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【発明の名称】 配線回路基板、配線回路基板の製造方法及び多層配線基板の製造方法
【発明者】 【氏名】佐久間 和男
【住所又は居所】東京都豊島区南大塚三丁目３２番１号 株式会社ノース内
【要約】 【課題】絶縁膜を形成するときにバンプの先端部が潰れず、バンプの頂面を十分に露出させることができる配線回路基板及びその製造方法を提供するものである。

【解決手段】配線回路基板１００は、厚さ約１８μｍの銅箔からなる配線形成用金属膜１０１と、その配線形成用金属層１０１の上に厚さ約２μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１０７を介して形成された、高さ約８０μｍのバンプ１０６とからなる。バンプ１０６は、バンプ下部１０６ａと、バンプ下部１０６ａの上に形成されたバンプ上部１０６ｂとからなる。バンプ下部１０６ａの硬度は約８０［Ｈｖ］で、バンプ上部１０６ｂの硬度は約１５０［Ｈｖ］となっているため、バンプ下部１０６ａの硬度に比べてバンプ１０６ｂの硬度の方が高くなっている。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線形成用金属層の上に直接又はエッチングストッパー層を介してバンプが形成された配線回路基板であって、
前記バンプは、バンプ下部と、バンプ上部とからなり、該バンプ上部は前記バンプ下部の硬度よりも高い硬度を有することを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線回路基板の前記バンプが形成された面に樹脂からなる絶縁シートを圧着させることにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
前記バンプ下部が露出するまで前記絶縁膜及び前記バンプ上部を研磨する研磨ステップと、
を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
配線形成用金属層の上にエッチングストッパー層を介して第１のバンプ形成用金属層が形成され、該第１のバンプ形成用金属層の上に該第１のバンプ形成用金属層の硬度よりも高い硬度を有する第２のバンプ形成用金属層が形成された多層金属板に対して、
前記第２のバンプ形成用金属層の上にレジストを塗付又はラミネートし、パターニングすることによりレジストマスクを形成するレジストマスク形成ステップと、
前記レジストマスクをマスクとして前記第１のバンプ形成用金属層及び前記第２のバンプ形成用金属層をエッチングすることにより、バンプ下部と、該バンプ下部の硬度よりも高い硬度を有するバンプ上部とからなるバンプを形成するバンプ形成ステップと、
を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記バンプ形成ステップの後、前記バンプが形成された面に樹脂からなる絶縁シートを圧着させることにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
前記バンプ下部が露出するまで前記絶縁膜及び前記バンプ上部を研磨する研磨ステップと、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁膜の上下両面に配線が形成された配線回路基板に、請求項２又は請求項４に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板を積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項２又は請求項４に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板を複数枚重ねて積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣやＬＳＩ等の電子デバイス実装用の配線回路基板及びその製造方法並びに多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、電子デバイスの微細化は、マスクプロセス技術及びエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。そして、電子デバイスをプリント配線基板に高密度に実装し、電子デバイス実装用のプリント配線基板を高集積化するためには、プリント配線基板を多層化し、且つ上下配線間の接続を高信頼度で且つ微細に形成する必要がある。そのために、例えば銅箔等の金属膜を一方の表面側からウェットエッチングによりエッチングすることにより縦断面形状が略台形のバンプを形成し、そのバンプが形成された基板をプリント配線基板として使用している（例えば特許文献１）。
【０００３】
ここで、図５を参照しつつ、銅からなるバンプが形成された配線回路基板（プリント配線基板）の製造方法について説明する。図５は、従来技術における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。
【０００４】
まず、図５（ａ）に示すように、多層金属板３００を用意する。この多層金属板３００は、厚さ約１８μｍの銅箔からなる配線形成用金属層３０１上に積層された、厚さ約２μｍのＮｉ（ニッケル）からなるエッチングストッパー層３０２と、更にエッチングストッパー層３０２の上に積層された、厚さ約８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層３０３とからなる。また、バンプ形成用金属膜３０３に用いられる銅箔には、硬度が約１００［Ｈｖ］の銅箔が使用される。
【０００５】
次に、バンプ形成用金属層３０３の上にレジスト（図示しない）を塗布又はラミネートする。そして、複数の円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光を行い、続いて現像を行うことにより、図５（ｂ）に示すように、レジストマスク３０４を形成する。円形パターンが形成された露光マスクを使用することにより、レジストマスク３０４は円形パターンをなしている。
【０００６】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジストマスク３０４をマスクとしてバンプ形成用金属層３０３をウェットエッチングによりエッチングして、上下配線間を導通する層間膜導通手段のバンプ３０５を形成する。
【０００７】
レジストマスク３０４は円形パターンをなしているため、バンプ３０５の横断面形状は円形となる。また、ウェットエッチングによりエッチングを行うため、バンプ形成用金属層３０３は等方的にエッチングされる。従って、縦方向と同時に横方向にもエッチングが進行し（サイドエッチ）、レジストマスク３０４の下側にもエッチング溶液が入り込みレジストマスク３０４の下側もエッチングされる（アンダーカット）。その結果、バンプ３０５の縦断面形状は略台形となる。また、このエッチングにおいて、エッチングストッパー層３０２はバンプ形成用金属層３０３のエッチング時に配線形成用金属層３０１がエッチングされるのを防止する。
【０００８】
そして、図５（ｄ）に示すように、レジストマスク３０４を剥離した後、バンプ３０５をマスクとしてエッチングストッパー層３０２をエッチングして除去する。このとき、バンプ３０５と配線形成用金属層３０１との間にエッチングストッパー層３０６が介在する。
【０００９】
次に、バンプ３０５が形成されている面に、厚さ約２５μｍのポリイミド等の樹脂からなる絶縁シートを密着させ、更に、その絶縁シートの上に図示しないが、厚さ約５５μｍのポリプロピレン等の樹脂からなる保護シートを密着させる。そして、約５０〜１００［ｋｇ／ｃｍ２］の圧力を加えて絶縁シートを圧着させ、図５（ｅ）に示すように、絶縁膜３０７を形成する。
【００１０】
そして、図５（ｆ）に示すように、バンプ３０５の頂面が露出するまでバンプ３０５の上に形成された絶縁膜３０７を研磨した後、保護シートを除去する。このように、バンプ３０５の頂面が絶縁膜３０７から突出した構成の配線回路基板３１０を作製する。
【００１１】
そして、配線回路基板３１０をコア基板や他の配線回路基板に積層することにより、多層配線基板を作製する。その一例を図５（ｇ）に示す。同図に示すように、ポリイミド等の樹脂からなる絶縁膜３２１の両面に配線３２２が形成された配線回路基板３２０を用意し、その配線回路基板３２０の一方の面に配線回路基板３１０を積層して圧着する。このとき、配線回路基板３１０に形成されたバンプ３０５が配線回路基板３２０に形成された配線３２２と接触するように積層し、５０〜１００［ｋｇ／ｃｍ２］の圧力を加えてバンプ３０５を押し潰すことにより、バンプ３０５と配線３２２とを接続する。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−１１１１８９号公報（段落［００２５］―［００２９］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述のように、バンプ３０５が形成された面に絶縁膜３０７を形成するときにバンプ３０５の先端部が潰れてしまい、先端部の横断面積が小さくなってしまう。そして、絶縁膜３０７を研磨してバンプ３０５の頂面を露出させても、露出する頂面の面積が小さいため、他の配線回路基板等と接触させたときに良好に導通をとることができないといった問題があった。この問題について、図６を参照しつつ詳しく説明する。
【００１４】
図６は、絶縁膜を形成する従来の方法を工程順に示した基板の断面図であり、図５（ｄ）〜（ｆ）を拡大した図である。図６（ａ）はバンプ３０５が形成された状態の基板の断面図であり、図５（ｄ）の一部を拡大した図である。
【００１５】
そして、図６（ｂ）に示すように、バンプ３０５が形成されている面に、樹脂からなる絶縁シートを約５０〜１００［ｋｇ／ｃｍ２］の圧力を加えて圧着させることにより、絶縁膜３０７を形成する。このとき、同図に示すように、バンプ３０５の先端部の角が潰れてしまい、先端部の横断面積は絶縁膜３０７を形成する前と比べて小さくなってしまう。この現象は特に、靭性の強い絶縁樹脂シート、例えば、ポリイミドフィルム、液晶フィルム、ポリマーフィルム、ＰＰＳ樹脂フィルム、ＰＥＳ樹脂フィルム、ＰＥＥＫ樹脂フィルム等の場合は顕著となる。
【００１６】
このような状態でバンプ３０５の頂面を露出させるために絶縁膜３０７を研磨すると、図６（ｃ）に示すように、バンプ３０５の頂面は僅かしか露出しないこととなる。これは、バンプ３０５の先端部の横断面積が小さいからである。このため、配線が形成された他の配線回路基板等と積層したときに、バンプと配線との間で導通を良好にとることができなくなる。
【００１７】
そこで、バンプ３０５の硬度を高くすれば、絶縁膜３０７を基板に圧着してもバンプ３０５の先端部は潰されないと考えられるが、硬度の高いバンプを形成した場合には、配線回路基板３１０を他の配線回路基板等に積層すると、バンプ３０５に突き当てられた配線３２２がへこんでしまい、それが原因でポリイミド等の樹脂からなる絶縁膜３２１がへこんでしまうといった問題が生じる。その結果、多層配線基板の層間の絶縁性を損なうおそれがあった。この問題について、図７を参照しつつ詳しく説明する。
【００１８】
図７は、従来の製造方法によって作製された配線回路基板３１０と配線回路基板３２０とを積層して多層配線基板を作製するときの基板の断面図である。
【００１９】
図７（ａ）に示すように、配線回路基板３１０と配線回路基板３２０とを用意する。配線回路基板３１０のバンプ３０５には硬度が約１５０［Ｈｖ］の銅を使用した。そして、図７（ｂ）に示すように、配線回路基板３２０の一方の面に配線回路基板３１０を積層し、５０〜１００［ｋｇ／ｃｍ２］の圧力を加えてバンプ３０５を押し潰すことにより、バンプ３０５と配線３２２とを接続する。しかしながら、バンプ３０５の硬度が約１５０［Ｈｖ］と高いため、バンプ３０５に突き当てられた配線３２２は絶縁膜３２１の内部にへこんでしまう。それに伴い、ポリイミド等の樹脂からなる絶縁膜３２１も内側にへこんでしまい、へこみ部分の絶縁性が悪くなり絶縁不良が生じてしまうおそれがあった。
【００２０】
本発明は上記の問題を解決するものであり、絶縁膜を形成するときにバンプの先端部が潰れず、バンプの頂面を十分に露出させることができ、他の配線回路基板等と積層したときに良好に導通をとることができる配線回路基板及びその製造方法を提供するものである。更に、他の配線回路基板と積層したときに、他の配線回路基板の絶縁膜のへこみを少なくすることができ、その結果、絶縁性の良い多層配線基板を製造することができる配線回路基板及び配線回路基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
請求項１に記載の発明は、配線形成用金属層の上に直接又はエッチングストッパー層を介してバンプが形成された配線回路基板であって、前記バンプは、バンプ下部と、バンプ上部とからなり、該バンプ上部は前記バンプ下部の硬度よりも高い硬度を有することを特徴とするものである。
【００２２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の配線回路基板の前記バンプが形成された面に樹脂からなる絶縁シートを圧着させることにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記バンプ下部が露出するまで前記絶縁膜及び前記バンプ上部を研磨する研磨ステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法である。
【００２３】
請求項３に記載の発明は、配線形成用金属層の上にエッチングストッパー層を介して第１のバンプ形成用金属層が形成され、該第１のバンプ形成用金属層の上に該第１のバンプ形成用金属層の硬度よりも高い硬度を有する第２のバンプ形成用金属層が形成された多層金属板に対して、前記第２のバンプ形成用金属層の上にレジストを塗付又はラミネートし、パターニングすることによりレジストマスクを形成するレジストマスク形成ステップと、前記レジストマスクをマスクとして前記第１のバンプ形成用金属層及び前記第２のバンプ形成用金属層をエッチングすることにより、バンプ下部と、該バンプ下部の硬度よりも高い硬度を有するバンプ上部とからなるバンプを形成するバンプ形成ステップと、を含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法である。
【００２４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の配線回路基板の製造方法であって、前記バンプ形成ステップの後、前記バンプが形成された面に樹脂からなる絶縁シートを圧着させることにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記バンプ下部が露出するまで前記絶縁膜及び前記バンプ上部を研磨する研磨ステップと、を含むことを特徴とするものである。
【００２５】
請求項５に記載の発明は、絶縁膜の上下両面に配線が形成された配線回路基板に、請求項２又は請求項４に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板を積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００２６】
請求項６に記載の発明は、請求項２又は請求項４に記載の配線回路基板の製造方法によって製造された配線回路基板を複数枚重ねて積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１に記載の発明によると、バンプを下部と上部とに分けた構造にし、上部には下部よりも硬度が高い金属を使用したことにより、バンプが形成されている面に絶縁膜を圧着するときにバンプの先端部が潰れなくなる。その結果、バンプ先端部の横断面の面積を十分確保することができるため、他の配線回路基板と積層した場合に、十分に導通をとることが可能となる。更に、下部には上部よりも硬度が低い金属を使用したことにより、他の配線回路基板と積層した場合にバンプが十分に潰れるため、バンプに突き当てられた配線や絶縁膜がへこむことがなくなり、その結果、層間の絶縁性が低下するおそれがなくなる。
【００２８】
また、請求項２及び請求項４に記載の発明によると、絶縁膜及びバンプ上部を研磨することにより、硬度が低いバンプ下部の頂面が露出した配線回路基板を製造することが可能となる。その結果、他の配線回路基板等と積層しても、他の配線回路基板の配線や絶縁膜がへこむことがなく、層間の絶縁性が低下するおそれがなくなる。
【００２９】
更に、請求項３に記載の発明によると、硬度の低いバンプ形成用金属膜の上にそれより硬度が高いバンプ形成用金属膜が形成された多層金属板を用いることにより、硬度が低いバンプ下部と、その上に形成された硬度が高いバンプ上部とからなるバンプが形成された配線回路基板を製造することが可能となる。
【００３０】
また、請求項５及び請求項６に記載の発明によると、硬度が低いバンプ下部の頂面が露出した配線回路基板を複数枚又は他の配線回路基板に積層することにより、バンプに突き当てられた配線や絶縁膜がへこむことがないため、層間の絶縁性の低下のおそれがない多層配線基板を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図４を参照しつつ説明する。
【００３２】
本発明の実施形態に係る配線回路基板の構成及び作用（用途）について、図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施形態に係る配線回路基板の構造を示す基板の断面図である。
【００３３】
図１に示すように、本実施形態に係る配線回路基板１００は、厚さ約１８μｍの銅箔からなる配線形成用金属膜１０１と、その配線形成用金属層１０１の上に厚さ約２μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１０７を介して形成された、高さ約８０μｍのバンプ１０６とからなる。尚、エッチングストッパー層１０７を介さずに、配線形成用金属層１０１の上に直接バンプ１０６が形成されていてもよい。
【００３４】
更に、バンプ１０６は、エッチングストッパー層１０７と接するバンプ下部１０６ａと、バンプ下部１０６ａの上に形成されたバンプ上部１０６ｂとからなる。バンプ下部１０６ａの高さは約５５μｍで、バンプ上部１０６ｂの高さは約２５μｍとなっている。また、バンプ下部１０６ａの硬度は、ビッカーズ硬度で約８０［Ｈｖ］で、バンプ上部１０６ｂの硬度は約１５０［Ｈｖ］となっている。従って、バンプ下部１０６ａの硬度に比べてバンプ１０６ｂの硬度の方が高くなっている。
【００３５】
尚、バンプ上部１０６ｂは、配線回路基板１００に絶縁膜を形成した後、研磨により除去される。そして、配線が形成された他の配線回路基板等を積層するときには、バンプ下部１０６ａと配線とを接触させることにより導通をとることとなる。絶縁膜を形成する工程及び積層工程については、後で詳述する。
【００３６】
バンプ１０６の横断面形状は図示しないが略円形であり、縦断面形状は同図に示すように、略台形となっている。尚、バンプ１０６の縦断面の略台形状は、図示する上で便宜的なものであり、その斜辺は曲線状となる場合もある。また、縦断面形状は略矩形状であってもよく、更に、バンプ下部１０６ａの断面幅がバンプ上部１０６ｂの断面幅よりも狭くてもよい。従って、バンプ１０６の形状は略円錐状の他、略円柱状となってもよい。そのような場合であっても、斜面は曲線状となる場合もある。
【００３７】
以上のようなバンプが形成された配線回路基板１００を用いることにより、次のような好適な作用が奏される。
【００３８】
第１に、バンプ上部１０６ｂの硬度が約１５０［Ｈｖ］と高いため、バンプ１０６が形成されている面に絶縁膜を形成するときにバンプ１０６の先端部の特に端部が潰れなくなる。その結果、バンプ１０６の先端部の横断面積、特にバンプ下部１０６ａの頂面の面積を十分に確保することができるため、他の配線回路基板と積層したときに十分に導通をとることが可能となる。
【００３９】
また、第２に、バンプ下部１０６ａの硬度が約８０［Ｈｖ］と低いため、本実施形態の配線回路基板１００を他の配線回路基板等に積層して多層配線基板を製造する場合であっても、バンプ１０６に突き当てられた他の配線回路基板の配線や絶縁膜がへこむことがないため、多層配線基板の絶縁性を良くすることが可能となる。
【００４０】
まず、第１の作用及び効果について図２を参照しつつ詳しく説明し、続いて、第２の作用及び効果について図３を参照しつつ説明する。
【００４１】
図２は、本実施形態における配線回路基板１００に絶縁膜を形成する工程を工程順に示す基板の断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、本実施形態の配線回路基板１００を用意する。
【００４２】
そして、図２（ｂ）に示すように、バンプ１０６が形成されている面に、両面に接着層を有し、総厚が約２５μｍのポリイミド等の樹脂からなる絶縁シート（絶縁膜）１０８を密着させる。更に、その樹脂シートの上に厚さ約３０μｍのポリプロピレン等の樹脂からなる保護シート１０９及び図示しないクッション紙を密着させて、それらを介して、約５０〜１００［ｋｇ／ｃｍ２］の圧力を加えて圧着させる。
【００４３】
同図に示すように、バンプ１０６ａの硬度は約１５０［Ｈｖ］であり、従来のバンプ３０５の硬度（約１００［Ｈｖ］）と比べて高いため、バンプ１０６ａの先端部は絶縁シート（絶縁膜）１０８を圧着させても潰れない。その結果、従来技術に係るバンプ３０５の先端部における横断面積よりも、本実施形態に係るバンプ１０６の先端部における横断面積の方が大きくなる。また、バンプ下部１０６ａの高さは約５５μｍで、絶縁シート（絶縁膜）１０８の膜厚は約２５μｍで、保護シート１０９の膜厚は約３０μｍであるため、バンプ上部１０６ｂを保護シート１０９の面まで研磨した後のバンプ１０６の高さは、絶縁シート（絶縁膜）１０８の厚さと保護シート１０９の厚さの和である、約５５μｍとなる。
【００４４】
そして、図２（ｃ）に示すように、バンプ上部１０６ｂの上に形成されている絶縁シート（絶縁膜）１０８と保護シート１０９とバンプ上部１０６ｂとを研磨し、配線回路基板１１０を製造する。バンプ下部１０６ａの高さは約５５μｍで、絶縁シート（絶縁膜）１０８の厚さ（約２５μｍ）と保護シート１０９の厚さ（約３０μｍ）の和は約５５μｍであり、バンプ１０６が形成されていない部分にはバンプ下部１０６ａの高さまで絶縁シート（絶縁膜）１０８と保護シート１０９とが形成されているため、このように研磨すると、バンプ下部１０６ａの頂面が絶縁シート（絶縁膜）１０８と保護シート１０９とから露出することとなる。そして、保護シート１０９を除去することにより、絶縁シート（絶縁膜）１０８の面から約３０μｍ突出したバンプ１０６ａが現れることとなる。
【００４５】
従来技術に係るバンプ３０５の先端部における横断面積よりも、本実施形態に係るバンプ１０６の先端部における横断面積の方が大きいため、バンプ下部１０６ａの頂面の面積は、従来技術において研磨した後のバンプ１０６の頂面の面積よりも大きくなる。その結果、配線が形成された他の配線回路基板等と積層したときに、バンプと配線とで良好に導通をとることが可能となる。
【００４６】
次に、第２の作用及び効果について図３を参照しつつ詳しく説明する。図３は、本実施形態における配線回路基板１００（配線回路基板１１０）を利用した多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。
【００４７】
まず、図３（ａ）に示すように、配線回路基板１１０と配線回路基板１２０を用意する。配線回路基板１１０は、上述したように配線回路基板１００に絶縁膜１０８を形成した基板であり、既にバンプ上部１０６ｂが研磨されている基板である。また、配線回路基板１２０は、樹脂等からなる絶縁膜１２１と、その絶縁膜１２１の両面に形成された銅等の金属からなる配線１２２とからなる。
【００４８】
次に、図３（ｂ）に示すように、配線回路基板１２０の片面に本実施形態に係る配線回路基板１１０を積層する。このとき、約５０〜１００［ｋｇ／ｃｍ２］の高い圧力を加えてバンプ下部１０６ａを押し潰すことにより、バンプ下部１０６ａと配線１２２とを接続する。バンプ下部１０６ａの硬度は約８０［Ｈｖ］と低いため、上記のような圧力を加えることで容易に押し潰すことができる。その結果、バンプ下部１０６ａが突き当てられた部分の配線１２２のへこみは従来技術と比較して小さくなり、押し当てられた部分の絶縁膜１２１のへこみも小さくなるため、層間の絶縁性が低下するおそれがない。
【００４９】
尚、本実施形態においては、配線回路基板１２０の片面に配線回路基板１１０を積層したが、両面に配線回路基板１１０に積層してもよい。そのような場合であっても、バンプ下部１０６ａが突き当てられた部分の配線１２２のへこみは従来技術と比較して小さくなる。更に、配線回路基板１１０を複数枚重ねて、スルーホールが形成されたコア基板等に配線回路基板１１０を積層してもよい。
【００５０】
また、本実施形態に係る配線回路基板１１０の配線形成用金属層１０１の上にレジストを塗付又はラミネートし、パターニングすることによりレジストマスクを形成し、そのレジストマスクをマスクとして配線形成用金属層１０１をエッチングすることにより配線を形成することもできる。この配線を形成する工程は、配線回路基板１１０を他の配線回路基板等と積層する前であっても積層した後であっても構わない。
【００５１】
（製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る配線回路基板の製造方法について、図４を参照しつつ説明する。まず、図４（ａ）に示すように、多層金属板１３０を用意する。この多層金属板１３０は、厚さ約１８μｍの銅箔からなる配線形成用金属層１０１の上に積層された、厚さ約２μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１０２と、更にその上に積層された、厚さ約８０μｍの銅箔からなるバンプ形成用金属層１０３とからなる。
【００５２】
また、バンプ形成用金属層１０３は、バンプ形成用金属層１０３ａと１０３ｂの２層の金属層からなり、エッチングトッパー層１０２上にバンプ形成用金属層１０３ａが形成され、バンプ形成用金属層１０３ａの上にバンプ形成用金属層１０３ｂが形成されている。バンプ形成用金属層１０３ｂはバンプ形成用金属層１０３ａよりも硬度が高い材料からなる。尚、バンプ形成用金属層１０３ａが本発明の「第１のバンプ形成用金属層」に相当し、バンプ形成用金属層１０３ｂが本発明の「第２のバンプ形成用金属層」に相当する。
【００５３】
具体的には、バンプ形成用金属層１０３ｂに硬度が約１５０［Ｈｖ］の銅箔を使用し、バンプ形成用金属層１０３ａに硬度が約８０［Ｈｖ］の銅箔を使用する。硬度が低い銅箔（約８０［Ｈｖ］の銅箔）は、例えば、硬度が高い銅箔（約１５０［Ｈｖ］の銅箔）を約２５０〜３００℃で焼きなましすることにより得られる。
【００５４】
尚、多層金属板１３０は、銅箔からなる配線形成用金属膜１０１の上に電気めっき法等によりＮｉからなるエッチングストッパー層１０２を形成し、更に、その上に、常温真空クラッド法や電気めっき法等によりバンプ形成用金属膜１０３ａ、１０３ｂを形成することにより作製される。
【００５５】
次に、図４（ｂ）に示すように、バンプ形成用金属層１０３ｂ上にレジスト１０４を塗布又はラミネートする。そして、複数の円形パターンが形成された露光マスクを使用して露光を行い、続いて現像を行うことにより、図４（ｃ）に示すように、レジストマスク１０５を形成する。例えば、ネガ型のレジストを塗布し、複数の円形パターンが形成された露光マスクを使用してレジスト１０４を露光する。その後現像することにより露光されていないレジストを除去し、円形パターンのレジストマスク１０５を形成する。
【００５６】
そして、図４（ｄ）に示すように、レジストマスク１０５をマスクとしてバンプ形成用金属層１０３ａ、１０３ｂをエッチングすることによりバンプ１０６を形成する。このエッチングはウェットエッチングにより行い、使用するエッチング液はＮｉからなるエッチングストッパー層１０２をエッチングし得ないが、銅からなるバンプ形成用金属層１０３ａ、１０３ｂをエッチングできるエッチング液を使用する。
【００５７】
レジストマスク１０５は円形パターンをなしているため、バンプ１０６の横断面形状は円形となる。また、ウェットエッチングによりエッチングを行なうため、バンプ形成用金属層１０３ａ、１０３ｂは等方的にエッチングされ、縦断面形状は略台形となる。
【００５８】
また、バンプ形成用金属層１０３をエッチングすることにより、バンプ１０６は２層構造を有し、硬度が低いバンプ下部１０６ａと、バンプ下部より硬度が高く、バンプ下部１０６ａの上に形成されたバンプ上部１０６ｂとからなる構造を有している。バンプ下部１０６ａはバンプ形成用金属層１０３ａがエッチングされることにより形成され、バンプ上部１０６ｂはバンプ形成用金属層１０３ｂがエッチングされることにより形成される。
【００５９】
このエッチング工程において、エッチングストッパー層１０２は配線形成用金属膜１０１がエッチングされるのを防止する。そして、エッチングマスクとして使用したレジストマスク１０５を剥離する。尚、図４（ｄ）はレジストマスク１０５を剥離した後の状態を示すものである。
【００６０】
そして、図４（ｅ）に示すように、バンプ１０６をマスクとしてエッチングストッパー層１０２をエッチングして除去することにより配線回路基板１００を作製する。このとき、バンプ１０６と配線形成用金属層１０１ｂとの間にエッチングストッパー層１０７が介在する。このエッチングには、バンプ１０６を構成する金属（本実施形態においては銅である。）をエッチングしないが、エッチングストッパー層１０２を構成する金属（本実施形態においてはＮｉである。）をエッチングするエッチング液（Ｎｉ剥離液）を使用する。
【００６１】
以上のように、硬度が低い層と硬度が高い層とからなバンプ形成用金属層１０３が形成された多層金属板１３０を用いることにより、硬度が低いバンプ下部１０６ａと硬度が高いバンプ上部１０６ｂとからなるバンプ１０６が形成された配線回路基板１００を製造することが可能となる。
【００６２】
また、上述したように、配線回路基板１００に絶縁膜１０８を形成し、バンプ上部１０６ｂの上に形成されている絶縁膜１０８とバンプ上部１０６ｂを研磨することにより、配線回路基板１１０を製造することができる。更に、このようにして製造した配線回路基板１１０を複数枚重ねるか、又は他の配線回路基板やコア基板等に積層して多層配線基板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態における配線回路基板の構造を示す基板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態における配線回路基板に絶縁膜を形成する工程を示す基板の断面図である。
【図３】本発明の実施形態のおける配線回路基板を用いた多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。
【図４】本発明の実施形態における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。
【図５】従来技術における配線回路基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。
【図６】従来技術における配線回路基板に絶縁膜を形成する工程を示す基板の断面図である。
【図７】従来技術における配線回路基板を用いた多層配線基板の製造方法を工程順に示す基板の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００ 配線回路基板
１０１ 配線形成用金属層
１０２、１０７ エッチングストッパー層
１０３ バンプ形成用金属層
１０４ レジスト
１０５ レジストマスク
１０６ バンプ
１０８ 絶縁シート（絶縁膜）
１０９ 保護シート
１１０、１２０ 配線回路基板
１３０ 多層金属板
【出願人】 【識別番号】５９８０２３０９０
【氏名又は名称】株式会社ノース
【住所又は居所】東京都豊島区南大塚三丁目３２番１号
【出願日】 平成１５年１０月３０日（２００３．１０．３０）
【代理人】 【識別番号】１０００８１４１１
【弁理士】
【氏名又は名称】三澤 正義
【公開番号】 特開２００５−１３６２０７（Ｐ２００５−１３６２０７Ａ）
【公開日】 平成１７年５月２６日（２００５．５．２６）
【出願番号】 特願２００３−３７０８５１（Ｐ２００３−３７０８５１）