トップ :: C 化学 冶金 :: C30 結晶成長

【発明の名称】
強誘電体結晶の製造方法
フッ化金属単結晶のアニール方法
フッ化金属単結晶の熱処理方法
ZnO基板の製造方法
結晶化プレートおよび自動結晶化システム
シリコン単結晶の製造方法
炭化ケイ素基板の表面再構成方法
窒化アルミニウム単結晶の製造方法
石英ガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法
シリコン単結晶及びシリコン単結晶製造方法
シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法
単結晶の熱処理方法
単結晶の熱処理方法
3−5族窒化物半導体積層基板、3−5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子
窒化物系化合物層の製造方法、窒化物系化合物基板の製造方法、並びに垂直構造窒化物系半導体発光素子の製造方法
結晶製造装置、III族窒化物結晶および半導体デバイス
窒化ガリウム結晶の成長方法
四ほう酸リチウム単結晶及びその育成方法
フッ化物単結晶、フッ化カルシウム単結晶及びそれらの選別方法
単結晶引上げ装置、シリコン単結晶引上げ装置およびシリコン単結晶引上げ方法
III族窒化物膜を形成する方法および半導体装置
フッ化物単結晶の製造方法
フッ化物単結晶の製造方法
シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法
ビスマス置換磁性ガーネット膜及びその製造方法
単結晶引上装置及びその制御方法
単結晶引上装置及びその制御方法
単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置
シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法
単結晶引上げ装置
結晶中の欠陥濃度低減方法
Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池
単結晶引上装置及びその制御方法
単結晶の製造方法
単結晶の育成方法
シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハの製造方法
シリコン単結晶の製造方法
シリコン単結晶の製造方法
高硬度ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
単結晶炭化シリコン基板の製造方法およびそれに用いるカーボンサセプタ
シリコン単結晶の製造装置及び製造方法
高配向性ダイヤモンド膜の製造方法
単結晶引き上げ装置の液面位置調整機構及び液面位置調整方法並びに単結晶引き上げ装置の液面位置合わせ機構及び液面位置合わせ方法
シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶
単結晶原料、及びその製造方法
単結晶製造装置
人工水晶体の製造方法
フッ化カルシウム単結晶
ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板
人工水晶の製造装置、人工水晶の製造方法および人工水晶
12345678910