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【発明の名称】 機能性デバイスの製造方法、インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェット記録ヘッド、インクジェット記録装置
【発明者】 【氏名】福川 敦
【住所又は居所】神奈川県海老名市本郷２２７４番地 富士ゼロックス株式会社内

【氏名】片岡 雅樹
【住所又は居所】神奈川県海老名市本郷２２７４番地 富士ゼロックス株式会社内

【氏名】村田 道昭
【住所又は居所】神奈川県海老名市本郷２２７４番地 富士ゼロックス株式会社内
【要約】 【課題】精度よく切断加工を行い、品質を向上させることができる機能性デバイス機能性デバイスの製造方法、及びインクジェット記録ヘッド、並びに、それにより得られたインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置を提供すること。

【解決手段】例えば、樹脂層４に被覆された加熱素子構造体（ヒータ１１など）が設けられたヒーターウエハ１（第１のシリコン単結晶基板）と、インク流路形成用溝が設けられたチャネルウエハ２（第２のシリコン単結晶基板）と、を接合した積層体を、切断位置５ｂでインク吐出口面を形成すると共に切断する切断工程を施す際、まず、ヒーターウエハ１を、当該ウエハ側から所定の深さ（ダイシングエリア３１）まで切削する（第１切削工程）。次に、インク吐出口面が形成される近傍（エッチングエリア３２〜３４）を、ドライエッチングにより除去する。そして、チャネルウエハ２を、当該ウエハ側から所定の深さ（ダイシングエリア３５）まで切削する。これにより、寸法精度が要求されるインク吐出口面が寸法精度良く形成されると共に、切断が実施される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコン単結晶基板と、第２のシリコン単結晶基板と、前記第１及び２のシリコン単結晶基板間に設けられた機能性デバイス構成部を備えた積層体を切断する切断工程を有する機能性デバイスの製造方法であって、
前記切断工程は、
前記第１のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第１切削工程と、
前記機能性デバイス構成部近傍を、エッチングにより除去するエッチング工程と、
前記第２のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第２切削工程と、
を有することを特徴とする機能性デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１及び２のシリコン単結晶基板のいずれかの面には、前記エッチング工程を施すためのマスクが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程は、ドライエッチングにより行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングに、フロン系のガスを用いることを特徴とする請求項３に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記フロン系のガスはＣ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４、及びＣＨＦ３より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項４に記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程により除去された端面に、撥水処理を施すことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の機能性デバイスの製造方法。
【請求項７】
有機膜に被覆された加熱素子構造体が設けられた第１のシリコン単結晶基板と、インク流路形成用溝が設けられた第２のシリコン単結晶基板と、を接合した積層体を、インク吐出口面を形成すると共に切断する切断工程を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、
前記切断工程が、
前記第１のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第１切削工程と、
前記インク吐出口面が形成される近傍を、ドライエッチングにより除去するエッチング工程と、
前記第２のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第２切削工程と、
を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程は、
前記第１切削工程後に残った前記第１のシリコン単結晶基板を、当該基板側からエッチングにより除去する第１エッチング工程と、
前記有機膜を、エッチングにより除去する第２エッチング工程と、
前記第２のシリコン単結晶基板を、前記第１のシリコン単結晶基板側からエッチングにより所定の深さまで除去する第３エッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１のシリコン単結晶基板には、前記有機膜を除去する前記第２エッチング工程を施すためのマスクが設けられていることを特徴とする請求項８に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び２のシリコン単結晶基板のいずれかの面には、前記エッチング工程を施すためのマスクが設けられていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング工程は、ドライエッチングにより行われることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記ドライエッチングに、フロン系のガスを用いることを特徴とする請求項１１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記フロン系のガスはＣ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４、及びＣＨＦ３より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記エッチング工程により除去された端面に、撥水処理を施すことを特徴とする請求項７〜１３のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
請求項７〜１４のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法により得られたことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１６】
請求項７〜１４のいずれか１項に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法により得られたインクジェット記録ヘッドを備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２つの基板を接合して得られる機能性デバイスの製造方法、及びインクジェット記録ヘッドの製造方法、並びに、それにより得られたインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
機能性デバイスの製造方法は、多種多様な方法が提案されているが、大量生産、低コスト化、品質安定化において有用な方法として、大面積基板で多数のデバイスチップを形成し、切断分離する方法が考えられている。特に、２枚のＳｉウエハを貼り合わせてダイシングすることにより、多数の均一なインクジェットヘッドを獲得する製造方法は、大量生産、低コスト化、品質安定化において有用な方法である。このような製造方法は、例えば特開昭６１−２３０９５４号公報、特開平１−１６６９６５号公報などに記載されている。
【０００３】
インクジェット記録ヘッドの製造方法に共通な技術として、ダイシング（切削加工）を用い、インクジェット記録ヘッドの切り出しを行っている。このとき、多くのインクジェット記録ヘッドの構造では、ダイシングによりインク液噴射方向性に大きく影響するノズル面を加工／形成すると同時に、噴射特性、特にインク液体積に大きく影響するインク流路長さが決定されることとなる。そのため、ダイシングの方法にも種々の提案がなされている。
【０００４】
例えば、特開昭６０−１９６３５４号公報に記載されている技術では、ヘッドの構成材料に合わせて、切削工程を２段階以上に分けて実施している。また、特開平２−１８４４５１号公報には、ダイシングで用いるブレードの径と回転速度で決定される周速を一定以上として、ダイシングを実施する方法が記載されている。特開平５−５７８９７号公報には、基板接合前にノズル口となる部分に溝入れを行っておき、その後に基板を接合して溝部で分離を行う方法が記載されている。特開平４−２３４６６６号公報には、ノズル口部分の樹脂層部をあらかじめパターンエッチングした後に、樹脂層部以外のノズル口となる部分に溝入れを行い、その後に基板を接合し、溝部で分離を行う方法が記載されている。これらの技術は、ノズル口の欠けがなく、寸法精度の良いヘッドを経済的に作製しようというものである。
【０００５】
一方、インクジェットヘッド以外の加工技術では特開平３−２８１１７０号公報、特開平４−２５７４０５号公報などに記載されているように、被切断の近傍にドレス材を固定し、切断しながら切断ブレードをドレス（目立て）することによって、常時、高切断品質を達成しようというものが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６１−２３０９５４号公報
【特許文献２】
特開平１−１６６９６５号公報
【特許文献３】
特開昭６０−１９６３５４号公報
【特許文献４】
特開平２−１８４４５１号公報
【特許文献５】
特開平５−５７８９７号公報
【特許文献６】
特開平４−２３４６６６号公報
【特許文献７】
特開平３−２８１１７０号公報
【特許文献８】
特開平４−２５７４０５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、インクジェット記録ヘッドのダイシング加工は、上述のようにインク流路長やノズル口の形状に影響するため、精度よく加工できるブレードが用いられる。用いるブレードとしては、極細径のダイヤモンドをレジン（樹脂）でコーティングしたレジンブレードが一般的に用いられている。しかし、このレジンブレードは軟質であり、切削加工中に次第に変形し、切削位置に誤差を生じるようになる。
【０００８】
また、上述の特開昭６０−１９６３５４号公報に記載されている技術では、単に複数回に分けて切削を行うだけであるので、高品質の吐出口を得るために軟質なレジンブレードを用いると、多数ラインの切削工程にわたり切削位置を高精度に保つことができない。また、特開平５−５７８９７号公報に記載されている技術では、高品質、高精度の切削が達成できるが、２枚の基板を精度よく接着しないと、吐出口の上部または下部がずれてしまい、インクの吐出方向に影響が出てしまう。特に６００ｄｐｉといった高密度化ヘッドにおいては、この影響が問題となるので技術的に課題が残る。
【０００９】
また、上述の特開平４−２３４６６６号公報、特開平４−２３４６６７公報に示されたノズル口部分の樹脂層部をあらかじめパターンエッチングした後に、樹脂層部以外のノズル口周囲となる部分をダイシングする方法では、樹脂層部分の切削がないのでブレードの目詰まりがなく、かつ、樹脂層部での切削によるバリがなく、良好な吐出口が得られる。しかし、吐出口部でパターンエッチングされた樹脂層の端部と、切削によって形成された基板端との間には、ダイシング位置精度に対応するずれが生じ、吐出口部に樹脂層の厚さだけの段差が発生する。この段差は、特に６００ｄｐｉといった高密度化ヘッドにおいては問題であり、ダイシング位置精度に課題が残る。
【００１０】
また、上述の特開平２−１８４４５１号公報に記載されている技術では、ブレードの周速を規定することにより、初期においては高品質の吐出口が得られる。しかし、多数のヘッドをダイシングにより取得する場合には、上述のようにレジンブレードが次第に変形し、後半での品質や精度が低下するという問題がある。また、品質を達成する条件は、切り込み深さと送り速度、及び研削水の供給が大きく関係しており、ブレードの周速だけで規定することは困難である。
【００１１】
また、インクジェットヘッド以外の加工技術としての、特開平３−２８１１７０号公報、特開平４−２５７４０５号公報などに記載されている技術では、常時、高切断品質を達成できるが、これらの加工技術では、ドレス材を被切削物と同時に固定しなければならず、作業性やコストの面で問題がある。
【００１２】
従って、本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、簡単に、しかも精度よく切断加工を行い、品質を向上させることができる機能性デバイス機能性デバイスの製造方法、及びインクジェット記録ヘッドの製造方法、並びに、それにより得られたインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明の機能性デバイスの製造方法は、第１のシリコン単結晶基板と、第２のシリコン単結晶基板と、前記第１及び２のシリコン単結晶基板間に設けられた機能性デバイス構成部を備えた積層体を切断する切断工程を有し、
前記切断工程は、前記第１のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第１切削工程と、前記機能性デバイス構成部近傍を、エッチングにより除去するエッチング工程と、前記第２のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第２切削工程と、を有することを特徴としている。
【００１４】
ここで、エッチング工程における機能性デバイス構成部近傍とは、第１切削工程及び第２切削工程によって残存する領域を示す。逆を言えば、第１切削工程及び第２切削工程における所望の深さとは、エッチング除去による機能性デバイス構成部を残存させるように切削するまでの深さを示す。
【００１５】
本発明の機能性デバイスの製造方法では、寸法精度が要求される機能性デバイス構成部近傍の切断領域を、例えばドライエッチングなどのエッチング処理により除去し、その他の切断領域を例えば回転切削刃による切削処理により、切断工程を行う。このため、簡易に、機能性デバイス構成部近傍の切断箇所が、高精度に寸法制御され、例えばＬＳＩ工程のルールであるサブミクロンレベルの寸法精度で切断することができる。
【００１６】
一方、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、有機膜に被覆された加熱素子構造体が設けられた第１のシリコン単結晶基板と、インク流路形成用溝が設けられた第２のシリコン単結晶基板と、を接合した積層体を、インク吐出口面を形成すると共に切断する切断工程を有し、
前記切断工程が、前記第１のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第１切削工程と、前記インク吐出口面が形成される近傍を、ドライエッチングにより除去するエッチング工程と、前記第２のシリコン単結晶基板を、当該基板側から所定の深さまで切削する第２切削工程と、を有することを特徴としている。
【００１７】
ここで、上記同様に、エッチング工程におけるインク吐出口面が形成される近傍とは、第１切削工程及び第２切削工程によって残存する領域を示す。逆を言えば、第１切削工程及び第２切削工程における所望の深さとは、エッチング除去によるインク吐出口面形成部を残存させるように切削するまでの深さを示す。
【００１８】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法では、寸法精度が要求されるインク吐出口面近傍の切断領域を、例えばドライエッチングなどのエッチング処理により除去し、その他の切断領域を例えば回転切削刃による切削処理により、切断工程を行う。このため、簡易に、インク吐出口面近傍の切断箇所が、高精度に寸法制御され、例えばＬＳＩ工程のルールであるサブミクロンレベルの寸法精度で切断することができる。
【００１９】
本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法において、エッチング工程は、前記第１切削工程後に残った前記第１のシリコン単結晶基板を、当該基板側からエッチングにより除去する第１エッチング工程と、前記有機膜を、エッチングにより除去する第２エッチング工程と、前記第２のシリコン単結晶基板を、前記第１のシリコン単結晶基板側からエッチングにより所定の深さまで除去する第３エッチング工程と、を有することがよい。
【００２０】
まず、上記第１切削工程において、第１のシリコン単結晶基板を所望の深さまで切削し、同じ第１のシリコン単結晶基板側からその残り部分を第１エッチング工程で除去する。そして、第２エッチング工程により有機膜を除去する。そして、第３エッチング工程により、第２のシリコン単結晶基板を所望の深さ、即ち、インク吐出口面が形成されるまでエッチングする。このようにエッチング処理を行うことで、確実にインク吐出口面が寸法精度よく形成されると共に、積層体を切断することができる。
【００２１】
この場合、前記第１のシリコン単結晶基板には、前記有機膜を除去する前記第２エッチング工程を施すためのマスクが設けられていることがよい。当該マスクを設けておくことで、有機膜のエッチングの際の寸法精度をさらに向上させることができる。
【００２２】
ここで、まず、第１切削工程を行った後、エッチング工程は、上記第２エッチング工程よりも先に行い、最後に上記第２工程を行うことがよい。エッチング工程を最後に行うと、エッチング処理装置内で、切断分割されてしまうことになり、分割されたヘッドの取り扱いが困難となることがあるためである。
【００２３】
また、前記第１及び２のシリコン単結晶基板のいずれかの面には、前記エッチング工程を施すためのマスクが形成されていることが好適である。
【００２４】
また、前記エッチング工程は、ドライエッチングにより行われることが、より簡易に、寸法精度が向上するため好適である。
【００２５】
また、前記ドライエッチングに、フロン系のガスを用いることが好適である。この前記フロン系のガスとしては、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４、及びＣＨＦ３より選択される少なくとも１種であることが好適である。
【００２６】
また、前記エッチング工程により除去された端面に、撥水処理を施すことが好適である。特に、インクジェット記録ヘッドの場合、インク吐出口面周辺が、撥水処理を施しておくことで、インク吐出特性が安定するため好適である。
【００２７】
このような撥水処理は、例えば、上記ドライエッチング処理においてフロン系のガスを用いると容易に実施可能である。
【００２８】
また、本発明のインクジェット記録ヘッドは、上記本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法により得られたことを特徴としている。
【００２９】
また、本発明のインクジェット記録装置は、上記本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法により得られたインクジェット記録ヘッドを備えることを特徴としている。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の機能性デバイスの製造方法として、インクジェット記録ヘッドの製造方法を例にして詳細に説明する。なお、実質的に同一の機能を有する部材には、全図面通して同じ符号を付し、場合によって説明を省略することがある。
【００３１】
図１は、本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。図２は、インクジェット記録ヘッドの切断時におけるウエハの一例を示す拡大断面図である。図３は、本発明の実施の形態により得られたインクジェット記録ヘッドを示す断面図である。
【００３２】
図中、１はヒーターウエハ（第１のシリコン単結晶基板）、２はチャネルウエハ（第２のシリコン単結晶基板）、３ａ、３ｂはヘッドチップ、４は樹脂層（有機樹脂膜）、５ａは切削位置、５ｂは切断位置、１１はヒータ、１２はピット、１３はインク溜め、１４はインク流路、１５はボンディングパッド、２０は裏面レジスト層、２１はシリコン酸化膜である。なお、本実施形態では、機能性デバイス構成部は、樹脂層４、ヒータ１１、ピット１２、インク溜め１３、インク流路１４、ボンディングパッド１５などを含む、インクを吐出するための機能する構成部を示す。
【００３３】
まず、図１（Ａ）の工程において、ヒーターウエハ１を作製する。ヒーターウエハ１はシリコンウエハで構成され、図２に示すように、シリコンウエハ上に、加熱素子構造体として、ヒーターウエハ側のヘッドチップ３ａの個数分だけ、ヒータ１１、図示しない個別電極と共通電極、ボンディングパッド１５、図示しない保護層などをＬＳＩ工程により形成する。
【００３４】
次に、図１（Ｂ）の工程において、感光性または非感光性ポリイミドをスピンコート後、所望パターンを形成し、焼成（Ｃｕｒｅ）を行って樹脂層４（有機膜）を形成した後、ヒーターウエハ１が完成される。樹脂層４は、図２に示すように、ヒータ１１上とボンディングパッド１５上には形成されない。ヒータ１１上の凹部は、ヒータ１１で発生するバブルの形状を規制するためのピット１２となる。ヒーターウエハ１には上述の工程中にアライメントマークも形成される。
【００３５】
そして、図１（Ｃ）の工程においては、チャネルウエハ２を作製する。チャネルウエハ２もシリコンウエハで構成され、図２に示すように、ヒーターウエハ１上のヒータに対応する。インク流路１４、インク溜め１３等が異方性エッチングなどにより形成される。また、ボンディングパッド１５に対応する部分にも凹部が形成される。さらに、図示しないがアライメントマークも形成される。これによりチャネルウエハ２が完成する。
【００３６】
その後、図１（Ｅ）の工程においては、図１（Ａ）、（Ｂ）の工程で作製されたヒーターウエハ１と、図１（Ｃ）の工程で作製されたチャネルウエハ２と、をアライメントし、接合した積層体を作製する。アライメントは、各々のウエハの接着面側にあらかじめパターニングされたアライメントマークを用いて行われ、例えば赤外線顕微鏡を用いて観察しながらアライメント装置によって高精度に達成される。２枚のウエハはアライメントし接合した後、焼成（Ｃｕｒｅ）される。
【００３７】
そして、図１（Ｆ）の工程において、積層体を切断して、各ヘッドチップ３を分離する切断工程を行う。この切断工程は、ヒーターウエハ１上に設けられたボンディングパッド１５を露出させるため、切削位置５ａでチャネルウエハ２を切削する切削工程と、図１（Ｅ）で接合された２枚のウエハを切断すると共にインク吐出口面を形成し、流路長を規定するために、切断位置５ｂで切断工程と、を行う。図２には、切断工程で除去される部分をその工程ごとにパターンを分けて示している（３１〜３５）。
【００３８】
まず、ヒーターウエハ１の裏面からダイシングによって所定の深さまで切削し、ダイシングエリア３１を除去する（第１切削工程）。この切削工程では、ヒーターウエハ１を、例えば、ヒーターウエハ１の厚み方向中心部よりもチャネルウエハ２との接合面側に達すると共に、ヒーターウエハ１を残存させる深さまで切削させる。これによりヒーターウエハ１の切断部のほとんどを切削することになる。
【００３９】
そして、次のようにしてドライエッチングによりインク吐出口面近傍を除去する（エッチング工程）。ヒーターウエハ１の裏面から、上記ダイシングで切削せず残したシリコン部分（ウエハ部分）、即ちエッチングエリア３２をドライエッチングにより除去する（第１エッチング工程）。
【００４０】
ここで、エッチングエリア３２のエッチングは、予めヒーターウエハ１の裏面には裏面レジスト層２０が形成されているので、これをマスクとして行う。また、ヒーターウエハ１の表面には樹脂層４が形成されており、これがシリコンエッチングのストップ層となる。
【００４１】
次に、ヒーターウエハ１の表面に形成された樹脂層４、即ちエッチングエリア３３をドライエッチングにより除去する（第２エッチング工程）。
【００４２】
ここで、エッチングエリア３３のドライエッチングには、やはり予めヒーターウエハ１の表面にＬＳＩ工程により形成しているシリコン酸化膜２１をマスクとしているので、より効果的にサブミクロンオーダーの寸法精度が実現される。また、エッチングエリア３３のエッチングはチャネルウエハ２のシリコンがストップ層となり、終了する。
【００４３】
そして、チャネルウエハ２を所定の深さまで、即ちエッチングエリア３４をドライエッチングにより除去すると共に、インク吐出口面を形成する（第３エッチング工程）。このエッチング工程では、チャネルウエハ２を、少なくともインク吐出口面が形成される深さまでエッチング除去させる。
【００４４】
ここで、エッチングエリア３４のエッチングでは、インク吐出口面を形成すると共に、流路長を規定することになる。これは、やはり樹脂層４のエッチングの場合と同様に、シリコン酸化膜２１をマスクとしているので、より効果的にサブミクロンオーダーの寸法精度が実現される。また、このエッチングは、インク吐出口面を形成すると共に、ダイシングで制御できる数１０μｍの深さまで到達したところで、タイムエッチで終了させる。
【００４５】
最後にチャネルウエハ２の裏面からダイシングを行うことにより、ダイシングエリア３５を除去して、個々のヘッドチップ３に切断分割される（第２切削工程）。
【００４６】
なお、本実施形態では、エッチングエリア３２及びエッチングエリア３４で実施するシリコン（ウエハ）のドライエッチングは、フロン系ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４、及びＣＨＦ３より選択される少なくとも１種））を用いたＩＣＰ装置にて実施した。また、エッチングエリア３３で実施する樹脂層４（有機膜）のドライエッチングはＯ２ガスを用いたＲＩＥ装置にて実施した。
【００４７】
そして、切断分割されたヘッドチップ３は、図３に示すように、固定用基板１８上にダイボンディングされ、固定用基板１８上の図示しないプリント配線上の図示しないプリント配線基板上のボンディングパッド１６とヒーターウエハ１上のボンディングパッド１５とが、ボンディングワイヤ１９により電気的接続がなされる。以後、必要に応じてシーリングやジョイント等の接続を行うことでインクジェット記録ヘッドが完成する。なお、図２中、１６はボンディングパッド、１７は吐出口、１８は固定用基板、１９はボンディングワイヤである。
【００４８】
このように、本実施形態では、ヘッドチップ３を得るための切断工程を、インク吐出口面近傍領域（エッチングエリア３２〜３４）を形成する切断工程を、ドライエッチングによりエッチングし、その他の領域（ダイシングエリア３１、３４）を回転切削刃を使用したダイシングすることで、インク流路長を規定する部分（インク吐出口面）をサブミクロンオーダーの精度を持って加工できるので、インクジェットの吐出安定性が格段に向上する。
【００４９】
また、本実施形態では、インク吐出口面近傍をドライエッチングで加工するため、従来のダイシング工程で発生し、問題となっていた欠けやバリが抑制できるため、切断工程後の洗浄工程を削除でき、インク吐出方向性が向上する。
【００５０】
また、インク吐出口面近傍は後工程で撥水処理を施すことがインク吐出特性が安定することから好ましいが、本実施形態では、インク吐出口面近傍のドライエッチングにフロン系のガスを用いるため、エッチング端面が撥水加工されるので、従来後工程にて実施していた表面処理工程が削除できる。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるわけではなく、例えば、エッチングのマスク材料やエッチングの手法などは、様々な方法を適用することができる。
【００５２】
また、インクジェット記録ヘッドの構造も上記構造に限らず、種々の構造のインクジェット記録ヘッドの製造方法に適用することができる。
【００５３】
また、インクジェット記録ヘッドの製造方法に限られず、例えば、ダイシング面に微細な精度を要求するダイシング工程を用いる、言い換えればダイシングとデバイス加工を兼ね備えた工程とするマイクロマシン関連デバイスを中心とする機能性デバイス全般の製造方法に適用することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明は、精度よく切断加工を行い、品質を向上させることができるという、効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のインクジェットヘッドの作製方法の一実施例を示す工程図である。
【図２】ヘッドの切断、及び切断分離工程時におけるウエハの一例を示す拡大工程図である。
【図３】インクジェットヘッドの一例の説明図である。
【符号の説明】
１ ヒーターウエハ（第１のシリコン単結晶基板）
２ チャネルウエハ（第２のシリコン単結晶基板）
３、３ａ、３ｂ ヘッドチップ
４ 樹脂層（有機膜）
５ａ 切削位置
５ｂ 切断位置
１１ ヒータ
１２ ピット
１４ インク流路
１５、１６ ボンディングパッド
１８ 固定用基板
１９ ボンディングワイヤ
２０ 裏面レジスト層（マスク）
２１ シリコン酸化膜（マスク）
３１、３５ ダイシングエリア
３２〜３４ エッチングエリア
【出願人】 【識別番号】０００００５４９６
【氏名又は名称】富士ゼロックス株式会社
【住所又は居所】東京都港区赤坂二丁目１７番２２号
【出願日】 平成１５年７月１６日（２００３．７．１６）
【代理人】 【識別番号】１０００７９０４９
【弁理士】
【氏名又は名称】中島 淳

【識別番号】１０００８４９９５
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 和詳

【識別番号】１０００８５２７９
【弁理士】
【氏名又は名称】西元 勝一

【識別番号】１０００９９０２５
【弁理士】
【氏名又は名称】福田 浩志
【公開番号】 特開２００５−３５０３６（Ｐ２００５−３５０３６Ａ）
【公開日】 平成１７年２月１０日（２００５．２．１０）
【出願番号】 特願２００３−１９７７９６（Ｐ２００３−１９７７９６）