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研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び被研磨体の研磨方法 - 特開2008−12650 | j-tokkyo
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【発明の名称】 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び被研磨体の研磨方法
【発明者】 【氏名】長瀬 弘昌

【氏名】横更 昭夫

【氏名】三澤 洋

【要約】 【課題】製造過程に於いて生じた欠陥部位を含むCMP用研磨パッドの、CMP処理への

【構成】CMP処理用研磨パッドとして、被研磨体に接触する面に、所定の間隔をも
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹部、及び
当該規則的に配設された複数個の凹部に一致することなく配設された凹部を具備してなる
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項2】
被研磨体に接触する面に、少なくとも一つの連続する溝、及び当該溝の配設された位置
に対応することなく配設された凹部を具備してなることを特徴とする研磨パッド。
【請求項3】
シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射し、
当該研磨パッドを検査する工程、 前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。
【請求項4】
シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは少なくと
も一つの溝を配設する工程、前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。
【請求項5】
被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹部或いは
少なくとも一つの連続する溝、並びに前記規則的に配設された凹部或いは溝の配設された
位置に対応することなく配設された凹部を具備する研磨パッドを準備する段階、
前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する段階、前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる段階を具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法。

【発明の詳細な説明】【技術分野】
【0001】
本発明は、研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び被研磨体の研磨方法に関し、特に
化学的機械研磨(化学機械的研磨、CMP)用研磨パッドに於いて、その製造時に取り込
まれる異物などの欠陥部位の影響を除去して、被研磨体に於ける損傷の発生が防止される
研磨パッド、当該研磨パッドの製造方法、並びに当該研磨パッドを用いての被研磨体の研
磨方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体集積回路素子などの半導体装置の製造工程にあっては、半導体基板(半導体ウェ
ハ)の一方の主面にMISトランジスタなどの能動素子、容量素子などの受動素子、及び
これらの機能素子を相互に接続して電子回路を形成するための配線層が形成される。
【0003】
当該機能素子、配線層ならびにこれらの間を絶縁分離する絶縁層などを形成する際、その薄形化・平坦化を行うために、化学的機械研磨(化学機械的研磨、CMP)法が適用されている。
【0004】
当該CMP処理にあっては、円盤状研磨テーブル(定盤・プラテン)上に配設された研
磨パッド(研磨布)の表面に研磨剤(スラリー)を供給しつつ、当該研磨テーブルを回転
させると共に、回転する被研磨体即ち前記半導体基板の被研磨面を研磨パッドに接触させ
て、当該被研磨面を研磨する。
【0005】
この様なCMP処理に於いて、研磨テーブル上に配設される研磨パッドは、研磨レート
を高めると共に当該研磨レートの均一化を図る為に、その表面(研磨面)に供給される研
磨剤の保持力が高く、且つ当該研磨剤が当該研磨パッドの全面に効率的に移動可能であり、更に研磨時に生じた生成物を効率的に排出することが可能な構造とされる必要がある。
【0006】
この為、当該研磨パッドは、その表面(研磨面)が発泡構造とされるか、ドレッシング
処理により当該表面が荒らされて、研磨剤の保持力を高めることがなされている。
【0007】
当該発泡部位は微小孔を形成し、研磨剤に於ける砥粒を保持する。
【0008】
当該発泡構造を有する研磨パッドとしては、独立発泡構造を有する発泡ポリウレタンの
如く、例えばイソシアネート基含有化合物、活性水素含有化合物及び発泡剤を混合・攪拌
し、これを整形型に注入し、加熱・硬化させて整形体を得、当該整形体を所定の厚さに裁
断することにより形成されるものがある。(特許文献1、2)
また、連続発泡構造を有する研磨パッドとして、例えばフェルト状ポリエステル繊維に
ウレタンを含浸させ、溶媒を除去し、更にウレタンを加熱・硬化させる方法によって形成
されるものがある。
【0009】
更に、無発泡構造を有する研磨パッドとして、ポリウレタン等の均質重合体或いは光硬
化性樹脂からなる研磨パッドが提案されている。かかる無発泡構造の研磨パッドは、その
表面部にドレッシング処理が施されて当該表面が荒らされ、 研磨剤の保持が可能とされる。
【0010】
一方、シート状に形成された研磨パッドの表面、即ち研磨面には複数個の凹部(孔)を
配設して、研磨剤の保持することが提案されている。(特許文献3、5)
当該凹部(孔)は、研磨パッドの研磨面に於いて、所定の開口寸法(孔径)、並びに所定の間隔をもって配設される。この為、かかる凹部(孔)は、シート状研磨パッドに対し、プレス加工等により一括して形成される。
【0011】
また、当該研磨パッドの研磨面に溝を配設して、研磨剤の流動性を高めると共に、研磨
時に生じた生成物を効率的に排出する構成が提案されている。(特許文献4、5)
当該溝は、研磨パッドの研磨面に於いて、単一リング状、同心円状、スパイラル状、円
弧状、平行する直線状、或いは交差する直線状(碁盤目状)に配設され、更にはこれらの
形状の組み合わせパターンをもって配設される場合もある。 また、その形成方法としては、一般的には切削加工が適用される。
【0012】
更に、研磨パッドの研磨面に、前記凹部(孔)と溝の両者を配設することも提案されて
いる。(特許文献6、7)
【特許文献1】特開2002−194104号
【特許文献2】特開2006−77044号
【特許文献3】特開2004−34175号
【特許文献4】特開2003−103470号
【特許文献5】特開平8−229805号
【特許文献6】特開2002−160153号
【特許文献7】特開2004−140178号
【特許文献8】特開2002−92593号
【特許文献9】特開2005−19886号
【特許文献10】特開2002−224946号
【特許文献11】特開2005−91264号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
前述の如く、研磨パッドの表面(研磨面)は、発泡構造、或いは荒らされた構造とされ
る。
【0014】
発泡構造を有する研磨パッド材として、前記発泡ポリウレタンが多用されている。
【0015】
当該発泡ポリウレタンからなるシート状研磨パッドを形成する際には、前述の如く、例
えばイソシアネート基含有化合物、活性水素含有化合物及び発泡剤などを攪拌・混合し、
これを整形型に注入し、加熱・硬化させて整形体を得て、当該整形体を所定の厚さに裁断
することにより形成する工程が執られる。
【0016】
ところが、その材料構成、攪拌条件、或いは処理温度条件などにより、均質な研磨パッ
ドを形成できない場合がある。(特許文献8、9)
また、攪拌・混合、或いは整形等処理の際に、異物が混入してしまう場合がある。
【0017】
形成された研磨パッドに於けるこの様な不均質な状態は研磨剤の保持力の不均一化を招
き、また異物の存在は研磨パッドの硬度に局部的な変化を生じてしまう。
【0018】
この様に研磨剤の保持力、或いは硬度の局部的な変化を生じた部位を含む研磨パッドを
CMP工程に適用すると、研磨レートの不均一化を招き、また被研磨体に対し損傷(スク
ラッチ)を与えてしまう。
【0019】
この様に研磨剤の保持力の異なる部位、或いは硬度の局部的な変化を生じた部位は、研
磨パッドの内部或いは表面部に内包された状態で、研磨パッドの特定されない位置に不特
定の数発生する。
【0020】
以下これらの問題が発生した部位を欠陥部位と称する。
【0021】
この為、この様な欠陥部位を含む研磨パッドは、CMP工程には適用することが難しい。
【0022】
特に被研磨体である前記半導体基板は大口径化する方向にあり、当該大口径半導体基板
に対してCMP処理を施す工程にあっては、研磨パッド自体もより大きな面積が必要とさ
れる。
【0023】
大きな面積となれば、当該研磨パッドに前記欠陥部位が含まれる確率はより高まる。
【0024】
この様な問題に対応する為に、CMP処理を実施する際、研磨パッドを研磨テーブル上
に配置した状態に於いて、当該研磨パッドの表面状態を光学的に検査し、その検査結果に
基づいて作業者が欠陥部位を除去することが提案されている。(特許文献10)
しかしながら、かかるCMP処理に於いて作業者が除去することができる欠陥は、その
殆どが研磨パッドの表面に付着した異物である場合に限られる。
【0025】
製造工程に於いて発生し、当該研磨パッドの内部或いは表面部に内包された欠陥部位等、除去することができない欠陥部位が存在した場合には、当該研磨パッドは廃棄されていた。
【0026】
従って、当該研磨パッドの有効活用を行うことができず、半導体装置の製造工程の非効
率化・高コスト化を招来していた。
【課題を解決するための手段】
【0027】
かかる課題を解決する為に、本発明によれば、被研磨体に接触する面に所定の間隔を有
して規則的に配設された複数個の凹部或いは少なくとも一つの連続する溝、及び前記規則
的に配設された複数個の凹部或いは溝に対応することなく配設された凹部を具備すること
を特徴とする研磨パッドが提供される。
【0028】
また、本発明によれば、研磨パッドに対し当該研磨パッドを透過する放射線を照射する
工程、前記照射された放射線により検出された当該研磨パッドに於ける欠陥部位を除去す
る工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法が提供される。
【0029】
更に、本発明によれば、被研磨体に接触する面に所定の間隔をもって規則的に配設され
た複数個の凹部或いは少なくとも一つの連続する溝、及び前記規則的に配設された複数個
の凹部或いは少なくとも一つの連続する溝に対応することなく配設された凹部を具備して
なる研磨パッドを準備する段階、前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する段階、更に
当該研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる段階
を具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法が提供される。
【発明の効果】
【0030】
この様な本発明によれば、不均質な部位或いは混入した異物が存在する部位からなる欠
陥部位が除去された研磨パッドが提供される。
【0031】
即ち、CMP処理に於いては、研磨パッドとして、これらの欠陥部位が予め除去された
研磨パッドが適用される。
【0032】
この為、従来不良品として廃棄されていた研磨パッドの数を低減することができ、CM
P工程に適用可能な研磨パッドの数を増加させることができる。
【0033】
これにより、当該研磨パッドの価格を低下させることができる。
【0034】
従って、当該研磨パッドを適用するCMP工程を含む半導体装置の製造工程等に於いて
当該CMP処理の信頼性を高めると共に、製造コストを大きく低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0035】
本発明にあっては、CMP処理工程の前に、当該CMP処理工程に適用しようとする研
磨パッドに於ける欠陥部位の有無を検出して、欠陥部位が存在した場合には当該欠陥部位
を除去し、これにより当該研磨パッドのCMP処理工程への適用を可能とする。
【0036】
即ち、研磨パッドの内部或いは表面部に内包された欠陥部位など、製造工程に於いて発
生した欠陥部位が存在した場合であっても、前記先行例の如く当該研磨パッドを廃棄する
のではなく、当該欠陥部位を選択的に除去することによりCMP処理工程への適用を可能
とする。
【0037】
本発明を、実施例をもって詳細に説明する。
〔研磨パッド〕
本発明による研磨パッドの構成を、二つの実施例をもって示す。
(実施例1)
本発明による研磨パッドの第1の実施形態を、図1に示す。
【0038】
図1(B)は、図1(A)の、X−X’断面を示す。
【0039】
図1に於いて、研磨パッド100は、ポリウレタン或いは不織布からなる基材1、当該
基材1の一方の主面上に接着剤2を介して配置された発泡ポリウレタンシートからなる研磨パッド層3を具備している。
【0040】
前記基材1の他方の主面には、接着材4を介して離型紙5が配置されている。当該離型
紙5は、当該研磨パッド100を研磨テーブル上に配置する際には剥離・除去される。
【0041】
本実施例による研磨パッド100にあっては、発泡ポリウレタンシートからなる研磨パ
ッド層3は、被研磨体に接する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹
部51と、当該凹部51の規則的な配設に対応することなく配設された凹部71を具備し
ている。
【0042】
前記凹部51は、当該研磨パッド表面に於いて研磨剤(スラリー)を収容・保持するこ
とにより、研磨レートの効率化・均一化を図るために配設される。
【0043】
一方、凹部71は、本発明思想に従い、当該発泡ポリウレタンの形成の際に生じたとこ
ろの、不均質な部位或いは混入した異物が存在する部位からなる欠陥部位が選択的に除去
された結果形成されたものである。
【0044】
従って、当該凹部71の配設される位置、大きさ、形状、数は一定ではない。またその
深さも、当該欠陥部位を除去することができる深さであれば良く、当該研磨パッドを貫通
するものでなくても良い。
(実施例2)
本発明による研磨パッドの第2の実施形態を、図2に示す。
【0045】
図2(B)は、図2(A)の、X−X’断面を示す。
【0046】
図2に於いて、研磨パッド200は、不織布或いはポリウレタンからなる基材1、当該
基材1の一方の主面上に接着剤2を介して配置された発泡ポリウレタンシートからなる研
磨パッド層3を具備している。
【0047】
前記基材1の他方の主面には、接着材4を介して離型紙5が配置されている。当該離型
紙5は、当該研磨パッド100を研磨テーブル上に配置する際には剥離・除去される。
【0048】
本実施例による研磨パッド200にあっては、発泡ポリウレタンシートからなる研磨パ
ッド層3は、被研磨体に接する面に、同心円状に配設された溝61と、当該溝61の配設
に対応することなく配設された凹部71を具備している。
【0049】
前記溝61は、当該研磨パッド表面に於ける研磨剤(スラリー)の流動を容易とするこ
とにより、研磨レートの均一化を図るために配設される。
【0050】
一方、凹部71は、本発明思想に従い、当該発泡ポリウレタンの形成の際に生じたとこ
ろの、不均質一な部位或いは混入した異物が存在する部位からなる欠陥部位が選択的に除
去された結果形成されたものである。
【0051】
従って、当該凹部71の配設される位置、大きさ、形状、数は一定ではない。またその
深さも、当該欠陥部位を除去することができる深さであれば良く、当該研磨パッドを貫通
するものでなくても良い。
【0052】
尚、前記研磨パッド100、研磨パッド200に於いてそれぞれ配設された凹部51及
び溝61を、一枚の研磨パッドに於いて組み合わせて配設する場合(図示せず)にも、本
発明思想による欠陥部位の除去にかかる凹部71は、当該凹部51、溝61に対応するこ
となく配設される。
【0053】
また、当該研磨パッド100、研磨パッド200に於いてそれぞれ配設された凹部51
及び溝61の配置数、配置位置、形状、組み合わせは必要に応じて任意に選択される。
【0054】
更に、前記実施例にあっては、発泡ポリウレタン用いた独立発泡型研磨パッドを掲げた
が、本発明は勿論この様な独立発泡構造を有する研磨パッドに限られるものではなく、前
記連続発泡構造を有する研磨パッド、或いは無発泡構造を有する研磨パッドに於いても適
用することができる。
〔研磨パッドの製造方法〕
本発明による研磨パッドの製造方法を以下に記す。
【0055】
当該研磨パッドの製造工程(ステップ)を、図3に示す。
【0056】
ここでは、前記発泡ポリウレタンをもって研磨パッドを形成する例を掲げている。
【0057】
イソシアネート基含有化合物、活性水素含有化合物、及び発泡剤を混合・攪拌し、これ
を整形型に注入して、加熱・硬化させて整形体を形成し、更に当該整形体を所定の厚さに
裁断することによってシート状の発泡ポリウレタンを形成する。(ステップ S1)
これは、先に掲げた先行例などに開示される周知技術を適用することができる。
【0058】
次いで、当該発泡ポリウレタンシートに対して、所定の間隔をもって規則的に配置され
た凹部(前記凹部51)或いは溝(前記溝61)を配設する。(ステップ S2)
当該凹部51或いは溝61は、プレスによる打ち抜き、切削加工、レーザー加工、或い
は選択的溶融処理を適用して形成することができる。
【0059】
本発明にあっては、次いで、当該発泡ポリウレタンシートに対して、これを透過する放
射線を照射し、当該発泡ポリウレタンシートに於ける欠陥部位を検出する。(ステップ S3)
放射線としては、可視光、紫外線、赤外線、レーザー光、電子線、或いはX線などから
適宜選択して適用することができる。(特許文献11)
例えば、被検査発泡ポリウレタンシートの一方の面に沿って可視光源ランプを走査し、
他方の面に於いてその透過光の状況(強度)を検出することにより、欠陥部位を検出する。
【0060】
即ち、当該発泡ポリウレタンシート中に於ける不均質な部位にあっては、透過光量が変
化する。
【0061】
また、当該発泡ポリウレタンシート中に異物が存在すれば、その存在箇所に於いて透過
光の強度が局所的に低下する。
【0062】
この様に、透過する放射線の量が変化する部位は、欠陥部位即ち不均質な部位、或いは
混入した異物が存在する部位からなる欠陥部位と見做すことができる。
【0063】
本発明にあっては、この様な手段により検出された欠陥部位に対して、その除去処理を
施す。
【0064】
即ち、当該欠陥部位に対し、プレスによる打ち抜き、切削加工、レーザー加工、或いは
選択的溶融処理を適用して、これを選択的に除去する。(ステップS4)
この結果、当該除去部には凹部(凹部71)が形成される。
【0065】
当該欠陥部位の除去処理は、前記透過する放射線により検出されたデータに基づき、自
動化することもできる。
【0066】
かかる欠陥部位の選択的な除去処理により形成された凹部(凹部71)は、当該欠陥部
位の存在箇所に対応することから、前記所定の間隔をもって規則的に配設された凹部(凹
部51)或いは溝(溝61)に対応するものではない。
【0067】
そして、当該凹部71の形状、面積、深さは、対象となる欠陥部位に対応して選択され
る。
【0068】
即ち、その形状は円形に限られず、楕円形、多角形等となる場合もあり、またその面積
も欠陥部位の除去に必要な面積とされる。
【0069】
またその深さも、当該欠陥部位を除去することができる深さであれば、当該発泡ポリウ
レタンシートを貫通するものとする必要はない。
【0070】
尚、欠陥部位の存在する位置によっては、結果として、当該凹部71は、その一部が所
定の間隔をもって規則的に配設された凹部(凹部51)或いは溝(溝61)に重複してし
まう場合も生ずる。
【0071】
この様に、所定の凹部(凹部51)或いは溝(溝61)と共に、選択的に凹部(凹部7
1)が形成され、前記構成材料に於ける不均質な部位、或いは混入した異物が存在する部
位等の欠陥部位が除去された発泡ポリウレタンシートを、接着材(接着材2)を介してウ
レタンシート或いは不織布からなる基材(基材1)に貼り付け一体化する。(ステップ S5)
この結果、形成された研磨パッドには、その表面に於ける発泡ポリウレタン部に、不均
質な部位、或いは混入した異物が存在する部位などの欠陥部位が存在しない。
【0072】
従って、かかる研磨パッドをCMP工程に適用すれば、被研磨体に損傷(スクラッチ)
を生ずることなく、均一な研磨処理を行うことができる。
【0073】
尚、前述の工程に於いて、発泡ポリウレタンシートに対し所定の間隔をもって規則的に
配置される凹部(凹部51)及び/或いは溝(溝61)の配設工程(ステップ S2)と、欠陥部位を除去する工程(ステップ S4)を、入れ換えても良い。
【0074】
即ち、前記欠陥部位の検出処理(ステップ S3)後、先ず当該欠陥部位の除去処理を行って凹部(凹部71)を形成し、しかる後所定の間隔をもって規則的に配置された凹部(凹部51)或いは溝(溝61)を配設する工程をとっても良い。
【0075】
また、本発明による欠陥部位が除去された発泡ポリウレタンシートは、前記基材(基材
1)への貼り付け・一体化を行わず、その裏面に直接接着層を配設することにより、単体
でCMP処理に適用することもできる。
〔CMP処理方法〕
前記本発明による研磨パッドを用いてのCMP処理方法について説明する。
【0076】
当該CMP処理を実施する研磨装置の要部構成を、図4に示す。
【0077】
同図に於いて、研磨装置の基台301には、円盤状研磨テーブル(定盤・プラテン)3
02が、回転軸303を介して回転可能に支持されている。
【0078】
そして、本発明にあっては、所定の間隔をもって規則的に配置された凹部(凹部51)
及び/又は溝(溝61)と共に、本発明思想に従って欠陥部位(研磨パッド304の製造
時に生じていた不均質部位、或いは混入した異物が存在する部位)を除去した結果形成さ
れた凹部(凹部71)を具備する研磨パッド304が準備される。
【0079】
当該研磨パッド304は、前記研磨テーブル302上に、両面接着テープを用いて貼り
付けられ、固定される。
【0080】
一方、被研磨体である半導体基板305は、研磨ヘッド306に保持されて、当該研磨
ヘッド306を支持する回転軸307を介して回転可能に支持されている。
【0081】
また、前記研磨パッド304上には、ノズル308を通して研磨剤(スラリー)309
が供給される。
【0082】
更に、当該研磨パッド304上には、ノズル310を通して純水311が供給される。
【0083】
この様な構成を備えたCMP装置に於いて、前記研磨パッド304上に前記ノズル30
8から研磨剤309を供給すると共に、ノズル310から純水311を供給する。
【0084】
そして、前記研磨テーブル302を回転しつつ、当該研磨テーブル302に保持された
研磨パッド304に対して、研磨ヘッド306に保持され回転する被研磨半導体基板30
5の被研磨部を押し付け、当該被研磨部を研磨する。
【0085】
被研磨部は、当該半導体基板305の主面に配設された絶縁物層、金属層或いは半導体
層が、その工程に応じて対象とされる。
【0086】
また、半導体基板自体が被研磨部、即ちCMP処理の対象となる場合もある。
【0087】
この様なCMP処理工程にあっては、研磨パッド304に於ける欠陥部位が予め除去さ
れていることから、被研磨体の被研磨部には、当該欠陥部位の存在を原因とするところの
研磨レートの不均一化、或いは損傷(スクラッチ)は生じない。
【0088】
本発明による研磨パッド、及び当該研磨パッドを用いたCMP処理は、以下の実施例に
よりその有効性を確認することができた。
(実施例3)
研磨パッドとして、市販されている発泡ポリウレタン製研磨パッド(試料A。厚さ2.
03mm、直径約760mmであって、その表面に幅0.45mm、深さ0.75mmの
溝が3.0mmのピッチで多重リング状に配設されている。)と、前記市販の研磨パッドの表面にその中心から60mmの領域に、直径3.5mmφの貫通孔を20mmの間隔で円弧状に4個配設し、更に中心から320mmの領域に直径3.5mmφの貫通孔を20mmの間隔で円弧状に10個配設した研磨パッド(試料B)を準備した。
【0089】
ここで、試料Bに配設された貫通孔からなる凹部は、本発明思想に従って欠陥部位を除
去して形成される凹部(凹部71)を想定して配設されたものである。
【0090】
そして、これら2種の研磨パッドを用いて、半導体基板上に形成された二酸化シリコン
(SiO2)膜に対してCMP処理を行い、その研磨レート、研磨の均一性を比較した。
【0091】
研磨剤としては、市販のシリカ系スラリーを用いた。
【0092】
その結果、試料A(市販品)と、試料B(本発明による研磨パッド)との間に於いて、
研磨レート、均一性に殆ど差が無く、本発明による研磨パッドの如く特徴的凹部を具備し
た研磨パッドも実際のCMP処理工程に適用できるレベルを有していた。
【0093】
即ち、本発明思想に従って欠陥部位が除去された研磨パッドが、実際のCMP処理工程
に適用することができることが確認された。
【0094】
この様に、本発明によれば、製造過程に於いて欠陥部位が生じた研磨パッドであっても、その活用を図ることができ、半導体装置の製造工程の効率化・低コスト化を図ることができる。
【0095】
以上詳述した本発明は、以下の様な特徴的構成を有する。
(付記1)被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の凹
部、及び当該規則的に配設された複数個の凹部に一致することなく配設された凹部を具備
してなることを特徴とする研磨パッド。(1)
(付記2)付記1記載の研磨パッドに於いて、規則的に配設された複数個の凹部に対応す
ることなく配設された凹部は、欠陥部位が除去されて形成されたものであることを特徴と
する研磨パッド。
(付記3)被研磨体に接触する面に、少なくとも一つの連続する溝、及び当該溝の配設さ
れた位置に対応することなく配設された凹部を具備してなることを特徴とする研磨パッド。(2)
(付記4)付記3記載の研磨パッドに於いて、溝の配設された位置に対応することなく配
設された凹部は、欠陥部位が除去されて形成されたものであることを特徴とする研磨パッ
ド。
(付記5)付記1及び付記3記載の研磨パッドに於いて、被研磨体に接する面が、発泡構
造を有することを特徴とする研磨パッド。
(付記6)付記1及び付記3記載の研磨パッドに於いて、被研磨体に接する面が、無発泡
構造を有することを特徴とする研磨パッド。
(付記7)シート状研磨パッド部材に、当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を
照射し、当該研磨パッドを検査する工程、前記検査により検出された当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。(3)
(付記8)シート状研磨パッド部材に、所定の間隔をもって規則的に複数個の凹部或いは
少なくとも一つの溝を配設する工程、前記シート状研磨パッド部材に当該シート状研磨パッド部材を透過する放射線を照射して、当該研磨パッド部材を検査する工程、前記検査により検出された、当該シート状研磨パッド部材に於ける欠陥部位を選択的に除去する工程を具備することを特徴とする研磨パッドの製造方法。(4)
(付記9)付記7及び付記8記載の研磨パッドの製造方法に於いて、前記放射線は、可視
光、紫外線、赤外線、レーザー光、電子線、或いはX線から選択されることを特徴とする
研磨パッドの製造方法。
(付記10)付記7及び付記8記載の研磨パッドの製造方法に於いて、前記欠陥部位は、
不均質な部位であることを特徴とする研磨パッドの製造方法。
(付記11)付記7及び付記8記載の研磨パッドの製造方法に於いて、前記欠陥部位は、
異物を含む部位であることを特徴とする研磨パッドの製造方法。
(付記12)被研磨体に接触する面に、所定の間隔をもって規則的に配設された複数個の
凹部或いは少なくとも一つの連続する溝、並びに前記規則的に配設された凹部或いは溝の
配設された位置に対応することなく配設された凹部を具備する研磨パッドを準備する段階、前記研磨パッドを研磨テーブル上に配設する段階、前記研磨パッド上に研磨剤を供給しつつ、当該研磨パッドに被研磨体を接触せしめる段階を具備することを特徴とする被研磨体の研磨方法。(5)
(付記13)付記12記載の被研磨体の研磨方法に於いて、被研磨体が、半導体基板、半
導体基板上に配設された絶縁物層、金属層、或いは半導体層の何れかであることを特徴と
する被研磨体の研磨方法。
【図面の簡単な説明】
【0096】
【図1】本発明の第1実施例である研磨パッドの構成を示す平面図、及び断面図。
【図2】本発明の第2実施例である研磨パッドの構成を示す平面図、及び断面図。
【図3】本発明による研磨パッドの形成方法を示す工程図。
【図4】本発明による研磨パッドを用いてのCMP処理方法を実施する研磨装置の要部 の構成を示す図。
【符号の説明】
【0097】
100、200 研磨パッド
1 基材
2 接着層
3 研磨パッド
4 接着層
5 離型紙
51 凹部
61 溝
71 凹部
301 基台
302 研磨テーブル(プラテン)
303 回転軸
304 研磨パッド
305 被研磨体
306 研磨ヘッド

【出願人】 【識別番号】000005223
【氏名又は名称】富士通株式会社
【出願日】 平成18年7月10日(2006.7.10)
【代理人】 【識別番号】100108187
【弁理士】
【氏名又は名称】横山 淳一


【公開番号】 特開2008−12650(P2008−12650A)
【公開日】 平成20年1月24日(2008.1.24)
【出願番号】 特願2006−189424(P2006−189424)