプリプレグを介して一体化し、２層基板を作製した。該２層基板から７４ｍｍ×１６０ｍｍの大きさの試験片を切り出し、該試験片の配線部材側の銅箔をエッチングにより、大きさ３６．５ｍｍ×１６０ｍｍの２つの電源層に分割し、１ｍｍ離して配置した。ノイズ抑制層とグランド層の大きさは７４ｍｍ×１６０ｍｍであった。該試験片について、電源層間抵抗を測定した。結果を表１に示す。また、該試験片について、Ｓパラメーター法によるＳ２１を測定した。結果を図６に示す。
【００５０】
〔実施例２〕
一方の表面（平滑面）の表面粗さＲz が０．４μｍであり、他方の粗面化された表面の表面粗さＲz が５．３μｍである、厚さ１８μｍの電解銅箔の平滑面上に、１質量％の３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン溶液を塗布、乾燥し、接着促進層を形成した。
【００５１】
ポリエーテルサルホン樹脂（住友化学社製、ＰＥＳ５００３Ｐ）９５質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、８２８ＥＬ、）５質量部、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製、キュアゾール２ＭＺ）０．１質量部を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド／シクロヘキサン混合溶剤（５０／５０質量比）に溶解させ、０．５質量％の樹脂組成物のワニスＡを調製した。
該樹脂組成物のワニスＡを、接着促進層の上に乾燥後の厚さが１μｍとなるように塗布し、塗膜を形成した。該塗膜を１０分間風乾した後、１６０℃で１０分間加熱して硬化させ、絶縁性樹脂層Ａを形成した。
【００５２】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、８３４）２６質量部、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、１２５６）２０質量部、クレゾールノボラック樹脂（東都化成社製、ＹＤＣＮ−７０４）３５質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、ついでイミダゾール系硬化促進剤（四国化成社製、キュアゾール２Ｅ４ＭＺ）０．２質量部加え、４質量％の樹脂組成物のワニスＢを調製した。
該樹脂組成物のワニスＢを、絶縁性樹脂層Ａの上に乾燥後の厚さが２μｍとなるようにグラビアコーターを用いて塗布し、塗膜を形成した。該塗膜を１０分間風乾した後、１５０℃で１５分間加熱して硬化させ、絶縁性樹脂層Ｂを形成した。
【００５３】
ついで、該絶縁性樹脂層Ｂの全面にタンタル金属を、窒素を流入しながらマグネトロンスパッタリング法により物理的に蒸着した。１５０℃で４５分間加熱して絶縁性樹脂層をさらに硬化させ、厚さ２０ｎｍの不均質なノイズ抑制層を形成し、総厚２１μｍの配線部材を得た。
該配線部材について、実施例１と同様にして剥離強度の測定および剥離状態の観察を行った。結果を表１に示す。
【００５４】
前記配線部材と厚さ１８μｍの銅箔とを厚さ０．１ｍｍのプリプレグを介して一体化し、２層基板を作製した。該２層基板について、実施例１と同様にして、電源層を２つに分割し、試験片を作製して、電源層間抵抗を測定した。結果を表１に示す。また、該試験片について、Ｓパラメーター法によるＳ２１を測定した。結果を図７に示す。
【００５５】
〔比較例１〕
両面の表面粗さＲｚが５．３μｍである、厚さ３５μｍの粗面化した電解銅箔を用い、接着促進層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして総厚４５μｍの配線部材を得た。該配線部材について、実施例１と同様にして剥離強度の測定および剥離状態の観察を行った。結果を表１に示す。
前記配線部材を用いて、実施例１と同様にして２層基板を作製し、実施例１と同様にして試験片を作製して、電源層間抵抗を測定した。結果を表１に示す。Ｓパラメーター法によるＳ２１の測定は行わなかった。
【００５６】
〔実施例３〕
接着促進層を形成せず、絶縁性樹脂層の厚さを２５μにした以外は、実施例１と同様にして配線部材を得た。該配線部材について、実施例１と同様にして剥離強度の測定および剥離状態の観察を行った。結果を表１に示す。
前記配線部材を用いて、実施例１と同様にして２層基板を作製し、実施例１と同様にして試験片を作製して、電源層間抵抗を測定した。結果を表１に示す。また、該試験片について、Ｓパラメーター法によるＳ２１を測定した。結果を図８に示す。
【００５７】
〔比較例２〕
絶縁性樹脂層を設けずに直接ノイズ抑制層を銅箔上に形成した以外は、実施例２と同様にして総厚１８μｍの配線部材を得た。該配線部材について、実施例１と同様にして剥離強度の測定および剥離状態の観察を行った。結果を表１に示す。
【００５８】
前記配線部材を用いて、実施例１と同様に２層基板を作製した。該２層基板について、実施例１と同様にして、電源層を２つに分割し、試験片を作製したが、絶縁性樹脂層がないため、ノイズ抑制層も分割され、電源層と同じ２分割された大きさ（３６．５ｍｍ×１６０ｍｍ）となった。グランド層の大きさは７４ｍｍ×１６０ｍｍであった。該試験片について、電源層間抵抗を測定した。結果を表１に示す。また、該試験片について、Ｓパラメーター法によるＳ２１を測定した。結果を図９に示す。
【００５９】
〔比較例３〕
ノイズ抑制層を形成しない以外は、実施例１と同様にして配線部材を得た。前記配線部材を用いて、実施例１と同様にして２層基板を作製し、実施例１と同様にして試験片を作製して、Ｓパラメーター法によるＳ２１を測定した。結果を図６〜８に示す。
【００６０】
〔比較例４〕
ノイズ抑制層を形成しない以外は、比較例２と同様にして配線部材を得た。前記配線部材を用いて、実施例１と同様にして２層基板を作製し、実施例１と同様にして試験片を作製して、Ｓパラメーター法によるＳ２１を測定した。結果を図９に示す。
【００６１】
【表１】


【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の配線部材は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子や電子部品に、電源供給や信号伝送を行うプリント配線基板を構成する部材として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の配線部材の一例を示す概略断面図である。
【図２】ノイズ抑制層の表面を観察したフィールドエミッション走査電子顕微鏡像である。
【図３】図２の模式図である。
【図４】図２のノイズ抑制層の断面の高分解能透過型電子顕微鏡像である。
【図５】本発明のプリント配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図６】実施例１および比較例３のプリント配線板のＳ２１（透過減衰量）を示すグラフである。
【図７】実施例２および比較例３のプリント配線板のＳ２１（透過減衰量）を示すグラフである。
【図８】実施例３および比較例３のプリント配線板のＳ２１（透過減衰量）を示すグラフである。
【図９】比較例２および比較例４のプリント配線板のＳ２１（透過減衰量）を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６４】
１０ 配線部材
１１ 銅箔
１２ 絶縁性樹脂層
１３ ノイズ抑制層
１５ 接着促進層
２０ プリント配線基板
２２ グランド層
２３ 電源層
【出願人】 【識別番号】０００１９０１１６
【氏名又は名称】信越ポリマー株式会社
【出願日】 平成１８年６月３０日（２００６．６．３０）
【代理人】 【識別番号】１０００６４９０８
【弁理士】
【氏名又は名称】志賀 正武

【識別番号】１００１０８５７８
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 詔男

【識別番号】１０００８９０３７
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 隆

【識別番号】１００１０１４６５
【弁理士】
【氏名又は名称】青山 正和

【識別番号】１０００９４４００
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 三義

【識別番号】１００１０７８３６
【弁理士】
【氏名又は名称】西 和哉

【識別番号】１００１０８４５３
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
【公開番号】 特開２００８−１０７１８（Ｐ２００８−１０７１８Ａ）
【公開日】 平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【出願番号】 特願２００６−１８１１７９（Ｐ２００６−１８１１７９）