電子部品内蔵基板の製造方法

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【発明の名称】	電子部品内蔵基板の製造方法
【発明者】	【氏名】児島直之【住所又は居所】東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内【氏名】樋上俊哉【住所又は居所】東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内
【要約】	【課題】寸法が小さく且つ大容量のコンデンサを内蔵した電子部品内蔵基板を製造可能な方法を提供すること。【解決手段】本発明の電子部品内蔵基板の製造方法は、無機誘電体粒子５１とその表面を少なくとも部分的に被覆した樹脂５２とを備えた粒状複合体５０を用いて前記無機誘電体粒子５１及び前記樹脂５２を含有した誘電体層５ａを形成する工程と、第１導体層３ｂと第２導体層３ｃとをそれらの間に前記誘電体層５ａが介在するように貼り合わせる工程とを含み、前記第１及び第２導体層３ｂ，３ｃと前記誘電体層５ａとの積層体を前記電子部品の少なくとも一部として利用することを特徴とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品内蔵基板の製造方法であって、
無機誘電体粒子とその表面を少なくとも部分的に被覆した樹脂とを備えた粒状複合体を用いて前記無機誘電体粒子及び前記樹脂を含有した誘電体層を形成する工程と、
第１導体層と第２導体層とをそれらの間に前記誘電体層が介在するように貼り合わせる工程とを含み、
前記第１及び第２導体層と前記誘電体層との積層体を前記電子部品の少なくとも一部として利用することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記無機誘電体粒子は、金属粒子を無機誘電体被覆層で被覆してなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記誘電体層を形成する工程は、帯電した前記粒状複合体を電界を利用して前記第１導体層上に付着させることを含んだことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記誘電体層を形成する工程は、前記粒状複合体を磁界を利用して前記第１導体層上に付着させることを含んだことを特徴とする請求項２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
電子部品内蔵基板の製造方法であって、
第１導体層と第２導体層とをそれらの間に無機誘電体粒子層と樹脂層との第１積層体が介在するように貼り合わせて、前記第１及び第２導体層間に無機誘電体粒子と樹脂とを含有した誘電体層を形成する工程を含み、
前記第１及び第２導体層と前記誘電体層との第２積層体を前記電子部品の少なくとも一部として利用することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２導体層上に前記樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に前記無機誘電体粒子を用いて前記無機誘電体粒子層を形成する工程とをさらに含んだことを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１導体層上に前記無機誘電体粒子を用いて前記無機誘電体粒子層を形成する工程と、
前記無機誘電体粒子層上に前記樹脂層を形成する工程とをさらに含んだことを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１導体層上に前記無機誘電体粒子を用いて前記無機誘電体粒子層を形成する工程と、
前記第２導体層上に前記樹脂層を形成する工程とをさらに含んだことを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
基材上に設けられた前記第１積層体を前記基材上から前記第２導体層上に転写する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記無機誘電体粒子は、金属粒子を無機誘電体被覆層で被覆してなることを特徴とする請求項５乃至請求項９の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層の流動性は前記誘電体層の流動性と比較してより高いことを特徴とする請求項５乃至請求項１１の何れか１項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、電子機器の性能向上や小型・薄型・軽量化は、半導体パッケージの小型・薄型・軽量化や、その表面実装に使用するプリント配線板に多層構造を採用することなどにより達成されてきた。しかしながら、これらの手法のみでは、今後、電子機器のさらなる性能向上や小型・薄型・軽量化が難しくなると考えられる。そこで、従来のプリント配線板と比較して以下の点で優れた電子部品内蔵基板が注目を集めている。
【０００３】
１．これまで表面実装していた電子部品をプリント配線板の内部に組み入れるため、それらの集積度を高めることができる。
２．表面実装すべき電子部品の数が減少するため、プリント配線板上における電子部品のレイアウトの自由度が向上する。
【０００４】
３．電子部品を三次元的に配置することができるなどの理由から、電子部品間の配線長を短縮して高周波特性やノイズ特性などの電気特性を改善することができる。
４．はんだ接続部が減少するため、接続信頼性が向上する。
５．小型化が可能となるとともに実装が容易になるため、コストを低減することができる。
【０００５】
ところで、基材としてセラミック基材を使用したセラミック系電子部品内蔵基板には、その製造プロセスに必須の高温焼成工程における基材の収縮が大きいという問題がある。すなわち、セラミック系電子部品内蔵基板は、寸法及び形状を高精度に制御することが難しく、高い歩留まりを実現することが困難である。また、セラミック基材には、本質的に割れ易いという問題がある。さらに、セラミック系電子部品内蔵基板には、内蔵可能な電子部品が受動素子に限られ、能動素子を内蔵することはできないという問題がある。
【０００６】
これに対し、基材として樹脂基材を使用した樹脂系電子部品内蔵基板には、セラミック系電子部品内蔵基板に関して上述した問題がない。そのため、電子部品内蔵基板のなかでも、特に、樹脂系電子部品内蔵基板の研究が盛んに行われている。
【０００７】
例えば、以下の特許文献１には、誘電体層を一対の電極導体で挟持してなるコンデンサを含んだ多層回路基板が記載されている。また、この文献には、樹脂中にセラミック誘電体粉末を分散させてなる分散液をガラス織布に含浸させて誘電体基板を形成することが記載されている。
【０００８】
しかしながら、このような方法で得られる誘電体基板は、ガラス織布によって厚さが制限される。そのため、上記の方法で得られる誘電体基板の厚さは、一般には５０μｍ乃至６０μｍ程度であり、最も薄く形成した場合であっても２０μｍ程度である。すなわち、特許文献１に記載の技術では、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサを形成することができない。
【０００９】
また、以下の特許文献２には、導体ペーストを用いて可撓性金属基板上にアンダープリントを形成し、その上に誘電体ペーストを用いて誘電体層を形成し、その上に導体ペーストまたは熱硬化性厚膜導体を用いて導体層を形成し、それにより得られる積層体と接着剤層でコーティングされた有機層とを貼り合わせることが記載されている。また、この文献には、誘電体ペーストは、チタン酸バリウムまたは酸化チタンなどの粒子を可塑剤、分散剤、有機溶媒の混合物に溶かしたポリマー中に分散させたものからなることが記載されている。さらに、この文献には、アンダープリントを有する銅箔上に誘電体ペーストを印刷し、それを乾燥及び焼成することにより誘電体層を形成することが記載されている。
【００１０】
しかしながら、誘電体ペーストは粘性が高いため、上記の方法でも薄い誘電体層を形成することが難しい。すなわち、特許文献２に記載の技術でも、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサを形成することができない。
【特許文献１】特開平５－４８２７１号公報
【特許文献２】特開２００１－１６０６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みて為されたものであり、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサを内蔵した電子部品内蔵基板を製造可能な方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の側面によると、電子部品内蔵基板の製造方法であって、無機誘電体粒子とその表面を少なくとも部分的に被覆した樹脂とを備えた粒状複合体を用いて前記無機誘電体粒子及び前記樹脂を含有した誘電体層を形成する工程と、第１導体層と第２導体層とをそれらの間に前記誘電体層が介在するように貼り合わせる工程とを含み、前記第１及び第２導体層と前記誘電体層との積層体を前記電子部品の少なくとも一部として利用することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第２の側面によると、電子部品内蔵基板の製造方法であって、第１導体層と第２導体層とをそれらの間に無機誘電体粒子層と樹脂層との第１積層体が介在するように貼り合わせて、前記第１及び第２導体層間に無機誘電体粒子と樹脂とを含有した誘電体層を形成する工程を含み、前記第１及び第２導体層と前記誘電体層との第２積層体を前記電子部品の少なくとも一部として利用することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法が提供される。
【００１４】
第１の側面において、無機誘電体粒子は、金属粒子を無機誘電体被覆層で被覆してなるものであってもよい。この場合、誘電体層を形成する工程は、粒状複合体を磁界を利用して第１導体層上に付着させることを含んでいてもよい。或いは、誘電体層を形成する工程は、帯電した粒状複合体を電界を利用して第１導体層上に付着させることを含んでいてもよい。
【００１５】
第２の側面に係る方法は、第２導体層上に樹脂層を形成する工程と、樹脂層上に無機誘電体粒子を用いて無機誘電体粒子層を形成する工程とをさらに含んでいてもよい。或いは、この方法は、第１導体層上に無機誘電体粒子を用いて無機誘電体粒子層を形成する工程と、無機誘電体粒子層上に樹脂層を形成する工程とをさらに含んでいてもよい。或いは、この方法は、第１導体層上に無機誘電体粒子を用いて無機誘電体粒子層を形成する工程と、第２導体層上に樹脂層を形成する工程とをさらに含んでいてもよい。或いは、この方法は、基材上に設けられた第１積層体を基材上から第２導体層上に転写する工程をさらに含んでいてもよい。また、第２の側面において、無機誘電体粒子は、金属粒子を無機誘電体被覆層で被覆してなるものであってもよい。さらに、第２の側面において、樹脂層の流動性は誘電体層の流動性と比較してより高くてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサを内蔵した電子部品内蔵基板を製造可能な方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の幾つかの態様について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において同様または類似の機能を発揮する構成部材には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１８】
図１は、本発明の第１の態様に係る方法により製造可能な電子部品内蔵基板の一例を概略的に示す断面図である。図１に示す電子部品内蔵基板１は、絶縁基板として、例えば、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させてなるプリプレグやポリイミドフィルムなどのような樹脂基板２ａ，２ｂを備えている。樹脂基板２ａの両主面には、パターニングされた導体層である導体パターン３ａ，３ｂがそれぞれ設けられている。他方、樹脂基板２ｂの両主面には、パターニングされた導体層である導体パターン３ｃ，３ｄがそれぞれ設けられている。これら導体パターン３ａ乃至３ｄは例えば銅などの金属材料からなり、それらの間の接続は、樹脂基板２ａ，２ｂなどに設けられた貫通孔を埋め込む接続用導体４によって為されている。また、導体パターン３ｂ，３ｃ間には、誘電体層５が設けられている。導体パターン３ｂ，３ｃの重なり合った部分とそれらの間に介在した誘電体層５とはコンデンサ１０を構成している。すなわち、図１に示す電子部品内蔵基板１は、コンデンサ１０を内蔵した多層基板である。なお、この電子部品内蔵基板１は、例えば、半導体チップや半導体パッケージの表面実装に使用するプリント配線板やインターポーザなどとして利用可能である。
【００１９】
この電子部品内蔵基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。ここでは、主に、コンデンサ１０の形成方法について説明する。
【００２０】
図２乃至図４は、本発明の第１の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図である。
【００２１】
この方法では、まず、図２に示すように、粒状複合体５０を用いて導体層３ｂ上に誘電体層５ａを形成する。
【００２２】
ここで使用する粒状複合体５０とは、無機誘電体粒子５１と、その表面を少なくとも部分的に被覆した樹脂５２とを含み、それ自体を粉体として取り扱うことが可能なものである。無機誘電体粒子５１は、誘電体層５の比誘電率を高める役割を果たし、樹脂５２は、例えば、後述する貼り合わせの際に、無機誘電体粒子５１同士を結合させるとともに導体層３ｂと導体層３ｃとを接着する接着剤としての役割を果たす。ここでは、一例として、無機誘電体粒子５１を熱可塑性樹脂５２で被覆してなる粒状複合体５０を使用する。
【００２３】
また、この粒状複合体５０を用いた誘電体層５ａの形成は、通常、液体の不存在下で行う。例えば、帯電させた粒状複合体５０を、粒状複合体５０の帯電極性とは逆極性の電圧を印加した導体層３ｂ上に供給することにより、誘電体層５ａを形成する。この方法によれば、導体層３ｂに印加する電圧の大きさを適宜設定することにより、誘電体層５ａの厚さを高精度に制御することや、薄い誘電体層５ａを形成することなどが可能である。
【００２４】
なお、誘電体層５ａを形成する際、導体層３ｂは、樹脂基板２ａに支持されていてもよく、或いは、支持されていない導体箔であってもよい。前者の場合、通常、誘電体層５ａを形成するのに先立ち、導体層３ｂはパターニングしておく。また、後者の場合、通常、導体層３ｂは、コンデンサ１０を完成した後の何れかの段階でパターニングする。
【００２５】
次に、図３に示すように、導体層３ｂ，３ｃをそれらの間に誘電体層５ａを介在させて貼り合わせる。このとき、導体層３ｃは、樹脂基板２ｂに支持されていてもよく、或いは、支持されていない導体箔であってもよい。前者の場合、通常、導体層３ｂ，３ｃの貼り合わせに先立ち、導体層３ｃはパターニングしておく。また、後者の場合、通常、導体層３ｃは、コンデンサ１０を完成した後の何れかの段階でパターニングする。
【００２６】
次いで、図３に示す構造に対し、例えば、熱及び／または圧力，典型的には圧力または熱と圧力との双方，などを与える。これにより、図４に示すように、誘電体層５ａ中の無機誘電体粒子５１同士は樹脂５２を介して結合する。すなわち、無機誘電体粒子５１が樹脂５２中に分散してなる誘電体層５が得られる。以上のようにして、コンデンサ１０が完成する。
【００２７】
この段階で導体層３ｂ，３ｃの何れもパターニングされていない場合、導体層３ｂ，３ｃの何れか一方をパターニングする。ここでは、一例として、導体層３ｂをパターニングする。次いで、導体層３ｂと樹脂基板２ａとを接着し、その後、導体層３ｃをパターニングする。このとき、樹脂基板２ａには導体層３ａが設けられていてもよく、或いは、設けられていなくてもよい。ここでは、一例として、導体層３ｂと樹脂基板２ａとを接着する時点で、樹脂基板２ａに導体層３ａは設けられていないこととする。その後、導体層３ｃと樹脂基板２ｂとを接着し、樹脂基板２ａ，２ｂなどへの穴あけを行う。さらに、一般的な多層基板の製造と同様に、無電解めっき、電気めっき、フォトリソグラフィ技術などを利用して、接続用導体４及び導体層３ａ，３ｄを形成する。以上のようにして、図１に示す電子部品内蔵基板１を得る。
【００２８】
なお、コンデンサ１０が完成した時点で導体層３ｂ，３ｃの一方がパターニングされている場合、通常、その導体層は樹脂基板によって支持されている。例えば、コンデンサ１０が完成した時点で導体層３ｂがパターニングされている場合、通常、導体層３ｂは樹脂基板２ａによって支持されている。したがって、この場合、例えば、導体層３ｃのパターニングから接続用導体４及び導体層３ａ，３ｄを形成するまでの工程を上記と同様の方法により行うことにより、図１に示す電子部品内蔵基板１を得ることができる。
【００２９】
また、コンデンサ１０が完成した時点で導体層３ｂ，３ｃの双方がパターニングされている場合、通常、それら導体層３ｂ，３ｃは樹脂基板２ａ，２ｂによってそれぞれ支持されている。したがって、この場合、例えば、樹脂基板２ａ，２ｂなどへの穴あけから接続用導体４及び導体層３ａ，３ｄを形成するまでの工程を上記と同様の方法により行うことにより、図１に示す電子部品内蔵基板１を得ることができる。
【００３０】
上述した方法では、無機誘電体粒子５１の表面を樹脂５２で少なくとも部分的に被覆してなる粒状複合体５０を使用している。そのため、誘電体層５ａ中で無機誘電体粒子５１及び樹脂５２を均一に分布させることができる。したがって、誘電体層５に占める無機誘電体粒子５１の割合を比較的高くすることができる。
【００３１】
また、上述した方法では、無機誘電体粒子５１及び樹脂５２が均一に分布した誘電体層５ａは、液体の不存在下で形成することができる。そのため、誘電体層５ａを薄く形成することができ、したがって、薄い誘電体層５を形成することができる。
【００３２】
すなわち、本態様によると、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサ１０を内蔵した電子部品内蔵基板１を容易に製造することが可能となる。
【００３３】
本態様において、無機誘電体粒子５１の材料は、無機誘電体であれば特に制限はないが、無機誘電体粒子５１には、シリカやアルミナなどの一般的な誘電体と比較して比誘電率がより高い材料を使用することが有利である。そのような材料としては、例えば、一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト化合物を挙げることができる。
【００３４】
なお、上記一般式において、「Ａ」は、例えば、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉなどのように、元素周期律表の第１Ｂ族、第２Ａ族、第２Ｂ族、第３Ａ族、第４Ｂ族、第５Ｂ族、及び第８族から選ばれる少なくとも１種の金属元素を示している。また、上記一般式において、「Ｂ」は、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｎ、及びＳｂなどのように、元素周期律表の第４Ａ族、第４Ｂ族、及び第５Ｂ族から選ばれる少なくとも１種の金属元素を示している。
【００３５】
上記一般式で表されるペロブスカイト化合物としては、例えば、ＢｅＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＢａＴｉＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃、ＺｒＴｉＯ₃、Ｂｉ₂ＴｉＯ₃、Ｌａ₂ＴｉＯ₃、ＣｅＴｉＯ₃及びＺｒＴｉＯ₃のようなチタン酸塩、ＢａＳｎＯ₃、ＣａＳｎＯ₃、ＳｒＳｎＯ₃、ＭｇＳｎＯ₃、ＰｂＳｎＯ₃、ＣｏＳｎＯ₃及びＮｉＳｎＯ₃のような錫酸塩、ＢａＺｒＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、ＳｒＺｒＯ₃及びＭｇＺｒＯ₃のようなジルコン酸塩、ＭｇＮｂＯ₃、ＣａＮｂＯ₃、ＳｒＮｂＯ₃、ＢａＮｂＯ₃及びＬｉＮｂＯ₃のようなニオブ酸塩、ＬｉＴａＯ₃、ＢａＴａＯ₃、ＳｒＴａＯ₃、ＣａＴａＯ₃及びＭｇＴａＯ₃のようなタンタル酸塩などを挙げることができる。
【００３６】
また、このペロブスカイト化合物では、金属元素Ａ及び／または金属元素Ｂの一部を他の金属元素と入れ換えることができる。例えば、ＢａＴｉＯ₃の場合、Ｂａの一部をＢａ以外の金属元素Ａ，例えばＳｒ、Ｙ及びＬａの少なくとも１種で置換して、（Ｂａ_1-xＳｒ_x）ＴｉＯ₃や（Ｂａ_1-x-y-zＳｒ_xＬａ_yＹ_z）ＴｉＯ₃などとすることが可能である。
【００３７】
樹脂５２は、誘電体層５ａを形成する際に粒状複合体５０を粉体として取り扱うことが可能であり、且つ、例えば熱及び／または圧力などを与えることにより無機誘電体粒子５１同士を結合させ得るものであれば、特に制限はない。樹脂５２としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、メタクリル樹脂、ナイロン、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテル、液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂や、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂などを使用することができる。
【００３８】
本態様において、樹脂５２は、無機誘電体粒子５１の表面を少なくとも部分的に被覆していればよい。但し、誘電体層５ａ中で無機誘電体粒子５１及び樹脂５２を均一に分布させることを考慮して、無機誘電体粒子５１の表面全体が樹脂５２で被覆された粒状複合体５０を使用してもよい。すなわち、粒状複合体５０は、無機誘電体粒子５１を樹脂５２で被覆してなるマイクロカプセルであってもよい。
【００３９】
粒状複合体５０の無機誘電体粒子５１は、金属粒子を無機誘電体被覆層で被覆してなるものであってもよい。そのような粒状複合体５０を使用すると、金属粒子の粒径とそれを被覆した無機誘電体被覆層の厚さとの比などに応じて、コンデンサ１０の容量を調節することができる。なお、コンデンサ１０の容量は、無機誘電体粒子５１の粒径や形状並びに誘電体層５に占める無機誘電体粒子５１の割合などに応じて調節することも可能である。
【００４０】
また、金属粒子を含んだ粒状複合体５０を使用すると、磁界を利用して粒状複合体５０を導体層３０ｂ上に付着させることができる。但し、金属粒子が無機誘電体粒子５１の表面に露出していると、導体層３ｂ，３ｃ間に短絡を生じるおそれを生じる。したがって、金属粒子を含んだ粒状複合体５０を使用する場合には、金属粒子は無機誘電体被覆層によって完全に覆われていることが望ましい。
【００４１】
次に、本発明の第２の態様について説明する。第２の態様は、コンデンサ１０の形成方法が異なること以外は第１の態様と同様である。したがって、第２の態様に関しては、主として、コンデンサ１０の形成方法について説明する。
【００４２】
図５乃至図７は、本発明の第２の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図である。
【００４３】
この方法では、まず、図５に示すように、導体層３ｂ上に樹脂５２で構成された樹脂層５ｂを形成する。樹脂層５ｂは、例えば、樹脂５２と有機溶媒とを含有した溶液を用いて導体層３ｂ上に塗膜を形成し、この塗膜から有機溶媒を除去することなどにより得ることができる。なお、この段階では、塗膜から有機溶媒を除去しなくてもよい。或いは、樹脂層５ｂは、液状の樹脂５２を用いて印刷法や各種塗布法により熱硬化性樹脂からなる塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させてＢステージとすることにより得ることができる。樹脂層５ｂの材料は、十分な流動性，少なくとも最終的に得られる誘電体層５よりも高い流動性，を有しているものであれば特に制限はなく、例えば、プリプレグなどを使用することもできる。
【００４４】
次に、図６に示すように、樹脂層５ｂ上に無機誘電体粒子５１で構成された無機誘電体粒子層５ｃを形成する。
【００４５】
無機誘電体粒子層５ｃは、例えば、無機誘電体粒子５１と液体とを含有した分散液を用いて樹脂層５ｂ上に塗膜を形成し、この塗膜から液体を除去することなどにより得ることができる。この方法では、上記分散液中に樹脂５２などを含有させる必要はないため、分散液の粘性を低くすることができる。したがって、薄い無機誘電体粒子層５ｃを形成することができる。
【００４６】
また、無機誘電体粒子層５ｃは、無機誘電体粒子５１を撒布すること，例えば気流に乗せて樹脂層５ｂ上に供給すること，などにより得ることもできる。この方法では、樹脂層５ｂの粘着性を利用して、薄い無機誘電体粒子層５ｃを形成することができる。すなわち、樹脂５ｂ自体が粘着性であるか或いは樹脂層５ｂから有機溶剤を完全に除去していないために樹脂層５ｂが粘着性を有している場合、気流に乗せて樹脂層５ｂ上に供給された無機誘電体粒子５１は樹脂層５ｂの表面に付着する。しかしながら、一定量の無機誘電体粒子５１が樹脂層５ｂの表面に付着すると、無機誘電体粒子５１のさらなる付着は生じない。したがって、必要に応じて、余剰の無機誘電体粒子５１を除去することなどにより、薄く且つ膜厚均一性に優れた無機誘電体粒子層５ｃを形成することができる。
【００４７】
その後、導体層３ｂ，３ｃを、それらの間に樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとの積層体を介在させて貼り合わせるとともに、この構造に対して、例えば、熱及び／または圧力，典型的には圧力または熱と圧力との双方，などを加える。これにより、図７に示すように、無機誘電体粒子５１同士は樹脂５２を介して結合する。すなわち、無機誘電体粒子５１が樹脂５２中に分散してなる誘電体層５が得られる。以上のようにして、コンデンサ１０が完成する。
【００４８】
このような方法によりコンデンサ１０を形成すること以外は、第１の態様で説明した工程を実施する。これにより、例えば、図１に示す電子部品内蔵基板１が得られる。
【００４９】
上述した方法では、最初から無機誘電体粒子５１と樹脂５２とを含有した誘電体層５を形成するのではなく、まず、樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとを別々に形成し、その後、例えば、熱及び／または圧力などを加えることにより誘電体層５を得る。これら樹脂層５ｂ及び無機誘電体粒子層５ｃは、薄く且つ高い膜厚均一性で形成可能である。したがって、この方法によると、薄く且つ膜厚均一性に優れた誘電体層５を形成することができる。
【００５０】
すなわち、本態様によると、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサ１０を内蔵した電子部品内蔵基板１を容易に製造することが可能となる。
【００５１】
次に、本発明の第３の態様について説明する。第３の態様は、コンデンサ１０の形成方法が異なること以外は第１の態様と同様である。より詳細には、第２の態様は、樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとの積層順が異なること以外は第２の態様と同様である。したがって、第３の態様に関しては、主として、コンデンサ１０の形成方法について説明する。
【００５２】
図８及び図９は、本発明の第３の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図である。
【００５３】
この方法では、まず、図８に示すように、導体層３ｂ上に無機誘電体粒子５１で構成された無機誘電体粒子層５ｃを形成する。無機誘電体粒子層５ｃは、例えば、無機誘電体粒子５１と液体とを含有した分散液を用いて導体層３ｂ上に塗膜を形成し、この塗膜から液体を除去することなどにより得ることができる。
【００５４】
次に、図９に示すように、無機誘電体粒子層５ｃ上に樹脂５２で構成された樹脂層５ｂを形成する。樹脂層５ｂは、例えば、樹脂５２と有機溶媒とを含有した溶液を用いて無機誘電体粒子層５ｃ上に塗膜を形成し、この塗膜から有機溶媒を除去することなどにより得ることができる。或いは、樹脂層５ｂは、液状の樹脂５２を用いて印刷法や各種塗布法により熱硬化性樹脂からなる塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させてＢステージとすることにより得ることができる。樹脂層５ｂの材料は、十分な流動性，少なくとも最終的に得られる誘電体層５よりも高い流動性，を有しているものであれば特に制限はなく、例えば、プリプレグなどを使用することもできる。
【００５５】
その後、第２の態様において図７を参照しながら説明したように、導体層３ｂ，３ｃを、それらの間に樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとの積層体を介在させて貼り合わせるとともに、この構造に対して、例えば、熱及び／または圧力，典型的には圧力または熱と圧力との双方，などを加える。これにより、無機誘電体粒子５１が樹脂５２中に分散してなる誘電体層５が得られる。以上のようにして、コンデンサ１０が完成する。
【００５６】
このような方法によりコンデンサ１０を形成すること以外は、第１の態様で説明した工程を実施する。これにより、例えば、図１に示す電子部品内蔵基板１が得られる。
【００５７】
上述した方法では、第２の態様と同様、最初から無機誘電体粒子５１と樹脂５２とを含有した誘電体層５を形成するのではなく、まず、樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとを別々に形成し、その後、例えば、熱及び／または圧力などを加えることにより誘電体層５を得る。これら樹脂層５ｂ及び無機誘電体粒子層５ｃは、薄く且つ高い膜厚均一性で形成可能である。したがって、この方法によると、薄く且つ膜厚均一性に優れた誘電体層５を形成することができる。
【００５８】
すなわち、本態様によると、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサ１０を内蔵した電子部品内蔵基板１を容易に製造することが可能となる。
【００５９】
次に、本発明の第４の態様について説明する。第４の態様は、コンデンサ１０の形成方法が異なること以外は第１の態様と同様である。より詳細には、第４の態様は、樹脂層５ｂを導体層３ｃ上に形成すること以外は第３の態様と同様である。したがって、第４の態様に関しては、主として、コンデンサ１０の形成方法について説明する。
【００６０】
図１０及び図１１は、本発明の第４の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図である。
【００６１】
この方法では、まず、図１０に示すように、導体層３ｂ上に無機誘電体粒子５１で構成された無機誘電体粒子層５ｃを形成する。無機誘電体粒子層５ｃは、例えば、無機誘電体粒子５１と液体とを含有した分散液を用いて導体層３ｂ上に塗膜を形成し、この塗膜から液体を除去することなどにより得ることができる。
【００６２】
また、無機誘電体粒子層５ｃを形成する一方で、図１１に示すように、導体層３ｃ上に樹脂５２で構成された樹脂層５ｂを形成する。樹脂層５ｂは、例えば、樹脂５２と有機溶媒とを含有した溶液を用いて導体層３ｃ上に塗膜を形成し、この塗膜から有機溶媒を除去することなどにより得ることができる。或いは、樹脂層５ｂは、液状の樹脂５２を用いて印刷法や各種塗布法により熱硬化性樹脂からなる塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させてＢステージとすることにより得ることができる。樹脂層５ｂの材料は、十分な流動性，少なくとも最終的に得られる誘電体層５よりも高い流動性，を有しているものであれば特に制限はなく、例えば、プリプレグなどを使用することもできる。
【００６３】
次に、第２の態様において図７を参照しながら説明したように、導体層３ｂ，３ｃを、それらの間に樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとを介在させて貼り合わせるとともに、この構造に対して、例えば、熱及び／または圧力，典型的には圧力または熱と圧力との双方，などを加える。これにより、無機誘電体粒子５１が樹脂５２中に分散してなる誘電体層５が得られる。以上のようにして、コンデンサ１０が完成する。
【００６４】
このような方法によりコンデンサ１０を形成すること以外は、第１の態様で説明した工程を実施する。これにより、例えば、図１に示す電子部品内蔵基板１が得られる。
【００６５】
上述した方法では、第２及び第３の態様と同様、最初から無機誘電体粒子５１と樹脂５２とを含有した誘電体層５を形成するのではなく、まず、樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとを別々に形成し、その後、例えば、熱及び／または圧力などを加えることにより誘電体層５を得る。これら樹脂層５ｂ及び無機誘電体粒子層５ｃは、薄く且つ高い膜厚均一性で形成可能である。したがって、この方法によると、薄く且つ膜厚均一性に優れた誘電体層５を形成することができる。
【００６６】
すなわち、本態様によると、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサ１０を内蔵した電子部品内蔵基板１を容易に製造することが可能となる。
【００６７】
次に、本発明の第５の態様について説明する。第５の態様は、コンデンサ１０の形成方法が異なること以外は第１の態様と同様である。より詳細には、第５の態様は、樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとの積層体を基材上に形成するとともにその積層体を基材上から導体層ｂｃ上に転写すること以外は第２の態様と同様である。したがって、第５の態様に関しては、主として、コンデンサ１０の形成方法について説明する。
【００６８】
図１２は、本発明の第５の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図である。
【００６９】
この方法では、まず、図１２に示すように、基材６ａ上に、第２の態様において図５及び図６を参照しながら説明したのと同様の方法により、樹脂層５ｂ及び無機誘電体粒子層５ｃを順次形成する。次いで、無機誘電体粒子層５ｃ上に基材６ｂを貼り付ける。ここで、基材６ａとしては、例えば、剥離フィルムなどを使用することができる。また、基材６ｂとしては、例えば、粘着フィルムなどを使用することができる。
【００７０】
次に、樹脂層５ｂから基材６ａを剥離し、樹脂層５ｂの露出面を導体層３ｂに貼り付ける。続いて、無機誘電体粒子層５ｃから基材６ｂを剥離する。これにより、図６に示す構造を得る。
【００７１】
その後、第２の態様において図７を参照しながら説明したように、導体層３ｂ，３ｃを、それらの間に樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとを介在させて貼り合わせるとともに、この構造に対して、例えば、熱及び／または圧力，典型的には圧力または熱と圧力との双方，などを加える。これにより、無機誘電体粒子５１が樹脂５２中に分散してなる誘電体層５が得られる。以上のようにして、コンデンサ１０が完成する。
【００７２】
このような方法によりコンデンサ１０を形成すること以外は、第１の態様で説明した工程を実施する。これにより、例えば、図１に示す電子部品内蔵基板１が得られる。
【００７３】
上述した方法では、第２乃至第４の態様と同様、最初から無機誘電体粒子５１と樹脂５２とを含有した誘電体層５を形成するのではなく、まず、樹脂層５ｂと無機誘電体粒子層５ｃとを別々に形成し、その後、例えば、熱及び／または圧力などを加えることにより誘電体層５を得る。これら樹脂層５ｂ及び無機誘電体粒子層５ｃは、薄く且つ高い膜厚均一性で形成可能である。したがって、この方法によると、薄く且つ膜厚均一性に優れた誘電体層５を形成することができる。
【００７４】
すなわち、本態様によると、寸法が小さく且つ大容量のコンデンサ１０を内蔵した電子部品内蔵基板１を容易に製造することが可能となる。
【００７５】
以上説明した第１乃至第５の態様に係る方法には、様々な変形が可能である。例えば、第１乃至第５の態様では、電子部品内蔵基板１に、電子部品としてコンデンサ１０のみを内蔵させたが、抵抗やインダクタなどの他の電子部品をさらに内蔵させることもできる。また、上記の電子部品内蔵基板１には、さらに、半導体装置も内蔵させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の態様に係る方法により製造可能な電子部品内蔵基板の一例を概略的に示す断面図。
【図２】本発明の第１の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図３】本発明の第１の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図４】本発明の第１の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の第２の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図６】本発明の第２の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図７】本発明の第２の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図８】本発明の第３の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図９】本発明の第３の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１０】本発明の第４の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１１】本発明の第４の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１２】本発明の第５の態様に係る電子部品内蔵基板の製造方法を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７７】
１…電子部品内蔵基板、２ａ…樹脂基板、２ｂ…樹脂基板、３ａ…導体層、３ｂ…導体層、３ｃ…導体層、３ｄ…導体層、４…接続用導体、５…誘電体層、５ａ…誘電体層、５ｂ…樹脂層、５ｃ…無機誘電体粒子層、６ａ…基材、６ｂ…基材、１０…コンデンサ、５０…粒状複合体、５１…無機誘電体粒子、５２…樹脂。

【出願人】	【識別番号】０００００５２９０【氏名又は名称】古河電気工業株式会社【住所又は居所】東京都千代田区丸の内２丁目６番１号
【出願日】	平成１６年１月１９日（２００４．１．１９）
【代理人】	【識別番号】１０００５８４７９【弁理士】【氏名又は名称】鈴江武彦【識別番号】１０００８４６１８【弁理士】【氏名又は名称】村松貞男【識別番号】１０００９２１９６【弁理士】【氏名又は名称】橋本良郎
【公開番号】	特開２００５－２０３６９９（Ｐ２００５－２０３６９９Ａ）
【公開日】	平成１７年７月２８日（２００５．７．２８）
【出願番号】	特願２００４－１０７４７（Ｐ２００４－１０７４７）