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【発明の名称】 金属配線の製造方法、電気光学装置、および電子機器
【発明者】 【氏名】和田 健嗣
【住所又は居所】長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコーエプソン株式会社内
【要約】 【課題】インクジェット法で製造された金属配線に適した実装技術を提供すること。

【解決手段】金属配線の製造方法は、被吐出面上に導電性材料が付与されるように、吐出装置のヘッドから液状の前記導電性材料を吐出するステップＡと、前記付与された導電性材料を活性化または乾燥させて第１の金属層を得るステップＢと、前記第１の金属層を覆う第２の金属層が得られるように、前記第１の金属層をめっきするステップＣと、を含んでいる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吐出面上に導電性材料が付与されるように、吐出装置のヘッドから液状の前記導電性材料を吐出するステップＡと、
前記付与された前記導電性材料を活性化または乾燥させて第１の金属層を得るステップＢと、
前記第１の金属層を覆う第２の金属層が得られるように、前記第１の金属層をめっきするステップＣと、
を含んだ金属配線の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の金属配線の製造方法であって
前記第２の金属層はニッケル（Ｎｉ）層である、
金属配線の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の金属配線の製造方法であって、
前記第２の金属層を覆う第３の金属層が得られるように、前記第２の金属層をめっきするステップＤであって、前記第３の金属層が金（Ａｕ）層であるステップＤ、をさらに含んだ金属配線の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つに記載の金属配線の製造方法であって、
前記ステップＡは、銀（Ａｇ）を含んだ前記導電性材料を吐出するステップを含んでいる、
金属配線の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つに記載の製造方法で製造された電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一つに記載の製造方法で製造された電子機器。
【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属配線の製造方法、電気光学装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷法によるアディティブプロセス（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて回路基板を製造する方法が注目されている。薄膜の塗布プロセスとフォトリソグラフィープロセスとを繰り返して回路基板を製造する方法に比べて、アディティブプロセスのコストは低いからである。
【０００３】
このようなアディティブプロセスに利用される技術の一つとして、インクジェット法による金属配線の塗布技術が知られている（例えば特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、配線基板（回路基板）上の金属配線には、はんだによって能動素子や受動素子が電気的に接続される。ただし、インクジェット法による吐出のために最適化された導電性材料における金属に対して、親和性が良くないはんだも存在する。ここで、親和性が良くないとは、その金属に対する塗れ性が悪いことや、金属配線中の元素の一部を吸収してしまう特性があることを指す。
【０００６】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、インクジェット法で製造された金属配線に適した実装技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の金属配線の製造方法は、被吐出面上に導電性材料が付与されるように、吐出装置のヘッドから液状の前記導電性材料を吐出するステップＡと、前記付与された導電性材料を活性化または乾燥させて第１の金属層を得るステップＢと、前記第１の金属層を覆う第２の金属層が得られるように、前記第１の金属層をめっきするステップＣと、を含んでいる。
【０００８】
上記構成によって得られる効果の一つは、吐出装置によって形成された金属層を覆うように、めっき工程による金属層が設けられているので、実装の際に使用されるはんだに合わせて導電性材料を準備する必要がないことである。
【０００９】
好ましくは、前記第２の金属層はニッケル（Ｎｉ）層である。
【００１０】
上記構成によって得られる効果の一つは、はんだを溶融する際に下地の第１の金属層の金属が消費されることを防止できることである。
【００１１】
さらに好ましくは、上記製造方法が、前記第２の金属層を覆う第３の金属層が得られるように、前記第２の金属層をめっきするステップＤであって、前記第３の金属層が金（Ａｕ）層であるステップＤ、をさらに含んでいる。
【００１２】
上記構成によって得られる効果の一つは、第３の金属層によって下地の金属層の酸化を防止できることである。
【００１３】
さらに好ましくは、前記ステップＡは、銀（Ａｇ）を含んだ前記導電性材料を吐出するステップを含んでいる。
【００１４】
上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法で容易に金属層を形成できることである。
【００１５】
本発明の電気光学装置は上記製造方法で製造される。
【００１６】
上記構成によって得られる効果の一つは、電気光学装置の製造にインクジェット法を適用できることである。
【００１７】
本発明の電子機器は上記製造方法で製造される。
【００１８】
上記構成によって得られる効果の一つは、電子機器の製造にインクジェット法を適用できることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本実施形態の基板は、テープ形状を有するベース基板から製造される。ここでベース基板は、ポリイミドからなっており、フレキシブル基板とも呼ばれる。ベース基板上には、後述する製造工程によって、金属配線が形成される。そして、金属配線が形成された後で、複数の基板が切り抜かれるように、ベース基板はプレス処理を受ける。この結果、ベース基板から、それぞれが金属配線を有する複数の基板が得られる。ここで、本実施形態では、複数の基板のそれぞれに設けられた金属配線は、どれも同じパターンを構成している。なお、以下では、金属配線が形成された基板を「配線基板」とも表記する。
【００２０】
本実施形態の製造方法は、配線塗布装置１１（図１）による吐出工程と、めっき装置１２（図４）によるめっき工程と、を含む。配線塗布装置１１とめっき装置１２とのそれぞれは、一対のリールを有している。そして、ベース基板が一方のリールから巻き出されて、他方のリールに巻き取られるまでに、それぞれの装置によって対応する処理が施される。このような処理方式は、リール・トゥ・リール（Ｒｅｅｌ Ｔｏ Ｒｅｅｌ）とも呼ばれる。以下では、金属配線の製造工程を詳細に説明する前に、これら配線塗布装置１１と、めっき装置１２と、をこの順番で説明する。
【００２１】
図１に示す配線塗布装置１１は、一対のリールＷ１と、吐出装置１００と、オーブン１５０（乾燥装置）と、を有している。吐出装置１００と、オーブン１５０と、はどちらも、一対のリールＷ１の間に位置している。そして、ベース基板１ａは、一対のリールＷ１の一方から他方に移行する間に、吐出装置１００による吐出工程と、オーブン１５０による活性化工程とを、この順番で受ける。
【００２２】
図２に示す吐出装置１００は、ビットマップデータに応じて、ヘッド１１４をベース基板１ａに対して相対移動させるとともに、ベース基板１ａの被吐出面に向けてノズルから液状の導電性材料１１１を吐出する。ここで、ビットマップデータは、ベース基板１ａ上に、導電性材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。また、「被吐出面」とは、液状の導電性材料が着弾することになる表面または部分を指している。なお、吐出装置１００によるヘッドの相対移動と、ヘッドから導電性材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」と表記することもある。
【００２３】
ここで、液状の導電性材料１１１は「液状の材料」の一種である。「液状の材料」とは、ヘッド１１４のノズル１１８（図３）から液滴として吐出されうる粘度を有する材料をいう。この場合、液状の材料が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。
【００２４】
本実施形態では、液状の導電性材料１１１は、平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散剤と、有機溶媒と、を含む。液状の導電性材料１１１中で、銀粒子は分散剤に覆われている。分散剤に覆われた銀粒子は有機溶媒中に安定して分散されている。ここで、分散剤は、銀原子に配位可能な化合物である。このような分散剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。
【００２５】
平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、ナノ粒子とも表記される。この表記によれば、本実施形態の導電性材料１１１は銀のナノ粒子を含んでいる。
【００２６】
吐出装置１００は、より具体的には、図２に示すように、液状の導電性材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、チューブ１１０を介してタンク１０１から液状の導電性材料１１１が供給される吐出走査部１０２と、を備えたインクジェット装置である。ここで、吐出走査部１０２は、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、第１位置制御装置１０４と、制御部１１２と、を備えている。
【００２７】
吐出ヘッド部１０３は、グランドステージＧＳ側に液状の導電性材料１１１を吐出するヘッド１１４を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の導電性材料１１１の液滴をノズル１１８（図３）から吐出する。なお、タンク１０１と、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４とは、チューブ１１０で連結されており、タンク１０１からヘッド１１４に液状の導電性材料１１１が供給される。
【００２８】
第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向に直交するＺ軸方向に沿って移動させる。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００２９】
より具体的には、第１位置制御装置１０４は、Ｘ軸方向に延びる一対のリニアモータと、Ｘ軸方向に延びる一対のＸ軸ガイドレールと、Ｘ軸エアスライダと、キャリッジ回動部と、支持構造体１０４ａと、を備えている。支持構造体１０４ａは、一対のリニアモータと、一対のＸ軸ガイドレールとを、グランドステージＧＳからＺ軸方向に所定距離だけ離れた位置に固定している。一方、Ｘ軸エアスライダは、一対のＸ軸ガイドレールに移動可能に支持されている。そして、Ｘ軸エアスライダは、一対のリニアモータの働きによって、一対のＸ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。吐出ヘッド部１０３はキャリッジ回動部を介してＸ軸エアスライダと連結されているので、吐出ヘッド部１０３は、Ｘ軸エアスライダとともにＸ軸方向に移動する。なお、吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４のノズル１１８（図３）がグランドステージＧＳ側を向くように、Ｘ軸エアスライダに支持されている。なお、キャリッジ回動部はサーボモータを有しており、吐出ヘッド部１０３をＺ軸に平行な軸の回りで回転させる機能を有する。
【００３０】
ベース基板１ａが移動する方向は、Ｙ軸方向に一致している。具体的には、ベース基板１ａが一方のリールから巻き出されてから、他方のリールに巻き取られるまでに、ベース基板１ａはグランドステージＧＳ上をＹ軸方向に移動する。
【００３１】
上述のように、吐出ヘッド部１０３は第１位置制御装置１０４によってＸ軸方向に移動させられる。そして、ベース基板１ａは、グランドステージＧＳ上で、Ｙ軸方向に移動する。このため、ベース基板１ａに対するヘッド１１４の相対位置が２次元的に変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図３）は、ベース基板１ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の導電性材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出面側）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００３２】
このような構成によって、吐出装置１００は、ベース基板１ａの任意の場所に任意のパターンで導電性材料１１１が塗布、つまり付与されるように、導電性材料１１１を吐出することができる。
【００３３】
吐出ヘッド部１０３は上記以外の平行移動および回転の自由度をさらに有している。ただし、本実施形態では、上記自由度以外の自由度に関する記載は説明を平易にする目的で省略されている。
【００３４】
制御部１１２は、液状の導電性材料１１１を吐出すべき相対位置を表す吐出データ（例えばビットマップデータ）を外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
【００３５】
図３（ａ）および（ｂ）に示すように、吐出装置１００におけるヘッド１１４は、インクジェットヘッドである。より具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、を備えている。振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の導電性材料１１１が常に充填される液たまり１２９が位置している。
【００３６】
また、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の導電性材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００３７】
振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、振動子１２４が位置する。振動子１２４は、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の導電性材料１１１が吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される導電性材料１１１の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の導電性材料１１１が吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００３８】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００３９】
さて、図１のオーブン１５０は、導電性材料１１１が付与されたベース基板１ａを加熱することで、導電性材料１１１を燒結する。そして、導電性材料１１１がオーブン１５０によって燒結されることで、ベース基板１ａ上に第１の金属層２１が得られる。
【００４０】
図４に示すめっき装置１２は、無電解めっき法によって、ベース基板１ａにニッケル（Ｎｉ）めっきを施すとともに、金（Ａｕ）めっきを施す。具体的には、めっき装置１２は、一対のリールＷ２と、前処理液１３Ａを貯えた前処理槽１３と、第１めっき液１４Ａを貯えた第１めっき槽１４と、第２めっき液１５Ａを貯えた２つの第２めっき槽１５と、ベース基板１ａが一方のリールＷ２から他方のリールＷ２に向けて流れるようにベース基板１ａを送り出す駆動部１７と、ベース基板１ａが前処理液１３Ａと、第１めっき液１４Ａと、第２めっき液１５Ａとに浸されるように、ベース基板１ａのパスを形成する複数のスプロケット１６と、を有している。なお、前処理槽１３と、第１めっき槽１４と、第２めっき槽１５とは、一対のリールＷ２の間に位置している。
【００４１】
第１めっき槽１４における第１めっき液１４ＡにはＮｉを含む化合物が溶解している。そして、第２めっき槽１５における第２めっき液１５Ａには、Ａｕを含む化合物が溶解している。さらに、前処理槽１３の数と、第１めっき槽１４の数と、第２めっき槽１５の数とは、それぞれの処理に要する時間に合わせて、適宜変更され得る。このようなめっき装置１２によって、第１の金属層２１を覆う第２の金属層２２（つまりＮｉ層）および第３の金属層２３（つまりＡｕ層）が形成される。
【００４２】
以下では、図５を参照しながら、金属配線の製造方法を説明する。
【００４３】
まず、ポリイミドからなるベース基板１ａを準備する（図５（ａ））。ここでは既に、ベース基板１ａの表面は、所定の洗浄処理を含む表面処理によって、被吐出面となっている。そして、配線塗布装置１１を用いて、ベース基板１ａ上に所定パターンの第１の金属層２１を形成する。
【００４４】
（吐出工程）
具体的にはまず、吐出装置１００のヘッド１１４におけるノズル１１８から液状の導電性材料１１１を吐出することと、ベース基板１ａに対するヘッド１１４の相対位置を変えることと、によって、ベース基板１ａの被吐出面上に所定パターンの形状を有する導電性材料１１１の層を設ける（図５（ｂ））。
【００４５】
（活性化工程）
そして、導電性材料１１１の層が設けられた後で、導電性材料１１１の層を活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１５０内に位置させる。そして、導電性材料１１１における銀のナノ粒子が互いに融着または燒結するように、ベース基板１ａに付与された導電性材料１１１の層を加熱する。この結果、ベース基板１ａ上に所定パターンの第１の金属層２１（つまりＡｇ層）が形成される（図５（ｃ））。
【００４６】
ここで、本実施形態の「所定パターン」とは、複数の第１の金属層２１が、ほぼ３０μｍ／２０μｍのライン／スペースでパラレルに並ぶようなパターンを含んでいる。なお、「ライン」は、第１の金属層２１の幅を意味しており、「スペース」は２つの第１の金属層２１の間に位置するギャップの幅を意味している。
【００４７】
（めっき工程）
次に、めっき装置１２における一対のリールＷ２に、ベース基板１ａをセットする。そして、前処理液１３Ａと、第１めっき液１４Ａと、第２めっき液１５Ａとに、この順番でベース基板１ａが浸されるように、一対のリールＷ２の一方から他方へ、ベース基板１ａを送出する。ベース基板１ａが第１めっき液１４Ａに浸された場合には、第１の金属層２１（Ａｇ層）上にＮｉが析出する。そして、所定の時間だけベース基板１ａが第１めっき液１４Ａに浸されることで、第１の金属層２１を覆う第２の金属層２２（Ｎｉ層）が得られる（図５（ｄ））。さらに、ベース基板１ａを第２めっき液１５Ａに浸すことで、第２の金属層２２の上に、Ａｕが析出する。そして、所定の時間だけベース基板１ａが第２めっき液１５Ａに浸されることで、第２の金属層２２を覆う第３の金属層２３（Ａｕ層）が得られる（図５（ｅ））。ここで、本実施形態において、第２の金属層２２の厚さと第３の金属層２３の厚さとの和は、隣合う２つの第１の金属層２１間でＡｇのマイグレーションが生じないように、設定されている。
【００４８】
本実施形態では、第３の金属層２３が形成されることで、ベース基板１ａ上に、所定パターンの金属配線２が得られる。以下では、ベース基板１ａと、ベース基板１ａ上に形成された金属配線２と、を合わせて「配線基板１ｂ」とも表記する。なお、ベース基板１ａの材質はポリイミドなので、ベース基板１ａの表面にはＮｉもＡｕも析出しない。つまり、ベース基板１ａの表面には、第２の金属層２２も第３の金属層２３も形成されない。
【００４９】
後述するように、はんだを用いた実装の際に、第２の金属層２２（Ｎｉ層）は接着層として機能する。また、はんだが溶融する際に、第２の金属層２２は拡散バリア層としても機能する。ニッケル（Ｎｉ）とはんだに含まれる錫（Ｓｕ）とが中間金属を形成する際の反応速度が比較的遅いからである。
【００５０】
第３の金属層２３は下地の金属層の酸化を防ぐ働きをする。第３の金属層２３が金（Ａｕ）からなるからである。ただし、第３の金属層２３は、はんだの溶融の際に実質的に消滅する。はんだの溶融の熱によって、第３の金属層２３における金原子がはんだ側および第２の金属層２２側に拡散するからである。
【００５１】
なお、金属配線２の最も外側にＡｕ層（第３の金属層２３）が位置するので、熱圧着と超音波振動とを併用することで、金属配線２に金（Ａｕ）からなるワイヤを接続することもできる。このように本実施形態の金属配線２には、ワイヤ・ボンディング接続技術による接続と、はんだによる接続と、のどちらの方法を用いても、他の素子を接続できる。
【００５２】
第１の金属層２１の全域に第２の金属層２２および第３の金属層２３を堆積させる必要がない場合には、めっき工程に先だって、めっきが不要な箇所にめっきレジストを塗布しておけばよい。また、本実施形態では、無電解めっき法（化学めっき法）が用いられている。しかしながら、無電解めっき法に代えて、電気めっき法を用いてもよい。
【００５３】
上記製造方法によって金属配線２が形成された場合には、ワイヤ・ボンディング接続技術によって金属配線２の所望の部位にワイヤを接続することができる。さらに、以下で説明するように、はんだバンプを有する半導体素子を配線基板１ｂ上に実装することもできる。
【００５４】
（実装工程）
図６を参照しながら、半導体素子２５を配線基板１ｂ上に実装する方法を説明する。ここで、図６（ａ）に示すように、半導体素子２５は複数の電極パッド２６を有している。そして、これら複数の電極パッド２６のそれぞれの上には、予め、はんだバンプ２４が設けられている。本実施形態では、はんだバンプ２４は、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系のはんだからなる。
【００５５】
具体的には、まず、それぞれのはんだバンプ２４が、対応する金属配線２に接するように、半導体素子２５を配線基板１ｂに対して位置させる。その後、半導体素子２５に圧力を加えながら、はんだバンプ２４に熱を加えることで、はんだバンプ２４を一旦溶融させる。一旦溶融したはんだバンプが固まると、図６（ｂ）に示すように、半導体素子２５の電極パッド２６と、金属配線２とが、物理的かつ電気的に連結する。その後、必要に応じて、半導体素子２５と、配線基板１ｂとの間の隙間に、エポキシ樹脂を流し込み、硬化させることで、封止層２７（図７）を得る。この結果、図７に示すように、配線基板１ｂに半導体素子２５が実装されて、回路基板１ｃが得られる。なお、本実施形態では、半導体素子２５は、液晶ドライバ回路である。
【００５６】
ここで、第１の金属層２１とはんだバンプ２４との間にＮｉ層（第２の金属層２２）がない場合には、はんだの溶融に伴なって、第１の金属層２１を構成するＡｇがはんだバンプ２４によって消費されてしまう。このため、第１の金属層２１において電気的断線が生じてしまうことがある。本実施形態では、第１の金属層２１を覆ってＮｉ層（第２の金属層２２）が位置するので、Ａｇの消費は防止される。
【００５７】
半導体素子２５が実装された後、ベース基板１ａから複数の回路基板１ｃが切り抜かれるように、ベース基板１ａはプレス処理を受ける。切り抜かれた複数の回路基板１ｃのそれぞれは、基板１と、上述した所定パターンの金属配線２と、金属配線２の所定の部位に電気的に接続された半導体素子２５と、を有している。
【００５８】
図８に示すように、本実施形態では、得られた複数の基板１（この場合、回路基板１ｃ）を、それぞれの液晶パネル３２に電気的に接続する。そうすると、図８に示すような液晶表示装置３４が得られる。このように、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置の製造に適用できる。
【００５９】
さらに、本実施形態の製造方法は、液晶表示装置の製造だけでなく、種々の電気光学装置の製造にも適用される。ここでいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、透過、または反射する装置全般を意味する。具体的には、電気光学装置は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、表面伝導型電子放出素子を用いたディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などを含む用語である。
【００６０】
さらに、本実施形態の製造方法は、種々の電子機器の製造方法に適用され得る。例えば、図９に示す携帯電話機４０の液晶パネル４２は、本実施形態の製造方法で製造された回路基板に接続されている。また、図１０に示すパーソナルコンピュータ５０の液晶パネル５２も、本実施形態の製造方法で製造された回路基板に接続されている。
【００６１】
このように、吐出工程によって形成された金属層を覆うように、めっき工程による金属層が設けられているので、実装の際に使用されるはんだに合わせて導電性材料１１１を準備する必要がない。
【００６２】
（変形例１）
上記実施形態では、ポリイミドからなる基板１上に金属配線２が形成される。しなしながら、このような基板１に代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。なお、シリコン基板を利用する場合には、導電性材料１１１を塗布する前に、基板表面にパシベーション膜を形成してもよい。なお、どのような基板や膜が用いられても、上述したように、ノズル１１８からの液状の導電性材料１１１が着弾することになる部分は本発明の「被吐出面」に対応する。
【００６３】
（変形例２）
上記実施形態の液状の導電性材料１１１には、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、インクジェット法を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料１１１を利用することは好ましい。
【００６４】
また液状の導電性材料１１１が、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱（すなわち活性化）による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
【００６５】
このように、液状の導電性材料１１１に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
【００６６】
（変形例３）
上記実施形態によれば、第１の金属層２１上に２つの金属層が形成される。しかしながら、第１の金属層に含まれる金属と、実装工程で用いられるはんだの組成と、に応じて、めっき層（上記実施形態では第２の金属層と第３の金属層）の数は、変更され得る。つまり、第１の金属層上に１つの金属層だけが設けられてもよいし、３層以上の金属層が設けられてもよい。
【００６７】
（変形例４）
上記実施形態によれば、オーブン１５０による加熱によって導電性材料１１１の層を活性化させる。ただし、加熱することに代えて、紫外域・可視光域の波長の光や、マイクロウェーヴなどの電磁波を照射することで、導電性材料１１１の層を活性化してもよい。また、このような活性化に代えて、導電性材料１１１を単に乾燥させてもよい。付与された導電性材料１１１の層を放置するだけでも第１の金属層２１が生じるからである。ただし、導電性材料１１１の層を単に乾燥させる場合よりも、何らかの活性化を行う場合の方が、第１の金属層２１の生成時間が短い。このため、導電性材料１１１の層を活性化することがより好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】配線塗布装置を示す模式図。
【図２】吐出装置を示す模式図。
【図３】ヘッドの構造を示す模式図。
【図４】めっき装置を示す模式図。
【図５】（ａ）から（ｅ）は金属配線の製造方法を説明する模式図。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、金属配線が形成された基板に半導体素子を実装する方法を説明する模式図。
【図７】本実施形態の回路基板を示す模式図。
【図８】液晶表示装置を示す模式図。
【図９】本実施形態の携帯電話機を示す模式図。
【図１０】本実施形態のパーソナルコンピュータを示す模式図。
【符号の説明】
【００６９】
１…基板、１ａ…ベース基板、２…金属配線、１１…配線塗布装置、１２…めっき装置、１３Ａ…前処理液、１３…前処理槽、１４Ａ…第１めっき液、１４…第１めっき槽、１５Ａ…第２めっき液、１５…第２めっき槽、１６…スプロケット、１７…駆動部、２１…第１の金属層、２２…第２の金属層、２３…第３の金属層、１００…吐出装置、１５０…オーブン、Ｗ１・Ｗ２…１対のリール。
【出願人】 【識別番号】０００００２３６９
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
【住所又は居所】東京都新宿区西新宿２丁目４番１号
【出願日】 平成１６年４月２８日（２００４．４．２８）
【代理人】 【識別番号】１０００９５７２８
【弁理士】
【氏名又は名称】上柳 雅誉

【識別番号】１００１０７０７６
【弁理士】
【氏名又は名称】藤綱 英吉

【識別番号】１００１０７２６１
【弁理士】
【氏名又は名称】須澤 修
【公開番号】 特開２００５−３１７７４４（Ｐ２００５−３１７７４４Ａ）
【公開日】 平成１７年１１月１０日（２００５．１１．１０）
【出願番号】 特願２００４−１３３４９２（Ｐ２００４−１３３４９２）