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【発明の名称】 光ファイバ内蔵回路基板とその製造方法及びそれを用いた携帯型無線通信機器
【発明者】 【氏名】留河 悟
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地 松下電器産業株式会社内

【氏名】冨田 佳宏
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地 松下電器産業株式会社内

【氏名】中桐 康司
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地 松下電器産業株式会社内

【氏名】辛島 靖治
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地 松下電器産業株式会社内

【氏名】是永 継博
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地 松下電器産業株式会社内

【氏名】日比野 邦男
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地 松下電器産業株式会社内
【要約】 【課題】屈曲時における信号の伝送損失を抑制することができる光ファイバ内蔵回路基板とその製造方法及びそれを用いた携帯型無線通信機器を提供する。

【解決手段】電気絶縁基材(２ａ-２ｃ)と、電気絶縁基材(２ａ,２ｃ)表面及び各々の電気絶縁基材(２ａ-２ｃ)間に形成された導体配線回路(３)と、電気絶縁基材(２ｂ,２ｃ)に内蔵された光ファイバ(６)と、光ファイバ(６)の外周の少なくとも一部に、光ファイバ(６)から漏れた光を反射する光反射部(７)とを備えている光ファイバ内蔵回路基板(１)とする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層以上の電気絶縁基材と、前記電気絶縁基材表面及び各々の前記電気絶縁基材間に形成された導体配線回路と、前記電気絶縁基材に内蔵された光ファイバとを備えた光ファイバ内蔵回路基板であって、
前記光ファイバの外周の少なくとも一部に、前記光ファイバから漏れた光を反射する光反射部を更に備えていることを特徴とする光ファイバ内蔵回路基板。
【請求項２】
前記光反射部の少なくとも一部は、金属で形成されている請求項１に記載の光ファイバ内蔵回路基板。
【請求項３】
前記光反射部の少なくとも一部は、前記導体配線回路を兼ねている請求項１に記載の光ファイバ内蔵回路基板。
【請求項４】
前記光反射部の少なくとも一部は、導電性樹脂組成物で形成されている請求項１に記載の光ファイバ内蔵回路基板。
【請求項５】
未硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁基材に、貫通溝又は有底溝からなる光ファイバ収容部を形成し、
前記光ファイバ収容部に光ファイバを嵌め込み、
前記光ファイバから漏れた光を反射する光反射部の構成材料を前記光ファイバに接触させ、かつ、前記電気絶縁基材の上下面に金属箔を積層した状態で、熱プレスにより加熱、加圧処理することにより、前記熱硬化性樹脂を前記光ファイバ収容部の内壁と前記光ファイバとの間に流入させるとともに硬化させ、
前記金属箔をパターニングして導体配線回路を形成する光ファイバ内蔵回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記光反射部の構成材料は、金属を含み、
前記光反射部の構成材料を前記光ファイバに接触させる際、前記光ファイバ及び前記電気絶縁基材の上下部に前記金属からなる金属箔を載置し、
前記導体配線回路を形成する際、前記光ファイバに面する前記金属箔の少なくとも一部を残すようにパターニングすることにより、前記光反射部の少なくとも一部を形成する請求項５に記載の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記光反射部の構成材料は、金属を含み、
前記光反射部の構成材料を前記光ファイバに接触させる際、前記金属を前記光ファイバの少なくとも一部上に蒸着させる請求項５に記載の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記光反射部の構成材料は、導電性樹脂組成物を含み、
前記光反射部の構成材料を前記光ファイバに接触させる際、前記光ファイバの少なくとも一部を覆うようにして、前記導電性樹脂組成物を前記光ファイバ収容部の内壁と前記光ファイバとの間に充填する請求項５に記載の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法。
【請求項９】
第１回路基板を内蔵する本体部と、第２回路基板を内蔵する蓋部と、前記本体部と前記蓋部とを折りたたみ可能に連結するヒンジ部とを備えた携帯型無線通信機器であって、
前記第１回路基板と前記第２回路基板との間で信号を伝送するためのコネクタ部として、前記ヒンジ部内に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光ファイバ内蔵回路基板を更に備えていることを特徴とする携帯型無線通信機器。
【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバを内蔵した回路基板とその製造方法及びそれを用いた携帯型無線通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の携帯型無線通信機器の普及が進み、この携帯型無線通信機器で送受信されるデータ容量は増大している。そのため、携帯型無線通信機器には、大容量のデータを高速で送受信できるように、高周波で動作する大規模集積回路（ＬＳＩ）が使用されている。そして、前記ＬＳＩを複数備えた回路基板は、ＬＳＩ間に信号を伝送させるため、高い周波数の信号に対し正確なスイッチングを可能とする等の特性が要求される。このような背景の中、従来の回路基板における銅配線等の導体配線では、信号伝送できるデータ容量に限界が生じ、システム性能の向上が阻害されつつある。従って、ＬＳＩ間を光ファイバ等の光伝送路で信号を伝送する方式が検討されており、従来の導体配線に加え、広帯域性、低電磁波障害性（低ＥＭＩ性）、高密度性等の特徴を有する光伝送路を備えた回路基板が必要不可欠の技術であると考えられている。このような回路基板の例として、電気絶縁材料の内部に光ファイバを内蔵した回路基板（光ファイバ内蔵回路基板）が、例えば特許文献１等に提案されている。
【０００３】
他方、携帯電話等の携帯型無線通信機器では、近年、キーボタン等を有する本体部と、表示部等を有する蓋部と、本体部と蓋部とを折りたたみ可能に連結するヒンジ部とを備えた通信機器（以下、「折りたたみ式携帯通信機器」という）が広く使用されている。この折りたたみ式携帯通信機器では、折りたたんだ状態において、ヒンジ部が略１８０度の角度で屈曲されている。
【特許文献１】特開２０００−３４０９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、光ファイバは屈曲時に信号の伝送損失（以下、単に「伝送損失」という）が大きくなる、つまり屈曲性に劣るという問題点を有している。図８は代表的な単芯構造の光ファイバを用いた光（信号）の伝送方式を示す模式図である。図８に示すように、光ファイバ１００は光１０１を伝送するコア層１０２と、コア層１０２の外周に形成されたクラッド層１０３とからなる。そして、コア層１０２及びクラッド層１０３は、伝送される光１０１がコア層１０２とクラッド層１０３との間１０４で全反射するように、それらの屈折率に差を設けて形成されている。しかし、この光ファイバ１００を屈曲させると、屈曲部において光１０１の進入角度θが大きくなり、光１０１が全反射せずに一部が漏れるため、伝送損失が大きくなる。
【０００５】
図９には代表的な単芯構造の光ファイバとして、コア層及びクラッド層にそれぞれポリメチルメタクリレート樹脂（コア径：４８６μｍ）及びフッ素樹脂（クラッド径：５００μｍ）を用いたプラスチック光ファイバにおける屈曲時の信号の伝送特性を示す。図９において、横軸はプラスチック光ファイバの屈曲半径、縦軸は屈曲させていない場合と比較した伝送損失の大きさを示している。図９に示すように、従来のプラスチック光ファイバでは、屈曲半径が１５ｍｍ以下となった場合に、伝送損失が非常に大きくなることがわかる。前述した折りたたみ式携帯通信機器において、ヒンジ部の内部に設けられた回路基板には、１０ｍｍ以下の屈曲半径を許容する屈曲性が要求される場合もあるため、従来の光ファイバ内蔵回路基板を折りたたみ式携帯通信機器のヒンジ部の内部に設けた場合は、折りたたまれた状態における使用時に、伝送損失が大きくなるおそれがある。
【０００６】
本発明は、前記問題を解決するためになされたものであり、屈曲時における伝送損失を抑制することができる光ファイバ内蔵回路基板とその製造方法及びそれを用いた携帯型無線通信機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板は、１層以上の電気絶縁基材と、前記電気絶縁基材表面及び各々の前記電気絶縁基材間に形成された導体配線回路と、前記電気絶縁基材に内蔵された光ファイバとを備えた光ファイバ内蔵回路基板であって、前記光ファイバの外周の少なくとも一部に、前記光ファイバから漏れた光を反射する光反射部を更に備えていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法は、未硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁基材に、貫通溝又は有底溝からなる光ファイバ収容部を形成し、前記光ファイバ収容部に光ファイバを嵌め込み、前記光ファイバから漏れた光を反射する光反射部の構成材料を前記光ファイバに接触させ、かつ、前記電気絶縁基材の上下面に金属箔を積層した状態で、熱プレスにより加熱、加圧処理することにより、前記熱硬化性樹脂を前記光ファイバ収容部の内壁と前記光ファイバとの間に流入させるとともに硬化させ、前記金属箔をパターニングして導体配線回路を形成する。
【０００９】
本発明の携帯型無線通信機器は、第１回路基板を内蔵する本体部と、第２回路基板を内蔵する蓋部と、前記本体部と前記蓋部とを折りたたみ可能に連結するヒンジ部とを備えた携帯型無線通信機器であって、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間で信号を伝送するためのコネクタ部として、前記ヒンジ部内に、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を更に備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板によれば、光ファイバの外周の少なくとも一部に、光ファイバから漏れた光を反射する光反射部を備えているため、光ファイバを屈曲した際に光ファイバから光が漏れた場合でも、光反射部で光を反射させることにより、再び光を光ファイバの内部に閉じ込めることが可能となる。これにより、屈曲時における伝送損失を抑制することができる。
【００１１】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法によれば、光ファイバを電気絶縁基材に内蔵させる際、光反射部の構成材料を光ファイバに接触させた状態で行うため、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を容易に製造することができる。
【００１２】
本発明の携帯型無線通信機器によれば、本体部の第１回路基板と蓋部の第２回路基板との間で信号を伝送するためのコネクタ部として、ヒンジ部内に、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を備えているため、折りたたまれた状態においても、伝送損失が小さい携帯型無線通信機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板は、１層以上の電気絶縁基材と、電気絶縁基材表面及び各々の電気絶縁基材間に形成された導体配線回路と、電気絶縁基材に内蔵された光ファイバとを備えている。電気絶縁基材は特に限定されないが、アラミド不織布又はガラス織布２０重量％以上〜７０重量％以下と、熱硬化性樹脂３０重量％以上〜８０重量％以下とを少なくとも含んでいるものが好適に使用できる。この場合、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アラミドエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びシアネート樹脂から選ばれた少なくとも一つを含んでいることが好ましい。また、電気絶縁基材の厚みは、３００〜１０００μｍが好ましい。導体配線回路は公知の方法で形成することができ、例えば、電気絶縁基材上に熱プレス等により接着させた金属箔を、公知のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成することができる。電気絶縁基材に内蔵される光ファイバは、特に限定されず、公知のガラスファイバやプラスチックファイバ等が使用できる。また、背景技術で説明した単芯構造の光ファイバ（図８参照）だけでなく、多芯構造の光ファイバやグレーデッドインデックス型の光ファイバ等も使用することができる。なお、単芯構造の光ファイバを用いた場合は、コア径が２７０〜９８０μｍ、クラッド径が３００〜１０００μｍのものを使用するのが好ましい。
【００１４】
そして、本発明の光ファイバ内蔵回路基板は、前記構成に加え、光ファイバの外周の少なくとも一部に、光ファイバから漏れた光を反射する光反射部を更に備えている。これにより、光ファイバを屈曲した際に光ファイバから光が漏れた場合でも、光反射部で光を反射させることにより、再び光を光ファイバの内部に閉じ込めることが可能となる。したがって、屈曲時における伝送損失を抑制することができる。なお、光反射部は、光ファイバの外周の少なくとも一部に設けられていればよく、例えば、使用される機器においてあらかじめ屈曲箇所がわかっている場合は、その屈曲箇所近傍にのみ光反射部を設けてもよい。また、光反射部の厚みは、３〜３５μｍが好ましい。
【００１５】
また、本発明の光ファイバ内蔵回路基板に使用される光反射部の少なくとも一部は、金属で形成されていることが好ましい。これにより、光ファイバから漏れた光を確実に反射することができる。使用できる金属としては、金、銀、銅、アルミニウム、白金、クロム、チタン、シリコン、パラジウム、モリブデン等が好ましく、光反射部の形成方法は、後述するように金属箔のパターニングや金属の蒸着等の手段を用いることができる。また、本発明の光ファイバ内蔵回路基板に使用される光反射部の少なくとも一部は、導体配線回路を兼ねていることが好ましい。これにより、光ファイバ上のスペースを有効利用できるため、配線の高密度化が可能となる。
【００１６】
また、本発明の光ファイバ内蔵回路基板に使用される光反射部の少なくとも一部は、導電性樹脂組成物で形成されていてもよい。この構成でも、光ファイバから漏れた光を確実に反射することができる。導電性樹脂組成物としては、例えば導電性粉と熱硬化性樹脂の複合材が好適に使用できる。導電性粉としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、鉛及び錫から選択された少なくとも１種類を含むものが好適に使用できる。また、前記金属の合金や、前記金属上に別の金属がめっきされたもの等も好適に使用できる。また熱硬化性樹脂としては、例えばフェノール樹脂、ナフタレン樹脂、ユリア樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ケイ素樹脂、フラン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の公知の熱硬化性樹脂が挙げられ、これらを適宜組み合わせることもできる。
【００１７】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法は、まず、未硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁基材に、ドリル等の機械加工やレーザー等の熱加工等の手段を用いて、貫通溝又は有底溝からなる光ファイバ収容部を形成する。次に、この光ファイバ収容部に光ファイバを嵌め込み、光反射部の構成材料を光ファイバに接触させ、かつ、電気絶縁基材の上下面に金属箔を積層した状態で、熱プレスにより加熱、加圧処理することにより、熱硬化性樹脂を光ファイバ収容部の内壁と光ファイバとの間に流入させるとともに硬化させる。そして、金属箔をパターニングして導体配線回路を形成する。このように、本発明の光ファイバ内蔵回路基板の製造方法は、光ファイバを電気絶縁基材に内蔵させる際、光反射部の構成材料を光ファイバに接触させた状態で行うため、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を容易に製造することができる。
【００１８】
また、前記製造方法において、光反射部の構成材料として金属を含む場合は、光反射部の構成材料を光ファイバに接触させる際、光ファイバ及び電気絶縁基材の上下部に前記金属からなる金属箔を載置し、導体配線回路を形成する際、光ファイバに面する金属箔の少なくとも一部を残すようにパターニングすることにより、光反射部の少なくとも一部を形成してもよい。この方法によっても、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を容易に製造することができる。
【００１９】
また、前記製造方法において、光反射部の構成材料に金属を含む場合の別の製造方法として、光反射部の構成材料を光ファイバに接触させる際、前記金属を光ファイバの少なくとも一部上に蒸着させてもよい。この方法によっても、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を容易に製造することができる。また、この方法は、金属を蒸着して光ファイバに接触させているので、光反射部が光ファイバにより密接した形で製造することが可能となる。
【００２０】
また、前記製造方法において、光反射部の構成材料として導電性樹脂組成物を含む場合は、光反射部の構成材料を光ファイバに接触させる際、光ファイバの少なくとも一部を覆うようにして、前記導電性樹脂組成物を光ファイバ収容部の内壁と光ファイバとの間に充填してもよい。この方法によっても、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を容易に製造することができる。
【００２１】
本発明の携帯型無線通信機器は、第１回路基板を内蔵する本体部と、第２回路基板を内蔵する蓋部と、本体部と蓋部とを折りたたみ可能に連結するヒンジ部とを備え、更に、第１回路基板と第２回路基板との間で信号を伝送するためのコネクタ部として、ヒンジ部内に、本発明の光ファイバ内蔵回路基板を備えている。これにより、折りたたまれた状態においても、伝送損失が小さい携帯型無線通信機器を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２２】
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態について適宜図面を参照して説明する。参照する図１は、第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の断面図である。
【００２３】
図１に示すように、第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板１は、電気絶縁基材２ａ，２ｂ，２ｃと、電気絶縁基材２ａ，２ｃの表面及び電気絶縁基材２ａ，２ｂ，２ｃのそれぞれの基材間に形成された導体配線回路３と、上下の導体配線回路３を電気的に接続する導電ビアホール４及びめっきスルーホール５と、電気絶縁基材２ｂ，２ｃに内蔵された光ファイバ６と、光ファイバ６の上下部に設けられた光反射部７とを備えている。また、光ファイバ６は、コア６ａとクラッド６ｂとからなる単芯構造を有しており、光反射部７は、クラッド６ｂの外周の一部である上下部に接触して設けられている。これにより、光ファイバ６を屈曲した際にクラッド６ｂから光が漏れた場合でも、光反射部７で光を反射させることにより、再び光をコア６ａに閉じ込めることが可能となる。
【００２４】
また、光反射部７は、導体配線回路３を兼ねているため、光ファイバ６上のスペースを有効に利用して配線を高密度化することができる。なお、光反射部７は、光ファイバ６の全長に亘って設ける必要はなく、例えば、使用される機器においてあらかじめ屈曲箇所がわかっている場合は、その屈曲箇所近傍にのみ光反射部７を設けてもよい。また、本実施形態では、光ファイバが内蔵されている電気絶縁基材と内蔵されていない電気絶縁基材とを同じ厚みとしたが、光ファイバの径が大きい場合は、光ファイバが内蔵されている電気絶縁基材のみを厚くして形成してもよい。
【００２５】
次に、第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板１の製造方法について適宜図面を参照して説明する。参照する図２は、光ファイバ内蔵回路基板１の製造方法の一部を示す断面図である。
【００２６】
まず、未硬化状態の熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含有する電気絶縁基材１０を用意する（図２Ａ）。続いて、電気絶縁基材１０に、ドリル等の機械加工やレーザー等の熱加工により、貫通溝からなる光ファイバ収容部１１を形成する（図２Ｂ）。ここで、光ファイバ収容部１１の長さ及び幅は、使用する光ファイバが収容できる大きさに形成すればよい。次に、光ファイバ収容部１１に光ファイバ１２を嵌め込み（図２Ｃ）、光ファイバ１２及び電気絶縁基材１０の上下部に銅箔等の金属箔１３を積層する（図２Ｄ）。そして、熱プレスにより加熱、加圧処理することにより、前記熱硬化性樹脂を光ファイバ収容部１１の内壁１１ａと光ファイバ１２との間（隙間１１ｂ）に流入させるとともに硬化させる。熱プレスの条件は、隙間１１ｂが埋まるような条件とするのが好ましい。例えば、前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する電気絶縁基材を用いた場合は、温度：１５０〜２５０℃、圧力：０．１〜１０ＭＰａ、時間：１０分〜２時間とすればよい。なお、使用する電気絶縁基材の特性上、隙間１１ｂが埋まるような条件に設定できない場合は、隙間１１ｂにあらかじめ樹脂組成物の接着剤を充填しておけばよい。
【００２７】
続いて、金属箔１３をフォトリソグラフィー法等の手段により所望の形状にパターニングして、導体配線回路１４を形成する（図２Ｅ）。この際、光ファイバ１２の上下部に配置された金属箔１３の少なくとも一部を残すようにパターニングする。これにより、導体配線回路１４を兼ねた光反射部１５が得られる。更に、多層化する場合は、図２Ｆに示すように、光ファイバ１２が内蔵された電気絶縁基材１０の上下に、未硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁基材１６を配置し、更にその上下に金属箔１３を配置して、熱プレス等により熱圧着させればよい。なお、導電ビアホール４（図１参照）は公知の方法で形成でき、例えば、レーザー等により形成されたビアホールに導電性ペーストを充填したあと、圧縮することにより形成できる。また、めっきスルーホール５（図１参照）も公知の方法で形成でき、例えば、レーザー等により形成されたスルーホールの内壁を銅めっき処理することにより形成できる。
【００２８】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について適宜図面を参照して説明する。参照する図３は、本発明の第２実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の断面図である。第２実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板は、第１実施形態の構成に加え、光ファイバの外周の一部に導電性樹脂組成物からなる光反射部を更に備えている。以下、図１と同一の構成要素には、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２９】
図３に示すように、第２実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板２０は、光ファイバ６の上下部に、第１実施形態で説明した光反射部７（図１参照）と同様に形成された第１光反射部２１と、光ファイバ収容部２２の内壁２２ａと光ファイバ６との間（隙間２２ｂ）に充填された導電性樹脂組成物からなる第２光反射部２３とを有している。これにより、光ファイバ６を屈曲した際にクラッド６ｂから光が漏れた場合でも、第１光反射部２１及び第２光反射部２３で光を反射させることにより、再び光をコア６ａに閉じ込めることが可能となる。なお、光ファイバ内蔵回路基板２０の製造方法は、第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板１の製造方法で参照した図２において、図２Ｃまでの工程を同様に行った後、図４に示すように、導電性樹脂組成物を隙間１１ｂに印刷法等の手段により充填して、図２Ｄ以降の工程を同様に行えばよい。
【００３０】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態について適宜図面を参照して説明する。参照する図５は、本発明の第３実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の断面図である。第３実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板は、第１実施形態の構成において、光反射部として、金属箔からなる光反射部の替わりに、真空蒸着等の手段により蒸着された金属からなる光反射部を有している。それ以外の構成要素は第１実施形態と同様なので、図１と同一の構成要素には、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３１】
図５に示すように、第３実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板３０は、光ファイバ６の外周の一部にアルミニウム等の金属が蒸着され、この蒸着された金属層を光反射部３１として備えている。これにより、光ファイバ６を屈曲した際にクラッド６ｂから光が漏れた場合でも、光反射部３１で光を反射させることにより、再び光をコア６ａに閉じ込めることが可能となる。
【００３２】
次に、第３実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板３０の製造方法について適宜図面を参照して説明する。参照する図６は、光ファイバ内蔵回路基板３０の製造方法の一部を示す断面図である。
【００３３】
まず、未硬化状態の熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含有する電気絶縁基材４０を用意する（図６Ａ）。続いて、電気絶縁基材４０に、ドリル等の機械加工やレーザー等の熱加工により、有底溝からなる光ファイバ収容部４１を形成する（図６Ｂ）。ここで、光ファイバ収容部４１の長さ、幅及び溝高さは、使用する光ファイバが収容できる大きさに形成すればよい。次に、光ファイバ収容部４１に光ファイバ４２を嵌め込み（図６Ｃ）、光ファイバ４２上の一部にアルミニウム等の金属を真空蒸着等により蒸着し、光反射部４３を形成する（図６Ｄ）。この際、金属層の厚みが薄い場合は電気めっき等で厚みを増やすことも可能である。そして、電気絶縁基材４０の上下面に銅箔等の金属箔４４を積層する（図６Ｅ）。続いて、熱プレスにより加熱、加圧処理することにより、前記熱硬化性樹脂を光ファイバ収容部４１の内壁４１ａと光ファイバ４２との間に流入させるとともに硬化させた後、金属箔４４をフォトリソグラフィー法等の手段により所望の形状にパターニングして、導体配線回路４５を形成する（図６Ｆ）。以降の工程は第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板１の製造方法と同様である。なお本実施形態では、光ファイバ収容部として有底溝を形成したが、貫通溝を形成して光ファイバを嵌め込み、光ファイバの下部（蒸着された金属層の反対側）に第１実施形態と同様に、金属箔からなる光反射部を形成してもよい。
【００３４】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態について適宜図面を参照して説明する。参照する図７は、本発明の第４実施形態に係る携帯型無線通信機器の概略斜視図である。
【００３５】
図７に示すように、第４実施形態に係る携帯型無線通信機器５０は、キーボタン５１等を有する本体部５２と、表示部５３等を有する蓋部５４と、本体部５２と蓋部５４とを折りたたみ可能に連結するヒンジ部５５とを備えている。また、本体部５２及び蓋部５４の内部には、それぞれ第１回路基板５６及び第２回路基板５７が設けられている。更に、ヒンジ部５５内に、第１回路基板５６と第２回路基板５７との間で信号を伝送するためのコネクタ部として、前述した第１〜第３実施形態のいずれかに係る光ファイバ内蔵回路基板５８を備えている。これにより、携帯型無線通信機器５０は、屈曲時における伝送損失が小さい本発明の光ファイバ内蔵回路基板５８をコネクタ部として備えているため、折りたたまれた状態においても、伝送損失を抑えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の光ファイバ内蔵回路基板は、屈曲させて利用する用途の回路基板として有用である。特に折りたたみ式携帯通信機器を初めとする携帯型無線通信機器等に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の製造方法の一部を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の製造方法の一部を示す断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る光ファイバ内蔵回路基板の製造方法の一部を示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る携帯型無線通信機器の概略斜視図である。
【図８】従来の光ファイバを用いた光（信号）の伝送方式を示す模式図である。
【図９】従来の光ファイバにおける屈曲時の信号の伝送特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３８】
１，２０，３０，５８ 光ファイバ内蔵回路基板
２ａ，２ｂ，２ｃ，１０，１６，４０ 電気絶縁基材
３，１４，４５ 導体配線回路
６，１２，４２ 光ファイバ
７，１５，３１，４３ 光反射部
１１，２２，４１ 光ファイバ収容部
１１ａ，２２ａ，４１ａ 内壁
１３，４４ 金属箔
２１ 第１光反射部
２３ 第２光反射部
５０ 携帯型無線通信機器
５２ 本体部
５４ 蓋部
５５ ヒンジ部
５６ 第１回路基板
５７ 第２回路基板
【出願人】 【識別番号】０００００５８２１
【氏名又は名称】松下電器産業株式会社
【住所又は居所】大阪府門真市大字門真１００６番地
【出願日】 平成１６年４月２３日（２００４．４．２３）
【代理人】 【識別番号】１１０００００４０
【氏名又は名称】特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
【公開番号】 特開２００５−３１１１９２（Ｐ２００５−３１１１９２Ａ）
【公開日】 平成１７年１１月４日（２００５．１１．４）
【出願番号】 特願２００４−１２８６７８（Ｐ２００４−１２８６７８）