| 【発明の名称】 |
多層基板およびその製造方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】楫野 隆
【住所又は居所】東京都中央区日本橋一丁目１３番１号 ＴＤＫ株式会社内
【氏名】佐々木 正美
【住所又は居所】東京都中央区日本橋一丁目１３番１号 ＴＤＫ株式会社内
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| 【要約】 |
【課題】薄型化が可能で、量産性に優れ、パターン精度、積層精度および絶縁層の厚さ精度が高く、信頼性の高い多層基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する転写用基板１ａ〜１ｆに導体パターン２ａ〜２ｆを形成する。転写用基板１ａ〜１ｆの導体パターン２ａ〜２ｆ形成面を対向させ、対向面間に樹脂シート４ａ〜４ｄを挟んで固着する。樹脂シート４ａ〜４ｄを固着した２枚の積層素体シート６ａ、６ｂ、または６ｃ、６ｄの一方の転写用基板を剥離し、剥離面間に新たな樹脂シート４ｅ、４ｆを挟んで固着する。このような工程を必要回数繰り返すことにより多層基板を得る。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する転写用基板に導体パターンを形成し、
導体パターンを形成した２枚の転写用基板の導体パターン形成面間に樹脂シートを挟んで固着して積層素体シートを構成し、
２枚の積層素体シートのそれぞれ片面の転写用基板を剥離して、剥離面間に、新たな樹脂シートを挟んで固着するという工程を必要回数繰り返して多層基板となる積層体を得ることを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の多層基板の製造方法において、
前記転写用基板としてステンレス板を用いることを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多層基板の製造方法により得られる多層基板であって、前記樹脂シートにより構成される絶縁層が、機能材料粉末を含有するビニルベンジル樹脂からなることを特徴とする多層基板。
【請求項４】
請求項１または２に記載の多層基板の製造方法により得られる多層基板であって、前記樹脂シートにより構成される絶縁層が芯材を含まない材料からなることを特徴とする多層基板。
【請求項５】
請求項３または４に記載の多層基板であって、コンデンサを内蔵していることを特徴とする多層基板。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂材料または樹脂に粉末を混合した複合材料を用いて構成される積層構造の多層基板（電子部品として構成される場合を含む）とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂材料または樹脂にセラミック等の粉末を混合した複合材料を用いて構成される多層基板の製造方法として従来より下記の２つの製造方法が採用されている。第１の方法は、スルーホール基板の例である。これは、両面に導体パターンを形成したコア基板を複数枚準備し、これらのコア基板間にそれぞれ半硬化状態のプリプレグを介して積層し、熱プレスによりプリプレグを硬化させて複数枚のコア基板を一体化し、その後、この積層体にスルーホールを開けてそのスルーホールにメッキを施して内部導体間を接続する方法である（例えば特許文献１、図３参照。）。この場合、導体パターンの形成方法として、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法が採用される。
【０００３】
第２の方法は表層ＢＶＨ（ブラインドビアホール）を用いるビルドアップ工法である（例えば特許文献２参照。）。この方法は、導体パターンを形成したコア基板の両面にプリプレグによる絶縁層と銅箔とを熱圧着し、銅箔をパターニングするという工程を繰り返し、その後、スルーホールによって異なる層の導体どうしを接続する。そして最外層の導体とその１つ内側の層の導体とをＢＶＨにより接続する。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−１５１８５６公報
【特許文献２】
特開２００２−３１９７６４号公報。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記特許文献１に記載の多層基板の製造方法は、ハンドリングにおけるコア基板の機械的強度が必要であるため、コア基板や接着層であるプリプレグはガラスクロス等の芯材入りとする必要があり、このため各層の厚さを薄くすることができず、通常はコア基板の厚さは６０μｍより薄くすること困難であり、薄型化が困難であるという問題点がある。
【０００６】
また、機械的強度向上のため、前記芯材を必ず入れる必要があるが、コンデンサを形成する場合には誘電率が低下し、また、コンデンサ電極間の暑さが薄くできないことから、充分な容量がとれないという問題点がある。
【０００７】
また、層間のアライメントはピンアライメントが主たる手法であり、積層精度（導体パターンのずれ）が悪く、通常、最大５０〜１００μｍ程度のずれが生じるおそれがある。
【０００８】
一方、前記特許文献２に記載のビルドアップ工法は、工程数が多くなり、量産性の面で劣るという問題点がある。また、前記特許文献１に記載の方法と同様に、コア基板には機械的強度が要求され、薄型化、高密度化が困難である。
【０００９】
また、銅箔に代えて無電解めっき上にレジストパターンを形成し、電解めっきを施して導体パターンを形成する方法もあるが、無電解めっきをクイック（ソフト）エッチングする必要があり、また無電解めっき用の下地触媒（Ｐｄ等）の残渣等によって特に内部積層部にマイグレーションや腐食を生じやすくなり、信頼性が低下するという問題点があった。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑み、薄型化が可能で、量産性に優れ、パターン精度、積層精度が良好であり、かつ信頼性の高い多層基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の多層基板の製造方法は、導電性を有する転写用基板に導体パターンを形成し、
導体パターンを形成した２枚の転写用基板の導体パターン形成面間に樹脂シートを挟んで固着して積層素体シートを構成し、
２枚の積層素体シートのそれぞれ片面の転写用基板を剥離して、剥離面間に、新たな樹脂シートを挟んで固着するという工程を必要回数繰り返して多層基板となる積層体を得ることを特徴とする。
【００１２】
（２）また、本発明の多層基板の製造方法は、前記（１）において、
前記転写用基板としてステンレス板を用いることを特徴とする。
【００１３】
（３）本発明の多層基板は、前記（１）または（２）に記載の多層基板の製造方法により得られる多層基板であって、前記樹脂シートにより構成される絶縁層が、機能材料粉末を含有するビニルベンジル樹脂からなることを特徴とする。
【００１４】
（４）また、本発明の多層基板は、前記（１）または（２）に記載の多層基板の製造方法により得られる多層基板であって、前記樹脂シートにより構成される絶縁層が芯材を含まない材料からなることを特徴とする。
【００１５】
（５）また、本発明の多層基板は、前記（３）または（４）に記載の多層基板であって、コンデンサを内蔵していることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１ないし図６は本発明の多層基板の製造方法の一実施の形態を示す図である。図１の例はフルアディティブ法により転写用基板１上に導体パターン２を形成する方法である。図１（Ａ）において、１は転写用基板であり、該転写用基板１には導電性を有する材料が用いられ、強度、平滑性、耐腐食性、メッキ金属の剥離性を有するものが好ましい。このような転写用基板１として、ステンレス、チタン、タングステン、タンタル、鉄、アルミニウム、ニッケル等のように、表面に不動態膜（多孔質の酸化膜）が形成されやすい金属であれば使用可能である。なかでも、ステンレス板を用いることが、強度、平滑性、耐腐食性、メッキ金属の剥離性を得やすいという点で好ましい。
【００１７】
図１（Ｂ）に示すように、前記転写用基板１上に印刷あるいはフォトリソグラフィ技術によりレジストパターン３を形成する。そして図１（Ｃ）に示すように、転写用基板１の表面のレジストの形成されていない部分に、電気メッキ（フルアディティブ工法）により、コイル、配線、コンデンサ電極等の導体パターン２となる導体膜を形成する。
【００１８】
ここで、導体膜を形成する金属としては、銅、アルミニウム、ニッケル、金、銀、白金、錫、鉛等が用いられる。なかでも銅が抵抗率が低いことと、耐マイグレーション性が良いこと、およびコストが安い点で好ましい。導体パターン２を形成した後、図１（Ｄ）に示すように、前記レジストパターン３を除去する。
【００１９】
このような工程により転写用基板１に導体パターン２を形成する際、転写用基板１は、その表面粗さＲｍａｘが０．２〜２μｍの範囲にあることが好ましい。Ｒｍａｘが０．２μｍ未満であるとレジストおよび導体パターンと転写用基板１との密着性が不充分となり、剥離しやすくなるために好ましくない。また、Ｒｍａｘが２μｍを超えると、導体パターンの膜厚のばらつきに影響し、また、高周波用に用いる場合には、導体損失が増大するので好ましくない。導体パターン２として銅を用い、転写用基板１にステンレス板を用いる場合、ステンレス板の表面は銅との剥離性を確保するために、不動態化処理により不動態膜を形成することが好ましい。
【００２０】
多層基板を作製する場合、図１に示したような導体パターン２を形成した転写用基板１を必要枚数だけ準備する。図２は本実施の形態の多層基板を作製するため、導体パターン２ａ〜２ｆをそれぞれ形成した６枚の転写用基板１ａ〜１ｆを準備する例を示す。本例では説明の簡略化のために同一の導体パターン２ａ〜２ｆを示しているが、作製する多層基板が内蔵する配線や素子（インダクタやコンデンサ等）の構成に対応して各導体パターン２ａ〜２ｆの形状で形成される。なお理解を容易にするために、図２においては、最終製品における層の上下の向きに合わせて転写用基板１ａ〜１ｆが描いてある。
【００２１】
図２に示した導体パターン２ａ〜２ｆを有する転写用基板１ａ〜１ｆを用い、図３ないし図６に示す工程で多層基板を作製する。図３は前記転写用基板のうち、最上層の転写用基板１ａと最下層の転写用基板１ｆについての樹脂シート４ａ（または４ｄ）への転写工程を示す。図３（Ａ）に示すように、４ａ（４ｄ）はＰＥＴフィルム５上に所定の厚みで形成されたものであり、樹脂シート４ａ（４ｄ）への転写の際には、ＰＥＴシート５を上にして樹脂シート４ａ（４ｄ）を転写用基板１ａ、（１ｆ）の導体パターン２ａ（２ｆ）形成面上に重ね、ＰＥＴシート５を剥離し、図３（Ｂ）に示すように樹脂シート４ａ（４ｄ）上に別の転写用基板１ｇ（または１ｈ）を重ねて固着する。この固着工程において、加熱状態で圧着して樹脂を硬化させる。この加熱温度はビニルベンジル樹脂の場合は好ましくは１９０〜２１０℃である。
【００２２】
図４は前記転写用基板１ｂと１ｃ（または１ｄと１ｅ）をそれぞれ樹脂シート４ｂ（または４ｃ）に転写する工程を示している。この場合も、前記ＰＥＴフィルム５を剥離した樹脂シート４ｂ（４ｃ）を導体パターン２ｃ（２ｅ）を形成した転写用基板１ｃ（１ｅ）上に重ね、その上に導体パターン２ｂ（２ｄ）側を下にして転写用基板１ｂ（１ｄ）を重ね、前記同様に熱プレスにより一体化する。前記樹脂シート４ａ〜４ｄが絶縁層となる。
【００２３】
図５（Ａ）は上記のように転写用基板と樹脂シートとを一体化した積層素体シート６ａ〜６ｄを示す。
【００２４】
図５（Ａ）のように、前記工程で得られた積層素体シート６ａ、６ｂのそれぞれ接合すべき面の転写用基板１ａ、１ｂを剥離すると、表面に導体パターンが２ａ、２ｂが、樹脂シート４ａ、４ｂの表面と同一面に形成された、すなわち導体パターン２ａ、２ｂが樹脂シート４ａ、４ｂに埋設されたものが得られる。このように転写用基板１ａ、１ｂを剥離した剥離面どうしの間に、新たに樹脂シート４ｅを挟んで図３、図４の場合と同様に熱圧着して図５（Ｂ）に示すように新たに積層素体シート７ａを得る。
【００２５】
積層素体シート６ｃ、６ｄについても同様に、接合すべき面の転写用基板１ｅ、１ｆを剥離し、導体パターン２ｅ、２ｆが表面に露出した樹脂シート４ｃと４ｄとの間に新たに樹脂シート４ｆを挟んで積層素体シート６ｃ、６ｄどうしを熱圧着して、図５（Ｂ）に示すように、新たに積層素体シート７ｂを得る。
【００２６】
その後、図５（Ｂ）に示した積層素体シート７ａ、７ｂの接合すべき面の転写用基板１ｃ、１ｄを剥離し、図５（Ｃ）に示すように、この積層素体シート７ａ、７ｂ間に新たに樹脂シート４ｇを挟んで積層素体シート７ａ、７ｂどうしを熱圧着することにより、導体パターン２ｃ、２ｄ間に樹脂シート４ｇを介在させて絶縁層とした積層素体シート８を得る。
【００２７】
前記樹脂シート４ａ〜４ｇは、導体パターンとしてコンデンサ電極を形成する場合、コンデンサ電極の導体層の厚さは樹脂シート４ａ〜４ｇの厚さの１０倍以下、好ましくは５倍以下、さらに好ましくは３倍以下、最も好ましくは２倍以下であり、薄型化するほど静電容量の増大効果が顕著である。
【００２８】
また、導体パターン２ａ〜２ｆは、表面を粗化することにより、樹脂シート４ａ〜４ｇとの接着強度を高めることが好ましい。この導体パターン２ａ〜２ｆの粗化には、例えばシプレイファーストイースト社製のプロボンド８０のような黒化処理、メック社製のＣＺ処理（蟻酸による表面の粗化）、日本マクダーミッド社のマルチボンド処理（硫酸過水系のエッチング液による粗化）等を用いることが好ましい。なかでも塩素フリー化できる点で硫酸過水系のエッチング液による粗化が好ましい。
【００２９】
また、前記転写用基板１として平滑面を有するものを用いることにより、転写により樹脂シート４ａ〜４ｄに埋設して形成された導体パターン２ａ〜２ｆの表面と樹脂シート４ａ〜４ｄとは平滑となる。ここで平滑とは、導体パターン２ａ〜２ｆを構成する導体膜の表面の段差が、導体膜の厚さの１／２以下、好ましくは１／３以下、さらに好ましくは１／４以下の値になるように形成されることをいう。
【００３０】
図５（Ｃ）のように積層素体シート８について、図６（Ａ）に示すように、前記積層素体シート８の表裏面の転写用基板１ｇ、１ｈを剥離して積層素体シート９を得る。続いて図６（Ａ）に示すように、積層素体シート９の必要個所にスルーホール１０を開け、さらに図６（Ｂ）に示すように、積層素体シート９の表裏面と最も表裏面に近い層の導体パターン２ａ、２ｆの一部をビアホール１１により露出させる。
【００３１】
その後、図６（Ｃ）に示すように、無電解めっきにより積層素体シート９の表裏面、スルーホール１０およびビアホール１１に電解めっきのための下地導体層１２を形成する。つづいて図６（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ工法を用いて積層素体シート９の表裏面に導体パターン２ｇ、２ｈを形成する。その後、図６（Ｅ）に示すように下地導体層１２をクイックエッチングにより除去する。その後、個々の製品ごとに切断して製品とする。
【００３２】
前記樹脂シート４ａ〜４ｇとしては、高周波特性を考慮して、１ＧＨｚにおいてＱ＞１００の有機材料が好ましく、ビニルベンジル樹脂（Ｑ＝２００〜２５０）の他、高周波用ＢＴレジン（Ｑ＝１５０〜５００）等の使用も可能である。このようなＱ値の高い樹脂を用いることにより、高いＱ値の多層基板を得ることができる。転写用基板１に対する剥離性が確保できれば他の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いることも可能である。
【００３３】
なお、機械的強度を必要とする場合には、ガラスクロス、アラミド不織布、フッ素樹脂製多孔質シート等の芯材を用いることができる。しかしながら、ガラスクロス等の芯材の凹凸の影響で、樹脂シートにより形成される絶縁層の表面にも凹凸が生じるので、導体パターン２ａ〜２ｆ間の厚みのばらつきが大きくなる上、芯材と樹脂との隙間から吸湿して信頼性を低下させることになるので、できれば芯材を入れない方が好ましい。
【００３４】
樹脂シート４ａ〜４ｇには、目的に応じて適宜の粉末、例えば高誘電率の粉末や磁性体粉末等を混合してもよい。表１はビニルベンジル樹脂とこれに高誘電率フィラー（誘電率が約９０のＢａ−Ｔｉ−Ｎｂ系セラミック）を混合した樹脂シートの一例の誘電率およびＱ値を示す。多層基板内にコンデンサを構成する場合、高誘電率の粉末を混合することによってより高い容量のコンデンサを得ることができる。
【００３５】
【表１】
【００３６】
本実施の形態によれば、下記の種々の効果をあげることができる。
（１）薄型化、高密度化が可能である。
機械的強度の大きなステンレス板等の転写用基板１を用いている上、全工程において、少なくとも片方に転写用基板があるので、樹脂シート４ａ〜４ｇからなる層間絶縁層そのものには機械的強度が要求されず、薄型化、高密度化が可能である。
【００３７】
（２）下記の理由で量産性に優れている。
（ａ）最初に転写用基板に導体パターンを一括して形成するのでリードタイム（製造時間）が短い。
（ｂ）積層素体シートを２枚ずつ積層していくので、ビルドアップ工法に比較して積層回数が少ない。
（ｃ）導電性転写用基板に直接導体パターンを形成する転写工法を用いているので、プリプレグ上にまず下地導体層を形成してその上にレジストパターンの形成、電解めっきによる導体パターンの形成を行うセミアディティブ工法に比較して下地導体層形成工程、下地導体層のエッチング工程が不要である。
【００３８】
（３）下記の理由でパターン精度、積層精度が良好である。
（ａ）転写用基板に導体パターンを直接電解めっきにより形成するフルアディティブ工法を採用できるので、パターニング精度が良好である。
（ｂ）積層時に基板の片面に必ず機械的強度の優れる転写用基板があるので、プレス前後の積層素体シートの縮率が小さい。
（ｃ）図７に示すように、転写用基板１にピンアライメント用の孔１３および導体パターンのアライメント用の孔１４またはマークを設けておき、これらの孔１４やマークをレジストパターン３形成のための位置合わせに用いれば、層間のアライメントはこれらの孔１３、１４やマークの位置合わせを行うことで転写用基板１を基準にして行えるので、積層精度（導体パターン２の横方向のずれの精度）がよい。
【００３９】
（４）下記の理由で樹脂シート４ａ〜４ｇによる相間絶縁層の厚さの精度がよい。
（ａ）樹脂シートへの転写のための一番最初のプレス以外は、転写用基板１の表面が平滑であるので、プレス時の樹脂の流れのむらがなく、また、プレス圧力が下げられる。
（ｂ）一番最初のプレス時に転写用基板の厚さ精度（厚さのばらつき）を小さく（例えば±２μｍ）することができるので、その結果、樹脂シートのプレス後の厚みのばらつきを小さくすることができる。
【００４０】
（５）少なくとも内部積層部においては、無電解めっき工程が不要になるので、エッチング液や触媒の残渣による信頼性の低下の問題を解決できる。
【００４１】
実施例１
（導体パターンの形成）図７に示すように、７６ｍｍ角、０．１ｍｍ厚のステンレス板（ＳＵＳ３０４ＴＡ材）１の４隅の所定の位置に直径３ｍｍの転写用基板積層時のピンアライメント用の穴１３を設けると共に、中央部の両端の所定の位置に０．２ｍｍの導体パターンアライメント用孔１４を開けたものを転写用基板として用いた。この転写用基板上に２５μｍ厚のドライフィルムでライン幅およびライン間隔（Ｌ＆Ｓ）が２０μｍのレジストパターンを形成して、硫酸銅めっき液で導体パターンを形成した。その後、有機系剥離液でレジストを剥離した後、黒化処理で銅でなる導体パターンの表面のみを選択的に粗面化した。
【００４２】
（絶縁層の形成）ビニルベンジル樹脂に高誘電率フィラーを４０ｖｏｌ％混合したものをＰＥＴフィルム上に４０μｍの厚さに形成して樹脂シートとした。この樹脂シートの１ＧＨｚにおける誘電率は１５であった。これを図３、図４に示したように、転写用基板間に挟み、２００℃の加熱状態で真空プレスで一体化した。プレス後の樹脂シートからなる絶縁層の厚さは２０μｍであった。
【００４３】
（絶縁層の形成）図５、図６で示したように、一方に転写用基板を剥離してその剥離面間に前記材質でなる樹脂シートを介在させてプレスするという工程と、表裏面の転写用基板を剥離する工程により、導体パターン２ａ〜２ｆ、絶縁層４ａ〜４ｇからなる積層素体シート９を得た。
【００４４】
（スルーホール、ビアホールの形成）図６（Ａ）、（Ｂ）に示したように、前記積層素体シート９にドリルにより直径０．２ｍｍのスルーホール１０を開けた。その後、レーザによりトップ径が７０μｍ、ボトム径が５０μｍのビアホール１１を形成した。
【００４５】
（表裏面の導体パターンの形成）無電解めっきにより、下地導体層１２として銅を０．３μｍの厚さに形成した。その後、レジストとして２５μｍ厚のドライフィルムを使用してライン幅およびライン間隔が２０μｍのレジストパターンを形成した。そして硫酸銅めっき液を使用して導体パターン２ｇ、２ｈを形成した。その後、クイックエッチングにより下地導体層１２を除去した。
【００４６】
（結果）実施例１の場合、リードタイム：２２時間、サンプル数が１シートで、絶縁層４ａ〜４ｈの層数が８層の場合の導体厚：２０μｍ±２μｍ、導体幅：２０μｍ±２μｍ、絶縁層厚：２０±２μｍ、積層精度：±２０μｍであった。
【００４７】
比較例１（ビルドアップ工法）
（コア基板）コア基板に１００μｍ厚のガラスクロス入りビニルベンジル樹脂を用いた。このコア基板に無電解めっきにより下地導体層を０．３μｍを形成した後、レジストパターンの形成、導体パターンの形成、クイックエッチングを、前記実施例１における積層素体シートの表裏面の導体パターンの形成と同様に行った。
【００４８】
（絶縁層の形成）ビニルベンジル樹脂に高誘電率フィラーを４０ｖｏｌ％混合したものを１８μｍ銅箔の上に４０μｍの厚みに形成した樹脂付き銅箔を、樹脂面をコア基板側にして熱プレスにより固着した。プレス後の絶縁層の１ＧＨｚにおける誘電率εは９．２であった。
【００４９】
（導体パターンの形成）前記実施例１における積層素体シートの表裏面に対する導体パターンの形成と同様に、下地導体層の形成、レジストパターンの形成、導体パターンの形成、クイックエッチングを行った。
【００５０】
（結果）リードタイム：３８時間、サンプル数が１シートで、絶縁層の層数が８層の場合の導体厚：２０μｍ±４μｍ、導体幅：２０μｍ±４μｍ、絶縁層厚：２０±３μｍ、積層精度：±２０μｍであった。
【００５１】
比較例２（プリプレグによる同時プレス）
コア基板に１００μｍ厚のガラスクロス入りビニルベンジル樹脂を用いた。このコア基板は両面に銅箔を貼り付けたものである。導体パターン形成のためのパターニングは、サブトラクティブ工法により行った。このライン幅およびライン間隔は６０μｍである。
【００５２】
（プレス）このようにして形成した４枚のコア基板を、コア基板間にそれぞれプリプレグを介在させて積層し、熱プレスにより一体化した。
【００５３】
（スルーホール、導体パターンの形成）実施例１と同様に、スルーホール形成、無電解めっき、レジストパターンの形成、硫酸銅めっき液を用いた電解めっきにより、２０μｍの厚みに銅でなる導体パターンを形成した。
【００５４】
（結果）リードタイム：１７時間、サンプル数が１シートで、絶縁層の層数が８層の場合の導体厚：１８μｍ±２μｍ、導体幅：６０μｍ±６μｍ、絶縁層厚：４０±５μｍ、積層精度：±５０μｍであった。
【００５５】
実施例２
前記実施例１における絶縁層の代わりにガラスクロス入りで厚さ６０μｍのプリプレグを使用した。このプリプレグの材質は実施例１と同じである。この場合、誘電率は１０に低下した。
【００５６】
（結果）リードタイム：２２時間、サンプル数が１シートで、絶縁層の層数が８層の場合の導体厚：２０μｍ±２μｍ、導体幅：２０μｍ±２μｍ、絶縁層厚：４０±２μｍ、積層精度：±２０μｍであった。
【００５７】
これらの実施例１、２によれば、比較例１のビルドアップ工法に比較してリードタイムを約半分に短縮でき、複数枚のコア基板をプレスにより同時に一体化する場合に近い短いリードタイムに短縮できる。また、比較例２の銅箔をサブトラクティブ工法によりパターン化する場合に比較し、導体厚さおよび幅の精度を向上させることができる。また、絶縁層厚さの精度、積層精度を向上させることができる。
【００５８】
本発明は、多層基板はその上に半導体素子やチップ部品を搭載したものとして構成することができ、また、多層構造を有する個々の電子部品として構成する場合にも本発明を適用することができる。本発明は、多層基板内にコンデンサが形成される場合あるいはコンデンサを含む電子部品として構成される場合、絶縁層（誘電体層）の薄型化が可能となることにより、高容量のコンデンサを実現することが可能となり、同じ取得容量であれば、電極面積を小さくすることができ、基板の小型化を図ることができる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、機械的強度の大きなステンレス板等の転写用基板を製造に用いているので、樹脂シートからなる層間絶縁層そのものには機械的強度が要求されず、薄型化が可能である。
【００６０】
また、転写用基板に導体パターンを一括して形成しておくことができ、また、アディティブ工法を採用して導体パターンの形成が行え、下地電極層の形成、除去が不要になるので、製造時間を短縮でき、量産性に優れている。
【００６１】
また、転写用基板に導体パターンを直接電解めっきにより形成することができ、サブトラクティブ工法のように銅箔パターンにエッチングを行なわないことで、パターニング精度を向上させることができる。また、機械的強度の優れる転写用基板の使用により、プレス前後の積層素体シートの縮率が小さいため、導体パターンのずれが少なく、さらに転写用基板に位置合わせのための孔やマークにより導体パターン位置合わせを行うこともできるので、積層精度がよい。
【００６２】
また、最初のプレスを除き、転写用基板の表面を平滑にでき、プレス時の樹脂の流れのむらがなく、また、プレス圧力が下げられる上、一番最初のプレス時に積層素体シートの厚さのばらつきを小さくすることができる。その結果、樹脂シートのプレス後の厚みのばらつきを小さくすることができ、相間絶縁層の厚さの精度を向上させることができる。
【００６３】
また、少なくとも内部積層部においては、無電解めっき工程が不要になるので、エッチング液や触媒の残渣がなく、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による多層基板の製造方法の一実施の形態を示す導体パターンの形成工程を示す図である。
【図２】本発明の多層基板の製造方法の一実施の形態における導体パターン形成転写用基板の構成例を示す図である。
【図３】本実施の形態における転写工程の一部を示す図である。
【図４】本実施の形態における転写工程の残部を示す図である。
【図５】本実施の形態における積層工程を示す図である。
【図６】本実施の形態におけるスルーホール、ビアホールおよび積層体表裏面の導体パターン形成工程を示す図である。
【図７】本発明において用いる転写用基板の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１、１ａ〜１ｆ：転写用基板、２、２ａ〜２ｆ：導体パターン、３：レジストパターン、４ａ〜４ｇ：樹脂シート（絶縁層）、５：ＰＥＴフィルム、６ａ〜６ｄ、７ａ、７ｂ、８、９：積層素体シート、１０：スルーホール、１１：ビアホール、１２：下地電極層、１３：ピンアライメント用孔、１４：導体パターンアライメント用孔
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００３０６７
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
【住所又は居所】東京都中央区日本橋１丁目１３番１号
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| 【出願日】 |
平成１５年６月２７日（２００３．６．２７） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００８１５６９
【弁理士】
【氏名又は名称】若田 勝一
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| 【公開番号】 |
特開２００５−１９８８３（Ｐ２００５−１９８８３Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１７年１月２０日（２００５．１．２０） |
| 【出願番号】 |
特願２００３−１８５６７８（Ｐ２００３−１８５６７８） |
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