割断装置および割断方法

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【発明の名称】	割断装置および割断方法
【発明者】	【氏名】山崎英樹【氏名】林正和【氏名】東真也【氏名】大江敦司【氏名】矢作進
【要約】	【課題】被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を自在に調整し、とりわけ当該ソゲ量を抑える割断装置および当該割断装置を用いた割断方法を提供すること。【構成】本発明の割断装置は、脆性材料からなる被加工基板６０を、割断予定線６５に沿って局部的に加熱及び冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断する。割断装置は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線６５近傍に沿って、被加工基板６０を局部的に加熱する加熱部３０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ加熱部３０からのレーザ光ＬＢ２によって加熱された領域に沿って、冷却流体Ｃを噴射する冷却部４０とを備えている。冷却部４０には、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１を調整する水平距離制御機構が設けられている。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱及び冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、
被加工基板を保持する基板ホルダと、
基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍に沿って、被加工基板を局部的に加熱する加熱部と、
基板ホルダに保持された被加工基板のうち、加熱部によって加熱された領域に沿って、冷却流体を噴射する冷却部とを備え、
冷却部に、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離を調整する水平距離制御機構が設けられたことを特徴とする割断装置。
【請求項２】
冷却部に、冷却部から噴射される冷却流体の被加工基板に対する角度を調整する角度調整機構が設けられたことを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項３】
加熱部及び冷却部に対して被加工基板を相対的に移動させる移動ユニットをさらに備え、
当該移動ユニットからの移動速度に関する信号に基づいて、冷却部から噴射される冷却流体の量を制御することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項４】
加熱部及び冷却部に対して被加工基板を相対的に移動させる移動ユニットをさらに備え、
当該移動ユニットからの移動速度に関する信号に基づいて、冷却部から噴射される冷却流体の温度を制御することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項５】
冷却部に、被加工基板から冷却部までの垂直距離を調整する垂直距離制御機構が設けられたことを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項６】
冷却部は、被加工基板上の割断予定線に平行な線に対して非対称な領域で冷却流体を噴射することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項７】
冷却部近傍に、被加工基板上の割断線を測定する測定部をさらに備え、
測定部によって測定される割断線に関するデータに基づいて、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離をリアルタイムで調整することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項８】
脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱及び冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、
基板ホルダによって、被加工基板を保持する基板保持工程と、
加熱部によって、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍に沿って、被加工基板を局部的に加熱する加熱工程と、
冷却部に設けられた水平距離制御機構によって、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離を調整する水平距離制御工程と、
加熱部の下流側に配置された冷却部によって、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、加熱部によって加熱された領域に沿って、冷却流体を噴射する冷却工程と、
を備えたことを特徴とする割断方法。

【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工基板の割断時に発生するソゲ量を自在に調整する割断装置および割断方法に係り、とりわけ当該ソゲ量を抑える割断装置および割断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６および図７に示すように、従来から、脆性材料からなる被加工基板６０に対して割断加工を行う方法として、脆性材料からなる被加工基板６０の割断予定線６５上の加熱領域ＨＡを、レーザ光ＬＢを用いて局部的に加熱するとともに、被加工基板６０の割断予定線６５上の冷却領域ＣＡを、水等の冷却流体Ｃを用いて局部的に冷却し、その熱応力によって当該被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断する方法が提案されている（特許文献１参照）。なお、図７は、図６の矢印から見た正面斜視図である。
【０００３】
このような被加工基板６０の割断方法において、被加工基板６０の割断面の品位の良否は実用上非常に重要である。一般的に、液晶パネル等で用いられる長方形のガラス基板等において、その割断面の品位は、直線性とソゲ量とによって評価される。図８に示すように、「直線性」とは、被加工基板６０の表面における割断線６８の直線性（割断予定線６５からの割断線６８のずれδｗ_１）をいい、「ソゲ量」とは、被加工基板６０の表面に対する割断面６９の厚さ方向の直角度（割断予定線６５に対応する垂直な面からの割断面６９のずれδｗ_２）をいう。なお、実際の製品では、これらの直線性及びソゲ量に関して上限値が決められており、具体的には、直線性に関して±数十μｍ以下（±数百μｍ以下）、ソゲ量に関して±数十μｍ以下（±数百μｍ以下）程度である。これらの数値は、メーカーや製品に応じて異なるものであるが、例えば、直線性に関して±５０μｍ以下、ソゲ量に関して±７０μｍ以下程度であることが好ましい。
【特許文献１】特表平８－５０９９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したように、被加工基板６０の割断予定線６５上の加熱領域ＨＡを局部的に加熱するとともに、割断予定線６５上の冷却領域ＣＡを局部的に冷却することによって被加工基板６０を割断すると、とりわけ、図６に示すように裏面に複数の配線からなる金属膜４が形成された被加工基板６０を割断する場合には、被加工基板６０内の熱分布（すなわち、熱分布を示す等温線）が割断予定線６５に対して非対称になってしまう（図６参照）。このため、被加工基板６０内の割断予定線６５近傍で発生する熱応力が割断予定線６５に対して非対称になってしまい、割断線６８が割断予定線６５から大きくずれてしまう。この結果、被加工基板６０を割断する際に発生するソゲ量が大きくなってしまう。
【０００５】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を自在に調整し、とりわけ当該ソゲ量を抑えることができる割断装置、および当該割断装置を用いた割断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱及び冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、被加工基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍に沿って、被加工基板を局部的に加熱する加熱部と、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、加熱部によって加熱された領域に沿って、冷却流体を噴射する冷却部とを備え、冷却部に、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離を調整する水平距離制御機構が設けられたことを特徴とする割断装置である。
【０００７】
このような構成によって、冷却部からの冷却流体によって、被加工基板内に発生する熱応力を割断予定線に対して容易に略対称にすることができるので、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を自在に調整し、とりわけ当該ソゲ量を抑えることができる。
【０００８】
本発明は、冷却部に、冷却部から噴射される冷却流体の被加工基板に対する角度を調整する角度調整機構が設けられたことを特徴とする割断装置である。
【０００９】
このような構成によって、被加工基板に冷却流体を噴射して割断する際に発生する被加工基板内の熱応力を微調整することができる。このため、被加工基板内に発生する熱応力を、割断予定線に対してより容易に略対称にすることができるので、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を、より確実に抑えることができる。
【００１０】
本発明は、加熱部及び冷却部に対して被加工基板を相対的に移動させる移動ユニットをさらに備え、当該移動ユニットからの移動速度に関する信号に基づいて、冷却部から噴射される冷却流体の量を制御することを特徴とする割断装置である。
【００１１】
このような構成によって、被加工基板の移動速度にあった量の冷却流体を噴射することができる。このため、無駄なく確実に被加工基板を割断することができる。
【００１２】
本発明は、加熱部及び冷却部に対して被加工基板を相対的に移動させる移動ユニットをさらに備え、当該移動ユニットからの移動速度に関する信号に基づいて、冷却部から噴射される冷却流体の温度を制御することを特徴とする割断装置である。
【００１３】
このような構成によって、被加工基板の移動速度にあった温度の冷却流体を噴射することができる。このため、無駄なく確実に被加工基板を割断することができる。
【００１４】
本発明は、冷却部に、被加工基板から冷却部までの垂直距離を調整する垂直距離制御機構が設けられたことを特徴とする割断装置である。
【００１５】
このような構成によって、被加工基板に対して噴射される冷却流体の強さを調整することができるため、被加工基板内に発生する熱応力を適宜調整することができる。このため、被加工基板内に発生する熱応力を割断予定線に対して効率よく略対称にすることができ、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量をより確実に抑えることができる。
【００１６】
本発明は、冷却部が、被加工基板上の割断予定線に平行な線に対して非対称な領域で冷却流体を噴射することを特徴とする割断装置である。
【００１７】
本発明は、冷却部近傍に、被加工基板上の割断線を測定する測定部をさらに備え、測定部によって測定される割断線に関するデータに基づいて、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離をリアルタイムで調整することを特徴とする割断装置である。
【００１８】
このような構成によって、実際の割断線に関するデータに基づいて、被加工基板の割断予定線から冷却部までの水平距離を調整することができるので、被加工基板に発生するソゲの量をより確実に抑えることができる。
【００１９】
本発明は、脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱及び冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、基板ホルダによって、被加工基板を保持する基板保持工程と、加熱部によって、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍に沿って、被加工基板を局部的に加熱する加熱工程と、冷却部に設けられた水平距離制御機構によって、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離を調整する水平距離制御工程と、加熱部の下流側に配置された冷却部によって、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、加熱部によって加熱された領域に沿って、冷却流体を噴射する冷却工程と、を備えたことを特徴とする割断方法である。
【００２０】
このような構成によって、冷却部からの冷却流体によって、被加工基板内に発生する熱応力を割断予定線に対して容易に略対称にすることができるので、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を自在に調整し、とりわけ当該ソゲ量を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、冷却部に、被加工基板上の割断予定線から冷却部までの水平距離を調整する水平距離制御機構を設けることによって、被加工基板を割断する際に発生するソゲ量を自在に調整し、とりわけ当該ソゲ量を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
実施の形態
以下、本発明に係る割断装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図５は本発明の実施の形態を示す図である。
【００２３】
本発明の割断装置は、脆性材料からなる被加工基板６０、とりわけ、裏面に複数の配線からなる金属膜４が形成された被加工基板６０を割断予定線６５近傍に沿って局部的に加熱及び冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断する際に用いられる（図２参照）。以下、割断対象として、図２に示すように裏面に複数の配線からなる金属膜４が形成された被加工基板６０を用いて、説明する。なお、割断対象となる被加工基板６０としては、例えば、液晶工程で取り扱われる素ガラス基板や膜付き基板（カラーフィルタ基板やＴＦＴ基板等）のほか、液晶などを注入した貼合基板を用いることができる。
【００２４】
図１に示すように、割断装置は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０を、割断予定線６５に沿って局部的に予熱するレーザ予熱部２０と、レーザ予熱部２０の下流側に配置され、レーザ予熱部２０からのレーザ光ＬＢ１によって予熱された領域に沿ってレーザ光ＬＢ２を照射し、局部的に加熱するレーザ加熱部（加熱部）３０と、レーザ加熱部３０の下流側に配置され、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ加熱部３０からのレーザ光ＬＢ２によって加熱された領域に沿って、冷却流体Ｃを噴射する冷却部４０とを備えている。
【００２５】
図１に示すレーザ予熱部２０は、被加工基板６０上にレーザ光ＬＢ１を照射して被加工基板６０を局部的に予熱するためのものである。図１に示すように、レーザ予熱部２０は、２００Ｗ程度のＣＯ_２レーザ光を出射するレーザ発振器２１と、レーザ発振器２１により出射されたレーザ光ＬＢ１を反射する反射ミラー２２と、反射ミラー２２により反射されたレーザ光ＬＢ１を被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー２３とを有している。そして、レーザ発振器２１から出射したレーザ光ＬＢ１は、反射ミラー２２を経てポリゴンミラー２３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線６５に沿って繰り返し走査される。
【００２６】
図１に示すレーザ加熱部３０は、被加工基板６０上にレーザ光ＬＢ２を照射して被加工基板６０を局部的に加熱して、被加工基板６０に亀裂を生じさせるためのものである。図１に示すように、レーザ加熱部３０は、数十Ｗ～百数十Ｗ程度のＣＯ_２レーザ光を出射するレーザ発振器３１と、レーザ発振器３１により出射されたレーザ光ＬＢ２を反射する反射ミラー３２と、反射ミラー３２により反射されたレーザ光ＬＢ２を被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー３３とを有している。そして、レーザ発振器３１から出射したレーザ光ＬＢ２は、反射ミラー３２を経てポリゴンミラー３３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線６５に沿って繰り返し走査される。
【００２７】
図１に示す冷却部４０は、局部的に加熱された被加工基板６０上の割断予定線６５に冷却流体Ｃを吹き付けて冷却するためのものである。このような冷却流体Ｃとしては、水や霧（水と気体との混合物）、窒素、ヘリウム等の気体、二酸化炭素粒子（ドライアイス）等の微粒子固体、アルコール等の液体、霧状のアルコール、雪状のドライアイス等を用いることができる。
【００２８】
図１に示すように、冷却部４０には、駆動機構４５が設けられている。そして、この駆動機構４５は、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１（図２および図３参照）を調整する水平距離制御機構（図示せず）と、冷却部４０から噴射される冷却流体Ｃの被加工基板６０に対する角度を調整する角度調整機構（図示せず）と、被加工基板６０から冷却部４０までの垂直距離を調整する垂直距離制御機構（図示せず）とを有している。
【００２９】
このため、駆動機構４５は、図１に矢印で示すように、冷却部４０を水平方向（図１のＸ方向およびＹ方向）および垂直方向（図１のＺ方向）に自在に移動させることができるとともに、冷却部４０を被加工基板６０に対して自在に傾斜させることができる。
【００３０】
図１に示すように、基板ホルダ５０は、加熱部３０及び冷却部４０に対して基板ホルダ５０を相対的に移動させる移動ユニット５５上に配置されている。
【００３１】
また、図１に示すように、冷却部４０および移動ユニット５５は、制御部７０に接続されている。この制御部７０は、移動ユニット５５からの移動速度に関する信号に基づいて、冷却部４０から噴射される冷却流体Ｃの量および冷却流体Ｃの温度を制御することができる。
【００３２】
また、図１に示すように、冷却部４０近傍には、制御部７０に接続されるとともに、被加工基板６０上の割断線６８を測定する測定部７１が配置されている。制御部７０は、この測定部７１によって測定される割断線６８に関するデータに基づいて、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１を調整することができる（図２および図３参照）。
【００３３】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
【００３４】
まず、基板ホルダ５０によって、被加工基板６０が保持される（基板保持工程８１）（図１および図４参照）。
【００３５】
次に、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線６５上の領域が、レーザ予熱部２０から照射される線状のレーザビームＬＢ１によって、所定の温度（３０℃～２００℃程度）で局部的に予熱される（レーザ予熱工程８２）（図１および図４参照）。このとき、レーザ予熱部２０は、レーザ発振器２１により出射されたレーザ光ＬＢ１を、反射ミラー２２で反射した後、ポリゴンミラー２３で反射し、被加工基板６０上の割断予定線６５に沿って繰り返し走査する（図１参照）。
【００３６】
次に、移動ユニット５５によって、被加工基板６０が図１のＸ方向に移動し、レーザ予熱部２０によって予熱された被加工基板６０上の領域が、レーザ加熱部３０のポリゴンミラー３３下方に配置される（第一移動工程８３）。
【００３７】
次に、レーザ予熱部２０によって局部的に予熱された被加工基板６０上の領域よりも幅の狭い割断予定線６５上の領域（加熱領域ＨＡ）が、レーザ加熱部３０から照射される線状のレーザビームＬＢ２によって、所定の温度（１００℃～４００℃程度）で局部的に加熱される（レーザ加熱工程８４）（図１、図２および図４参照）。このとき、レーザ加熱部３０は、レーザ発振器３１により出射されたレーザ光ＬＢ２を、反射ミラー３２で反射した後、ポリゴンミラー３３で反射し、被加工基板６０上で割断予定線６５に沿って繰り返し走査する（図１参照）。このように、被加工基板６０の割断予定線６５上の領域で加熱することによって、熱応力が発生する。
【００３８】
次に、移動ユニット５５によって、被加工基板６０が図１のＸ方向に移動し、レーザ加熱部３０によって加熱された被加工基板６０上の領域が、冷却部４０下方に配置される（第二移動工程８５）。
【００３９】
次に、レーザ加熱部３０の下流側に配置された冷却部４０から、被加工基板６０上の加熱領域ＨＡに沿って、冷却流体Ｃが噴射される（冷却工程９０）（図１乃至図４参照）。このように、被加工基板６０上のレーザ加熱部３０からのレーザ光ＬＢ２によって加熱された領域に沿って、冷却部４０から冷却流体Ｃを噴射することによって、被加工基板６０の表面が収縮し、熱応力（とりわけ、引張応力）が発生する。
【００４０】
ところで、制御部７０は、予め（例えば、図４に示すように、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０をレーザ予熱部２０からのレーザ光ＬＢ１によって予熱をする前に）、冷却部４０に設けられた駆動機構４５の水平距離制御機構を用いて、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１を調整する（水平距離制御工程７５）（図１乃至図４参照）。
【００４１】
この冷却部４０の水平距離Ｄ１の調整は、具体的には次のように行われる。すなわち、この水平距離Ｄ１の調整を行わない場合に、冷却部４０からの冷却流体Ｃの噴射により、被加工基盤６０内に割断予定線６５に対して非対称となる熱分布（等温線により構成される）が発生したとする。この冷却部４０の水平距離Ｄ１の調整は、この非対称となる熱分布を修正して、割断予定線６５に対して対称となる熱分布になるように行われる。
【００４２】
このため、被加工基板６０上の割断予定線６５から、適切な量だけ水平方向にずれた被加工基板６０上の所定位置に、冷却部４０からの冷却流体Ｃを噴射することができる（図２および図３参照）。従って、裏面に複数の配線からなる金属膜４などが形成された被加工基板６０に冷却流体Ｃを噴射して割断する場合であっても、被加工基板６０内の熱分布（等温線により構成される）を割断予定線６５に対して容易に略対称にすることができる。この結果、被加工基板６０の割断予定線６５近傍で発生する熱応力を割断予定線６５に対して容易に略対称にすることができ、被加工基板６０に冷却流体Ｃを噴射して割断する際に発生するソゲ量を抑えることができる（図２参照）。なお、図３は、図２の矢印から見た正面斜視図である。
【００４３】
なお、図３に示したように、駆動機構４５の水平距離制御機構によって、被加工基板６０上の加熱領域ＨＡと、冷却部４０からの冷却流体Ｃによって冷却される被加工基板６０上の冷却領域ＣＡとの間の距離Ｄ２を調整することもできる。
【００４４】
また、制御部７０は、予め、冷却部４０に設けられた駆動機構４５の角度調整機構を用いて、冷却部４０から噴射される冷却流体Ｃの被加工基板６０に対する角度を調整することもできる（角度調整工程７６）（図１および図４参照）。
【００４５】
このため、被加工基板６０内の熱分布を適宜調整することができる（図１参照）。従って、被加工基板６０に冷却流体Ｃを噴射して割断する際に発生する被加工基板６０内の熱応力を微調整することができ、当該熱応力を割断予定線６５に対してより容易に略対称にすることができる。この結果、被加工基板６０を割断する際に発生するソゲ量を、より確実に抑えることができる。
【００４６】
さらに、制御部７０は、予め、冷却部４０に設けられた駆動機構４５の垂直距離制御機構を用いて、被加工基板６０から冷却部４０までの垂直距離を調整してもよい（垂直距離制御工程７７）（図１および図４参照）。
【００４７】
このため、被加工基板６０の冷却領域ＣＡに噴射される冷却流体Ｃの強さを調整することができる（図１参照）。従って、被加工基板６０内の熱分布を適宜調整することができ、被加工基板６０内に発生する熱応力を適宜調整することができる。この結果、被加工基板６０内に発生する熱応力を割断予定線６５に対して効率よく略対称にすることができ、被加工基板６０を割断する際に発生するソゲ量を、より確実に抑えることができる。
【００４８】
なお、冷却部４０から冷却流体Ｃが噴射される（冷却工程９０の）間、制御部７０は、移動ユニット５５からの移動速度に関する信号に基づいて、冷却部４０から噴射される冷却流体Ｃの量および冷却流体Ｃの温度を制御する（冷却流体制御工程９１）（図１および図４参照）。このため、被加工基板６０の移動速度に合った量であって、適切な温度の冷却流体Ｃを噴射することができるので、無駄なく確実に被加工基板６０を割断することができる。
【００４９】
また、冷却部４０から冷却流体Ｃが噴射される（冷却工程９０の）間、制御部７０は、冷却部４０近傍に配置された測定部７１によって測定される割断線６８に関するデータに基づいて、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１をリアルタイムで調整する（リアルタイム水平距離調整工程９２）（図１乃至図４参照）。このため、実際の割断線６８に関するデータに基づいて、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１をリアルタイムで調整することができるので、被加工基板６０に発生するソゲの量をより確実に抑えることができる。
【００５０】
ところで、上記では、冷却部４０が被加工基板６０上の対象な領域からなる冷却領域ＣＡに冷却流体Ｃを噴射する態様を用いて説明したが、これに限ることなく、図５に示すように、冷却部４０は、被加工基板６０上の割断予定線６５に平行な線６５ａに対して非対称な領域からなる冷却領域ＣＡに冷却流体Ｃを照射してもよい。ところで、図５は、図３に相当する正面斜視図である。
【００５１】
上記では、被加工基板６０の割断予定線６５近傍で発生する熱応力を割断予定線６５に対して略対称にすることによって、被加工基板６０に冷却流体Ｃを噴射して割断する際に発生するソゲ量を抑える態様を用いて説明した。
【００５２】
しかしながら、被加工基板６０内の熱分布が割断予定線６５に対して略対称であっても、外部から被加工基板６０に、割断予定線６５に対して非対称な力が加えられる場合や、被加工基板６０内の機械的剛性が割断予定線６５に対して対称でない場合には、大きなソゲが発生してしまう。しかしこのような場合であっても、本発明によれば、上述のように冷却部４０に設けられた駆動機構４５の水平距離制御機構を用いて、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１を調整することによって、被加工基板６０の割断予定線６５近傍で発生する熱応力を自在に調整することができる。このため、被加工基板６０に冷却流体Ｃを噴射して割断する際に発生するソゲ量を抑えることができる。
【００５３】
また、被加工基板６０として貼合基板を用いる場合には、貼合基板の基板同士を貼り合わせるシール材に起因する基板内の機械的剛性が割断予定線６５に対して非対称になることがある。このような場合には、被加工基板６０内の熱分布が割断予定線６５に対して略対称であっても、大きなソゲが発生してしまう。しかしながら本発明によれば、上述のように冷却部４０に設けられた駆動機構４５の水平距離制御機構を用いて、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１を調整することによって、被加工基板６０の割断予定線６５近傍で発生する熱応力を自在に調整することができる。このため、被加工基板６０に冷却流体Ｃを噴射して割断する際に発生するソゲ量を抑えることができる。
【００５４】
ところで、上述した実施の形態では、被加工基板６０を割断する際に発生するソゲ量を抑えることを目的とした態様について説明してきた。しかしながら、本発明によると、被加工基板６０上の割断予定線６５から冷却部４０までの水平距離Ｄ１を調整することによって、被加工基板６０の割断予定線６５近傍で発生する熱応力を自在に調整することができる。このため、被加工基板６０を割断する際に発生するソゲ量を目的に応じて自在に調整することができ、目的によっては、ソゲ量を意図的に大きくすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態による割断装置を示す側方図。
【図２】本発明の実施の形態による割断装置の一部を示す斜視図。
【図３】本発明の実施の形態による割断装置の一部を示す正面斜視図。
【図４】本発明の実施の形態による割断方法を示すフロー図。
【図５】本発明の変形例による割断装置の一部を示す平面図および側方図。
【図６】従来の割断装置の一部を示す斜視図。
【図７】従来の割断装置の一部を示す正面斜視図。
【図８】従来の割断装置によって被加工基板を割断する際に発生するソゲを説明する斜視図。
【符号の説明】
【００５６】
４金属膜
３０レーザ加熱部（加熱部）
４０冷却部
５０基板ホルダ
５５移動ユニット
６０被加工基板
６５割断予定線
６８割断線
６９割断面
７１測定部
７５水平距離制御工程
７６角度調整工程
７７垂直距離制御工程
８１基板保持工程
８２レーザ予熱工程
８３レーザ加熱工程
９０冷却工程
９１冷却流体制御工程
９２リアルタイム水平距離調整工程
Ｃ冷却流体
ＣＡ冷却領域
ＨＡ加熱領域
ＬＢ１，ＬＢ２レーザ光

【出願人】	【識別番号】０００００２４２８【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社【識別番号】０００００３０７８【氏名又は名称】株式会社東芝
【出願日】	平成１８年８月２２日（２００６．８．２２）
【代理人】	【識別番号】１０００７５８１２【弁理士】【氏名又は名称】吉武賢次【識別番号】１０００９１９８２【弁理士】【氏名又は名称】永井浩之【識別番号】１０００９６８９５【弁理士】【氏名又は名称】岡田淳平【識別番号】１００１１７７８７【弁理士】【氏名又は名称】勝沼宏仁
【公開番号】	特開２００８－４９４９８（Ｐ２００８－４９４９８Ａ）
【公開日】	平成２０年３月６日（２００８．３．６）
【出願番号】	特願２００６－２２５５６７（Ｐ２００６－２２５５６７）