【特許請求の範囲】
【請求項1】 2〜4mol%のイットリアを含むジルコニアからなり、3点曲げ強度1700MPa以上で、かつ厚さ0.5mmでの全光線透過率が43%以上である高強度イットリア含有ジルコニア焼結体。 【請求項2】 3点曲げ強度1900MPa以上で、かつ厚さ0.5mmでの全光線透過率が45%以上である請求項1記載のジルコニア焼結体。 【請求項3】 結晶相が3mol%以下のイットリアを含む正方晶蛍石型結晶相(I)のみ、或いは3mol%以下のイットリアを含む正方晶蛍石型結晶相(I)と5mol%以上のイットリアを含む正方晶蛍石型結晶相(II)との混合相からなり,正方晶蛍石型結晶相(I)の割合が50−100%であることを特徴とする請求項1〜2に記載のジルコニア焼結体。 【請求項4】 焼結体中に10μm以上の気孔を含有せず、焼結体気孔率が0.5%以下であることを特徴とする請求項1〜3記載のジルコニア焼結体。 【請求項5】 請求項1〜4記載の焼結体を用いた歯科材料用ジルコニア焼結体。 【請求項6】 歯科材料が歯列矯正ブラケットである、請求項5記載の焼結体。 【請求項7】 イットリアを含有するジルコニア粉末を成形し、無加圧下で焼結した一次焼結体を熱間静水圧プレス(HIP)により高温高圧処理する方法において、相対密度95%以上の一次焼結体を用い、温度1200〜1600℃、圧力50MPa以上で処理することを特徴とする請求項1〜5記載のジルコニア焼結体の製造方法。 【請求項8】 一次焼結体の粒径が0.3μm以下であることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。 【請求項9】 イットリアを含有するジルコニア粉末が純度99%以上、比表面積5〜20m2/g、結晶子径10〜70nmであることを特徴とする請求項7〜8記載の製造方法。 【請求項10】 イットリアを含有するジルコニア粉末が焼結助剤として下記に記載するアルミナ化合物のうち少なくとも1種類以上を総量で1wt%以下含有する請求項7〜9記載の製造方法。 アルミナ化合物:アルミナ(Al2O3)、スピネル(MgO・Al2O3)、YAG(5Al2O3・3Y2O3)、ムライト(3Al2O3・2SiO2)、ホウ酸アルミ化合物(nB2O3・Al2O3 n=0.5、1、2) 【請求項11】 HIP処理装置中に半密閉状態の容器を配し、当該容器中に無加圧焼結体を配して処理することを特徴とする請求項7〜10に記載の製造方法。 【請求項12】 半密閉状態が開口部を有するセラミックス製容器の開口部にセラミックス製平板を置いて形成してなる請求項11に記載の製造方法。
|