| 【発明の名称】 |
磁束減少素子 |
| 【発明者】 |
【氏名】遠藤 光栄
【氏名】遠藤 郁代
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| 【要約】 |
【課題】不要電磁波を発生する電気・電子機器（装置）のハード構成（主要な要素）を何等、変更することなく、これら機器に適用することによって効果的に磁束の低減を図ることができる磁束減少素子を提供する。
【解決手段】長辺と短辺の比が２対１である長方形を利用して製作した１つの開口部を有する特殊な形状・構造の１２面体の一対を用い、それぞれの開口部を対向させ、一方の１２面体の開口部の中心と当該開口部の後部に形成されている頂角（前記長方形の重心Ｏ）を通る線分を回転軸として９０度回転させ、一対の１２面体をそれぞれの開口部で接合して得られる表面部のみが導電層である２４面体から成る磁束減少素子。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多面構造体からなる磁束減少素子において、前記多面構造体が、長辺と短辺の比が２対１である長方形の第１の長辺及び第２の長辺をそれぞれ４等分し、前記第１の長辺の４分割された区間を第１の短辺から第２の短辺へ向かってＡ辺、Ｂ辺、C辺、D辺とし、前記第２の長辺の４分割された区間を第１の短辺から第２の短辺へ向かってE辺、F辺、G辺、H辺とするとき、
(1). Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）とＥ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）を結ぶ線分（Ｘ１、Ｘ２）、及び、Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ3）とＧ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）を結ぶ線分（Ｘ３，Ｘ４）、をそれぞれ谷折りし、
(2). Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）とＡ辺に隣接する第１の短辺の中点（Ｘ７）を結ぶ線分（Ｘ１、Ｘ７）を、Ａ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折し、
(3). Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ３）とＤ辺に隣接する第２の短辺の中心（Ｘ８）を結ぶ線分（Ｘ３、Ｘ８）を、Ｄ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折し、
(4). Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）、長方形の重心（Ｏ）、及び、Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ３）を頂点とする三角形を、Ｂ辺とＣ辺の中点（Ｘ５）と長方形の重心（Ｏ）を結ぶ線分（Ｘ５、Ｏ）で山折し、Ａ辺とＢ辺を接合するとともにＣ辺とＤ辺を接合し、
(5). Ｅ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）とＥ辺に隣接する第１の短辺の中点（Ｘ７）を結ぶ線分（Ｘ２、Ｘ７）を、Ｅ辺が前記長方形の前側になる方向を谷折し、
(6). Ｇ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）とＨ辺に隣接する第２の短辺の中心（Ｘ８）を結ぶ線分（Ｘ４、Ｘ８）を、Ｈ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折し、
(7). Ｅ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）、長方形の重心（Ｏ）、及び、Ｇ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）を頂点とする三角形を、Ｆ辺とＧ辺の中点（Ｘ６）と長方形の重心（Ｏ）を結ぶ線分（Ｘ６、Ｏ）で山折し、Ｅ辺とＦ辺を接合するとともにＧ辺とＨ辺を接合し、
(8). これにより第１の短辺と第２の短辺がそれぞれの中点（Ｘ７、Ｘ８）において２区分された４辺よりなる開口を有する１２面体を形成し、
(9). 前記１２面体の一対をそれぞれの開口が対向するように向き合わせ、前記１２面体の一方を、その開口の中心と当該開口の後部に形成されている頂角（前記長方形の重心Ｏ）を通る線分を回転軸として９０度回転させ、前記一対の１２面体をそれぞれの開口の４辺を接合して得られる導電性の表面層を有する２４面体である、
ことを特徴とする磁束減少素子。
【請求項２】
２４面体が導電性材料の中空体で構成されたものである請求項１に記載の磁束減少素子。
【請求項３】
２４面体が絶縁性材料の中空体で構成されるとともに、その表面に導電性の被覆層を有するものである請求項１に記載の磁束減少素子。
【請求項４】
２４面体が絶縁性材料の中実体で構成されるとともに、その表面に導電性の被覆層を有するものである請求項１に記載の磁束減少素子。
【請求項５】
２４面体の頂角のいずれかの２頂角に、リード線が接続されたものである請求項第１項〜第４項のいずれか１項に記載の磁束減少素子。
【請求項６】
請求項１に規定される２４面体（単体）を、直線状に複数個連結して成ることを特徴とする磁束減少素子。
【請求項７】
請求項１に規定される２４面体（単体）を、平面状に複数個連結して成ることを特徴とする磁束減少素子。
【請求項８】
請求項１に規定される２４面体（単体）を、立体状に複数個連結して成ることを特徴とする磁束減少素子。
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【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、１つの利用例として不要電磁波を発生する装置（機器）と電源との間に接続することにより不要電磁波を効果的に減少させることができる磁束減少素子に関するものである。
【０００２】
本発明に係る「磁束減少素子」は、後述するように、磁束減少機能はもとより前記磁束減少機能に関連すると認められる抵抗減少機能、電流増大機能、有効電力増大機能、超伝導機能などの優れた諸機能を固有的に併せ持つ（併有する）ため、本発明の「磁束減少素子」の利用（応用）分野は、これら各種の機能を活かした分野が対象とされるものである。
【背景技術】
【０００３】
以下、本発明の「磁束減少素子」の１つの主要な利用分野である各種電気・電子機器の不要電磁波の発生防止（電磁波シールド）という観点から、背景技術を概観してみる。
【０００４】
従来、不要電磁波を抑制ないしは防止するための各種の研究がなされており、回路構成や部品に関する改良等により前記課題の解決を図る努力がなされている。
【０００５】
例えば、非特許文献１に示されるものにおいては、コモンモードチョークコイル等のインダクタを用いてＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策を図っている。
【非特許文献１】坂本幸夫、「ノイズ対策部品の特徴とウィークポイント」エレクトロニクス、２００１年１２月号 P．３０〜３５
【０００６】
しかしながら、従来の不要電磁波対策は、不要電磁波を発生する装置（機器）の主要な構成要素・構成部材それ自体の改良・改善を図って対応するものである。
今日まで、不要電磁波を発生する装置（機器）自体の主要なハード構成（主要な構成要素）に何等、変更を加えることなく、これら装置（機器）に単に装着するだけで磁束減少を行うものは皆無と言って良い状況にある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、不要電磁波を発生する装置（機器）自体の主要なハード構成（主要な構成要素）を何等、変更を加えることなくこれら装置（機器）に単に装着することで効果的に磁束減少（電磁波シールド）を行うことができる磁束減少素子を提供しようとするものである。
また、本発明は、製品化されている既存の不要電磁波を発生する装置（機器）に装着して磁束減少を図ることに限らず、これら装置（機器）あるいは他の不要電磁波を発生する装置（機器）の製造時に組込むことにより効果的に磁束減少を図ることができる磁束減少素子を提供しようとするものである。
【０００８】
本発明者は、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、源流をたどれば本発明者の絵画的・アート的思考過程の中から、特に多次元空間の遠近法による絵画的表現法のトポロジカルな研究（ｔｏｐｏｌｏｇｉｃａｌ ｓｔｕｄｙ）における思考過程の中から生まれたものであるが、特殊な形状・構造の多面構造体（２４面体）が、既存の電気・電子機器の電気回路アダプターとして単に回線接続するだけで前記した課題を解決することができる、という知見を見い出した。
本発明、前記知見をベースにして創案されたものである。
【０００９】
ある種の目的のために所定の電気回路系に対して外表面部のみが導電性の立体造形物をアダプター的に介装させる、という技術は従来技術において全くみることができない。
この点、本発明者は、前記本発明者の多次元空間の遠近法による絵画的表現法の研究において、特殊な形状・構造の多面構造体（２４面体）が所定の電気回路系に回線接続されたとき前記多面構造体の特殊な空間構造・空間構造・空間配置（コンフィギュレーション）により通常回線を流れる電荷運搬媒体である「電子」が多次元的な変化を受け、即ち「電子」が量子レベルで変化を受けること、を確信していた。このため、本発明者は、従来の技術レベルでは考えにくいことであったが当該特殊な形状・構造の多面体（２４面体）の所定の電気回路系への適用には何等の支障もなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明を概説すれば、本発明は、多面構造体からなる磁束減少素子において、前記多面構造体が、長辺と短辺の比が２対１である長方形の第１の長辺及び第２の長辺をそれぞれ４等分し、前記第１の長辺の４分割された区間を第１の短辺から第２の短辺へ向かってＡ辺、Ｂ辺、C辺、D辺とし、前記第２の長辺の４分割された区間を第１の短辺から第２の短辺へ向かってE辺、F辺、G辺、H辺とするとき、
(1). Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）とＥ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）を結ぶ線分（Ｘ１、Ｘ２）、及び、Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ3）とＧ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）を結ぶ線分（Ｘ３，Ｘ４）、をそれぞれ谷折りし、
(2). Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）とＡ辺に隣接する第１の短辺の中点（Ｘ７）を結ぶ線分（Ｘ１、Ｘ７）を、Ａ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折し、
(3). Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ３）とＤ辺に隣接する第２の短辺の中心（Ｘ８）を結ぶ線分（Ｘ３、Ｘ８）を、Ｄ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折し、
(4). Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）、長方形の重心（Ｏ）、及び、Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ３）を頂点とする三角形を、Ｂ辺とＣ辺の中点（Ｘ５）と長方形の重心（Ｏ）を結ぶ線分（Ｘ５、Ｏ）で山折し、Ａ辺とＢ辺を接合するとともにＣ辺とＤ辺を接合し、
(5). Ｅ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）とＥ辺に隣接する第１の短辺の中点（Ｘ７）を結ぶ線分（Ｘ２、Ｘ７）を、Ｅ辺が前記長方形の前側になる方向を谷折し、
(6). Ｇ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）とＨ辺に隣接する第２の短辺の中心（Ｘ８）を結ぶ線分（Ｘ４、Ｘ８）を、Ｈ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折し、
(7). Ｅ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）、長方形の重心（Ｏ）、及び、Ｇ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）を頂点とする三角形を、Ｆ辺とＧ辺の中点（Ｘ６）と長方形の重心（Ｏ）を結ぶ線分（Ｘ６、Ｏ）で山折し、Ｅ辺とＦ辺を接合するとともにＧ辺とＨ辺を接合し、
(8). これにより第１の短辺と第２の短辺がそれぞれの中点（Ｘ７、Ｘ８）において２区分された４辺よりなる開口を有する１２面体を形成し、
(9). 前記１２面体の一対をそれぞれの開口が対向するように向き合わせ、前記１２面体の一方を、その開口の中心と当該開口の後部に形成されている頂角（前記長方形の重心Ｏ）を通る線分を回転軸として９０度回転させ、前記一対の１２面体をそれぞれの開口の４辺を接合して得られる導電性の表面層を有する２４面体である、
ことを特徴とする磁束減少素子に関するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、不要電磁波を発生する電気・電子機器において、これら機器が電源から電力供給を受ける電気回路に本発明の磁束減少素子を介装するだけで、これら電気・電子機器からの不要電磁波の発生を経済的、効率的に低減ないしは防止させることができる。
なお、本発明の磁束減少素子をこれら機器に接続した場合、磁束減少効果は当該素子、当該素子を接続した後の部位、当該素子を接続した前の部位の順位で効果的に不要電磁波の発生を低減させることができる。
【００１２】
本発明の磁束減少素子は、所定の電気回路系（例えば照明系、送電系、変電系、モータなどの電気動力系など）に適用することにより、磁束減少という機能のほかに、この磁束減少機能に関連すると認められる以下に示す有用な諸機能、即ち、
・ 抵抗減少機能、
・ 電流増大機能、
・ 有効電力増大機能、
・ 力率向上機能、
・ 電力損失減少機能、
・ 超伝導（超伝導素子）機能、
・ 電子速度の増大機能、
などの有用な諸機能を発現させることができる。別言すれば、本発明の磁束減少素子は、前記した優れた多機能・諸機能を固有的に併せ持って（併有して）いる。
従って、本発明の磁束減少素子は、前記した各種の機能を利用した応用（利用）分野において、それぞれの機能に基づく優れた経済的メリットや省エネルギー効果を発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の技術的構成及び実施例について詳しく説明する。なお、本発明は実施例のものに限定されないことはいうまでもないことである。
【００１４】
本発明の磁束減少素子は、前記した特殊な形状構造体である２４面体の一個（単体）から構成されるものに限定されず、前記２４面体（単体）の所望の複数個を直線状、平面状、立体状に連接、連結されたものであってもよい。
本発明の前記２４面体から成る磁束減少素子（単体）の複数個を連結して、例えば立体状に構成する場合、各単体の形状の特殊性から各単体は鏡面対称（シンメトリー）に連結することができる。このことの意義は重要であり、本発明においては複数個の単体を立体安定的にかつコンパクトに連結させることができる。なお、本発明において、前記単体を複数個連結したものを磁束減少素子（複数体）ということがある。
本発明において、単体を複数個用いた磁束減少素子（複数体）は、単体１個のケースのものと比較して加算的ないしは相乗的に所望の機能を向上させることができる。
【００１５】
本発明の特殊な多面構造体である２４面体から成る前記磁束減少素子は、所望の方法により製造すればよく、製造方法に何等の制限はない。
例えば、絶縁シートを折り曲げ加工したり、絶縁材料を射出成形して２４面体を形成し、外表面に導体シートを被覆したり導電層をメッキにより形成してもよい。
また、微細加工法の１つである光造形法により光硬化性樹脂を光照射しながら、微小な２４面体を形成し、次いで導電性メッキ層を形成するようにしてもよい。
【００１６】
前記した製造法において、導電層の形成法としては、導電性ペーストを２４面体の表面に塗布するか、溶融した導電性材料の浴の中に絶縁材料により形成した２４面体を浸漬処理するか、またはメッキ（電気または無電気メッキ）により導電層を形成すればよい。
本発明において、前記導電層は、銅、白金、銀、ニッケルなど所望の導電性材料を用いればよい。
【００１７】
本発明の磁束減少素子（単体または複数体）は、所望の電気回路に介装されて使用されるものであり、当該電気回路の電力供給条件を参酌して使用する磁束減少素子（単体または複数体）の性能を適宜に決めればよい。
例えば、後述する実施例１の場合、辺（１０１）の長さが９６ｍｍの磁束減少素子（１００）は、交流５０Ｈｚ時インピーダンス０．００２Ω、６０Ｈｚ時０．０３Ω、実効抵抗（ＥＳＲ）Ω０．０１Ω〜０．００Ωという電気的特性（基本性能）を有するものである。
本発明において、磁束減少素子（単体または複数体）は、所望の電気回路において、直列的に介装してもまたは並列的に介装してもよいものである。
【００１８】
本発明において、「磁束減少素子」という用語は、磁束減少という機能のみをもつ素子を意味するだけでなく、磁束減少という機能に関連すると認められる他の全ての機能をもつ素子であると、最広義に理解されるべきである。
即ち、本発明の磁束減少素子は、後述する実施例において実証されているように、
(1)．所定の電気回路系において磁束減少という機能、別言すれば漏洩磁束・電磁波発生の低減機能、を持つことはもとより、前記磁束減少と何等かの関連性を有すると認められる以下の機能、即ち、
(2)．所定の電気回路系における磁束の発生に基づく電気エネルギーのロス（損失）の改善機能、
(3)．所定の電気回路系における漏洩磁束の減少（低減）に基づく抵抗減少機能、電流増大機能、
(4)．所定の電気回路系がトランス（変電器)、バッテリー（電池、蓄電池）、発電機（モータ）などの場合には有効電力増大機能、
(5)．超伝導機能、
(6)．前記抵抗減少機能や電流増大機能から理解されるように所定の電気回路系における電荷の運搬媒体である「電子」の速度を高速化する機能、
などの機能を合わせもった電気導体素子というように、最広義に理解されるべきである。
【００１９】
いうまでもないことであるが、本発明の「磁束減少素子」は、前記した優れた多くの機能を固有的に持っていることから、それぞれの機能が関係する多くの応用（利用）分野で使用されることはいうまでもないことである。
例えば、前記(1) の磁束減少機能は電磁波無発生の各種の電気・電子機器（電磁波を自己シールドした機器）に生かすことができる。また、前記(2)〜(4)の機能は照明系での有効電力の増大、送電・変電ロスの改善などの省エネルギー型の各種の電気・電子機器に生かすことができる。更に前記(5) の機能はいうまでもなく超伝導素子として利用できるものである。また前記(6) の機能は「電子」の高速化を利用した高速・高性能コンピュータに生かすことができるものである。
【００２０】
ここで、本発明の「磁束減少素子」の超伝導機能について詳しく説明する。本発明の「磁束減少素子」は、前記した多機能から推認されるように、例えば、磁束減少機能、抵抗減少機能、電流増大機能などの機能から推認されるように、常温下での超伝導（ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）の特徴、特性を持っているということができ、従って、超伝導素子（ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）として利用することができる。
超伝導体においては、周知のように永久電流（ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）、マイスナー効果（Ｍｉｓｓｎｅｒ ｅｆｆｅｃｔ）、ジョセフソン効果（Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ）などが知られている。
永久電流は超伝導体の環に誘起した電流が刺激（励起）を断った後も半永久的に流れる現象であり、マイスナー効果は磁束をはじく効果である。
本発明の「磁束減少素子」は、後述する実施例において実証されているように前記した諸機能を固有的に持っていること、特に磁束に関しては磁束をはじくという機能を通り超して磁束を減少させるという特性をもっており（例えば実施例１参照）、更には永久電流を発生させるという特性を持っており（実施例６参照）、常温超伝導体として応用することができるものである。
【００２１】
本発明において、磁束減少素子を使用したときの前記した諸々の作用効果や機能は、従来の所定の電力供給条件（例えば１１０Ｖ、１００Ｗなど）のもとにある電気回路系（例えば照明系）に、本発明の磁束減少素子を介装したときと介装しなかったときの電気特性（電磁波の発生状況、電流や有効電力の増大など）を測定することにより検証することができる。
【００２２】
以下、本発明の磁束減少素子を、磁束減少効果を確認するための実施例、及び、本発明の磁束減少素子が前記した固有的にもつ他の有用な効果を確認するための実施例により、そのハード構成を更に詳しく説明する。
本発明において、例えば、本発明の磁束減少素子を不要電磁波を発生する装置に適用する場合、当該装置のハード構成（主要な構成要素）に何等の変更を加えることなく磁束の減少を図ることができる。本発明において、前記した何等の変更を加えることがないという意味は、本発明の磁束減少素子を、不要電磁波を発生する装置のハード構成をそのままにして当該装置が電源から電力供給を受ける回路（部位）に接続することにより達成することができるということである。このことは、本発明の磁束減少素子において、他の有用機能を発現させたい場合についても同様にいえることである。
以下、添付図面を参照して、本発明に係る磁束減少素子の実施例を説明する。各図において同一の構成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【実施例１】
【００２３】
まず、本発明の磁束減少素子を構成する単体キューブ（２４面体）の製作方法を説明する。
ここでは、折り紙により製作過程を説明するが、実際の磁束減少素子は、例えば絶縁シートを折り曲げ加工、或いは絶縁材料の射出成型等により単体キューブ（２４面体）を製作し、かつ、その表面を導電性材料で被覆して製作すればよい。
【００２４】
(1)．図１に示されるように、長辺と短辺の比が２対１である長方形１の第１の長辺２及び第２の長辺３をそれぞれ４等分し、前記第１の長辺２の４分割された区間を第１の短辺４から第２の短辺５へ向かってＡ辺、Ｂ辺、C辺、D辺とし、前記第２の長辺３の４分割された区間を第１の短辺４から第２の短辺５へ向かってE辺、F辺、G辺、H辺とする。
【００２５】
(2)．Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）とＥ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）を結ぶ線分（Ｘ１、Ｘ２）、及び、Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ3）とＧ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）を結ぶ線分（Ｘ３，Ｘ４）、をそれぞれ谷折りする。
【００２６】
(3)．Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）とＡ辺に隣接する第１の短辺４の中点（Ｘ７）を結ぶ線分（Ｘ１、Ｘ７）を、Ａ辺が前記長方形１の前側になる方向に谷折する。
【００２７】
(4)．Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ３）とＤ辺に隣接する第２の短辺５の中心（Ｘ８）を結ぶ線分（Ｘ３、Ｘ８）を、Ｄ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折する。
【００２８】
(5)．Ａ辺とＢ辺の中点（Ｘ１）、長方形１の重心（Ｏ）、及び、Ｃ辺とＤ辺の中点（Ｘ３）を頂点とする三角形を、Ｂ辺とＣ辺の中点（Ｘ５）と長方形の重心（Ｏ）を結ぶ線分（Ｘ５、Ｏ）で山折し、Ａ辺とＢ辺を接合するとともにＣ辺とＤ辺を接合する。
【００２９】
(6)．Ｅ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）とＥ辺に隣接する第１の短辺４の中点（Ｘ７）を結ぶ線分（Ｘ２、Ｘ７）を、Ｅ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折する。
【００３０】
(7)．Ｇ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）とＨ辺に隣接する第２の短辺５の中心（Ｘ８）を結ぶ線分（Ｘ４、Ｘ８）を、Ｈ辺が前記長方形の前側になる方向に谷折する。
【００３１】
(8)．Ｅ辺とＦ辺の中点（Ｘ２）、長方形の重心（Ｏ）、及び、Ｇ辺とＨ辺の中点（Ｘ４）を頂点とする三角形を、Ｆ辺とＧ辺の中点（Ｘ６）と長方形の重心（Ｏ）を結ぶ線分（Ｘ６、Ｏ）で山折し、Ｅ辺とＦ辺を接合するとともにＧ辺とＨ辺を接合する。
【００３２】
(9)．以上により第１の短辺４と第２の短辺５がそれぞれの中点（Ｘ７、Ｘ８）において２区分された４辺よりなる開口を有する１２面体を形成する。
【００３３】
(10)．前記１２面体の一対をそれぞれの開口が対向するように向き合わせ、前記１２面体の一方を、その開口の中心と当該開口の後部に形成されている頂角（前記長方形の重心Ｏ）を通る線分を回転軸として９０度回転させ、前記一対の１２面体をそれぞれの開口の４辺（第１の短辺４が半分割された２辺と第２の短辺５が半分割された2辺の合計4辺）を接合し、２４面体を製作する。
【００３４】
前記折り紙の製作工程(1)〜(9)により、図２（ａ）〜（ｂ）に示されるように第１の短辺４と第２の短辺５のそれぞれが中点（Ｘ７、Ｘ８）で２区分（半分割）された４辺（ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１）より成る開口を有する１２面体６が製作される。
前記１２面体６は、図１及び図２（ａ）〜（ｂ）から明らかのように２種類の直角三角形、即ち、
・ 大きな直角二等辺三角形（６１）（図１の頂点Ｘ１ 、Ｘ２ 、Ｘ７ で形成される直角二等辺三角形を参照）を４面有し、かつ、
・ 前記大きな直角二等辺三角形の半分の小さな直角二等辺三角形（６２）（図１の頂点Ｘ１ 、Ｘ５ 、Ｏで形成される直角二等辺三角形を参照）を８面有するものである。
【００３５】
前記折り紙の製作工程（１０）により、図３〜図４に示されるように、本発明の磁束減少素子１００が製作される。
図３は、前記１２面体６の一対（６、６）を示している。なお、図３において、一方の１２面体（これは開口辺ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１ の開口部を有する。）に対し、他方の１２面体（これは開口辺ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２ の開口部を有する。）は、その開口部の中心と該開口部の後部において形成される頂角〔図２（ｂ）のＯ参照〕とを通る線分を回転軸として９０度回転させて配置されている。即ち、図３は、前記一対の１２面体６，６のそれぞれの開口部の４辺を接合する直前の状態図ということができる。図４は前記一対の面体６、６をそれぞれの開口部で接合して本発明の磁束減少素子である２４面体１００を製作したときの状態図を示している。
【００３６】
前記したことから明らかのように、前記１２面体６は、本発明の２４面体からなる磁束減少素子１００の２分の１多面体（半殻体）ということができる。
なお、本実施例（実施例１）を含め他の実施例において、本発明に係る磁束減少素子は、参照番号（１００）をもって説明されるが、留意すべき点が１つある。
即ち、参照番号（１００）で示される本発明の磁束減少素子は、図４で示される単体（１個）で構成される場合と、この単体を複数個組み合わせて複数体で構成される場合とがあるという点である。
【００３７】
＜磁束減少素子の性能評価＞
１）．磁束減少素子について
実験に使用した磁束減少素子（１００）の斜視図を図５に示す。
実験に使用した磁束減少素子（１００）は、図５に示されるように、
・ 銅製の厚さが０．１ｍｍ、辺（１０１）の長さが９６ｍｍのものであって、
・ 辺（１０１）の両端にリード線（１０２）、（１０３）を接続したものを使用した。
前記辺（１０１）は、図１において線分Ｘ１〜Ｘ２、Ｘ３〜Ｘ４に相当するものである。
なお、本発明において、磁束減少素子（１００）の大きさは、当業界における加工技術（ミクロ加工、超微細加工）の発達により、所望の大きさに任意に変更することができるため、前記した大きさのものは単なる例示であると理解すべきである。
【００３８】
２）．実験電気回路と磁束測定法について
図６に示される照明系電気回路、即ち、電源ＶＡ（ＡＣ１００Ｖ、５０Ｈｚ、０．８５Ａ）に電球Ｐ（１１０Ｖ、１００Ｗ白熱電球、ナショナル社製）を接続した実験電気回路系に前記磁束減少素子（１００）を介装し、電磁波の発生の抑制効果について調べた。
前記電気回路から発生する磁束強度の測定場所は、図６に示されるように、
・ リード線（１０２）の近傍位置Ｓ１、
・ 磁束減少素子（１００）の配設位置Ｓ２、
・ リード線（１０３）の近傍位置Ｓ３、
に設定した。
また、磁束減少素子（１００）を使用しないケース（比較例）の場合は、前記Ｓ１の位置に対応する位置で磁束強度の測定を行った。
なお、磁束強度の測定は、３軸アナログガウスメーター〔トリフィード社製、５０Ｈｚ用〕を用いて行った。
【００３９】
３）．実験結果
磁束強度の測定結果を、下記の表１に示す。
表１に示されるように、次のことがわかる。
・ 磁束減少素子（１００）の配設位置Ｓ２ 、具体的には、図５の辺（１０１）の部位における磁束強度は約１．４ｍＧ（ミリガウス）であり、磁束減少素子（１００）を接続していない場合（不使用時）と比較して１００分の４（１．４ｍＧ／３３ｍＧ）以下に磁束強度を減少させるという優れた効果を発揮している。
・ また、不要電磁波を発生する装置である電球Ｐを除去したケース、即ち、不要電磁波発生減なしの場合、Ｓ１ の位置における空間の磁束強度（バックグランドの磁束強度）は０．８ｍＧであり、従って本発明の磁束減少素子（１００）を介装させても０．８ｍＧから１．４ｍＧへとわずかに上昇させるにとどまり、本発明の磁束減少素子（１００）が優れていることを実証している。
【００４０】
【表１】
【００４１】
＜以下に説明する実施例２〜実施例６の概要＞
本発明の特殊な形状構造の多面構造体である２４面体で構成される磁束減少素子（１００）は、前記実施例１で実証されているように極めて優れた磁束減少機能を発揮するものである。
しかしながら、本発明の磁束減少素子（１００）は、この磁束減少機能はもとより、その理論的解明は完全には進んではいないが、前記したように所定の電気回路系（例えば照明係、送電系、変電系、モータなどの電気動力系など）において、前記磁束減少機能に深く関係していると認められる抵抗減少機能、電流増大機能、電力増大機能、力率向上機能、電力損失減少機能、超伝導機能、電子速度の増大機能など、優れた多くの機能を発揮することができる。
以下、本発明の磁束減少素子（１００）が磁束減少機能のほかに優れた多くの機能を発現することについて、実施例２〜実施例６により詳しく説明する。
【実施例２】
【００４２】
ここでは、本発明の磁束減少素子（１００）を実施例１の１個（単体）のケースとは違って、磁束減少素子（１００）として８９６個及び５６３２個立体的に集積したものを使用したケースにおいて、これらのケースにおいてどのような抵抗減少効果、電流増大効果、電力増大効果が発現されるかを調べた。
【００４３】
図７は、実験電気回路を示す。図中、参照符号は、以下のことを意味する。
・ ＶＡ、Ｐは、実施例１と同様である。
・ Ｗｈは積算電力計を示す。
・ Ｓ２ は、磁束減少素子（１００）を配置した場所を示す。
・ 磁束減少素子（１００）は、実施例１で使用したものを８９６個、集積したものと５６３２個集積したもので構成される。なお、集積の態様は後述する図１４に示される態様のものである。
なお、抵抗減少効果および電源拡大効果は積算電力計（日置電機ＨＩＯＫＩパワーハイテスタ３３３２）を用いて測定した。
【００４４】
（実験結果）
（1）．１６時間の平均抵抗値（Ｖ÷Ａ＝Ω、３０分毎に測定した値の平均値）
１．通常………………………………１１８．３４Ω。
２．磁束減少素子 ８９６個………１１５．４８Ω。通常より２．８６Ω減少した。
３．磁束減少素子 ５６３２個…… ９９．０６Ω。通常より１９．２８Ω減少した。
(2)．１６時間の電流量合計
１．通常………………………………１３．７３１５Ａｈ。
２．磁束減少素子 ８９６個………１４．３５３１Ａｈ。通常より０．６２１６Ａｈ増大した（電流増大率４．５２％）。
３．磁束減少素子 ５６３２個……１６．４５４８Ａｈ。通常より２．７２３３Ａｈ増大した（電流増大率１９．３８％）。
(3)．１６時間の電力量合計（有効電力＝皮相電力）
１．通常………………………………１．４０７４１ｋｗｈ。
２．磁束減少素子 ８９６個………１．５６５４８ｋｗｈ。通常より０．１５８０７ｋｗ増大した（電力増大率１１．２３％）。
３．磁束減少素子 ５６３２個……１．７５４３３ｋｗｈ。通常より０．３４６９ｋｗｈ増大した（電力増大率２４．６５％）。
(4)．磁束減少効果
本実施例の磁束減少素子の単体（図４参照）を複数個、立体的に集積した磁束減少素子（複合体）は、当然のことながら実験電気回路系において優れた磁束減少効果を得ることができる。このような磁束減少素子（複合体）の磁束減少効果については、後述する磁束減少素子の単体の配列方式に関連した実施例（実施例７〜実施例１２）において詳しく説明する。
【実施例３】
【００４５】
ここでは、照明系（Ｐ）として実施例１〜２の自然電球に代えて電球型蛍光灯インバータ（ナショナル社製、品番ＥＦＧ２２ＥＤＧ、定格入力電流０．３７Ａ）を使用したケースでの諸機能の向上効果について説明する。
【００４６】
図８は実験電気回路を示す。
図示されるように、磁束減少素子（１００）を２回線配置（並列配置）している。磁束減少素子（１００）は実施例１のもの（単体）を１０２４個立体的に集積したものを用いた。
【００４７】
（実験結果）
(1)．３時間の平均抵抗値（Ｖ÷Ａ＝Ω、３０分毎に測定した値の平均値）
通常 …………………………………………… ２７１．８８Ω。
磁束減少素子 １０２４個 ………………… ２６２．５７Ω。通常より９．３１Ω減少した。
(2)．３時間の電流量合計
通常 …………………………………………… １．１３２０Ａｈ。
磁束減少素子 １０２４個 ………………… １．１７９５Ａｈ。通常より０．０４７５Ａｈ増大した（電流増大率 ４．２％）。
(3)．３時間の有効電力合計
通常 …………………………………………… ７５．０１ｗｈ。
磁束減少素子 １０２４個 ………………… １３６．００ｗｈ。通常より６０．９９ｗｈ増大した（有効電力増大率 ８１．３１％）。
(4)．３時間の力率向上
通常 …………………………………………… 最低０．６４３３（ＰＦ）／最高０．６４９９（ＰＦ）。
磁束減少素子 １０２４個 …………………… 最低１（ＰＦ）／最高１（ＰＦ）。通常 ０．６４３３（ＰＦ）を１（ＰＦ）に力率向上させた。
【実施例４】
【００４８】
ここでは、モーター（Ｍ）〔日立モーター社製、０．４ｋｗ、１００Ｖ、５０Ｈｚ〕の電気回路系に本発明の磁束減少素子（１００）を利用したときの有効電力増大機能について説明する。
【００４９】
図９は、実験電気回路を示す。
磁束減少素子（１００）として、実施例１のもの（単体）を５６３２個立体的に集積したものを用いた。
【００５０】
（実験結果）
(1)．図９の実験電気回路において、磁束減少素子（１００）を配設しない場合の積算有効値（２時間）は、０．２４０１７ｋｗｈであった。
(2)．図９の実験電気回路において、磁束減少素子（１００）を配設した場合、積算有効値（２時間）は、０．２７７８６ｋｗｈであった。これは、前者と比較して、２時間計測で０．２４０１７ｋｗｈの有効電力の増大（増幅率１５．７％）があったことを示す。
【実施例５】
【００５１】
ここでは、トランス（変圧器）〔トヨズミ社製、１２Ｖ２Ａトランス〕の電気回路系に本発明の磁束減少素子（１００）を利用したときの１次側〜２次側の積算有効電力増大機能、電流増大機能について、説明する。
【００５２】
図１０は、実験電気回路を示す。
（1）．図示されるように、磁束減少素子（１００）として、一次側に実験例１のもの（単体）を３９４０個立体的に集積したものを２回線（並列配置）配設し、かつ、二次側に実施例１のもの（単体）を５７６個立体的に集積したものを２回線（並列配置）配設した。
（2）．図中、Ｐはパイロ社製３．８Ｖ、０．３Ａの豆電球（直列×８）を示している。
【００５３】
（実験結果）
（1）．一次側トランスの積算有効電力について
１）．通常〔磁束減少素子（１００）を配設しない〕の場合、積算有効電力値１４７．５ｗｈ（１６時間）。
２）．磁束減少素子（１００）を配設した場合、積算有効電力値２２４．０６ｗｈ（１６時間）（有効電力増大率５１．９０％）。
（2）．一次側トランスの電流について
１）．通常〔磁束減少素子（１００）を配設しない〕の場合、積算電流値２．０７２８Ａｈ（１６時間）。
２）．磁束減少素子（１００）を配設した場合、積算電流値２．１１４３Ａｈ（１６時間）（電流増大率２．０％）。
（3）．二次側トランスの積算有効電力について
１）．通常〔磁束減少素子（１００）を配設しない〕の場合、積算有効電力値４１．６２ｗｈ（１６時間）。
２）．磁束減少素子（１００）を配設した場合、積算有効電力値１２６．５５ｗｈ（１６時間）（有効電力増大率２０４．０６％）。
（4）．二次側トランスの電流について
１）．通常〔磁束減少素子（１００）を配設しない〕の場合、積算電流値３．０４５９Ａｈ（１６時間）。
２）．磁束減少素子（１００）を配設した場合、積算電流値３．１２７７Ａｈ（１６時間）（電流増大率２．６９％）。
【実施例６】
【００５４】
ここでは、本発明の磁束減少素子（１００）が、前記した諸々の機能に加えて、固有的に超伝導（ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）の機能を持っていることを実証する。
超伝導体は、周知のように永久電流（ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）、マイスナー効果（Ｍｅｉｓｓｎｅｒ ｅｆｆｅｃｔ）、ジョセフソン効果（Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ）、磁束量子化（ｆｌｕｘｏｉｄ ｑｕａｎｔｕｍ）などの特異な現象を示すことが知られている。
【００５５】
本発明の磁束減少素子（１００）は、前記した実施例に示されるように、
・ 磁束をはじく（Ｍｅｓｓｉｎｅｒ ｅｆｆｅｃｔ）という機能を通り超して磁束を減少させるという特性を持っており、かつ、
・ 抵抗減少機能や電流増大機能などから常温で永久電流（ｐａｒｓｉｓｔｅｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ）を発生させる機能を持っている、
ということができる。即ち、本発明の磁束減少素子（１００）は、超伝導体（ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）としての有用性を持っているということができる。
【００５６】
以下、本発明の磁束減少素子（１００）が、超伝導体としての機能を持っていることを実証する。
図１１は、実験電気回路を示す。
図示されるように外来電波の影響を受けないようにするために、アルミボックス（１０）製の密封シールド室内に磁束減少素子（１００）〔銅製の厚さが０．１ｍｍ、辺（１０１）の長さが９６ｍｍのもの（単体）〕を収容（封印）した。
そして、前記密封シールド室内に収容した磁束減少素子（１００）を、高周波共振により発生する永久電流を測定するために、スペクトラムアナライザー〔ヒューレットパッカード社製、８５９１Ｅ〕（１１）にインピーダンス５０Ω同軸ケーブル（１２）で接続した。
前記アルミボックス（１０）は厚さ１ｍｍのものであり、測定時にアルミテープで封印した。また、磁束減少素子（１００）と同軸ケーブル（１２）はワニ口クリップで接続した。
【００５７】
（実験結果）
（1）．共振周波数 ｆ＝２６５．３７５ＭＨｚのもとで、高周波電力８６ｐＷが発生した。
（2）．共振周波数 ｆ＝２６５．３７５ＭＨｚのもとで、高周波電圧５０．８１４μＶが発生した。
以上のことからみて明らかのように、本発明の磁束減少素子（１００）は、高周波共振により電源なしで高周波電力及び電圧を発生、即ち、永久電流を発生させていることが判る。
【００５８】
＜以下に説明する実施例７〜実施例１２の概要＞
本発明の特殊な形状構造の多面構造体である２４面体で構成される磁束減少素子（１００）は、実用において前記実施例１〜６からわかるように、磁束減少素子（１００）として１個の単体を使用してもよいし、あるいは、直線状、平面状、立体状に複数個を組合わせた複数体を使用してもよいものである。
以下、磁束減少素子（１００）として単体または複数体を利用する態様とそれらのケースの磁束減少効果について、実施例７〜実施例１２により詳しく説明する。
なお、以下の実施例において、磁束減少素子（１００）の単体は、実施例１のものと比較して辺（１０１）の長さが５４ｍｍである点が相違する。また、磁束強度の測定は図７に示される部位（Ｓ２ ）で行った。
【実施例７】
【００５９】
＜磁束減少素子（１００）の単体を１個、使用したケース＞
磁束強度の測定結果を下記の表２に示す。
【００６０】
【表２】
【実施例８】
【００６１】
＜磁束減少素子（１００）の単体を４個、直線状に直列配列したケース＞
図１２に４個の磁束減少素子（１００）の配列態様を示す。図１２（ａ）は側面図であり、図１２（ｂ）は平面図（一部を透視）である。
磁束強度の測定結果を下記の表３に示す。
【００６２】
【表３】
【実施例９】
【００６３】
＜磁束減少素子（１００）の単体を４個、平面状に配列したケース＞
図１３に４個の磁束減少素子（１００）の配列態様を示す。図１３（ａ）は側面図であり、図１３（ｂ）は平面図（一部を透視）である。
磁束強度の測定結果を下記の表４に示す。
【００６４】
【表４】
【実施例１０】
【００６５】
＜磁束減少素子（１００）の単体を８個、立体状に配列したケース＞
図１４に８個の磁束減少素子（１００）の配列態様を示す。図１４（ａ）は平面図（一部を透視）、図１４（ｂ）は（ａ）のＡ矢視方向にみた側面図である。なお、側面図としては、（ａ）のＡ矢視方向とは異なる方向からのものがあるが図１４（ｂ）と同様のものになるため省略する。また、下側からみた下面図も図１４（ａ）と同様のものになるため省略する。
磁束強度の測定結果を下記の表５に示す。
【００６６】
【表５】
【実施例１１】
【００６７】
＜磁束減少素子（１００）の単体を２００個、立体状に配列したケース＞
磁束減少素子（１００）の配列態様は前記実施例１０と同様である。
磁束強度の測定結果を下記の表６に示す。
【００６８】
【表６】
【実施例１２】
【００６９】
＜磁束減少素子（１００）の単体を８９６個、立体状に配列したケース＞
磁束減少素子（１００）の配列態様は前記実施例１０と同様である。
磁束強度の測定結果を下記の表７に示す。
【００７０】
【表７】
【００７１】
＜以下に説明する比較例１〜２の概要＞
本発明の磁束減少素子（１００）は、特殊な形状構造の多面構造体（２４面体）で構成され、これにより磁束減少効果はもとより種々の有用な諸効果、諸機能が発現される。
以下、磁束減少効果等の有用な諸効果、諸機能を発現させる上で、磁束減少素子が本発明の特殊な形状構造をもっていなければならないこと、別言すれば形状構造に特異性がなければならないことを、比較例１〜２をもって説明する。
【比較例１】
【００７２】
比較例１は、厚さ０．１ｍｍの銅板で製作した１辺が５４ｍｍの中空立方体（正６面体）が、磁束減少機能をもつか否かを検証するものである。磁束強度の測定は、実施例１と同様（図７参照）に行った。
磁束強度の測定結果を下記の表８に示す。
【００７３】
【表８】
【比較例２】
【００７４】
比較例２として、厚さ０．１ｍｍの銅板で製作した一辺が５４ｍｍの中空正８面体（プラトンの正八面体）が、磁束減少機能をもつか否かを検証するものである。
磁束強度の測定結果を下記の表９に示す。
【００７５】
【表９】
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明に係る磁束減少素子の製作過程を説明するための折り紙を示す図。
【図２】本発明に係る磁束減少素子（２４面体）の製作過程において得られる一個の１２面体（２４面体の２分の１の多面体）の斜視図。
【図３】本発明に係る磁束減少素子（２４面体）の製作過程において得られる一対の１２面体の斜視図。
【図４】本発明に係る磁束減少素子を構成する２４面体の斜視図。
【図５】本発明に係る磁束減少素子にリード線を接続したものの斜視図。
【図６】本発明に係る実施例１の磁束減少素子による磁束減少効果を検証するための実験回路図。
【図７】本発明に係る実施例２の磁束減少素子による抵抗減少効果、電流増大効果、電力増大効果を検証するための実験回路図。
【図８】本発明に係る実施例３の磁束減少素子による抵抗減少効果、電流増大効果、電量増大効果、力率向上効果を検証するための実験回路図。
【図９】本発明に係る実施例４の磁束減少素子による有効電力増大効率を検証するための実験回路図である。
【図１０】本発明に係る実施例５の磁束減少素子によるトランスにおける有効電力増大効果を検証するための実験回路図である。
【図１１】本発明に係る実施例６の磁束減少素子による超伝導機能（永久電流の発生効果）を検証するための実験回路図である。
【図１２】本発明に係る実施例８における４個の磁束減少素子の配列態様（直線状配列）を説明する図である。
【図１３】本発明に係る実施例９における４個の磁束減少素子の配列態様（平面状配列）を説明する図である。
【図１４】本発明に係る実施例１０における８個の磁束減少素子の配列態様（立体状配列）を説明する図である。
【符号の説明】
【００７７】
１ …… 長辺：短辺＝２：１の長方形
２、３ …… 長辺
４、５ …… 短辺
６ …… ２４面体の２分の１の多面体（半殻体）
６１ …… 大きい直角二等辺三角形
６２ …… 小さい直角二等辺三角形（６１の半分の大きさ）
０ …… 長方形１の重心点
１００ …… 磁束減少素子
１０１ …… 辺
１０２、１０３ …… リード線
ＶＡ …… 電源
Ｗｈ …… 積算電力計
Ｐ …… 照明系
Ｍ …… モーター
１０ …… アルミボックス
１１ …… スペクトラムアナライザー
１２ …… インピーダンス５０Ω同軸ケーブル
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| 【出願人】 |
【識別番号】５０４０７１９２６
【氏名又は名称】株式会社アイ・クリエーション
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| 【出願日】 |
平成１６年１０月４日（２００４．１０．４） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００９２２２２
【弁理士】
【氏名又は名称】水野 喜夫
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| 【公開番号】 |
特開２００５−３１７８９７（Ｐ２００５−３１７８９７Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１７年１１月１０日（２００５．１１．１０） |
| 【出願番号】 |
特願２００４−２９１０５６（Ｐ２００４−２９１０５６） |
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