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【発明の名称】 絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜及びそれらを用いた半導体装置
【発明者】 【氏名】村山　三素
【住所又は居所】東京都品川区東品川２丁目５番８号　住友ベークライト株式会社内

【氏名】沖　博美
【住所又は居所】東京都品川区東品川２丁目５番８号　住友ベークライト株式会社内

【氏名】齋藤　英紀
【住所又は居所】東京都品川区東品川２丁目５番８号　住友ベークライト株式会社内

【氏名】榎　尚史
【住所又は居所】東京都品川区東品川２丁目５番８号　住友ベークライト株式会社内
【要約】 【課題】優れた耐熱性を維持し、低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜、およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。

【解決手段】主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位を有する特定構造のポリアミドを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。また、前記絶縁膜用樹脂組成物と、該絶縁膜用樹脂組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒からなるコーティングワニス、及びこれらを用いて、加熱処理して縮合反応及び架橋反応せしめて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなる絶縁膜、並びに前記絶縁膜を用いた半導体装置である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される繰り返し単位を有するポリアミドを必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用樹脂組成物。
【化１】


［式（１）中のＸは、下記式（Ａ）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の４価の基を示し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、下記式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）及び式（Ｄ）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の２価の基を示し、互いに同じであっても、異なっていても構わない。また、Ｚ１およびＺ２は、熱分解性基からなる２価の基を示し、ｍ、ｎ及びｋは、ｍ＞０、ｎ≧０、ｋ≧０、２≦ｍ＋ｎ＋ｋ≦１０００、及び０．４≦ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｋ）≦０．９５の関係を満たす整数であり、但し、少なくともｎ又はｋのどちらかの繰り返し単位が存在する。一般式（１）において繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。］
【化２】


［式（Ａ）中のベンゼン環上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。］
【化３】


【化４】


【化５】


【化６】


［式（Ａ）中のＸ１は、式（Ｅ）
【化７】


で表される基の中から選ばれる二価の基を示し、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２中のＲは、水素原子、アルキル基又は式（Ｆ）
【化８】


で表される基の中から選ばれる一価の基を示す。また、式（Ａ）、式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）、式（Ｄ）、式（Ｅ）及び式（Ｆ）で表される基におけるベンゼン環上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。］
【請求項２】
ポリアミドが、一般式（１）におけるＹ１、Ｙ２及びＹ３として、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の２価の基を有するものである請求項１記載の絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項３】
ポリアミドが、一般式（１）におけるＹ１、Ｙ２及びＹ３として、式（Ｃ）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の２価の基を有するものである請求項１記載の絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項４】
ポリアミドが、一般式（１）におけるＹ１、Ｙ２及びＹ３として、式（Ｃ）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の２価の基を有するものである請求項１記載の絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項５】
ポリアミドが、式（１）中のＺ１及びＺ２として、ポリオキシアルキレン、ポリメチルメタクリレート、ポリα−メチルスチレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリエーテルエステル、ポリカプロラクトン、ポリウレタン及びポリカーボナートから選ばれた、少なくとも１種の熱分解性の繰り返し単位からなる基を有するものである、請求項１乃至４のいずれかに記載の絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項６】
ポリアミドが、式（１）中のＺ１及びＺ２として、ポリオキシアルキレン、ポリスチレン、及びポリカーボナートから選ばれた、少なくとも１種の熱分解性の繰り返し単位からなる基を有するものである、請求項５記載の絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載された絶縁膜用樹脂組成物と、該絶縁膜用樹脂組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒からなることを特徴とする、絶縁膜を作製することが可能なコーティング用ワニス。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載された絶縁膜用樹脂組成物、又は、請求項７に記載されたコーティング用ワニスを用い、加熱処理して縮合反応及び架橋反応せしめて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなることを特徴とする絶縁膜。
【請求項９】
請求項８記載の絶縁膜からなる多層配線用層間絶縁膜及び／又は表面保護層を具備してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜及びそれらを用いた半導体装置に関するものである。更に詳しくは、半導体用の層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等の用途に好適で、電気特性、熱特性、機械特性に優れた、絶縁膜樹脂組成物、これを含むコーティングワニス、及びこれらから得られる絶縁膜並びにそれらを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体用材料には、必要とされる特性に応じて、無機材料、有機材料などが、様々な部分で用いられている。例えば、半導体用の層間絶縁膜としては、化学気相法で作製した二酸化シリコン等の無機酸化膜が使用されている。しかしながら、近年の半導体の高速化、高性能化に伴い、上記のような無機酸化膜では、比誘電率が高いことが問題となっている。この改良手段のひとつとして、有機材料の適用が検討されている。
半導体用途の有機材料としては、耐熱性、電気特性、機械特性などに優れたポリイミド樹脂が挙げられ、ソルダーレジスト、カバーレイ、液晶配向膜などに用いられている。しかしながら、一般にポリイミド樹脂はイミド環にカルボニル基を２個有していることから、吸水性、電気特性に問題がある。これらの問題に対して、フッ素あるいはフッ素含有基を有機高分子内に導入することにより、吸水性、電気特性を改良することが試みられており、実用化されているものもある。
また、ポリイミド樹脂に比べて、耐熱性、吸水性、電気特性に関して、より優れた性能を示すポリベンゾオキサゾール樹脂があり、様々な分野への適用が試みられている。例えば、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニルとテレフタル酸、あるいは２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとテレフタル酸からなる構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂等がある。
【０００３】
しかし、さらに厳しい耐熱性、電気特性、吸水性等の向上を要求されている先端分野では、このような要求全てを満足する材料は、未だ得られていないのが現状である。つまり、優れた耐熱性を示すが、誘電率等の電気特性は十分ではない、またフッ素導入により電気特性は向上するものの、耐熱性の低下を招くといったことが起こっている。特に、半導体用層間絶縁膜として有機材料を適用する場合、無機材料に匹敵する耐熱性、機械特性、吸水性を要求され、その上で更なる低誘電率化が求められている。
このような高性能化の要求に対して、無機材料である無機酸化膜の膜中に微細孔を開けることにより、低密度化を図り、比誘電率を低減させる方法が検討されている。空気の比誘電率は１であり、膜中に空気を導入して比誘電率を下げることはＳｃｈｅｕｅｒｌｅｉｎらの約２０μｍの平均孔径を有する発泡重合体を生成させる方法から類推される（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、空気を膜中に導入することによって効果的な絶縁体にするためには、膜厚がサブマイクロメーターオーダーで、平均化された比誘電率を有する必要があり、そして膜自体の機械特性も各工程に耐え得るものでなければならい。このような問題を克服する無機材料が未だ得られていないのが現状である。
【０００４】
一方、有機材料においては、サブマイクロメーターオーダーの微細孔を得る技術については、Ｈｅｄｒｉｃｋらは、ブロックコポリマーを用いて、サブマイクロメーターオーダーの微細孔を有する樹脂を生成させることが開示されている（例えば、特許文献２参照。）。ブロックコポリマーがサブマイクロメーターオーダーで相分離することは公知（Ｔ．Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，　Ｍ．Ｓｈｉｂａｙａｍａ，　Ｍ．Ｆｕｊｉｍｕｒａ　ａｎｄ　Ｈ．Ｋａｗａｉ，”Ｍｉｃｒｏｐｈａｓｅ　Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｔｈｅ　Ｐｏｌｙｍｅｒ−ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｉｎｔｅｒｐｈａｓｅ　ｉｎ　Ｂｌｏｃｋ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”　ｉｎ　”Ｂｌｏｃｋ　Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ−Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”，　ｐ．６３，　Ｅｄ．　Ｂｙ　Ｄ．Ｊ．Ｍｅｉｅｒ　（Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｕｂ．，　１９８３））のことであり、天井温度の低いポリマー類が容易に分解することも、高分子化学の分野では、一般に良く知られていることである。
しかしながら、比誘電率のみならず、機械特性、電気特性、耐熱性を満足させながら、微細孔を有する樹脂組成物を得るためには、樹脂、ブロック化技術、熱分解性成分を組み合わせる、その選択が非常に限定され、微細孔を有する樹脂膜を得ることができたとしても、微細孔が均一に分散したものではなく、すべての特性を、十分に満足できるものは得られていない。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第３，８８３，４５２号明細書（第２−７欄）
【特許文献２】
米国特許第５，７７６，９９０号明細書（第２−４欄）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、優れた耐熱性を維持し、絶縁膜において、均一な微細孔が得られて低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜、およびそれらを用いた半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記のような従来の問題点に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、その主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位を有する特定構造のポリアミドを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物が、本発明の目的を満たし得ることを見出し、さらに検討を進めて、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、一般式（１）で表される繰り返し単位を有するポリアミドを必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用樹脂組成物、
【化９】


［式（１）中のＸは、下記式（Ａ）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の４価の基を示し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３は、下記式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）及び式（Ｄ）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の２価の基を示し、互いに同じであっても、異なっていても構わない。また、Ｚ１およびＺ２は、熱分解性基からなる２価の基を示し、ｍ、ｎ及びｋは、ｍ＞０、ｎ≧０、ｋ≧０、２≦ｍ＋ｎ＋ｋ≦１０００、及び０．４≦ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｋ）≦０．９５の関係を満たす整数であり、但し、少なくともｎ又はｋのどちらかの繰り返し単位が存在する。一般式（１）において繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。］
【化１０】


［式（Ａ）中のベンゼン環上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。］
【化１１】


【化１２】


【化１３】


【化１４】


［式（Ａ）中のＸ１は、式（Ｅ）
【化１５】


で表される基の中から選ばれる二価の基を示し、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２中のＲは、水素原子、アルキル基又は式（Ｆ）
【化１６】


で表される基の中から選ばれる一価の基を示す。また式（Ａ）、式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）、式（Ｄ）、式（Ｅ）及び式（Ｆ）で表される基におけるベンゼン環上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、フッ素原子及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。］
また、さらには、前記絶縁膜用樹脂組成物を含むコーティングワニス、及びこれらを用いて得られる絶縁膜、並びに前記絶縁膜を用いた半導体装置を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、ポリアミドユニットの主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位からなる基が存在することで、一般的なブロックコポリマーにおける熱分解成分を分解揮散させる際の相構造の変化により空孔が大きく結合してしまう問題が生じることがなく、加熱により、熱分解成分が分解揮散した後の空孔は非常に小さく安定した形で存在することが可能とするものである。
しかしながら、熱分解成分が主鎖構造内中に存在するため、熱分解により主鎖が切れることから、加熱により架橋するエチニル、フェニルエチニル、アルキルエチニル、ビフェニレン、及び内部アセチレンの少なくとも１種の骨格を主鎖に導入し、アミド基の閉環反応によるポリベンゾオキサゾールへの変換と共に、エチニル、フェニルエチニル、アルキルエチニル、ビフェニレン、内部アセチレン骨格の架橋反応によって、樹脂構造を３次元化させることができ、より高い耐熱性を有する樹脂を得ることができるものである。
【００１０】
本発明において、必須成分であるポリアミドユニットは、前記式（Ａ）で表される４価の基の中のいずれかを有するビスアミノフェノール化合物の少なくとも１種と、熱分解性基からなる２価の基を有するジアミン化合物及びジオール化合物の少なくとも１種と、式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）及び式（Ｄ）で表される２価の基の中のいずれかを有するジカルボン酸の少なくとも１種とを用いて、従来の酸クロリド法、活性化エステル法、ポリリン酸やジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法により得ることが出来る。
【００１１】
本発明で用いる、式（Ａ）で表される４価の基を有するビスアミノフェノール化合物としては、２，４−ジアミノレゾルシノール、４，６−ジアミノレゾルシノール、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル、９，９−ビス（４−（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（（３−アミノ−４−ヒドロキシ）フェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（（３−アミノ−４−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシフェニルエーテル、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−２−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−５−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ−６−トリフルオロメチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−５，５’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−５，５’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−６，６’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシ−６，６’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、９，９−ビス（４−（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェノキシ）−３−フェニル−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（（３−アミノ−４−ヒドロキシ）フェノキシ）−３−フェニル−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（２−アミノ−３−ヒドロキシ−４−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（２−ヒドロキシ−３−アミノ−４−フェニル）−フェニル）−フルオレン、等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、また２種類以上組合せて使用してもよい。
【００１２】
本発明で用いる、熱分解性基からなる２価の基を有するジアミン化合物あるいは、ジオール化合物としては、ポリアミドあるいは、ポリエステルの主鎖に熱分解性基を形成するものであれば良く、ジアミン化合物あるいは、ジオール化合物における熱分解性基からなる２価の基は、一般式（１）中のＺ１、Ｚ２として、マトリックス樹脂であるポリアミドの熱分解温度より低い温度で熱分解し、分解物が気化する基であれば、どのような基でも良い。具体的に例示すると、ポリオキシメチレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシメチレン−オキシエチレン共重合体、ポリオキシメチレン−オキシプロピレン共重合体、ポリオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体等のポリオキシアルキレンや、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリα−メチルスチレン、ポリスチレン、ポリカーボナート等からなる基が好適に挙げられ、これらの内、ポリオキシアルキレン、ポリスチレン及びポリカーボナートが、より好ましい。これらの基は単独あるいは２種以上を組合せて用いてもよい。
【００１３】
熱分解性基からなる２価の基を有するジアミン化合物あるいはジオール化合物は、これらの基を有する化合物から得ることができるが、例えば、熱分解性基からなる２価の基の末端が水酸基である場合、この水酸基をアミノ基に変換する例としては、水酸基末端オリゴマーと共に、４−ニトロ安息香酸クロリドを、通常、テトラヒドロフラン中に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、室温ないし−３０℃で反応させることにより、４−ニトロ安息香酸エステル末端オリゴマーを得ることが出来る。その後、この末端オリゴマーをテトラヒドロフランなどの溶媒に溶解し、パラジウム炭素触媒存在下、水素ガス雰囲気下、室温で反応させ、その反応液を、セライトで濾過し、溶媒を濃縮して除去することにより、４−アミノ安息香酸エステル末端のオリゴマーを得て、このアミノ基末端オリゴマーをジアミン化合物として使用することができる。
【００１４】
本発明において、熱分解性基からなる２価の基を有するジアミン化合物は、その化合物の両端にアミノ基を有するが、より具体的には、４−アミノ安息香酸エステル化末端スチレンオリゴマー、４−アミノ安息香酸エステル化末端ポリ（プロピレングリコール）オリゴマー、両ヒドロキシ末端ポリ（エチレングリコール）−ブロック−ポリ（プロピレングリコール）−ブロック−ポリ（エチレングリコール）、ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）などが挙げられる。
【００１５】
本発明において、熱分解性基からなる２価の基を有するジオール化合物は、その化合物の両端にヒドロキシル基を有するが、より具体的には、脂肪族ポリカーボナートジオール、ヒドロキシ末端ポリエステル−ポリカーボナートジオール、両ヒドロキシ末端ポリ（プロピレングリコール）オリゴマー、両ヒドロキシ末端ポリ（エチレングリコール）−ブロック−ポリ（プロピレングリコール）−ブロック−ポリ（エチレングリコール）、両ヒドロキシ末端ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）、両ヒドロキシ末端ポリオキシアルキレンなどが挙げられる。
【００１６】
本発明において、熱分解性基からなる２価の基を有するジアミン化合物あるいはジオール化合物としては、数平均分子量が１００〜４０，０００の範囲のものが好ましい。より好ましくは、数平均分子量が１００〜２０，０００である。分子量が１００未満であると、分解・気化した後の空隙が小さ過ぎる場合がある。また分子量が４０，０００を越えると、空隙が大きくなりすぎて絶縁膜の機械特性が極端に低下し、実用に供すことができなくなるといった問題が発生する場合がある。
【００１７】
本発明で用いるジカルボン酸は、式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）及び式（Ｄ）で表された２価の基のいずれかを有するジカルボン酸であり、以下にその具体例を示す。これらは単独で用いてもよく、また２種以上を組合せて使用しても良い。２種以上を組合せる場合においては、式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）及び式（Ｄ）で表された基のそれぞれ同種内での組合せでも、同種外の組合せでも何ら問題なく使用できる。
【００１８】
本発明で用いる、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２で表される２価の基を有し、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２におけるＲが、水素原子であるジカルボン酸の例としては、３−エチニルフタル酸、４−エチニルフタル酸、２−エチニルイソフタル酸、４−エチニルイソフタル酸、５−エチニルイソフタル酸、２−エチニルテレフタル酸、３−エチニルテレフタル酸、５−エチニル−テレフタル酸、２−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−エチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−エチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−エチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４−エチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−エチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−エチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−エチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−エチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−エチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−エチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−エチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−エチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（３−エチニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
本発明で用いる、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２で表される２価の基を有するジカルボン酸で、式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２におけるＲが式（Ｆ）で表される１価の基の例としては、３−フェニルエチニルフタル酸、４−フェニルエチニルフタル酸、２−フェニルエチニルイソフタル酸、４−フェニルエチニルイソフタル酸、５−フェニルエチニルイソフタル酸、２−フェニルエチニルテレフタル酸、３−フェニルエチニルテレフタル酸、２−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−ビフェニルエチニルフタル酸、４−ビフェニルエチニルフタル酸、２−ビフェニルエチニルイソフタル酸、４−ビフェニルエチニルイソフタル酸、５−ビフェニルエチニルイソフタル酸、２−ビフェニルエチニルテレフタル酸、３−ビフェニルエチニルテレフタル酸、５−ビフェニルエチニル−テレフタル酸、２−ビフェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−ビフェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−ビフェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−ビフェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−ビフェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−ビフェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−ビフェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−ビフェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−ビフェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−ビフェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−ビフェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−ビフェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジビフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジビフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジビフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジビフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジビフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジビフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジビフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジビフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジビフェニルエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジビフェニルエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−ビフェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−ビフェニルエチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−ビフェニルエチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−ビフェニルエチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４−ビフェニルエチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−ビフェニルエチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−ビフェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−ビフェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−ビフェニルエチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−ビフェニルエチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−ビフェニルエチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−ビフェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−ビフェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−ビフェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−ビフェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−ビフェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−ビフェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−ビフェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−ビフェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（３−ビフェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４−フェニルエチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−フェニルエチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−フェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−フェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（１−フェニルエチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−フェニルエチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（３−フェニルエチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（３−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
式（Ｂ）−１及び式（Ｂ）−２におけるＲがアルキル基である例としては、３−ヘキシニルフタル酸、４−へキシニルフタル酸、２−へキシニルイソフタル酸、４−へキシニルイソフタル酸、５−へキシニルイソフタル酸、２−へキシニルテレフタル酸、３−へキシニルテレフタル酸、２−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジヘキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジへキシニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジへキシニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４−へキシニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−ヘキシニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−ヘキシニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−ヘキシニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−ヘキシニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（３−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
本発明で用いる、式（Ｃ）に表された２価の基を有するビフェニレン骨格を持つジカルボン酸の例としては、１，２−ビフェニレンジカルボン酸、１，３−ビフェニレンジカルボン酸、１，４−ビフェニレンジカルボン酸、１，５−ビフェニレンジカルボン酸、１，６−ビフェニレンジカルボン酸、１，７−ビフェニレンジカルボン酸、１，８−ビフェニレンジカルボン酸、２，３−ビフェニレンジカルボン酸、２，６−ビフェニレンジカルボン酸、２，７−ビフェニレンジカルボン酸等が挙げられ、得られるポリアミドの性能から、２，６−ビフェニレンジカルボン酸、および２，７−ビフェニレンジカルボン酸が、特に好ましい。
【００２２】
本発明で用いる、式（Ｄ）で表される２価の基を有するジカルボン酸の例としては、４，４’−トランジカルボン酸、３，４’−トランジカルボン酸、３，３’−トランジカルボン酸、２，４’−トランジカルボン酸、２，３’−トランジカルボン酸、２，２’−トランジカルボン酸などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
本発明で用いるジカルボン酸は、式（Ｂ）−１、式（Ｂ）−２、式（Ｃ）及び式（Ｄ）で表された２価の基のいずれかを有するジカルボン酸であり、これらのジカルボン酸は加熱により架橋するエチニル、フェニルエチニル、アルキルエチニル、ビフェニレン、及び内部アセチレンの少なくとも１種の骨格を主鎖に導入し、アミド基の閉環反応によるポリベンゾオキサゾールへの変換と共に、エチニル、フェニルエチニル、アルキルエチニル、ビフェニレン、内部アセチレン骨格の架橋反応によって、樹脂構造を３次元化させるのである。これにより高い耐熱性を有する樹脂を得ることができるものであるが、この高耐熱性を低下させない程度に、内部に架橋構造を有さないジカルボン酸を併用することも可能である。
【００２４】
内部に架橋構造を有さないジカルボン酸の例としては、イソフタル酸、テレフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ビフェニルジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−スルホニルビス安息香酸、３，４’−スルホニルビス安息香酸、３，３’−スルホニルビス安息香酸、４，４’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、３，３’−オキシビス安息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、９，９−ビス（４−（４−カルボキシフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−カルボキシフェノキシ）フェニル）フルオレン、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（３―カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３−フルオロイソフタル酸、２−フルオロイソフタル酸、２−フルオロテレフタル酸、２，４，５，６−テトラフルオロイソフタル酸、２，３，５，６−テトラフルオロテレフタル酸、５−トリフルオロメチルイソフタル酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２５】
本発明におけるポリアミドユニットの繰り返し単位の数であるｍ、ｎ及びｋは、ｍ＞０、ｎ≧０、ｋ≧０、２≦ｍ＋ｎ＋ｋ≦１０００、及び０．４≦ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｋ）≦０．９５の関係を満たす整数であり、但し、少なくともｎ又はｋのどちらかの繰り返し単位が存在するものとする。ここでｍ＋ｎ＋ｋが２未満であると成膜性が低下し、膜の機械強度が十分でなくなる。またｍ＋ｎ＋ｋが１０００を越えると分子量が大きくなりすぎて、溶剤に溶けにくくなったり、溶解しても粘調なワニスとなり実用にそぐわない場合がある。一般式（１）において繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。
【００２６】
本発明において、必須成分であるポリアミドの製造方法は、従来の酸クロリド法、活性化エステル法、ポリリン酸やジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法を用いることが出来る。例えば、酸クロリド法では、使用する酸クロリドは、まず、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下で、ジカルボン酸と過剰量の塩化チオニルとを、室温ないし１３０℃で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した後、残査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより得ることができる。このようにして製造したジカルボン酸クロリドと、前記他のジカルボン酸を併用する場合、同様にして得られる酸クロリドとを、ビスアミノフェノール化合物及びジアミン化合物及び／又はジオール化合物と共に、通常、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、室温ないし−３０℃で反応させることにより、ポリアミドを得ることが出来る。
【００２７】
本発明の絶縁膜用樹脂組成物の使用方法としては、適当な有機溶媒に溶解させるか均一に分散させて、コーティングワニスとして使用することが可能である。具体的に例示すると、当該絶縁膜用樹脂組成物を有機溶媒に溶解又は均一に分散させ、適当な支持体、例えば、ガラス、繊維、金属、シリコンウエハー、セラミック基板等に塗布する。その塗布方法は、浸漬、スクリーン印刷、スプレー、回転塗布、ロールコーティングなどが挙げられ、塗布後に加熱乾燥して溶剤を揮発せしめ、タックフリーな塗膜とすることができる。その後、加熱処理して、ポリベンゾオキサゾール樹脂架橋体に変換して用いるのが好ましい。また、ジカルボン酸成分、ビスアミノフェノール成分及びジアミン成分を選択することにより、溶剤に可溶なポリベンゾオキサゾール樹脂として用いることも出来る。
【００２８】
本発明の絶縁膜用樹脂組成物を溶解させる、有機溶媒としては、固形分を完全に溶解する溶媒が好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン等を、１種、または２種以上混合して用いることが出来る。その使用量としては、該ポリアミドと該有機化合物を完全に溶解し得る量ならば問題なく、その使用用途に応じて調整可能である。
【００２９】
本発明の絶縁膜用樹脂組成物は、上記のようにして得られた塗膜を、８０〜２００℃の温度範囲で溶媒を蒸発させ、２００℃から５００℃の温度範囲で加熱することにより、絶縁膜用材料中のポリアミドが、環化縮合反応及び架橋反応を生じて、ポリベンゾオキサゾール樹脂となり、また、熱分解性の繰返し単位部は、このとき熱分解して、分解物が気化・揮散し、ポリベンゾオキサゾール樹脂を主構造とする樹脂の層に、微細孔を形成させることにより、多孔質絶縁膜である本発明の絶縁膜を得ることができる。この際の熱履歴も微細孔を形成させるには重要である。
本発明のポリベンゾオキサゾールを主構造とし、微細孔を有してなる絶縁膜における、微細孔の大きさは５ｎｍ以下である。孔径が、これより大きいと、配線間に用いられた絶縁膜における空隙率が不均一になり、電気特性が一定とならない等の問題や、また、膜の機械強度が低下し、接着性に悪影響が出る等の問題が発生する場合があり、微細孔の大きさは、より小さい方が望ましく、５ｎｍ以下は好適である。
【００３０】
本発明の樹脂組成物には、必要により各種添加剤として、界面活性剤、シラン系に代表されるカップリング剤、酸素ラジカルやイオウラジカルを加熱により発生するラジカル開始剤等を添加し、半導体用層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等の形成に用いることが出来る。
また、本発明におけるポリアミドは、感光剤としてのナフトキノンジアジド化合物と一緒に用いることで、感光性樹脂組成物として用いることが可能である。
【００３１】
本発明の絶縁膜を半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に用いる場合の例としては、まず、接着性を向上させる場合、接着性コーティング剤を半導体基板上に、塗布して、塗膜を形成する。塗布の方法としては、スピンナーによる回転塗布、スプレーコーターによる噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等が挙げられる。その後、有機溶剤の沸点以上の温度でプリベークして有機溶剤を蒸発乾燥させることにより、接着性コーティング膜を形成する。
次に、前記接着性コーティング膜の上に、本発明の絶縁膜用材料の溶液を、前記同様の方法により、積層するように塗布して、塗膜を形成する。次いで、塗膜を前記の条件でプリベークして有機溶剤を蒸発乾燥し、更に、加熱処理することにより、微細孔を有する樹脂膜とし、層間絶縁膜を形成することができる。
同様にして、樹脂膜を形成して表面保護膜とすることもできる。
【００３２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００３３】
実施例及び比較例で作成した絶縁膜（皮膜）を用いて、特性評価のため、下記の方法により、比誘電率、耐熱性、ガラス転移温度を測定した。また、微細孔の分布状況とその孔径を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し、これらの結果は、表１にまとめて示した。
１．比誘電率
ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準拠し、周波数１００ＫＨｚで、ヒューレットパッカード社製ＨＰ−４２８４ＡＰｒｅｃｉｓｉｏｎＬＣＲメーターを用いて測定を行った。
２．耐熱性
セイコーインスツルメンツ（株）製ＴＧ／ＤＴＡ６２００を用いて、窒素ガス２００ｍＬ／分フロー下、昇温速度１０℃／分の条件により、重量減少５％の時の温度を測定した。
３．絶縁膜（皮膜）断面観察
絶縁膜（皮膜）の断面について、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、微細孔の有無とその孔径を観察した。
【００３４】
「ジアミン化合物合成例１」
スチレン１０ｇ（９６ｍｍｏｌ）を乾燥窒素雰囲気下で乾燥したテトラヒドロフラン１００ｇに溶解して、−７８℃まで冷却し、ここへ反応試剤として、１．３Ｍのｓｅｃ−ブチルリチウム（溶媒：シクロヘキサン）０．７７ｍｌを加えて、３時間攪拌した。続けて、エチレンエポキサイド０．０４４ｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加えて３時間攪拌した後、メタノール３ｇを加え、この溶液を濃縮して、溶媒を除去したものを、テトラヒドロフラン１００ｇに溶解し、濾過した。得られた濾液を、減圧濃縮、乾燥させることにより、末端が水酸基で分子量９，６００のスチレンオリゴマーを得た。
得られたオリゴマー９３ｇ（９．６８ｍｍｏｌ）を、乾燥窒素雰囲気下で乾燥したテトラヒドロフラン８０ｇに溶解し、ピリジン１．１５ｇ（１４．５２ｍｍｏｌ）を滴下後、５℃で、テトラヒドロフラン２０部に４−ニトロ安息香酸クロリド２．６３ｇ（１４．５２ｍｍｏｌ）を溶解したものを、３０分かけて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で２４時間攪拌した。その後、反応液を濾過して、ピリジン塩酸塩を除去し、溶媒を濃縮して除去することにより、スチレンオリゴマーの４−ニトロ安息香酸エステルを得た。このスチレンオリゴマーの４−ニトロ安息香酸エステルをテトラヒドロフラン１００ｇに溶解した後、５％パラジウム炭素０．５ｇを水素ガス雰囲気下で混合し、室温で２４時間攪拌した。その後、反応液をセライトで濾過し、溶媒を濃縮して除去することにより、末端を４−アミノ安息香酸エステル化した４−アミノ安息香酸エステル末端スチレンオリゴマーを得た。
【００３５】
「ジアミン化合物合成例２」
合成例１に用いた分子量９，６００のスチレンオリゴマー９３ｇ（９．６８ｍｍｏｌ）に代え分子量４，０００のポリ（プロピレングリコール）モノブチルエーテル３８．７２ｇ（９．６８ｍｍｏｌ）（アルドリッチ社製）を用いた以外は、合成例１と同様にして、末端を４−アミノ安息香酸エステル化した４−アミノ安息香酸エステル末端ポリ（プロピレングリコール）オリゴマーを得た。
【００３６】
（実施例１）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３４．６ｇ（０．０９ｍｏｌ）と、ジアミン化合物合成例１で合成した４−アミノ安息香酸エステル末端スチレンオリゴマー３３．６ｇ（０．００３５ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、４−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド２７．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂７２ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量４２，１００、分子量分布２．２であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．２であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００３７】
（実施例２）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３２．７ｇ（０．０８５ｍｏｌ）と、ジアミン化合物合成例２で合成した４−アミノ安息香酸エステル末端ポリ（プロピレングリコール）オリゴマー４０．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、５−エチニル−イソフタル酸ジクロリド２２．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂７１ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量３３，２００、分子量分布２．２であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウェエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．０であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００３８】
（実施例３）
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシジフェニルエーテル１９．３ｇ（０．０８３ｍｏｌ）と、ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）（アルドリッチ社製、分子量４，０００）３６．０ｇ（０．００９ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、２，７−ビフェニレンジカルボン酸ジクロリド２７．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂６２ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量３４，９００、分子量分布２．１であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウェエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ１．９であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００３９】
（実施例４）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３２．７ｇ（０．０８５ｍｏｌ）と、アミノ末端ポリ（プロピレングリコール）−ブロック−ポリ（エチレングリコール）−ブロック−ポリ（プロピレングリコール）（ハンツマン社製、商品名ＥＤ−２００３）４０．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、４，４’−トランジカルボン酸ジクロリド３３．３ｇ（０．１１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２５．３ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂８３ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量２９，７００、分子量分布２．４であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．０であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４０】
（実施例５）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３１．５ｇ（０．０８２ｍｏｌ）、ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）（アルドリッチ社製、分子量４，０００）２４．０ｇ（０．００６ｍｏｌ）と、アミノ末端ポリ（プロピレングリコール）−ブロック−ポリ（エチレングリコール）−ブロック−ポリ（プロピレングリコール）（ハンツマン社製、商品名ＥＤ−２００３）８．０ｇ（０．００４ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、５−エチニルイソフタル酸ジクロリド９．１ｇ（０．０４ｍｏｌ）と５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド１８．２ｇ（０．０６ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂６９ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量２８，３００、分子量分布２．３であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上にこのワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．１であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４１】
（実施例６）
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル１８．４ｇ（０．０８５ｍｏｌ）と、ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）（アルドリッチ社製、分子量４，０００）２４．０ｇ（０．００６ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、５−エチニルイソフタル酸ジクロリド６．８ｇ（０．０３ｍｏｌ）と５−フェニルエチニルテレフタル酸ジクロリド２１．２ｇ（０．０７ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂５２ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量３０，２００、分子量分布２．１であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．２であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４２】
（実施例７）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３４．６ｇ（０．０９ｍｏｌ）と、ジアミン化合物合成例１で合成した４−アミノ安息香酸エステル末端スチレンオリゴマー３３．６ｇ（０．００３５ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、５−エチニルイソフタル酸ジクロリド４．５ｇ（０．０２ｍｏｌ）、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド２１．２ｇ（０．０７ｍｏｌ）とテレフタル酸ジクロリド２．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂７２ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量４３，４００、分子量分布２．２であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．２であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４３】
（実施例８）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３２．７ｇ（０．０８５ｍｏｌ）と、１，６−ヘキサンポリカーボナートジオール（ハンツマン社製、分子量２，０００）４０．０ｇ（０．０２ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、４，４’−トランジカルボン酸ジクロリド３３．３ｇ（０．１１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２５．３ｇ（０．２５ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂８３ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量２８，５００、分子量分布２．３であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上にこのワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．０であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４４】
（実施例９）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３１．５ｇ（０．０８２ｍｏｌ）と、ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）（アルドリッチ社製、分子量４，０００）２４．０ｇ（０．００６ｍｏｌ）と１，６−ヘキサンポリカーボナートジオール（ハンツマン社製、分子量２，０００）８．０ｇ（０．００４ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、５−エチニルイソフタル酸ジクロリド９．１ｇ（０．０４ｍｏｌ）と５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド１８．２ｇ（０．０６ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂６９ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量２７，０００、分子量分布２．２であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．１であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４５】
（実施例１０）
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル１８．４ｇ（０．０８５ｍｏｌ）と
、ヒドロキシ末端ポリエステル−ポリカーボナートジオール（宇部興産社製、分子量２，０００）１２．０ｇ（０．００６ｍｏｌ）とを、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、５−エチニルイソフタル酸ジクロリド６．８ｇ（０．０３ｍｏｌ）と５−フェニルエチニルテレフタル酸ジクロリド２１．２ｇ（０．０７ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂５２ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量３０，０００、分子量分布２．２であった。
得られたポリアミド樹脂５．０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いてアルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．２であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しており、５ｎｍ以下の細孔で非連続であった。結果を表１にまとめた。
【００４６】
（比較例１）
９，９−ビス（（４−アミノ−３−ヒドロキシ）フェニル）フルオレン３４．６ｇ（０．０９ｍｏｌ）を、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｍＬに溶解し、この溶液に、４−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド２７．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後、１０℃で１時間、続いて、２０℃で１時間撹拌した。１０℃にした後、トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し、１０℃で１時間、続いて、２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ過して、トリエチルアミン塩酸塩を除去し、ろ過した液を、イオン交換水８Ｌとイソプロパノール８Ｌの混合溶液に滴下し、沈殿物を集めて乾燥することにより、ポリアミド樹脂７２ｇを得た。得られたポリアミド樹脂の分子量を、東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ、重量平均分子量２２，１００、分子量分布２．３であった。
得られたポリアミド樹脂３．１ｇと、ジアミン化合物合成例１で合成した４−アミノ安息香酸エステル末端スチレンオリゴマー１．９ｇ（０．２０ｍｍｏｌ）とを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２０．０ｇに溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターでろ過して、ワニスを得た。スピンコーターを用いて、アルミニウムを蒸着したシリコンウエーハー上に、このワニスを塗布した。１２０℃のホットプレート上で２４０秒間乾燥した後のフィルム厚が約５μｍとなるように、スピンコーターの回転数と時間を設定した。１２０℃／２４０秒間のホットプレート乾燥終了後、窒素を流入して酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に制御したオーブンを用いて、３００℃で６０分間加熱し、さらに引続き、４００℃で６０分間加熱して、微細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂の皮膜を得た。
次いで、皮膜上にアルミニウムを蒸着してパターンニングを行い所定の大きさの電極を形成した。シリコンウエーハー側のアルミニウムと、この電極による容量を測定し、測定後に皮膜の電極隣接部を、酸素プラズマによりエッチングして、表面粗さ計により膜厚を測定することにより、周波数１ＭＨｚにおける誘電率を算出したところ２．３であった。Ｔｇは４５０℃より大きかった。また、この皮膜について断面をＴＥＭにより観察したところ、得られた微細孔は均一に分布しているものの、孔のサイズは１０〜２０ｎｍと、実施例１〜７よりも大きかった。結果を表１にまとめた。
【００４７】
【表１】


【００４８】
表１にまとめた、実施例および比較例の評価結果から、本発明の多孔質膜は、優れた低誘電率と高いＴｇを有し、その断面観察から、より小さな微細孔が均一に分散していることが確認された。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、比誘電率の極めて低い、微細孔が均一に分散した多孔質膜を形成させることができる絶縁膜用樹脂組成物、及びこれを含むコーティングワニスが得られる。また、これらから得られる絶縁膜は、半導体用の層間絶縁膜、保護膜、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等の用途に、好適に使用することができる。
【出願人】 【識別番号】０００００２１４１
【氏名又は名称】住友ベークライト株式会社
【住所又は居所】東京都品川区東品川２丁目５番８号
【出願日】 平成１５年３月２０日（２００３．３．２０）
【代理人】
【公開番号】 特開２００４−６２６９（Ｐ２００４−６２６９Ａ）
【公開日】 平成１６年１月８日（２００４．１．８）
【出願番号】 特願２００３−７８９１７（Ｐ２００３−７８９１７）