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【発明の名称】 |
高圧ガス導入方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】甲斐 哲也
【住所又は居所】神奈川県川崎市中原区市ノ坪３７０番地 東横化学株式会社内 |
【課題】断熱圧縮により配管内が発火点以上には発熱しないようにして、可燃性ガスの場合でも発火爆発の危険性の無いようにした高圧ガス導入方法を提供する。
【解決手段】多数のガスボンベを収納したカードル中の一部のガスボンベのバルブを開いて送気元弁まで高圧ガスを導入し、それから前記カードル中の残りのガスボンベを開くことによって、配管内が発火点以上の温度にならないようにした。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のガスボンベを収納したカードル中の一部のガスボンベのバルブを開いて送気元弁まで高圧ガスを導入し、それから前記カードル中の残りのガスボンベを開くことを特徴とする高圧ガス導入方法。
【請求項２】
前記高圧ガスを導入した後、該送気元弁を開いて送気元弁と減圧部との間を結ぶガス供給ラインに取り付けられたバルブまで高圧ガスを導入し、それから前記送気元弁を閉じて前記カードル中の残りのガスボンベを開く請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記送気元弁と減圧部との間は、送気元弁と半導体製造装置との間である請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ガスボンベを開閉する弁及び送気元弁は、空気圧によって自動的に開閉し得る弁である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記送気元弁を開く前に、最初に開いた一部のガスボンベのバルブを閉じる請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
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【発明の詳細な説明】【技術分野】
【０００１】
この発明は、断熱圧縮に伴って配管内が発熱し、可燃性ガスが発火して爆発する等のトラブルが生じないようにした高圧ガス導入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置にガスを供給するには、多数のガスボンベを収容したカードルから供給していた。
【０００３】
しかして従来は、カードル内のガスボンベの全てを同時に開いて、ガスを配管内に導入していたので、断熱圧縮により配管内が発火点以上に発熱し、可燃性ガスの場合は、発火爆発する危険性があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明は、このような点に着目してなされたものであり、断熱圧縮により配管内が発火点以上には発熱しないようにして、可燃性ガスの場合でも発火爆発の危険性の無いようにした高圧ガス導入方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的に沿う本発明の構成は、多数のガスボンベを収納したカードル中の一部のガスボンベのバルブを開いて送気元弁まで高圧ガスを導入し、それから前記カードル中の残りのガスボンベを開いて配管内が発火点以上の温度にならないようにしたことを特徴とする。
【０００６】
前記高圧ガスを導入した後、該送気元弁を開いて送気元弁と減圧部との間を結ぶガス供給ラインに取り付けられたバルブまで高圧ガスを導入し、それから前記送気元弁を閉じて前記カードル中の残りのガスボンベを開くのが好ましい（請求項２）。
【０００７】
前記送気元弁と減圧部との間は、送気元弁と半導体製造装置との間であるのが好ましい（請求項３）。
【０００８】
前記ガスボンベを開閉する弁及び送気元弁は、空気圧によって自動的に開閉し得る弁とするのが良い（請求項４）。
【０００９】
前記送気元弁を開く前に、最初に開いた一部のガスボンベのバルブを閉じるのが安全上の理由から好ましい（請求項５）。
【００１０】
本発明は、カードル内のガスボンベの一部（好ましくは１本）を開いた後、残りのガスボンベを開くことにより、断熱圧縮による配管内の発熱温度を発火点以下に低減させ、可燃性ガスの発火爆発の危険性を無くしたことを要旨とするものである。要するに多量の高圧ガスを一気に配管内に導入すると、エネルギーが高まって発火点以上になるが、分けて導入することによって、高圧ガス温度が発火点以上に高まらないようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数回に分けてボンベを開くことにより、断熱圧縮による配管内の発熱を発火点以下に減少させたので、カードルからの配管内へのガス導入に際して、発火爆発の危険性を無くすことができるという、画期的な効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の一実施例を示すものであり、１５本のガスボンベが、かご部材３内に収容されて、カードルを形成している。
【００１３】
まず、ニューマチック弁駆動用電磁弁（DA1）開でガスボンベ１のみを開き、高圧ガスをニューマチック弁（送気元弁）２までの配管内に導入して、電磁弁（DA1）閉でガスボンベ１を閉じる。
【００１４】
ついで、ニューマチック弁駆動用電磁弁（DA３）開でニューマチック弁（送気元弁）２を開いて、高圧ガスをバルブAV1A、AV1B、AV2、AV4及びAV５まで導入して、ニューマチック弁（送気元弁）２を閉じる。
【００１５】
それから、DA1及びDA2（DA1を除く残りの全てのガスボンベの電磁弁）の電磁弁開で全てのガスボンベを開いた後、DA3の電磁弁開によってニューマチック弁（送気元弁）２を開く。
【００１６】
バルブSV1は開いているので、高圧ガス（反応ガス）はバルブAV1A及びAV1Bに達する。バルブAV1AとAV１Bを開くと、高圧ガス（反応ガス）は減圧部を経て、半導体製造装置に導入される。
【００１７】
バルブAV５は、カードルを交換するときに使用するものであり、全てのカードルを交換する前に、不活性ガスを配管内に導入して、配管内のガス（反応ガス）を追い出すために使用するものである。
【００１８】
上記実施例においては、ガスボンベ１本を開けた後、残りのガスボンベを開けているが、複数本開けたのち、残りのガスボンべを開けても差し支えない。但し、最初に開ける本数が少ないほど、断熱圧縮により上昇する温度を低くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
以上のべた如く、本発明によれば、極めて簡単な操作により、配管内を発火点以上の温度にすることを回避することができるので、作業の安全性を確保するため、カードル式ガス供給設備の高圧ガス導入方法として使用する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施例を示す流体流路の構成を示す構成図である。
【符号の説明】
【００２１】
１………ガスボンベ
２………ニューマチック弁（送気元弁）
３………かご部材
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００２１９５６５
【氏名又は名称】東横化学株式会社
【住所又は居所】神奈川県川崎市中原区市ノ坪３７０番地
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| 【出願日】 |
平成１６年４月２６日（２００４．４．２６） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００８０２７４
【弁理士】
【氏名又は名称】稲垣 仁義
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| 【公開番号】 |
特開２００５−３０８１８５（Ｐ２００５−３０８１８５Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１７年１１月４日（２００５．１１．４） |
| 【出願番号】 |
特願２００４−１２９６８４（Ｐ２００４−１２９６８４） |
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