| 【発明の名称】
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半導体記憶装置
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記憶装置及び記憶装置の駆動方法
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半導体記憶装置
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不揮発性半導体記憶装置とそのデータ書き込み方法
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半導体記憶装置および半導体記憶装置制御方法
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不揮発性半導体記憶装置
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半導体メモリ
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記憶装置の初期化方法
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強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ＩＣ
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メモリ
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半導体記憶装置
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半導体記憶装置及びその制御方法
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半導体集積回路装置
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ＯＴＰ回路
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半導体記憶装置
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不揮発性メモリ装置、そのデータ書き込み方法
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電圧供給回路および半導体メモリ
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半導体記憶装置
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半導体記憶装置の動作制御回路、半導体記憶装置、電子機器
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記憶装置
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半導体メモリ
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不揮発性半導体記憶装置
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半導体記憶装置
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マルチレベルセルフラッシュメモリのアクセス方法及び装置
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相変化メモリ装置
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並列データ経路アーキテクチャ
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プログラム動作安定性が向上した不揮発性半導体メモリ装置及びこれに対するプログラム駆動方法
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半導体記憶装置
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半導体記憶装置
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不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体装置の良否判別方法
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半導体記憶装置
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半導体集積回路装置
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不揮発性記憶装置
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半導体記憶装置
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半導体記憶装置
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半導体記憶装置
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半導体メモリ
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半導体装置
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半導体記憶装置
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半導体装置
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半導体記憶装置
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集積回路装置及び電子機器
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集積回路装置及び電子機器
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半導体記憶装置
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試験装置、及び製造方法
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マルチ−レベルセルを有するフラッシュメモリ装置のプログラム制御回路及びそのプログラム制御方法
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データ入出力速度を改善させる構造を有するフラッシュメモリ装置のデータ入出力回路
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プログラム動作時のエラー発生比率を減少させるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム動作制御方法
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不揮発性メモリ装置とそのマルチページプログラム、読み出しおよびコピーバックプログラム方法
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フラッシュメモリ装置におけるプログラム動作の制御方法
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