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【発明の名称】 抵抗器およびその製造方法
【発明者】 【氏名】松川 俊樹

【氏名】福岡 章夫

【氏名】橋本 正人

【氏名】斉川 博之

【氏名】中西 努

【要約】 【課題】本発明は、薄膜技術による端面電極の形成が容易に、かつ確実に行えるとともに、端面電極と上面電極との電気的接続信頼性も確実なものが得られる抵抗器を提供することを目的とするものである。

【構成】本発明の抵抗器は、基板11と、この基板11の一方の主面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極12,13,18および抵抗体14と、前記基板11の端面に設けられ、かつ前記上面電極12,13,18と電気的に接続される端面電極20とを備え、前記端面電極20を、基板11の他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第1の端面電極21と、基板11の一方の主面側から形成され、かつ第1の端面電極21と電気的に接続される金属薄膜よりなる第2の端面電極22とにより構成したものである。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、この基板の一方の主面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の端面に設けられ、かつ前記上面電極と電気的に接続される端面電極とを備え、前記端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第1の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第1の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第2の端面電極とにより構成した抵抗器。
【請求項2】
第1の端面電極と第2の端面電極を構成する金属薄膜をスパッタ工法により形成した請求項1記載の抵抗器。
【請求項3】
第1の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成し、かつ第2の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成した請求項1記載の抵抗器。
【請求項4】
シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項5】
シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】【技術分野】
【0001】
本発明は抵抗器およびその製造方法に関するものであり、特に微小の抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来のこの種の抵抗器としては、図30に示すような抵抗器が知られている。
【0003】
図30に示す抵抗器は、基板1の上面の両端部に位置して基板1の端面より内側に設けた一対の上面電極膜2を跨ぐように抵抗層3を設けるとともに、前記基板1の端面に一対の上面電極膜2と電気的に接続される一対のコ字型の端面電極4を設け、そして前記端面電極4の構造は、上面電極膜2と電気的に接続されるNiCr薄膜、Ti薄膜またはCr薄膜からなるコ字型の第1の金属薄膜5と、この第1の金属薄膜5に重畳する低抵抗のCu薄膜からなる第2の金属薄膜6と、この第2の金属薄膜6に重畳するNiめっき膜からなる第1の金属めっき膜7と、この第1の金属めっき膜7に重畳するPb−Snめっき膜またはSnめっき膜からなる第2の金属めっき膜8の4層構造となっていた。
【0004】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【特許文献1】特開平3−80501号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記した従来の抵抗器においては、端面電極4をスパッタ、イオンプレーティング、P−CVD等の薄膜技術により一対の上面電極膜2と電気的に接続されるようにコ字型に形成しているが、この薄膜技術による端面電極4の形成方法は、どのような方法でコ字型に形成しているのか不明であるとともに、一対の上面電極膜2と端面電極4との電気的接続信頼性が十分であるか否かは不明であるという課題を有していた。
【0006】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、薄膜技術による端面電極の形成が容易に、かつ確実に行えるとともに、端面電極と上面電極との電気的接続信頼性も確実なものが得られる抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【0008】
本発明の請求項1に記載の発明は、基板と、この基板の一方の主面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の端面に設けられ、かつ前記上面電極と電気的に接続される端面電極とを備え、前記端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第1の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第1の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第2の端面電極とにより構成したもので、この構成によれば、基板の端面に設けられ、かつ上面電極と電気的に接続される端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第1の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第1の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第2の端面電極とにより構成しているため、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の一方の主面側からと、基板の他方の主面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという作用効果を有するものである。
【0009】
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、第1の端面電極と第2の端面電極を構成する金属薄膜をスパッタ工法により形成したもので、この構成によれば、耐久性に優れた均一な厚みの端面電極を得ることができるという作用効果を有するものである。
【0010】
本発明の請求項3に記載の発明は、特に、第1の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成し、かつ第2の端面電極をCr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成したもので、この構成によれば、Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜のいずれかからなる第1の薄膜とこの第1の薄膜と電気的に接続されるCu系の合金薄膜からなる第2の薄膜により構成しているため、第1の薄膜と第2の薄膜との界面においては、Cu系の合金薄膜を構成する添加金属と第1の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第1の薄膜と第2の薄膜との密着力が向上して信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。
【0011】
本発明の請求項4に記載の発明は、シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極の形成と第2の端面電極の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。
【0012】
本発明の請求項5に記載の発明は、シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第1の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第1の分割部と直交する方向に複数の第2の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第1の分割部の内面における基板の端面にかけて略L字型の第1の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第1の端面電極にかけて略L字型の第2の端面電極を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極の形成と第2の端面電極の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【0013】
以上のように本発明の抵抗器は、基板の端面に設けられ、かつ上面電極と電気的に接続される端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第1の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第1の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第2の端面電極とにより構成しているため、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の一方の主面側からと、基板の他方の主面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における抵抗器およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【0015】
図1は本発明の実施の形態1における抵抗器の断面図である。
【0016】
図1において、11は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。12は基板11の一主面(上面)に形成された一対の第1の上面電極層で、この第1の上面電極層12はAu系の導電性ペーストからなり、少なくとも抵抗値修正(レーザートリミング)時の検針接触領域を大きくするためのものである。13は前記一対の第1の上面電極層12に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対の第2の上面電極層で、この第2の上面電極層13は基板11の端縁よりも内側に設けている。14は前記一対の第2の上面電極層13に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板11の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。15は抵抗体14の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。16は前記一対の第2の上面電極層13間の抵抗体14の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。17は前記一対の第1の上面電極層12の一部および第2の上面電極層13の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層17と前記一対の第1の上面電極層12および第2の上面電極層13とで一対の上面電極18を構成している。また前記第1の上面電極層12と密着層17は、基板11の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層17は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層12の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。19は前記ガラスを主成分とする第1の保護層15を覆うとともに第2の上面電極層13の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。20は基板11の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極20は第1の端面電極21と第2の端面電極22とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極21は、基板11の裏面側から形成されるもので、基板11の端縁側に位置して、基板11の裏面の端部を覆うとともに、基板11の端面、第1の上面電極層12の端面および密着層17の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜23と、この第1の薄膜23に重なるように形成され、かつ第1の薄膜23と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜24により構成されている。また前記第2の端面電極22は、基板11の上面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜25と、この第1の薄膜25に重なるように形成され、かつ第1の薄膜25と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜26により構成されている。そして前記第1の薄膜25は、密着層17の上面を覆うとともに、第1の端面電極21における第2の薄膜24の一部に重なるように略L字型に形成されている。27は前記第1の端面電極21における第2の薄膜24の一部および第2の端面電極22における第2の薄膜26を覆うとともに、露出している密着層17の端面および第2の上面電極層13の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、28は前記第1のめっき膜27を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。
【0017】
上記構成においては、一対の上面電極18を、第1の上面電極層12と、この第1の上面電極層12に少なくとも一部が重なるように設けられた第2の上面電極層13と、前記第1の上面電極層12および第2の上面電極層13に重なる密着層17の複層構造により構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場合、一対の上面電極18を、第1の上面電極層12と、第2の上面電極層13と、密着層17の複層構造により構成していることにより、一対の端面電極20と一対の上面電極18との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極18と端面電極20との電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【0018】
また上面電極18を構成する第1の上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層17のうち、第1の上面電極層12と密着層17を、基板11の端縁において面一となるように構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場合、基板11の端縁と第1の上面電極層12および密着層17の基板端縁側に薄膜からなる第1の端面電極21を連続して安定した状態に形成することができるものである。
【0019】
そしてまた上面電極18を構成する第1の上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層17のうち、第2の上面電極層13のみが抵抗体14と電気的に接続される構成としているため、密着層17を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるものである。
【0020】
さらに上面電極18を構成する第1の上面電極層12、第2の上面電極層13および密着層17のうち、密着層17の厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層12の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板11の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極18に電気的に接続される一対の端面電極20における第1の端面電極21を薄膜で形成する場合、密着層17の存在により、上面電極18と薄膜からなる端面電極20における第1の端面電極21の接触面積を大きくすることができ、これにより、上面電極18と端面電極20における第1の端面電極21の電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【0021】
以上のように構成された本発明の実施の形態1における抵抗器について、次にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【0022】
図2は本発明の実施の形態1における抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図3(a)(b)、図5(a)(b)、図7(a)(b)、図9(a)(b)、図11(a)(b)、図13、図15(a)(b)、図17(a)(b)および図19(a)(b)は本発明の実施の形態1における抵抗器の製造工程を示す断面図、図4(a)(b)、図6(a)(b)、図8(a)(b)、図10(a)(b)、図12(a)(b)、図14、図16(a)(b)、図18(a)(b)および図20(a)(b)は本発明の実施の形態1における抵抗器の製造工程を示す上面図である。
【0023】
まず、図2、図3(a)、図4(a)に示すように、焼成済みの96%純度のアルミナからなる厚み0.2mmの絶縁性を有するシート状の基板31を準備する。この場合、シート状の基板31は、図2に示すように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部31aを有しているものである。そしてこの不要領域部31aは略ロ字状に構成されているものである。
【0024】
次に、図2、図3(b)、図4(b)に示すように、シート状の基板31の上面にスクリーン印刷工法によりAu系の導電性ペーストからなる複数対の第1の上面電極層32を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第1の上面電極層32を安定な膜とした。
【0025】
次に、図2、図5(a)、図6(a)に示すように、前記第1の上面電極層32に少なくとも一部が重なるように、シート状の基板31の上面にスクリーン印刷工法により銀を主成分とする複数対の第2の上面電極層33を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第2の上面電極層33を安定な膜とした。
【0026】
次に、図2、図5(b)、図6(b)に示すように、複数対の第2の上面電極層33を跨ぐように、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数の抵抗体34を形成し、ピーク温度850℃の焼成プロファイルで焼成することにより、抵抗体34を安定な膜とした。
【0027】
次に、図7(a)、図8(a)に示すように、複数の抵抗体34の一部を覆うように、スクリーン印刷工法によりガラスを主成分とする複数の第1の保護層35を形成し、ピーク温度600℃の焼成プロファイルで焼成することにより、ガラスを主成分とする第1の保護層35を安定な膜とした。
【0028】
次に、図7(b)、図8(b)に示すように、複数対の第2の上面電極層33間の抵抗体34の抵抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝36を形成した。
【0029】
次に、図9(a)、図10(a)に示すように、複数対の第1の上面電極層32の一部および第2の上面電極層33の一部に重なるように、スクリーン印刷工法により銀系の導電性樹脂からなる複数対の密着層37を形成し、ピーク温度200℃の硬化プロファイルで硬化することにより、密着層37を安定な膜とした。
【0030】
次に、図9(b)、図10(b)に示すように、図面上の縦方向に並ぶガラスを主成分とする複数の第1の保護層35の全部を覆うとともに、抵抗体34の一部および第2の上面電極層33の一部を覆うように、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分とする複数の第2の保護層38を形成し、ピーク温度200℃の硬化プロファイルで硬化することにより、第2の保護層38を安定な膜とした。
【0031】
次に、図2、図11(a)、図12(a)に示すように、第2の保護層38を形成したシート状の基板31の全周囲の端部に形成された不要領域部31aを除いて、複数対の第1の上面電極層32および密着層37を分離して複数の短冊状基板31bに分割するためのスリット状の第1の分割部39をダイシング工法により複数形成する。この場合、複数のスリット状の第1の分割部39は700μmピッチで形成されており、かつこのスリット状の第1の分割部39の幅は120μm幅となっている。また前記複数のスリット状の第1の分割部39は、シート状の基板31を上下方向に貫通する貫通孔で形成されているものである。そしてまた前記シート状の基板31は、不要領域部31aを除いてダイシング工法により複数のスリット状の第1の分割部39を形成しているため、スリット状の第1の分割部39を形成した後も複数の短冊状基板31bは不要領域部31aにつながっているため、シート状態を呈しているものである。
【0032】
次に、図11(b)、図12(b)に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の裏面側から、基板31の裏面の一部と複数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板31の端面、第1の上面電極層32の端面および密着層37の端面に、第1の端面電極40の一部を構成する基板31への付着性が良いCr薄膜からなる複数対の第1の薄膜41を略L字型に形成する。
【0033】
次に、図13、図14に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の裏面側から、複数対の第1の薄膜41に重なるように、第1の端面電極40の一部を構成するCu−Ni合金薄膜からなる複数対の第2の薄膜42を略L字型に形成する。この第2の薄膜42と前記第1の薄膜41により第1の端面電極40を構成している。
【0034】
次に、図15(a)、図16(a)に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の上面側から、密着層37の上面を覆うとともに、前記第1の端面電極40における第2の薄膜42の一部に重なるように、第2の端面電極43の一部を構成するCr薄膜からなる複数対の第1の薄膜44を略L字型に形成する。
【0035】
次に、図15(b)、図16(b)に示すように、マスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により、シート状の基板31の上面側から、複数対の第1の薄膜44に重なるように、第2の端面電極43の一部を構成するCu−Ni合金薄膜からなる複数対の第2の薄膜45を略L字型に形成する。この第2の薄膜45と前記第1の薄膜44により第2の端面電極43を構成している。
【0036】
このように略L字型の第1の端面電極40を基板31の裏面側から形成するとともに、略L字型の第2の端面電極43を基板31の上面側から形成することにより、略コの字型の端面電極46が構成されるものである。
【0037】
次に、図2、図17(a)(b)、図18(a)(b)に示すように、シート状の基板31の全周囲の端部に形成された不要領域部31aを除いて、シート状の基板31における複数の短冊状基板31bに、複数の抵抗体34が個々に分離されて個片状基板31cに分割されるようにスリット状の第1の分割部39と直交する方向に複数の第2の分割部47を形成する。この場合、複数の第2の分割部47は400μmピッチで形成されるため、第2の分割部47の幅は100μm幅となっている。またこの複数の第2の分割部47はレーザースクライブにより形成しているもので、まず、図2、図17(a)、図18(a)に示すようにレーザーにより分割溝を形成し、その後、図17(b)、図18(b)に示すように一般的な分割設備により分割溝の部分を分割して個片状基板31cに分割するようにしている。すなわち、この分割方法は、第2の分割部47を形成する毎に個片化されるのではなく、2段階で個片化されるという作用を有するものである。そしてまたこの複数の第2の分割部47は不要領域部31aを除いて複数の短冊状基板31bにレーザースクライブにより形成するようにしているため、この複数の第2の分割部47を形成する毎に個片状基板31cに分割され、そしてこの個片状基板31cは不要領域部31aから分離されるものである。
【0038】
次に、図19(a)、図20(a)に示すように、電気めっき工法を用いて、第1の端面電極40における第2の薄膜42の一部および第2の端面電極43における第2の薄膜45を覆うとともに、露出している密着層37の端面および第2の上面電極層33の上面を覆うように、厚みが約2〜6μmで、かつはんだの拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる第1のめっき膜48を形成する。
【0039】
最後に、図19(b)、図20(b)に示すように、電気めっき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第1のめっき膜48を覆うように、厚みが約3〜8μmで、かつはんだ付着性のよいスズめっきからなる第2のめっき膜49を形成する。
【0040】
以上の製造工程により、本発明の実施の形態1における抵抗器は製造されるものである。
【0041】
なお、上記製造工程においては、第2のめっき膜49をスズめっきで構成しているが、これに限定されるものではなく、スズ合金系の材料、例えば、はんだ等からなるめっきでもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローはんだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。
【0042】
また上記製造工程においては、抵抗体34等を覆う保護層を、抵抗体34を覆うガラスを主成分とする第1の保護層35と、この第1の保護層35を覆うとともにトリミング溝36を覆う樹脂を主成分とする第2の保護層38の2層で構成しているため、前記第1の保護層35でレーザートリミング時のクラックの発生を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂を主成分とする第2の保護層38で抵抗体34全体が覆われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるものである。
【0043】
そしてまた上記製造工程により製造した抵抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の第1の分割部39およびレーザースクライブにより形成された第2の分割部47の間隔が正確(±0.005mm以内)であるとともに、端面電極46を構成する第1の端面電極40、第2の端面電極43の厚みおよび第1のめっき膜48、第2のめっき膜49の厚みも正確であるため、製品である抵抗器の全長および全幅は、正確に長さ0.6mm×幅0.3mmとなるものである。また第1の上面電極層32および抵抗体34のパターン精度も個片状基板の寸法ランク分類が不要であるとともに同一の個片状基板の寸法ランク内での寸法バラツキを考慮する必要がないため、抵抗体34の有効面積も従来品に比べて大きくとることができるものである。すなわち、従来品における抵抗体は長さ約0.20mm×幅0.19mmであったのに対し、本発明の実施の形態1における抵抗器の抵抗体34は長さ約0.25mm×幅0.24mmとなって面積では約1.6倍以上となるものである。
【0044】
さらに上記製造工程においては、複数のスリット状の第1の分割部39をダイシング工法を用いて形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシート状の基板31を用いているため、従来のような個片状基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【0045】
さらにまた上記製造工程においては、シート状の基板31は全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部31aを形成し、かつ複数のスリット状の第1の分割部39は複数の短冊状基板31bが前記不要領域部31aにつながった状態となるようにシート状の基板31に形成しているため、複数のスリット状の第1の分割部39を形成した後も複数の短冊状基板31bは不要領域部31aにつながっており、そのため、シート状の基板31が複数の短冊状基板31bに細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第1の分割部39を形成した後も、不要領域部31aを有するシート状の基板31の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるものである。
【0046】
また上記製造工程においては、上面電極を構成する第1の上面電極層32、第2の上面電極層33および密着層37のうち、第1の上面電極層32をAu系の導電性ペーストで構成しているため、多数個取りのシート状の基板31を短冊状あるいは個片に分割する際、第1の上面電極層32が分割加工しやすく、これにより、第1の上面電極層32の剥離やバリ等の発生を防止することができるものである。
【0047】
そしてまた上記製造工程においては、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板31の裏面から複数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板31の端面、第1の上面電極層32の端面および密着層37の端面にかけて略L字型の第1の端面電極40を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極40に電気的に接続されるように略L字型の第2の端面電極43を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第1の端面電極40の形成と第2の端面電極43の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【0048】
さらに上記製造工程においては、第1の端面電極40を構成する第1の薄膜41と第2の薄膜42をマスク(図示せず)を用いたスパッタ工法により形成しているが、これに限定されるものではなく、上記マスク(図示せず)を用いずに、シート状の基板の裏面全体にスパッタ工法により薄膜を形成しておき、その後、裏面全体に形成された薄膜の不要部分、すなわち裏面の略中央部分をレーザー照射により剥離除去して第1の端面電極40における裏面部分を形成するようにしてもよいものである。
【0049】
次に、上記製造工程における第1の端面電極40の一部を構成する第2の薄膜42および第2の端面電極43の一部を構成する第2の薄膜45について詳述する。
【0050】
第2の薄膜42,45の材料はCu系の合金薄膜のうち、特にCu−Ni合金薄膜が好ましい。
【0051】
Cu−Ni合金薄膜は、添加材料のNiが合金薄膜主元素のCuおよび第1の薄膜41,44に対してCuの全組成比率(範囲)においてNiが均一に溶け合うという「全率固溶体」を構成する。そのため、Cu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45と第1の薄膜41,44との界面にはNiが拡散することになって強固な密着部を形成することになり、これにより、密着性の向上が図れる。また、第2の薄膜45の最表面に存在するNiは、第1のめっき膜48に用いられるニッケルめっきを形成するためのめっき浴で第2の薄膜45の表面に対して防食性を高める効果があるため、第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における密着性についても向上が図れる。
【0052】
ここで、本発明の実施の形態1における「全率固溶体」とは、図21に示す第2の薄膜を構成するCu−Ni合金薄膜の平衡状態図の通りである。図21において、横軸にNi金属の添加量を、縦軸に温度をとると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態であり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であり、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」である。すなわち、本発明の実施の形態1におけるCu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45は、母体金属である面心立方格子のCu金属中に、同じ面心立方格子の結晶構造を有するNi金属原子が溶け込んで一つの相である面心立方格子構造の置換型固溶体を全組成範囲に亘って形成するものである。
【0053】
また、図22はCr薄膜からなる第1の薄膜41,44とCu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45のSIMSによる組成分析結果を示したものである。この時の第2の薄膜42,45のNi添加量は6.2wt%である。図22は横軸にCu−Ni合金薄膜の表面からの膜厚をスパッタリング時間で示し、かつ縦軸は各層でのCu,Ni,Cr等の原子数を示したものである。この図22から明らかなように、Cu−Ni合金薄膜層とCr薄膜層との界面にはCu,NiおよびCrが各々存在する拡散層があるものの、Cu−Ni合金薄膜層の表面からCr薄膜層との界面までの間においては、Cu金属中にNi金属が均一に存在しているものである。これは、Cu−Ni合金薄膜からなる第2の薄膜42,45が、Cu金属中にNi金属が完全に溶け込んで一つの相を形成する「全率固溶体」であることを示しているものである。またこの図22では、Ni添加量を6.2wt%としたが、Ni添加量は全組成範囲において図22に示したものと同一の結果が得られるものである。
【0054】
次に、上記のように構成された本発明の実施の形態1における抵抗器において、Cu−Ni合金薄膜を第2の薄膜42,45として用いた特性について説明する。
【0055】
特性を説明する試験方法としては、「めっきの密着性試験方法/JIS H8504C」に規定された方法により実施し、試験用テープには図23(a)(b)に示すように、「セロハン粘着テープ/JIS Z 1522」に規定された幅18mmの粘着テープ50を使用した。この時、粘着テープ50の引き剥がし方向は、「JIS H 8504」に記載の図23(a)(b)に示すように、アルミナ基板51に対して垂直方向または傾斜する方向とした。
【0056】
すなわち、この試験方法は、試験片としてアルミナ基板51を用い、このアルミナ基板51の側面部分に第1の薄膜41,44としてCu薄膜をスパッタ工法で形成し、次に、この第1の薄膜41,44の上に第2の薄膜42,45としてCu−Ni合金薄膜を第1の薄膜41,44と同様、スパッタ工法で構成する。その後、レーザーを用いてパターン幅0.3mmのパターンを形成する。
【0057】
その後、温度65℃で湿度95%の条件における加速試験を行い、次に、第2の薄膜42,45の表面に粘着テープ50を密着させた後、この粘着テープ50を一気に引き剥がし、全パターン数に対して第2の薄膜42,45が剥離したパターン数の比率を求め、密着性の評価を行った。
【0058】
また第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面の密着性の評価用試験片については、第2の薄膜45を形成した後、第1のめっき膜48としてニッケルめっきを、さらに第2のめっき膜49としてはんだめっきを電解めっきで形成したものを用いた。
【0059】
評価は、Cu−Ni合金薄膜中のNi添加量が「1.6wt%」「6.2wt%」「12.6wt%」であるものと、Ni添加量が「0wt%」であるものについて行った。
【0060】
(表1)は、加速試験500時間後の第2の薄膜42,45と第1の薄膜41,44の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【0061】
【表1】


【0062】
(表1)から明らかなように、Cu薄膜中にNiを添加することにより、第2の薄膜42,45と第1の薄膜41,44の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【0063】
(表2)は、加速試験500時間後の第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【0064】
【表2】


【0065】
(表2)から明らかなように、Cu薄膜中にNiを添加することにより、第1のめっき膜48と第2の薄膜45の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【0066】
なお、上記本発明の実施の形態1においては、第1の薄膜41,44と第2の薄膜42,45をスパッタ工法を用いて形成したものについて説明したが、このスパッタ工法に限定されるものではなく、その他の工法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、P−CVD等の薄膜技術により第1の薄膜41,44と第2の薄膜42,45を形成した場合においても、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるものである。
【0067】
また上記本発明の実施の形態1においては、第1の薄膜41,44をCr薄膜で形成したものについて説明したが、このCr薄膜に限定されるものではなく、基板への付着性が良いその他のCr−Si合金薄膜、Ni−Cr合金薄膜、Ti薄膜、Ti系合金薄膜等の材料で第1の薄膜41,44を形成した場合においても、本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるものである。
【0068】
そしてまた上記本発明の実施の形態1においては、最終的には製品とならない不要領域部31aをシート状の基板31の全周囲の端部に形成して略ロ字状に構成したものについて説明したが、この不要領域部31aはシート状の基板31の全周囲の端部に必ずしも形成する必要はなく、例えば、図24に示すようにシート状の基板31の一端部に不要領域部31dを形成した場合、図25に示すようにシート状の基板31の両端部に不要領域部31eを形成した場合、図26に示すようにシート状の基板31の3つの端部に不要領域部31fを形成した場合においても、上記本発明の実施の形態1と同様の効果が得られるものである。
【0069】
また上記本発明の実施の形態1においては、複数の第2の分割部47をレーザースクライブにより形成したものについて説明したが、この第2の分割部47は、スリット状の第1の分割部39と同様にダイシング工法を用いて形成するようにしてもよいものである。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【0070】
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【0071】
図27は本発明の実施の形態2における抵抗器の断面図である。
【0072】
図27において、61は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。62は基板61の一主面(上面)に形成された銀を主成分とする一対の第1の上面電極層である。63は一対の第1の上面電極層62に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板61の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。64は抵抗体63の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。65は一対の第1の上面電極層62間の抵抗体63の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。66はガラスを主成分とする第1の保護層64を覆うとともに、一対の第1の上面電極層62の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。67は一対の第1の上面電極層62の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層67と前記一対の第1の上面電極層62とで一対の上面電極68を構成している。また前記第1の上面電極層62と密着層67は、基板61の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層67は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層62の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。
【0073】
69は基板61の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極68に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極69は第1の端面電極70と第2の端面電極71とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極70は、基板61の裏面側から形成されるもので、基板61の端縁側に位置して、基板61の裏面の端部を覆うとともに、基板61の端面、第1の上面電極層62の端面および密着層67の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜72と、この第1の薄膜72に重なるように形成され、かつ第1の薄膜72と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜73により構成されている。また前記第2の端面電極71は、基板61の上面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜74と、この第1の薄膜74に重なるように形成され、かつ第1の薄膜74と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜75により構成されている。そして前記第1の薄膜74は、密着層67の上面を覆うとともに、第1の端面電極70における第2の薄膜73の一部に重なるように略L字型に形成されている。76は前記第1の端面電極70における第2の薄膜73の一部および第2の端面電極71における第2の薄膜75を覆うとともに、露出している密着層67の端面および第1の上面電極層62の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、77は前記第1のめっき膜76を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。
【0074】
上記構成においては、一対の上面電極68を、第1の上面電極層62と、この第1の上面電極層62に重なる密着層67とにより構成しているため、第1の端面電極70と第2の端面電極71とにより構成される一対の端面電極69と一対の上面電極68との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極68と端面電極69との電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【0075】
また上面電極68を構成する第1の上面電極層62と密着層67は基板61の端縁において面一となるように構成しているため、基板61の端縁に設けられ、かつ上面電極68に電気的に接続される端面電極69における第1の端面電極70を薄膜で形成する場合、基板61の端縁と第1の上面電極層62および密着層67の基板端縁側に薄膜からなる第1の端面電極70を連続して安定した状態に形成することができるものである。
【0076】
そしてまた上面電極68を構成する第1の上面電極層62と密着層67のうち、第1の上面電極層62のみが抵抗体63と電気的に接続される構成としているため、密着層67を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるものである。
【0077】
さらに上面電極68を構成する第1の上面電極層62と密着層67のうち、密着層67の厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層62の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板61の端縁に設けられ、かつ上面電極68と電気的に接続される端面電極69における第1の端面電極70を薄膜で形成する場合、密着層67の存在により、上面電極68と薄膜からなる端面電極69における第1の端面電極70の接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極68と端面電極69における第1の端面電極70の電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【0078】
さらにまた上面電極68を構成する第1の上面電極層62は銀系の材料で構成するとともに、密着層67は銀系の導電性樹脂で構成しているもので、この構成によれば、第1の上面電極層62の形成温度が850℃近辺で、かつ密着層67の形成温度が200℃近辺となるため、抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することもなくなるものである。
【0079】
なお、上記本発明の実施の形態2における抵抗器と、本発明の実施の形態1における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態1における抵抗器が上面電極18を第1の上面電極層12と、第2の上面電極層13および密着層17の三者で構成しているのに対し、本発明の実施の形態2における抵抗器は、上面電極68を第1の上面電極層62と密着層67の二者で構成している点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態2における抵抗器は本発明の実施の形態1における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【0080】
(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【0081】
図28は本発明の実施の形態3における抵抗器の断面図である。
【0082】
図28において、81は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。82は基板81の一主面(上面)に形成された一対の第1の上面電極層で、この第1の上面電極層82はAu系の導電性ペーストからなり、少なくとも抵抗値修正(レーザートリミング)時の検針接触領域を大きくするためのものである。83は前記一対の第1の上面電極層82に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対の第2の上面電極層で、この第2の上面電極層83は基板81の端縁よりも内側に設けている。84は前記一対の第2の上面電極層83に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板81の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。85は抵抗体84の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。86は前記一対の第2の上面電極層83間の抵抗体84の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。87は前記一対の第1の上面電極層82の一部および第2の上面電極層83の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層87と前記一対の第1の上面電極層82および第2の上面電極層83とで一対の上面電極88を構成している。また前記第1の上面電極層82と密着層87は、基板81の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層87は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層82の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。89は前記ガラスを主成分とする第1の保護層85を覆うとともに第2の上面電極層83の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。90は基板81の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極88に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極90は第1の端面電極91と第2の端面電極92とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極91は、薄膜技術を用いて基板81の上面側から形成されるもので、基板81の端縁側に位置して、密着層87の上面を覆うとともに、密着層87の端面、第1の上面電極層82の端面および基板81の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜93と、この第1の薄膜93に重なるように形成され、かつ第1の薄膜93と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜94により構成されている。また前記第2の端面電極92は、薄膜技術を用いて第1の端面電極91を形成した後、基板81の裏面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜95と、この第1の薄膜95に重なるように形成され、かつ第1の薄膜95と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜96により構成されている。そして前記第1の薄膜95は、基板81の裏面の端部を覆うとともに、第1の端面電極91における第2の薄膜94の一部に重なるように略L字型に形成されている。97は前記第2の端面電極92における第2の薄膜96および第1の端面電極91における第2の薄膜94の一部を覆うとともに、露出している密着層87の端面および第2の上面電極層83の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、98は前記第1のめっき膜97を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。
【0083】
なお、上記本発明の実施の形態3における抵抗器と、本発明の実施の形態1における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態1における抵抗器が第1の端面電極40と第2の端面電極43を形成する場合、まず、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いて略L字型の第1の端面電極40を形成し、その後、スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極40に電気的に接続されるように略L字型の第2の端面電極43を形成しているのに対し、本発明の実施の形態3における抵抗器は、第1の端面電極91と第2の端面電極92を形成する場合、まず、基板81の上面側に、薄膜技術を用いて略L字型の第1の端面電極91を形成し、その後、基板81の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極91に電気的に接続されるように略L字型の第2の端面電極92を形成するようにした点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態3における抵抗器は本発明の実施の形態1における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【0084】
(実施の形態4)
以下、本発明の実施の形態4における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【0085】
図29において、101は焼成済みの96%純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第1の分割部とこの第1の分割部と直交関係にある第2の分割部で分割することにより個片化された基板である。102は基板101の一主面(上面)に形成された銀を主成分とする一対の第1の上面電極層である。103は一対の第1の上面電極層102に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板101の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。104は抵抗体103の上面に形成されたガラスを主成分とする第1の保護層である。105は一対の第1の上面電極層102間の抵抗体103の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。106はガラスを主成分とする第1の保護層104を覆うとともに、一対の第1の上面電極層102の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第2の保護層である。107は一対の第1の上面電極層102の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層107と前記一対の第1の上面電極層102とで一対の上面電極108を構成している。また前記第1の上面電極層102と密着層107は、基板101の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層107は、厚み方向における最大の高さを第1の上面電極層102の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。
【0086】
109は基板101の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極108に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極109は第1の端面電極110と第2の端面電極111とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第1の端面電極110は、薄膜技術を用いて基板101の上面側から形成されるもので、基板101の端縁側に位置して、密着層107の上面を覆うとともに、密着層107の端面、第1の上面電極層102の端面および基板101の端面に重なるように略L字型に形成された第1の薄膜112と、この第1の薄膜112に重なるように形成され、かつ第1の薄膜112と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜113により構成されている。また前記第2の端面電極111は、薄膜技術を用いて第1の端面電極110を形成した後、基板101の裏面側から形成されるもので、略L字型の第1の薄膜114と、この第1の薄膜114に重なるように形成され、かつ第1の薄膜114と電気的に接続される略L字型の第2の薄膜115により構成されている。そして前記第1の薄膜114は、基板101の裏面の端部を覆うとともに、第1の端面電極110における第2の薄膜113の一部に重なるように略L字型に形成されている。116は前記第2の端面電極111における第2の薄膜115および第1の端面電極110における第2の薄膜113の一部を覆うとともに、露出している密着層107の端面および第1の上面電極層102の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第1のめっき膜、117は前記第1のめっき膜116を覆うように形成されたスズめっきからなる第2のめっき膜である。
【0087】
なお、上記本発明の実施の形態4における抵抗器と、本発明の実施の形態3における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態3における抵抗器が上面電極88を第1の上面電極層82と、第2の上面電極層83および密着層87の三者で構成しているのに対し、本発明の実施の形態4における抵抗器は、上面電極108を第1の上面電極層102と密着層107の二者で構成している点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態4における抵抗器は本発明の実施の形態3における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【0088】
そして上記本発明の実施の形態3、4においては、製造工程図は図示していないが、本発明の実施の形態1で示した抵抗器の製造工程におけるスリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板31の上面に設けた上面電極88,108の上面から複数のスリット状の第1の分割部39の内面における基板31の端面にかけて略L字型の第1の端面電極91,110を形成する工程と、前記スリット状の第1の分割部39が複数形成された状態のシート状の基板31の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第1の端面電極91,110に電気的に接続されるようにシート状の基板31の裏面から第1の端面電極91,110の一部にかけて略L字型の第2の端面電極92,111を形成する工程を備えているため、上面電極88,108と端面電極90,109との電気的接続は第1の端面電極91,110の形成と第2の端面電極92,111の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極88,108と端面電極90,109との電気的接続信頼性を高めることができるという効果を有するものである。
【産業上の利用可能性】
【0089】
本発明に係る抵抗器およびその製造方法は、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるものであり、特に微小の抵抗器において有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【0090】
【図1】本発明の実施の形態1における抵抗器の断面図
【図2】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図3】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図4】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図5】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図6】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図7】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図8】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図9】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図10】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図11】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図12】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図13】同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図14】同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図15】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図16】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図17】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図18】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図19】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図20】(a)(b)同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図21】同抵抗器の第2の薄膜を構成するCu−Ni合金薄膜の平衡状態図
【図22】同抵抗器の第1の薄膜と第2の薄膜のSIMSによる組成分析結果の説明図
【図23】(a)(b)特性を説明する試験方法を示す図
【図24】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図25】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図26】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の3つの端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図27】本発明の実施の形態2における抵抗器の断面図
【図28】本発明の実施の形態3における抵抗器の断面図
【図29】本発明の実施の形態4における抵抗器の断面図
【図30】従来の抵抗器の断面図
【符号の説明】
【0091】
11,61,81,101 基板
12,62,82,102 第1の上面電極層
13,83 第2の上面電極層
14,63,84,103 抵抗体
15,64,85,104 第1の保護層
16,65,86,105 トリミング溝
17,67,87,107 密着層
18,68,88,108 上面電極
19,66,89,106 第2の保護層
20,69,90,109 端面電極
21,70,91,110 第1の端面電極
22,71,92,111 第2の端面電極
23,72,93,112 第1の端面電極における第1の薄膜
24,73,94,113 第1の端面電極における第2の薄膜
25,74,95,114 第2の端面電極における第1の薄膜
26,75,96,115 第2の端面電極における第2の薄膜
31 シート状の基板
31a,31d〜31f 不要領域部
31b 短冊状基板
31c 個片状基板
32 第1の上面電極層
33 第2の上面電極層
34 抵抗体
35 第1の保護層
36 トリミング溝
37 密着層
38 第2の保護層
39 第1の分割部
40 第1の端面電極
41 第1の端面電極における第1の薄膜
42 第1の端面電極における第2の薄膜
43 第2の端面電極
44 第2の端面電極における第1の薄膜
45 第2の端面電極における第2の薄膜
46 端面電極
47 第2の分割部
【出願人】 【識別番号】000005821
【氏名又は名称】松下電器産業株式会社
【出願日】 平成19年10月5日(2007.10.5)
【代理人】 【識別番号】100097445
【弁理士】
【氏名又は名称】岩橋 文雄

【識別番号】100109667
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 浩樹

【識別番号】100109151
【弁理士】
【氏名又は名称】永野 大介


【公開番号】 特開2008−53744(P2008−53744A)
【公開日】 平成20年3月6日(2008.3.6)
【出願番号】 特願2007−261752(P2007−261752)