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【発明の名称】 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
【発明者】 【氏名】木村 里至
【住所又は居所】長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコーエプソン株式会社内

【氏名】降旗 栄道
【住所又は居所】長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコーエプソン株式会社内

【氏名】丸茂 実
【住所又は居所】長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコーエプソン株式会社内
【要約】 【課題】必要な部分のみに金属層を析出させるとともに、簡単な製造プロセスで配線を形成することにある。

【解決手段】配線基板の製造方法は、（ａ）基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に界面活性剤１８を設けること、（ｂ）基板１０の第２の領域１４に真空紫外放射２２を照射することによって、基板１０における第２の領域１４の原子間結合を分解すること、（ｃ）基板１０を洗浄することによって、界面活性剤１８における第２の領域１４に設けられた部分を除去すること、（ｄ）界面活性剤１８における第１の領域１２に残された部分に、触媒３０を設けること、（ｅ）触媒３０に金属層３４を析出させることによって、金属層３４からなる配線を第１の領域１２に沿って形成すること、を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の第１及び第２の領域に界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第２の領域に真空紫外放射を照射することによって、前記基板における前記第２の領域の原子間結合を分解すること、
（ｃ）前記基板を洗浄することによって、前記界面活性剤における前記第２の領域に設けられた部分を除去すること、
（ｄ）前記界面活性剤における前記第１の領域に残された部分に、触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第１の領域に沿って形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項２】
（ａ）基板の第１及び第２の領域に界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第２の領域に真空紫外放射を照射することによって、前記基板における前記第２の領域の原子間結合を分解すること、
（ｃ）前記基板を洗浄することによって、前記界面活性剤における前記第２の領域に設けられた部分を除去すること、
（ｄ）前記基板の前記第２の領域に触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第２の領域に沿って形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記基板は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有する配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記基板は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有し、
前記真空紫外放射は、少なくともＣ＝Ｃ結合を分解できる性質を有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記真空紫外放射の光源は、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプである配線基板の製造方法。
【請求項６】
（ａ）第１及び第２の領域を有する基板の前記第１の領域に、液滴吐出方式を適用することによって界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記界面活性剤に触媒を設けること、
（ｃ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第１の領域に沿って形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項７】
（ａ）第１及び第２の領域を有する基板の前記第１の領域に、液滴吐出方式を適用することによって界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第２の領域に触媒を設けること、
（ｃ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第２の領域に沿って形成すること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７記載の配線基板の製造方法において、
前記液滴吐出方式はインクジェット方式である配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の前記第１及び第２の領域の表面電位は、負電位である配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程前に、前記基板をアルカリ洗浄することをさらに含む配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を使用する配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記触媒を設ける工程で、前記基板を塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液に浸漬することによって、前記触媒としてのパラジウムを析出させる配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記触媒を設ける工程で、前記基板を錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬し、前記基板から錫を除去することによって、前記触媒としてのパラジウムを析出させる配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法を含み、
集積回路を有する半導体チップを前記配線基板に実装すること、及び、前記配線基板を回路基板に電気的に接続することをさらに含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。
【０００３】
これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が課題となっていた。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。さらに、配線の寸法精度がフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度の配線を形成するには限界があった。
【０００４】
本発明の目的は、必要な部分のみに金属層を析出させるとともに、簡単な製造プロセスで配線を形成することにある。
【特許文献１】特開平１０−６５３１５号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の第１及び第２の領域に界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第２の領域に真空紫外放射を照射することによって、前記基板における前記第２の領域の原子間結合を分解すること、
（ｃ）前記基板を洗浄することによって、前記界面活性剤における前記第２の領域に設けられた部分を除去すること、
（ｄ）前記界面活性剤における前記第１の領域に残された部分に、触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第１の領域に沿って形成すること、
を含む。本発明によれば、界面活性剤を真空紫外放射の照射によってパターニングし、触媒を界面活性剤上に設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
（２）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）基板の第１及び第２の領域に界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第２の領域に真空紫外放射を照射することによって、前記基板における前記第２の領域の原子間結合を分解すること、
（ｃ）前記基板を洗浄することによって、前記界面活性剤における前記第２の領域に設けられた部分を除去すること、
（ｄ）前記基板の前記第２の領域に触媒を設けること、
（ｅ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第２の領域に沿って形成すること、
を含む。本発明によれば、界面活性剤を真空紫外放射の照射によってパターニングし、触媒を界面活性剤上に設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記基板は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有してもよい。
（４）この配線基板の製造方法において、
前記基板は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有し、
前記真空紫外放射は、少なくともＣ＝Ｃ結合を分解できる性質を有してもよい。
（５）この配線基板の製造方法において、
前記真空紫外放射の光源は、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。
（６）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）第１及び第２の領域を有する基板の前記第１の領域に、液滴吐出方式を適用することによって界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記界面活性剤に触媒を設けること、
（ｃ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第１の領域に沿って形成すること、
を含む。本実施の形態によれば、界面活性剤を液滴吐出方式を適用してパターニングし、触媒を界面活性剤上に設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
（７）本発明に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）第１及び第２の領域を有する基板の前記第１の領域に、液滴吐出方式を適用することによって界面活性剤を設けること、
（ｂ）前記基板の前記第２の領域に触媒を設けること、
（ｃ）前記触媒に金属層を析出させることによって、前記金属層からなる配線を前記第２の領域に沿って形成すること、
を含む。本実施の形態によれば、界面活性剤を液滴吐出方式を適用してパターニングし、触媒を界面活性剤を避けて設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
（８）この配線基板の製造方法において、
前記液滴吐出方式はインクジェット方式であってもよい。これによれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインクを無駄なく経済的に設けることができる。
（９）この配線基板の製造方法において、
前記基板の前記第１及び第２の領域の表面電位は、負電位であってもよい。
（１０）この配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程前に、前記基板をアルカリ洗浄することをさらに含んでもよい。これによれば、基板をアルカリ洗浄することによって基板面上の電位ムラを均一にすることができるので、簡単な製造プロセスで表面電位を安定化することができる。
（１１）この配線基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を使用してもよい。
（１２）この配線基板の製造方法において、
前記触媒を設ける工程で、前記基板を塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液に浸漬することによって、前記触媒としてのパラジウムを析出させてもよい。
（１３）この配線基板の製造方法において、
前記触媒を設ける工程で、前記基板を錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬し、前記基板から錫を除去することによって、前記触媒としてのパラジウムを析出させてもよい。
（１４）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
上記配線基板の製造方法を含み、
集積回路を有する半導体チップを前記配線基板に実装すること、及び、前記配線基板を回路基板に電気的に接続することをさらに含む。本発明によれば、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図１１（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。
【０００８】
（第１例）
図１（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本実施の形態の第１例を示す図である。図１（Ａ）〜図２（Ｂ）は無電解めっきの各工程を説明する図であり、図３（Ａ）〜図４（Ｂ）は無電解めっきの各工程における基板を模式的に示す図である。
【０００９】
基板（シート）１０はフレキシブル基板であってもよい。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれるものや、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板又はＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用基板を使用してもよい。基板１０は、有機系材料（例えば樹脂）で形成されている。基板１０として、ポリイミド基板又はポリエステル基板を使用してもよい。基板１０は有機質の原子間結合を含む。基板１０は、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合の少なくともいずれか１つを有していてもよい。基板１０は、少なくともＣ＝Ｃ結合を有していてもよい。本実施の形態では、基板１０の一方の面に配線を形成する。あるいは、基板１０の両方の面に配線を形成してもよい。基板１０は、第１及び第２の領域１２，１４を有する（図１（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）。第１及び第２の領域１２，１４は、基板１０における配線形成面の領域である。
【００１０】
図３（Ａ）に示すように、基板１０として、その表面電位（液中表面電位）が負電位であるものを使用してもよい。有機系材料の場合、基板１０の表面電位は負電位であることが多い。
【００１１】
図１（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、基板１０をアルカリ洗浄してもよい。こうすることによって、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位のムラを負電位に均一化することができる。具体的には、基板１０をアルカリ溶液（例えば水酸化ナトリウム１ｗｔ％〜１０ｗｔ％濃度）１６に室温下において１０分〜６０分程度浸漬し、その後水洗してもよい。アルカリ洗浄によって基板１０の表層部が加水分解されている場合、表層部は加水分解層となるが、この表層部も負電位であり洗浄前より電位は均一化する。
【００１２】
なお、上述のアルカリ洗浄によって、基板１０のクリーニング及び表面粗化処理を同時に行うことができる。これによれば、金属層（配線）の密着性の向上を図ることができる。
【００１３】
図１（Ｂ）及び図３（Ｃ）に示すように、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４に界面活性剤１８を設ける。基板１０の一方の面の全部に界面活性剤１８を設けてもよい。本例では、界面活性剤１８は陽イオン化する性質を有する。界面活性剤１８として、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を使用してもよい。本例では、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位は負電位であるので、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板１０の負電位を中和又は正電位に反転させることができる。なお、界面活性剤を使用することによって、基板１０の性質に依存することなく自由に表面電位の調整を行うことができ、また、表面電位を均一にして安定した電位面を形成することができる。
【００１４】
図１（Ｂ）に示す例では、基板１０を界面活性剤溶液２０に浸漬させる。具体的には、基板１０を、アルキルアンモニウムクロライド系のカチオン界面活性剤溶液に室温下で１分〜１０分ほど浸漬させた後、純水で水洗する。その後、基板１０を室温雰囲気下において充分に乾燥させる。
【００１５】
図１（Ｃ）及び図３（Ｄ）に示すように、第１及び第２の領域１２，１４に設けられた界面活性剤１８のうち、第２の領域１４に設けられた部分を除去する。すなわち、界面活性剤１８を第１の領域１２に沿って残すようにパターニングする。
【００１６】
本例では、基板１０の第２の領域１４に真空紫外放射（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet radiation）２２を照射する。詳しくは、光源２４と基板１０の間にマスク２６を配置し、マスク２６を介して真空紫外放射２２を基板１０に照射する。真空紫外放射２２は、マスク２６のパターン２８によって遮蔽され、それ以外の領域を透過する。真空紫外放射２２が照射されると、基板１０の第２の領域１４の原子間結合が（化学的に）分解される。本例では、基板１０の第２の領域１４は機械的に掘削されるわけではない。これによれば、真空紫外放射２２は基板１０の原子間結合を分解する作用が主であり、基板１０を掘削する場合に比べてエネルギーを低パワー化できる。これによって、例えば、基板１０に対して熱ひずみが発生するのを防止することができる。また、基板１０の一部が飛散して他の部分に付着するのを防止することができる。
【００１７】
ここで、本例において、第１の領域１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。第２の領域１４は、基板１０の面における第１の領域１２の反転形状をなす。
【００１８】
真空紫外放射２２の波長は１００ｎｍ〜２００ｎｍ（例えば１００ｎｍ〜１８０ｎｍ）であってもよい。真空紫外放射２２は、有機質の原子間結合を分解可能な性質（例えば波長）を有する。真空紫外放射２２は、基板１０の少なくともＣ＝Ｃ結合を分解可能な性質（例えば波長）を有していてもよい。基板１０の原子間結合（Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈ、Ｏ−Ｈ結合のいずれか少なくとも１つ）の全部を分解可能な性質（例えば波長）を有していてもよい。光源２４として、Ｘｅガスが封入されたエキシマランプを使用してもよい（波長１７２ｎｍ）。ランプを使用すれば、レーザ生成のための集光レンズ及びレーザによるスキャン時間が不要となるので、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１９】
具体的には、図１（Ｃ）に示すように、基板１０の配線形成面上にマスク２６を配置する。マスク２６は、フォトマスクであってもよいし、メタルマスクであってもよい。例えば、マスク２６として、真空紫外放射用高純度石英ガラス（真空紫外放射の透過率８０％以上）に、クロムによるパターンが形成されたものを使用する。図１（Ｃ）ではマスク２６は基板１０の上方に間隔をあけて配置されているが、実際にはマスク２６は基板１０に接触させて配置する。光源２４、マスク２６及び基板１０は、窒素雰囲気中に配置する。窒素雰囲気中であれば、真空紫外放射２２は減衰することなく、１０ｍｍ程度の距離まで照射される。基板１０自体が持つ弾性力及び反りによって、基板１０とマスク２６が均一に接触しない場合には、マスク２６の外周をホルダによって押さえ、かつ、基板１０の裏面をマスク２６と同じサイズ分の面積でマスク２６側に押し付けてもよい。光源２４は、可能な限り基板１０に接近させる（例えば１０ｍｍ以下）。光源２４としては、例えば、エキシマＶＵＶ／０３洗浄装置（メーカー名；ウシオ電機株式会社、型番；ＵＥＲ２０−１７２Ａ／Ｂ、ランプ仕様；Ｘｅガスを封入した誘電体バリア放電エキシマランプ）を使用する。基板１０の材料がポリイミドからなる場合、出力を１０ｍＷ程度として１０分間程度の照射を行う。本例では、基板１０の一方の面に真空紫外放射２２を照射するが、基板１０の両面に配線を形成する場合には基板１０の各面に順次又は同時に真空紫外放射２２を照射すればよい。
【００２０】
真空紫外放射２２の照射後、基板１０に対して洗浄（例えば湿式洗浄）を行う。こうして、基板１０の原子間結合の分解部分を除去する。すなわち、洗浄によって、第２の領域１４上の界面活性剤１８を除去する。洗浄の方式としては、基板１０を洗浄液に浸漬させてもよいし、基板１０にシャワーを噴射してもよい。洗浄液として、アルカリ溶液（強アルカリ溶液又は弱アルカリ溶液）や純水を使用してもよい。シャワー方式としては、純水シャワー洗浄や高圧ジェット純水洗浄を適用してもよい。洗浄時に超音波振動を加えてもよい。洗浄を行うことによって、第１の領域１２には界面活性剤１８が残り、第２の領域１４には界面活性剤１８が除去されて基板１０の表面が露出する。
【００２１】
図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示すように、界面活性剤１８における第１の領域１２に残された部分に、触媒（めっき触媒）３０を設ける。触媒３０は、無電解めっき液において金属層（めっき層）の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムであってもよい。触媒３０には、接着用の樹脂が含まれていなくてもよい。本例では、触媒３０は、第２の領域１４には設けられない。
【００２２】
図２（Ａ）に示す例では、基板１０を、錫−パラジウムを含む触媒液３２に浸漬させる。具体的には、基板１０をＰＨ１付近の錫−パラジウムコロイド触媒液で室温３０秒〜３分浸漬させ、充分に水洗する。錫−パラジウムコロイド粒子は、負の電荷を持ち、界面活性剤１８（カチオン系界面活性剤）に吸着される。その後、触媒活性化のために、基板１０をホウフッ化酸を含む溶液に室温で３０秒〜３分浸漬した後、水洗する。こうすることで、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみを界面活性剤１８（カチオン系界面活性剤）に析出させることができる。
【００２３】
図２（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すように、触媒３０に金属層３４を析出させる。触媒３０は界面活性剤１８上に設けられ、界面活性剤１８は第１の領域１２に沿って露出するので、金属層３４を第１の領域１２に沿ったパターン形状に形成することができる。金属層３４は１層から形成してもよいし、複数層から形成してもよい。金属層３４の材料は限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕのいずれかであってもよい。析出させる金属層３４の材料に応じて触媒を選択すればよい。
【００２４】
図２（Ｂ）に示す例では、硫酸ニッケル六水和物が主体のめっき液３６（温度８０℃）に基板１０を１分〜３分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成する。あるいは、塩化ニッケル六水和物が主体のめっき液（温度６０℃）に基板１０を３分〜１０分程度浸漬し、０．１〜０．２μｍ程度の厚みのニッケル層を形成してもよい。本例によれば、触媒３０が第１の領域１２に沿って設けられているので、レジスト層などでマスクを形成しなくても、金属層３４を基板１０の第１の領域１２に沿って選択的に形成することができる。
【００２５】
本例によれば、界面活性剤１８を真空紫外放射２２の照射によってパターニングし、触媒３０を界面活性剤１８上に設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層３４を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
【００２６】
（第２例）
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本実施の形態の第２例を示す図である。本例では、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示すように界面活性剤１８を第１の領域１２に設けた後、触媒３８を基板１０の第２の領域１４に設ける。すなわち、基板１０の表面のうち、界面活性剤１８から露出する第２の領域１４に、触媒３８を設ける。本例では、第２の領域１４は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。
【００２７】
例えば、基板１０を、正の電荷を持つ塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液に浸漬させることにより、基板１０の第２の領域１４（負電位部分）にパラジウムを析出させることができる。なお、基板１０をこの触媒液に１分〜５分浸漬した後、純水で水洗してもよい。
【００２８】
その後、図５（Ｂ）に示すように、触媒３８に金属層４０を析出させる。触媒３８は第２の領域１４上に設けられているので、金属層４０を第２の領域１４に沿ったパターン形状に形成することができる。
【００２９】
なお、本例のその他の詳細は、上述の例で説明した内容を適用することができる。
【００３０】
（第２の実施の形態）
図６（Ａ）〜図１０（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。本実施の形態では、液滴吐出方式を適用することによって、界面活性剤をパターニングする。
【００３１】
（第１例）
図６（Ａ）〜図７（Ｂ）は無電解めっきの各工程を説明する図であり、図８（Ａ）〜図９（Ｂ）は無電解めっきの各工程における基板を模式的に示す図である。
【００３２】
図８（Ａ）に示すように、基板１０として、その表面電位が負電位であるものを用意する。図６（Ａ）に示すように、基板１０をアルカリ溶液（例えば無機アルカリ溶液）６２に浸漬することによってアルカリ洗浄を行ってもよい。こうすることで、図８（Ｂ）に示すように、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位のムラを負電位に均一化することができる。アルカリ洗浄の工程の詳細は、第１の実施の形態の第１例において説明した通りである。
【００３３】
図６（Ｂ）及び図８（Ｃ）に示すように、液滴吐出方式を適用することによって、基板１０の第１の領域１２に界面活性剤６４を設ける。すなわち、液滴（界面活性剤６４）を、液滴吐出部６６から基板１０の表面に直接的に所定のパターン形状になるように吐出させる。これによれば、界面活性剤６４を選択的に設けることができ、レジスト層などでマスクを形成する必要もないので、製造プロセスが簡単である。液滴は、少なくとも一部に界面活性剤６４を含み、例えば界面活性剤６４をコアとし、その表面が樹脂（接着材料）などでコーティングされていてもよい。あるいは、液滴は、界面活性剤６４のみから構成されていてもよい。液滴吐出方式は、インクジェット方式であってもよいし、ディスペンサ塗布方式であってもよく、液滴を吐出する形態であれば限定されない。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することによって、高速かつインク（界面活性剤６４）を無駄なく経済的に設けることができる。インクジェットヘッドとしては、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいは、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェット（登録商標）タイプなどを使用することができる。
【００３４】
本例では、界面活性剤６４は陽イオン化する性質を有する。界面活性剤６４として、カチオン系界面活性剤を使用してもよい。本例では、基板１０の第１及び第２の領域１２，１４の表面電位は負電位であるので、カチオン系界面活性剤を使用すると、基板１０の表面電位は、第１の領域１２が中和状態又は正電位となり、第２の領域１４が負電位となる。
【００３５】
図７（Ａ）及び図９（Ａ）に示すように、触媒６８を基板１０の第２の領域１４に設ける。すなわち、基板１０のうち、界面活性剤６４から露出する第２の領域１４に、触媒６８を設ける。触媒６８は第１の領域１２には設けられない。本例では、第２の領域１４は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。触媒を得るために、基板１０を塩化錫を含む溶液に浸漬し、次いで塩化パラジウムを含む触媒液７０に浸漬させてもよい。具体的には、第１の実施の形態の第２例において説明した通りである。
【００３６】
その後、図７（Ｂ）及び図９（Ｂ）に示すように、触媒６８に金属層７２を析出させる。触媒６８は第２の領域１４上に設けられているので、金属層７２を第２の領域１４に沿ったパターン形状に形成することができる。なお、図７（Ｂ）に示すように、金属層の析出は、基板１０を所定の無電解めっき液７４に浸漬させることによって行ってもよく、具体的には第１の実施の形態の第１例において説明した通りである。
【００３７】
本例によれば、界面活性剤６４を液滴吐出方式を適用してパターニングし、触媒６８を界面活性剤６４を避けて設ける。これによって、所定のパターン形状に沿って必要な部分のみに、金属層７２を析出させることができる。そのため、例えばレジスト層などでマスクを形成する必要もなく、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
【００３８】
なお、本例のその他の詳細は、上述の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００３９】
（第２例）
図１０（Ａ）及び１０（Ｂ）は、本実施の形態の第２例を示す図である。本例では、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように界面活性剤６４を液滴吐出方式によって吐出させた後、界面活性剤６４に触媒７６を設ける。界面活性剤６４は第１の領域１２に設けられているので、触媒６８も第１の領域１２に設けられる。触媒６８は第２の領域１４には設けられない。本例では、第１の領域１２は金属層（配線）が形成される領域であり、所定のパターン形状をなしている。本例では、基板１０の表面電位は、第１の領域１２が（カチオン系）界面活性剤６４によって中和状態又は正電位となり、第２の領域１４が基板１０の表面の露出によって負電位となる。触媒を得るために、基板１０を錫−パラジウムを含む触媒液に浸漬させてもよい。具体的には、第１の実施の形態の第１例において説明した通りである。
【００４０】
その後、図１０（Ｂ）に示すように、触媒７６に金属層７８を析出させる。触媒７６は第１の領域１２上に設けられているので、金属層７８を第１の領域１２に沿ったパターン形状に形成することができる。
【００４１】
なお、本例のその他の詳細は、上述の例で説明した内容を適用することができる。
【００４２】
（第３の実施の形態）
図１１は、本発明の第３の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図であり、詳しくは、配線基板を有する電子デバイスの一例が示されている。
【００４３】
配線基板１には、所定のパターン形状をなす金属層（図１１では省略）が形成されている。集積回路を有する半導体チップ８０を配線基板１に（例えばフェースダウン）実装してもよい。半導体チップ８０（集積回路）は、金属層に電気的に接続されている。こうして、半導体チップ８０と、配線基板１と、を含む半導体装置３を製造してもよい。その後、配線基板１（又は半導体装置３）を回路基板８２に電気的に接続する。こうして、電子デバイスを製造することができる。なお、配線基板１は図１１の矢印に示すように屈曲させてもよい。
【００４４】
回路基板８２が電気光学パネルである場合、電子デバイスは電気光学装置である。電気光学装置は、液晶装置、プラズマディスプレイ装置、エレクトロルミネセンスディスプレイ装置などであってもよい。本実施の形態によれば、簡単かつ短時間の製造プロセスで、材料の無駄を少なくし、低コストかつ高精度に配線を形成することができる。
【００４５】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の第１の実施の形態の第１例を示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の第１例を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、本発明の第１の実施の形態の第１例を示す図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の第１例を示す図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の第２例を示す図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の第１例を示す図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の第１例を示す図である。
【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態の第１例を示す図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の第１例を示す図である。
【図１０】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の第２例を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…配線基板 ３…半導体装置 １０…基板 １１…表層部 １２…第１の領域
１４…第２の領域 １６…アルカリ溶液 １８…界面活性剤 ２０…界面活性剤溶液
２２…真空紫外放射 ２４…光源 ２６…マスク ２８…パターン ３０…触媒
３２…触媒液 ３４…金属層 ３８…触媒 ４０…金属層 ６４…界面活性剤
６６…液滴吐出部 ６８…触媒 ７０…触媒液 ７２…金属層 ７６…触媒
７８…金属層 ８０…半導体チップ ８２…回路基板
【出願人】 【識別番号】０００００２３６９
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
【住所又は居所】東京都新宿区西新宿２丁目４番１号
【出願日】 平成１６年２月４日（２００４．２．４）
【代理人】 【識別番号】１０００９０４７９
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 一

【識別番号】１０００９０３８７
【弁理士】
【氏名又は名称】布施 行夫

【識別番号】１０００９０３９８
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 美千栄
【公開番号】 特開２００５−２２３０６３（Ｐ２００５−２２３０６３Ａ）
【公開日】 平成１７年８月１８日（２００５．８．１８）
【出願番号】 特願２００４−２８１１７（Ｐ２００４−２８１１７）