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【発明の名称】 軟磁性膜と薄膜磁気ヘッドとこれらの製造方法
【発明者】 【氏名】小西池 勇
【住所又は居所】東京都品川区北品川６丁目７番３５号 ソニー株式会社内

【氏名】菅原 伸浩
【住所又は居所】東京都品川区北品川６丁目７番３５号 ソニー株式会社内
【要約】 【課題】高飽和磁束密度Ｂｓを有するＦｅＣｏＮｉメッキ膜における応力が大きいという課題を従来におけるような硫黄Ｓの添加を行わずして、応力の低減化を図って、膜厚の大なるメッキ膜を実現する。

【解決手段】本発明による軟磁性膜１は、ＦｅＣｏＮｉを主成分とする複数の軟磁性薄膜層を主層２とし、これら軟磁性薄膜層間に配置されたＦｅＮｉもしくはＦｅＣｏＮｉを主成分とする副層３との積層膜構成とする。このようにして、副層３による中間層の存在によって応力の低減化を図ることができ、膜厚の大きい磁性薄膜の形成、またこの応力の低減化から、その成膜における電気メッキの通電電流を大とすることができて、成膜時間の短縮化を図ることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間にＦｅＮｉ副層が配置された積層膜構成とされたことを特徴とする軟磁性膜。
【請求項２】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層は、それぞれその厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）であり、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定され、上記副層は、その厚さｔ2 が０．１μｍ≦ｔ2 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX2Ｎｉz2（ｘ2 ，ｚ2 は、それぞれ原子％）とされ、１５≦ｘ2 ≦６０４０≦ｚ2 ≦８５ｘ2 ＋ｚ2 ＝１００に選定され、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ2 とするとき、Ｔ2 ／（Ｔ1 ＋Ｔ2 ）≦０．３に選定されることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性膜。
【請求項３】 それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置され、これら主層を構成する軟磁性薄膜層とは異なる組成比を有するＦｅＣｏＮｉを主成分とする副層との積層膜構成とされたことを特徴とする軟磁性膜。
【請求項４】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層は、それぞれその厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）であり、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定され、上記副層は、その厚さｔ3 が０．１μｍ≦ｔ3 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX3Ｃｏy3 Ｎｉz3（ｘ3 ，ｙ3,ｚ3 は、それぞれ原子％）とされ、１０≦ｘ3 ≦２０５０≦ｙ3 ≦７５１５≦ｚ3 ≦３０ｘ3 ＋ｙ3 ＋ｚ3 ＝１００に選定され、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ3 とするとき、Ｔ3 ／（Ｔ1 ＋Ｔ3 ）≦０．３に選定されることを特徴とする請求項３に記載の軟磁性膜。
【請求項５】 軟磁性膜を少なくとも一部の磁路として有する薄膜磁気ヘッドにあって、上記軟磁性膜が、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置されたＦｅＮｉ副層との積層膜構成とされたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層が、それぞれその厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）であり、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定され、上記副層が、その厚さｔ2 が０．１μｍ≦ｔ2 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX2Ｎｉz2（ｘ2 ，ｚ2 は、それぞれ原子％）とされ、１５≦ｘ2 ≦６０４０≦ｚ2 ≦８５ｘ2 ＋ｚ2 ＝１００に選定され、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ2 とするとき、Ｔ2 ／（Ｔ1 ＋Ｔ2 ）≦０．３に選定されることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】 軟磁性膜を少なくとも一部の磁路として有する薄膜磁気ヘッドにあって、上記軟磁性膜が、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置され、これら軟磁性薄膜層とは異なる組成比を有するＦｅＣｏＮｉを主成分とする副層との積層膜構成とされたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】 上記複数の主層を構成する軟磁性薄膜層が、それぞれその厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）であり、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定され、上記副層は、その厚さｔ2 が０．１μｍ≦ｔ3 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX3Ｃｏy3Ｎｉz3( ｘ3 ，ｙ3,ｚ3 は、それぞれ原子％）とされ、１０≦ｘ3 ≦２０５０≦ｙ3 ≦７５１５≦ｚ3 ≦３０ｘ3 ＋ｙ3 ＋ｚ3 ＝１００に選定され、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ3 とするとき、Ｔ3 ／（Ｔ1 ＋Ｔ3 ）≦０．３に選定されることを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】 それぞれ厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）で、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定されたそれぞれ軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に介在され、厚さｔ2 が０．１μｍ≦ｔ2 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX2Ｎｉz2（ｘ2 ，ｚ2 は、それぞれ原子％）で、１５≦ｘ2 ≦６０４０≦ｚ2 ≦８５ｘ2 ＋ｚ2 ＝１００に選定された副層とを交互に、かつ、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ2 とするとき、Ｔ2 ／（Ｔ1 ＋Ｔ2 ）≦０．３となる成膜を行う工程を有し、上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によって成膜し、上記副層は、電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法、気相成長法のいずれかによって成膜することを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
【請求項１０】 それぞれ厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）で、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定されたそれぞれ軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に介在され、厚さｔ3 が０．１μｍ≦ｔ3 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX3Ｃｏy3Ｎｉz3( ｘ3 ，ｙ3,ｚ3 は、それぞれ原子％）とされ、１０≦ｘ3 ≦２０５０≦ｙ3 ≦７５１５≦ｚ3 ≦３０ｘ3 ＋ｙ3 ＋ｚ3 ＝１００に選定された副層とを交互に、かつ、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ3 とするとき、Ｔ3 ／（Ｔ1 ＋Ｔ3 ）≦０．３となる成膜を行う工程を有し、上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によって成膜し、上記副層は、上記軟磁性薄膜層の電気メッキ浴と同一のメッキ浴によってメッキ条件を変更する電気メッキ法によって成膜することを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
【請求項１１】 軟磁性膜による磁路を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法にあって、上記軟磁性膜が、それぞれ厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）で、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定されたそれぞれ軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に介在され、厚さｔ2 が０．１μｍ≦ｔ2 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX2Ｎｉz2（ｘ2 ，ｚ2 は、それぞれ原子％）で、１５≦ｘ2 ≦６０４０≦ｚ2 ≦８５ｘ2 ＋ｚ2 ＝１００に選定された副層とを交互に、かつ、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ2 とするとき、Ｔ2 ／（Ｔ1 ＋Ｔ2 ）≦０．３となる成膜を行う工程を有し、上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によって成膜し、上記副層は、電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法、気相成長法のいずれかによって成膜することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】 軟磁性膜を少なくとも一部の磁路として有する薄膜磁気ヘッドの製造方法にあって、それぞれ厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍであり、組成がＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）で、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００に選定された軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に介在され、厚さｔ3 が０．１μｍ≦ｔ3 ≦１．０μｍであり、組成がＦｅX3Ｃｏy3Ｎｉz3( ｘ3 ，ｙ3,ｚ3 は、それぞれ原子％）とされ、１０≦ｘ3 ≦２０５０≦ｙ3 ≦７５１５≦ｚ3 ≦３０ｘ3 ＋ｙ3 ＋ｚ3 ＝１００に選定された副層とを交互に、かつ、上記主層の総厚をＴ1 とし、上記副層の総厚をＴ3 とするとき、Ｔ3 ／（Ｔ1 ＋Ｔ3 ）≦０．３となる成膜を行う工程を有し、上記主層を構成する軟磁性薄膜層は、電気メッキ法によって成膜し、上記副層は、上記軟磁性薄膜層の電気メッキ浴と同一のメッキ浴によってメッキ条件を変更する電気メッキ法によって成膜することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、軟磁性膜と薄膜磁気ヘッドとこれらの製造方法、特に新規な構成を採る軟磁性膜と、この軟磁性膜を薄膜磁気コアとする薄膜磁気ヘッドと、これらの製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクの急速な磁気記録密度の向上に伴い、記録媒体は高保磁力Ｈｃ化が進み、それに対応して飽和磁束密度Ｂｓの高い磁気ヘッド用コア材料が必要とされている。現在、ハードディスク用磁気ヘッド材料としては、パーマロイ（Ｆｅ20Ｎｉ80) または、このパーマロイより飽和磁束密度Ｂｓが高いＦｅ55Ｎｉ45メッキ材料が知られている。これら磁気ヘッド材料の飽和磁束密度Ｂｓは、Ｆｅ20Ｎｉ80が１．０〔Ｔ〕、Ｆｅ55Ｎｉ45が１．５〜１．６〔Ｔ〕程度であって、現在開発されている１００ないしは２００Ｇｂ／inch2 という高記録密度の記録媒体に対する磁気ヘッドへの適応は困難である。
【０００３】一方、メッキなどの湿式法によらないスパッタ等の乾式法による軟磁性材料においても、全元素の中で、最も高い飽和磁束密度Ｂｓを有するＦｅが注目され、Ｆｅ基軟磁性材料の研究が盛んに行われているところである。例えばＦｅＮ／Ｔａ(Young K.Kim and Charles Partee,IEEE Trans．Magn.,33,2815(1997) 参照) ，ＦｅＣｏＡｌ−Ｏ( 大沼、小林、増本、藤森、日本応用磁気会誌.,22,441(1998)参照) や、最近ではＦｅの結晶格子中に、炭素Ｃが入り込んだ構造を持ち、飽和磁束密度Ｂｓが２．０〔Ｔ〕を超えるＦｅＣ磁性材料の開発も行われている。
【０００４】しかし、これらスパッタ材料は厚膜化が困難である。また、耐熱性が低い等の問題点も存在する。これらのことから、また、装置コストの面でもメッキによる磁性膜が有利とされる。
【０００５】近年、電気メッキにおいては、ＦｅＣｏＮｉ軟磁性メッキ材料が報告され、サッカリン、チオ尿素を添加剤として用い、膜中にＳ（硫黄）を混入させることで、Ｆｅ15Ｃｏ73Ｎｉ12の組成において、Ｂｓが１．７〔Ｔ〕、Ｈｃが０．９〔Ｏｅ〕、磁歪λｓが４．４×１０-6の特性を有する軟磁性薄膜の作製が可能であることが報告された（中村、高井、林、逢坂、表面技術、47, 934(1996))。このＦｅＣｏＮｉメッキ材料は、ＦｅＮｉ材料よりも、例えば磁気ヘッド材として、より強磁界発生が可能であることから、すぐれたオーバーライト特性を有する磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド材料であり、更に、これはパーマロイメッキの既存技術を応用した簡便な手法で成膜が行うことができると考えられていて、いわゆる次世代の磁気ヘッド材料として注目を集めている。
【０００６】このＦｅＣｏＮｉ合金の飽和磁束密度Ｂｓは、主にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ各金属の組成比で決まり、その結晶構造はＮｉの多い領域でｆｃｃ構造、Ｎｉの少ない領域でｂｃｃ構造を採る。基本的にＦｅＣｏＮｉ合金はＦｅ含有量が多く、Ｎｉ含有量が少ないほどＢｓが高くなる。したがって、高いＢｓを有するＦｅＣｏＮｉ合金を得るには、膜厚中のＦｅ量を増加させ、Ｎｉ量を低減させることになるが、このＦｅ量を極端に多くしてＮｉを少なくすると、保磁力が増大し、軟磁気特性が失われてしまう。
【０００７】このことから、ｆｃｃ−ｂｃｃ混相領域において結晶粒径が微細化され、低保磁力のメッキ膜が得られるということ（T.Osaka,M.Hayashi,Y.Ohashi,M.Sato and K.Yamada,Nature.,392,396(1998)) と低磁歪が好ましいなどの磁気ヘッド材料に必要なパラメータを考慮すると、２０≦Ｆｅ≦３０，１０≦Ｎｉ≦２０の領域で、低保磁力，低磁歪でかつ高い飽和磁束密度Ｂｓが得られ、この領域が磁気ヘッド材料として最も適していると考えられる。
【０００８】一方、最近において、このＦｅＣｏＮｉ三元系合金は、サッカリン、チオ尿素等の硫黄Ｓを含有する添加剤を用いない系において、結晶構造の相境界と磁歪ゼロラインが、Ｆｅ含有量が多い領域、すなわち高飽和磁束密度Ｂｓ側にシフトしていることが確認された。例えば、Ｆｅ23Ｃｏ65Ｎｉ12 の組成において、Ｂｓが２．１ [Ｔ] 、Ｈｃが１．２ [Oe] 、λｓが１．８×１０-6という、すぐれた磁気特性を有し、また、膜中にＳを含まないため、パーマロイより高い耐食性を持つ高ＢｓのＦｅＣｏＮｉメッキ材料が報告された（T.Osaka,M.Hayashi,Y.Ohashi,M.Sato and K.Yamada,Nature.,387,796(1998)) 。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このように、硫黄Ｓを含有する添加剤を用いないＦｅＣｏＮｉメッキ膜は、飽和磁束密度Ｂｓは高いものの、応力緩和の効果がある硫黄Ｓが膜中に存在していないため、膜厚化が困難であり、この膜厚を例えば１μｍ以上にすると、応力が大きくなって剥離の問題が生じる。したがって、ＦｅＣｏＮｉにおける厚膜の成膜を短時間で行うことができるというメッキの利点が失われる。また、薄膜磁気ヘッドへの適用は、実用的でないと考えられる。
【００１０】また、ＦｅＣｏＮｉ系において、前述した高飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力を示す２０≦Ｆｅ≦３０、１０≦Ｎｉ≦２０の組成領域では、粗大粒子析出が起こり易いという問題がある。したがって、生産性を高めるために成膜速度を上げるように、高電流密度、高ｐＨの条件でメッキを行う場合、粗大粒子析出が生じ、平滑なメッキ膜が得られないという問題がある。
【００１１】本発明においては、上述したＦｅＣｏＮｉ系で、２０≦Ｆｅ≦３０、１０≦Ｎｉ≦２０の組成領域とされて、高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力を有するすなわち軟磁性を有する磁性体を用いる場合においても、硫黄（Ｓ）の添加を回避、あるいは極く微量にとどめることによって、磁歪のゼロラインを高いＦｅ含有領域、すなわち、高い飽和磁束密度Ｂｓが得られる領域での磁歪の低減化を図ると共に、耐食性の向上、すなわち信頼性の向上を図ることができるようにし、しかも、応力緩和の低下による厚膜化の阻害を回避することができ、更に粗大粒子の発生を効果的に抑制することができる軟磁性膜を提供するものである。
【００１２】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドは、上述した特性を有する軟磁性膜によって薄膜磁気ヘッドを構成することによって、例えば高密度化を図るために、高抗磁力（高保磁力）を有する記録磁気記録媒体に対して、すぐれたオーバーライト特性を有する電磁変換特性にすぐれ、信頼性の高い、薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明による軟磁性膜は、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置されたＦｅＮｉ副層との積層膜構成とする。あるいは、本発明による軟磁性膜は、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層と、これら主層間に配置され、これら主層の軟磁性薄膜層とは異なる組成比を有するＦｅＣｏＮｉを主成分とする副層との積層膜構成とする。る。
【００１４】また、本発明による薄膜磁気ヘッドは、軟磁性膜を、少なくとも一部の磁路として有する薄膜磁気ヘッドであって、その軟磁性膜を、上述した本発明による各軟磁性膜構成とする。
【００１５】そして、また、本発明による軟磁性膜の製造方法は、上述した各本発明による軟磁性膜の製造方法であって、その軟磁性薄膜によるＦｅＣｏＮｉを主成分とする主層を電気メッキによって成膜し、ＦｅＮｉ主成分とする副層を電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法、気相成長法等任意の方法によって形成する。
【００１６】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上述した各本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その軟磁性薄膜によるＦｅＣｏＮｉを主成分とする主層を電気メッキによって成膜し、同様にＦｅＣｏＮｉを主成分とするものの、その組成比は、主層のそれとは異なる組成を有する副層を、主層を成膜するメッキ浴と同一メッキ浴を用い、メッキ条件を変更することによって形成する。
【００１７】上述した本発明による軟磁性膜によれば、高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力すなわち軟磁性を有する組成によるＦｅＣｏＮｉ系において、硫黄（Ｓ）の添加を回避、あるいは極く微量にとどめる構成としても、高飽和磁束密度、磁歪の低減化、耐食性の向上を図り、実質的膜厚を大とすることができ、しかも応力による問題が解決され、更に、粗大粒子の発生が回避された。これは、ＦｅＣｏＮｉ系の軟磁性薄膜による複数の主層間に副層を介在させた構成としたことにより、膜厚方向に軟磁性膜が分断されて結晶粒径の成長を抑える効果を生じることができること、応力の緩和が図られることによると考えられる。このように、本発明によれば、すぐれた軟磁性、高い飽和磁束密度を有し、かつ十分厚い軟磁性膜が構成される。
【００１８】そして本発明による磁気ヘッドは、この構成による軟磁性膜によって薄膜磁路を構成ものであり、これによって、電磁変換特性にすぐれ、ノイズの低減化、信頼性の高い磁気ヘッドが構成される。
【００１９】そして、本発明製造方法によれば、粗大粒子析出を抑制する効果を得ることができることによって、通常においては、粗大粒子析出が生じやすい高電流密度の電気メッキによってＦｅＣｏＮｉの主層を形成することができることから、高速メッキが可能になるものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明は、図１に概略断面図を示すように、軟磁性膜１を、それぞれＦｅＣｏＮｉを主成分とする軟磁性薄膜層による複数の主層２と、これら主層２間に配置されたＦｅＮｉもしくはＦｅＣｏＮｉを主成分とする副層３との繰り返し積層による積層膜構成によって構成する。
【００２１】主層２は、ぞれその厚さｔ1 が０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍとされ、その組成は、前述した高飽和磁束密度Ｂｓを有し、保磁力が小さい、すなわちＦｅX1Ｃｏy1Ｎｉz1（ｘ1 , ｙ1 , ｚ1 は、それぞれ原子％）において、２０≦ｘ1 ≦３０５０≦ｙ1 ≦７０１０≦ｚ1 ≦２０ｘ1 ＋ｙ1 ＋ｚ1 ＝１００とする。この主層２の特性は、Ｂｓ≧１．８〔Ｔ〕、保磁力Ｈｃ＜５〔Ｏｅ〕であることが望ましい。
【００２２】副層３は、ＦｅＮｉを主成分とする構成においては、その厚さｔ2 が０．１μｍ≦ｔ2 ≦１．０μｍとされ、組成がＦｅX2Ｎｉz2（ｘ2 ，ｚ2 は、それぞれ原子％）において、１５≦ｘ2 ≦６０４０≦ｚ2 ≦８５ｘ2 ＋ｚ2 ＝１００に選定される。
【００２３】また、副層３を、ＦｅＣｏＮｉを主成分とする構成とする場合においては、その厚さｔ3 が０．１μｍ≦ｔ3 ≦１．０μｍとされ、組成がＦｅX3Ｃｏy3Ｎｉz3( ｘ3 ，ｙ3,ｚ3 は、それぞれ原子％）において、１０≦ｘ3 ≦２０５０≦ｙ3 ≦７５１５≦ｚ3 ≦３０ｘ3 ＋ｙ3 ＋ｚ3 ＝１００に選定される。
【００２４】そして、上述した主層２の総厚をＴ1 とし、ＦｅＮｉ副層３の総厚をＴ2 とし、ＦｅＣｏＮｉ副層３の総厚をＴ3 とするとき、Ｔ2 ／（Ｔ1 ＋Ｔ2 ）≦０．３、Ｔ3 ／（Ｔ1 ＋Ｔ3 ）≦０．３に選定する。
【００２５】このように、主層２と副層３との繰り返し積層によって構成された軟磁性膜１の磁気的特性は、Ｂｓ＞１．７〔Ｔ〕、Ｈｃ＜３〔Ｏｅ〕が望ましく、この軟磁性膜１の膜厚Ｔｓ（すなわち、Ｔ1 ＋Ｔ2 あるいはＴ1 ＋Ｔ3 ）は、Ｔｓ≦７μｍとされる。
【００２６】この構成において、主層２のＦｅＣｏＮｉの各組成ｘ1 ，ｙ1 ，ｚ1 の組成範囲の選定は、高い飽和磁束密度Ｂｓが得られる組成として知られている範囲に選定したものである。そして、ＦｅＮｉ副層３におけるｘ2 およびｚ2 の組成は、ＦｅＮｉ合金ではＦｅの組成が小さ過ぎると、飽和磁束密度Ｂｓが低く、軟磁性膜１においてＢｓの低下を来し、目的とするＢｓ＞１．７〔Ｔ〕が得難くなる。例えばＦｅが１５原子％のＦｅ15Ｎｉ85におけるＢｓは１．０〔Ｔ〕以下となる。また、Ｆｅが６０原子％以上となると高いＢｓは得られるものの、保磁力および磁歪が磁気ヘッドの薄膜コアへの適応において好ましくなくなる。また、ＦｅＣｏＮｉ副層３においてはは、上述した高いＢｓを示すＦｅＣｏＮｉ組成領域（特に、Ｆｅ組成が大きく、Ｎｉ組成が小さい領域）では、粗大粒子析出のための平滑な膜が得難く、このような組成の膜を副層として用いることが好ましくないことからＦｅを２０原子％以下とし、また著しいＢｓ低下を回避する上で、１０原子％とするものである。
【００２７】また、上述したように、主層２の膜厚ｔ1 を０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．８μｍ（好ましくは０．１μｍ≦ｔ1 ≦１．５μｍ）に選定する理由は、ＦｅＣｏＮｉ主層の膜厚が余り薄いと、特に０．１μｍ未満では、透磁率が充分得られなくなること、また、余り厚くなると、特に１．８μｍを超えると、高飽和磁束密度を示すＦｅＣｏＮｉの組成領域において、粗大粒子析出が起こり易くなって表面性の劣化、高周波透磁率の低下を来たし、磁気ヘッド磁性膜として加工性に問題が生じたり、高周波特性が低くなることを認めたことによる。特に、前述したように、硫黄を含まない高ＢｓのＦｅＣｏＮｉにおいては、膜厚ｔ1 が１．８を超えると剥離が生じる。
【００２８】また、副層３の厚さｔ2 およびｔ3 を、０．１μｍ≦ｔ2 ，ｔ3 ≦１．０μｍに選定し、かつ軟磁性膜１の膜厚Ｔｓ（すなわちＴ1 ＋Ｔ2 あるいはＴ1 ＋Ｔ3）に対する各ＦｅＮｉおよびＦｅＣｏＮｉ副層３の総厚Ｔ2 およびＴ3 の各比、（Ｔ2 ／（Ｔ1 ＋Ｔ2 ）およびＴ3 ／（Ｔ1 ＋Ｔ3 ）をそれぞれ０．３以下に選定する理由は、まず、副層の厚さｔ2 およびｔ3 の膜厚が０．１μｍ以下では、この副層３を設けることによる応力の緩和等の効果が生じにくくなること、また、これら膜厚ｔ2 およびｔ3 が、１．０μｍを超えても、この副層３の介在による効果が増加することはなく、かえって軟磁性膜１における飽和磁束密度Ｂｓを低下させるという不都合が生じてくるものであり、特に、最終的に得る飽和磁束密度Ｂｓを１．７〔Ｔ〕以上とするためには、軟磁性膜１における副層３の占める膜厚総和が、０．３を超えると、軟磁性膜１における飽和磁束密度Ｂｓが低下してくることを認めたことに因る。
【００２９】そして、本発明による軟磁性膜の製造方法は、上述した構成による主層２と副層３の繰り返し積層成膜工程を採る。そして、主層２は、電気メッキによって成膜し、副層３は、これが主層２と組成比を異にするものの、同一組成元素による場合、すなわち主層２および副層３が、共にＦｅＣｏＮｉを主成分とする場合においては、同一メッキ浴を用いて電気メッキによって連続的に積層成膜することができる。また、副層３が、ＦｅＮｉを主成分とする場合においては、電気メッキ法、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法、気相成長法等によって成膜する。
【００３０】また、主層２は、ＦｅＣｏＮｉを主成分とし、副層３は、ＦｅＣｏＮｉもしくはＦｅＮｉを主成分とするが、これにＳ、Ｃ、Ｎ等を添加することができる。しかしながら、この場合においても、その添加量は、飽和磁束密度Ｂｓが大幅に低下することがない程度の原子数濃度が１原子％以下とすることが望ましい。
【００３１】また、本発明による磁気ヘッドは、例えば図２にその一例の概略断面図を示すように、前方面１２すなわち磁気記録媒体１１との対向ないしは対接面に臨んで磁気ギャップｇを形成する磁路１３においてその少なくとも一部が軟磁性膜によって構成される薄膜磁気ヘッド１０にあって、その軟磁性膜を、上述した本発明による軟磁性膜１によって構成する。
【００３２】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上述した本発明による薄膜磁気ヘッドの軟磁性膜１の製造工程が、上述した本発明による軟磁性膜の製造方法によるものである。
【００３３】次に、本発明による軟磁性膜１の製造方法の実施形態を説明する。主層２を構成するＦｅＣｏＮｉ、更に或る場合は、副層３を構成するＦｅＣｏＮｉを電気メッキする。
【００３４】〔導電性下地層〕まず、これら電気メッキを行う面、すなわち図１で示す軟磁性膜１を形成する基体４の軟磁性膜形成面４ｓが、非導電性もしくは導電性に劣る場合は、軟磁性膜形成面４ｓに導電性下地層５を形成する。この導電性下地層５は、基体４を構成する例えばガラス基板、Ｓｉウェハー等の表面、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁層による軟磁性膜形成面４ｓに、金属層、例えば厚さ１０ｎｍ〜２０ｎｍのＣｒ層と、厚さ５５ｎｍ〜２００ｎｍのＣｕ層との積層構造、あるいは厚さ１０ｎｍ程度のＴａと厚さ５５ｎｍのＦｅＮｉとの積層構造の導電層をそれぞれ例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタよって形成する。この導電性下地層５は、軟磁性膜１のメッキにおいて、低電流密度のメッキがなされる場合、軟磁性膜１が、下地層５の金属の結晶配向に応じて同一配向がなされるエピタキシャル成長が起こることから、下地層５はその配向に考慮が必要となるが、比較的高電流密度によるメッキがなされる場合いおいては、下地層５の配向は問題とならない。
【００３５】〔メッキ浴〕ＦｅＣｏＮｉメッキ浴は、金属塩として、例えばスルファミン酸塩、硫酸塩、塩酸塩を用い、添加剤として、サッカリン酸ナトリウム、ホウ酸、アスコルビン酸、酒石酸、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、アウリル硫酸ナトリウム等を添加した水溶液系の浴を用いることができる。
【００３６】〔アノード〕メッキにおけるアノードは、不溶性のＴｉ上にＰｔを被覆したアノード、あるいは例えばＮｉ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＮｉによる可溶性のアノードを用いることができる。この可溶性アノードを用いるときは、メッキ中のＦｅ（II）の酸化（生成物はＦｅ(III) による浴の消耗を抑制することができるとともに、浴中に連続的に金属を供給することができる。
【００３７】〔成膜条件〕
温度：温度は、室温から５０℃程度が望ましい。比較的高温にすると膜質および表面性にすぐれた平滑な膜が得られ易くなるが、浴の消耗が激しくなることから、室温より幾分高い温度とすることが望ましい。この浴の消耗は、主にＦｅ(II)の酸化が起こり易くＦｅ(III) になってしまうことに因る。
ｐＨ：ｐＨは、２〜４程度が望ましい。ｐＨが低くなると金属析出と競合する水素発生が優先的に起こり、成膜速度が極端に低下する。逆に、ｐＨが高い場合、水素発生が抑制され、電流効率が高くなるが、膜質および表面性にすぐれた平滑な膜が得られにくくなる。
電流密度：電流密度は、パルス電解の場合は、２０〜２５０〔ｍＡ／ｃｍ2 〕、直流電解の場合は、３〜４０〔ｍＡ／ｃｍ2 〕が望ましい。金属析出の、電流の集中する箇所におけるバリを防ぐため、一時的に逆電流を流す、いわゆるＰＲパルス電解を用いることができる。
撹拌：撹拌は、一般的に用いられているパドル撹拌法を用いることができる。しかしながら、超音波撹拌、回転撹拌等の定常的で効率の良い撹拌を行うことができる周知の手法を用いることができる。尚、軟磁性膜１に一軸異方性を付与することが望まれる場合においては、磁場中メッキを行うことができる。また、組成分布、膜厚分布向上のためメッキ浴中に補助電極を用いて、メッキ浴中に、本来の電流線とは異なる電流線を形成して被メッキ体（基体４）とアノード間の電流線の制御を行うことができる。
【００３８】〔第１の実施形態〕この実施形態においては、主層２および副層３が、互いに組成を異にするＦｅＣｏＮｉによって同一メッキ浴によって電解メッキを行って軟磁性膜１を成膜した場合である。このメッキは、図３および図４に示すように、メッキ槽３０が設けられ、このメッキ槽３０内で、メッキ処理がなされる。このメッキ槽３０のメッキ浴は、例えば図４に示すように、メッキ液採取弁３１によって制御され供給されたメッキ液がポンプ３２によってフィルタ３３および流量計３４を通じて所要の流量をもって供給される。またこのメッキ槽３０からのメッキ液が所要量フィルタ３３によって浄化されて循環される。
【００３９】メッキ槽３０は、例えば図４に示すように、メッキ液供給口３５とメッキ液導出口３６とを有する。メッキ槽３０内のメッキ浴中には、軟磁性膜１を形成する基体４を固定保持するカソードとなる基体固定治具３７が配置され、基体４の配置部に対向してアノード３８が配置される。また、メッキ槽３０内にはメッキ浴を所要の温度に加温するヒータ３９と、メッキ浴の撹拌手段４０例えばスキージが配置される。そして、カソード３７およびアノード３８間に電源４１が接続される。
【００４０】メッキ浴としては、溶解度の高いスルファミン酸塩を採用し、高濃度スルファミン酸浴において、成膜速度が速い、結晶粒径の微細化が図られるなど、様々な利点を発揮するパルス電解によった。アノード３８は、例えばＮｉ電極、あるいはＰｔメッキが施されたＴｉ電極を用いることができる。
【００４１】そのメッキ時の通電態様を、図５Ａ〜Ｃ、図６ＡおよびＢに例示する。各図において、縦軸は通電電流密度ｊを示し、横軸は時間経過Ｔを示す。第１の通電態様においては、例えば図５Ａに示すように、電流密度ｊｐ1 を所要のｔonの区間通電するパルス通電を、所要の休止区間ｔoff の間隔をもって必要数繰り返し行って主層２をメッキし、その後、電流密度ｊｐ1 に比して低い所要の電流密度ｊｐ2 のパルス通電を同様に例えば繰り返し行って副層３を形成する。この作業を繰り返し行うことによって所要層数の主層２と副層３が繰り返し積層された軟磁性膜１を成膜する。
【００４２】また、例えば図５Ｂに示すように、例えば副層３のメッキにおいては、電流密度ｊｐ2 による直流通電を行うことによって形成することもできる。また、例えば図５Ｃに示すように、それぞれ電流密度ｊｐ1 およびｊｐ2 のパルス幅ｔon1 およびｔon2 による各１パルス毎に、主層２および副層３を繰り返しメッキすることもできる。あるいは、例えば図６Ａに示すように、各電流密度ｊｐ1 およびｊｐ2 によるパルスを連続させたパルス形状として主層２および副層３の形成を行い、所要区間で例えば塩の拡散を生じさせる休止区間ｔoff を設ける態様を採ることもできる。更にあるいは、例えば図６Ｂに示すように、休止区間ｔoff を設けることなく、区間ｔon1 およびｔon2 によって主層２および副層３を繰り返しメッキすることもできる。そのほか、上述した２種の電流密度ｊｐ1 およびｊｐ2 のみによることなく、種々の３種以上の電流密度の組み合わせによるメッキを行って２種以上の組成の例えば主層２の形成を行うこともできる。
【００４３】次に、メッキ浴組成および成膜条件を、表１に例示する。
【００４４】
【表１】

【００４５】この場合のＦｅＣｏＮｉメッキ膜は、ＦｅX Ｃｏy Ｎｉz （ｘ，ｙ，ｚは、原子％、でｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）において、２０≦ｘ≦３０、１０≦ｚ≦２０近傍特に２１≦ｘ≦２６、１０≦ｙ≦１４の組成領域で、飽和磁束密度Ｂｓ＞１．８〔Ｔ〕、保磁力Ｈｃ＜３〔Ｏｅ〕の軟磁気特性を示し、また低磁歪を示した。したがって、このようにして得られる磁性膜は、例えば磁気ヘッド材料として好適な特性を示す。
【００４６】ところが、この組成領域のＦｅＣｏＮｉのメッキ膜においては、粒径が５０ｎｍ以上の粗大粒子の析出が起こり易く、磁気ヘッドへの適用には困難となる。この粗大粒子は、パターン近傍や、下地基体４例えばウェハー周辺部等の電解集中、すなわち電流線の集中が著しい箇所において顕著に観察される。しかしながら、このＦｅＣｏＮｉメッキの膜厚を１μｍ以下とするときは、結晶粒の成長を防ぐことができ、粗大粒子析出が極めて起こりにくくなることを究明した。
【００４７】これについて説明する。図７ＡおよびＢは、軟磁性膜の形成面４ｓ上に、所定のパターンに軟磁性膜を形成するように、開口２１Ｗが形成されたメッキマスクのレジスト膜２１を形成し、上述した実施形態に基いてＦｅＣｏＮｉによる軟磁性膜２０を形成した場合のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真に基く概略断面図を示したものである。図７Ａは、その軟磁性膜２０の膜厚を１μｍ以下とした場合であり、図７Ｂは、膜厚を２．０μｍとした場合である。その膜厚を大とした場合には、図７Ｂに示すように、粗大粒子２０Ｇが特にパターン縁部に顕著に発生している。
【００４８】一方、ＦｅX Ｃｏy Ｎｉz において、ｘ＜２０、ｚ≧１４の場合、その飽和磁束密度Ｂｓは、１．８〔Ｔ〕未満という、さほど高くない値となるが、膜質および平滑性にすぐれた膜が得られ易い。
【００４９】この実施形態においては、粗大粒子析出が起こり易いが、飽和磁束密度Ｂｓが１．８〔Ｔ〕以上のＦｅＣｏＮｉより成る２層以上の主層２間に、上述したＢｓが１．８〔Ｔ〕未満の副層３を介在させた図１で示した積層構造によって軟磁性膜１を構成する。
【００５０】この構成による軟磁性膜１は、低保磁力、高飽和磁束密度Ｂｓを保持して、かつ低応力、粗大粒子の析出の回避が図られ、２μｍ以上の膜厚を有する軟磁性膜１を、すぐれた膜質および平滑性をもって形成することができた。そして、粗大粒子の析出が効果的に回避されることから、その膜作製における成膜速度、すなわちメッキ速度を高めることができた。
【００５１】すなわち、本発明構成による軟磁性膜は、硫黄Ｓの無添加、あるいは極めて微量の添加のみを行う構成とした応力の緩和効果が損なわれるものであるが、本発明構成では、低応力、粗大粒子の析出の回避が図られ、２μｍ以上の膜厚を有する軟磁性膜１を、すぐれた膜質および平滑性をもって形成することができた。これは、その主層２間に、他の組成による副層３を介在させた構成として主層２の分断がなされたことによって粗大粒子の析出の抑制、応力の緩和が図られたと考えられるものである。
【００５２】また、上述した組成比を異にするＦｅＣｏＮｉによる主層２および副層３は、同一メッキ浴を用いて、メッキ条件例えば電流密度を選定することによって構成することができる。すなわち、この系におけるメッキ膜中の各金属Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの濃度と電流密度との関係をそれぞれ図８Ａ、ＢおよびＣに示す。これより、飽和磁束密度Ｂｓに大きな影響を与えるＦｅ、Ｎｉの組成が、電流密度に大きく依存していることが分かる。そして、パルス電解は、低電流から瞬間的な大電流まで幅広く電流密度を用いることができるため、単に電流密度を変化させるだけで大きく組成が異なるＦｅＣｏＮｉ膜を同一メッキ浴によって成膜可能であることが分かる。
【００５３】したがって、金属塩の濃度が比較的高いメッキ浴において、パルス電解を用いて成膜を行った場合、浴の組成、ｐＨ、温度などの他の組成に影響を与えるパラメータを変えることなく、電流密度だけを変えるだけで同一浴において、上述主層２および副層３の繰り返し積層膜を連続的に成膜することができることが分かる。
【００５４】因みに、ＦｅＣｏＮｉメッキにおいて、一般的に用いられている硫酸浴による直流電解メッキでは、電流密度の範囲がある程度制限されるため、電流密度を変えても組成はそれほど変化しないという報告（Young K.Kim and Charles Partee,IEEE Trans ．Magn.,33,2815(1997))があるが、実際には、表２に示すように、電流密度をきわめて小さくすると、組成が大きく変化する。
【００５５】
【表２】

【００５６】このように直流メッキにおいても、同一のメッキ浴による異組成のＦｅＣｏＮｉメッキ膜の作製が可能であることが確認でき、直流電解だけでも積層膜の作製が可能であることが分かる。尚、これらパルス電流、直流電流を組み合わせることによっても積層膜の作製が可能であり、電流密度を様々に変化させて、組成の異なる３種類以上のＦｅＣｏＮｉ膜を積層成膜することもできる。
【００５７】〔第２の実施形態〕この実施形態においては、主層２を、ＦｅＣｏＮｉによる構成とし、副層３をＦｅＮｉとした。これらは、格子定数が極めて近いものであることから、これらＦｅＣｏＮｉとＦｅＮｉとの積層成膜は良好に行うことができる。しかしながら、このように、副層３をＦｅＮｉによって構成する場合は、主層２のＦｅＣｏＮｉと、このＦｅＮｉと同一メッキ浴によって構成することはできない。
【００５８】次に、本発明による軟磁性膜の実施例を挙げて説明する。
〔実施例１〕この実施例においては、図５Ａで説明した通電態様によって、２層の主層２間に副層３が介在された軟磁性膜を成膜した場合である。主層２は、Ｆｅ25Ｃｏ63Ｎｉ12によってそれぞれ厚さ０．９μｍとした場合で、副層３は、Ｆｅ18Ｃｏ64Ｎｉ18によって厚さ０．１とした場合である。この構成による軟磁性膜を試料１とする。
【００５９】〔実施例２〕この実施例においては、主層２を実施例１と同様の組成および厚さとした場合であるが、副層３をＦｅ55Ｎｉ45によって形成した。この場合においても２層の主層２間に副層３が介在された軟磁性膜を成膜した場合である。この構成による軟磁性膜を試料２とする。
【００６０】〔比較例１〕この例では、厚さ２．０μｍのＦｅ25Ｃｏ63Ｎｉ12単一構造のメッキ層とした。この軟磁性膜を試料３とする。
【００６１】〔比較例２〕この例では、厚さ０．９のＦｅ31Ｃｏ59Ｎｉ10による２層の主層２間にＦｅ55Ｎｉ45による副層３が介在された軟磁性膜を構成した場合である。この軟磁性膜をを試料４とする。
【００６２】〔比較例３〕この例では、Ｆｅ31Ｃｏ59Ｎｉ10の軟磁性膜の単一構造のメッキ層とした。この構成の軟磁性膜を試料５とする。
【００６３】これら各試料１〜５の、磁気的特性すなわち飽和磁束密度Ｂｓおよび保磁力Ｈｃの測定結果を表３に示す【００６４】
【表３】

【００６５】表３により明らかなように、本発明による試料１および２は、高いＢｓを有し、しかもＨｃが格段に低減化され、軟磁性を示す。
【００６６】上述したように、本発明による軟磁性膜は、高飽和磁束密度Ｂｓを有するものの、応力が大きいことによって大きな膜厚とすることに問題のあったＦｅＣｏＮｉメッキ膜を、その高飽和磁束密度Ｂｓを保持したままで、十分大なる膜厚をもって成膜することができるものである。
【００６７】そして、前述したように、本発明による薄膜磁気ヘッドは、磁路の少なくとも一部を薄膜コアによって構成する場合において、その薄膜コアを本発明による軟磁性膜によって構成する。図２においては、再生感度にすぐれた磁気抵抗効果型磁気ヘッドによる再生磁気ヘッド５６上に、記録磁気ヘッドとしての本発明による薄膜磁気ヘッド１０を一体に構成して記録再生磁気ヘッドを構成した場合の一例の概略断面図である。
【００６８】この場合、例えば磁気シールド基板５１上に、第１の電極層５２が形成され、この上に、例えば面垂直電流型のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子による磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）５３が形成される。このＭＲ素子５３の周囲には絶縁層５４が埋め込まれる。ＭＲ素子５３上には、第２の電極層５５が形成され、これら電極５２および５５間にＭＲ素子５３に対し、その膜面と交叉する方向にセンス電流の通電がなされる。このようにして、磁気抵抗効果型再生ヘッド５６が形成される。
【００６９】ＭＲ素子５３は、例えば図示のように、前方面１２に直接臨んで配置され、この前方面１２から、磁気記録媒体１１上の記録磁区からの情報磁界を導入して、この情報信号の再生を行うようにする。あるいは図示しないがＭＲ素子５３を前方面１２より後退した位置に配置し、このＭＲ素子５３と磁気的に結合する磁束ガイド（図示せず）を設けてこの磁束ガイドの前方端を前方面１２に臨ませてこれに上述した磁気記録媒体からの情報磁界をＭＲ素子に導入して再生を行う。
【００７０】第２の電極層５５は、例えば磁気シールド兼電極層によって構成し、更に本発明による薄膜磁気ヘッド１０を構成する下層コアを構成する磁性層とすることもできるが、図２で示した例においては、第２の電極層５５上に、薄膜磁気ヘッドを構成する下層コア層５６を設けた場合である。
【００７１】そして、下層コア層５６上に、薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップｇを前方端において形成する例えばＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性層５７が形成され、この上に例えば薄膜導電層によるコイル５８が形成される。
【００７２】コイル５８上には絶縁層５９が被覆され、この上に、コイル５８の中心部で下層コア層５６と磁気的に結合させた上層コア層６０が形成される。これら下層コア層５６および上層コア６０の前方端は、前方面１２に非磁性層５７を介して臨み磁気ギャップｇが形成される。そして、上層コア層６０上には保護層６１が被覆される。この構成において、例えば上層コア層６０、および／または下層コア層５６が薄膜コアによって構成されるものであり、本発明においては、これら薄膜コアを上述した本発明による軟磁性膜１によって構成する。
【００７３】この構成による薄膜磁気ヘッド１０は、その薄膜コアが、前述したように、磁気特性にすぐれたすなわち高飽和磁束密度を有し、保磁力が低く、また十分厚い膜厚を有し、磁歪、粗大粒子のない薄膜磁性膜によって構成されることから、高周波特性にすぐれ、ノイズが小さく、電磁変換特性にすぐれた、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを構成することができる。
【００７４】尚、本発明による軟磁性膜１の膜構成、本発明による薄膜磁気ヘッドは、上述した例に限定されるものではなく、本発明構成において、種々の変形変更を行うことができることはいうまでもない。
【００７５】
【発明の効果】上述したように、本発明による軟磁性膜は、高い飽和磁束密度Ｂｓを有し、低保磁力を有するすなわち軟磁性を有し、また磁歪が小さく、耐蝕性にすぐれ、磁気的特性、信頼性にすぐれた、十分膜厚が大きい、軟磁性膜とすることができるものである。
【００７６】本発明による薄膜磁気ヘッドは、上述した特性を有する軟磁性膜によって薄膜磁気ヘッドを構成することによって、例えば高密度化を図るために、高抗磁力（高保磁力）を有する記録磁気記録媒体に対して、すぐれたオーバーライト特性を有する電磁変換特性にすぐれ、ノイズの小さい、信頼性の高い、薄膜磁気ヘッドを構成することができるものである。
【００７７】そして、本発明方法によれば、粗大粒子析出を抑制する効果を得ることができることによって、通常においては、粗大粒子析出が生じやすい高電流密度の電気メッキによってＦｅＣｏＮｉの主層を形成することができることから、高速メッキが可能になるものである。
【００７８】また、ＦｅＣｏＮｉによる主層２と副層３とを用いることによって同一メッキ浴を用いることができることから、多層の主層２および副層３の積層を連続作業で行うことができ、生産性の向上を図ることができる。
【出願人】 【識別番号】０００００２１８５
【氏名又は名称】ソニー株式会社
【住所又は居所】東京都品川区北品川６丁目７番３５号
【出願日】 平成１３年８月９日（２００１．８．９）
【代理人】 【識別番号】１０００８０８８３
【弁理士】
【氏名又は名称】松隈 秀盛
【公開番号】 特開２００３−５９７１７（Ｐ２００３−５９７１７Ａ）
【公開日】 平成１５年２月２８日（２００３．２．２８）
【出願番号】 特願２００１−２４２４２３（Ｐ２００１−２４２４２３）