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C 化学 冶金
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C23 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパツタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
【発明の名称】
成膜方法及び成膜装置
表面処理装置及び表面処理方法
成膜方法及び装置
真空蒸着装置
成膜装置
無電解めっき方法及び無電解めっき装置
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
溶融めっき線およびその冷却装置
成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
蒸着装置および蒸着源ならびに表示装置の製造方法
プラズマ化学蒸着(PCVD)プロセスを実行するための装置および光ファイバを製造するための方法
プラズマ処理装置の再生方法,プラズマ処理容器内部材,プラズマ処理容器内部材の製造方法及びプラズマ処理装置
基板加熱装置および基板加熱方法
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