画像彫刻方法

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【発明の名称】	画像彫刻方法
【発明者】	【氏名】五十嵐晃治【住所又は居所】大阪府茨木市南春日丘５丁目８番４号コムネット株式会社内
【要約】	【課題】繊細な画像に対する再現性が良く、且つインキの保持性が向上した画像彫刻方法を提供する。【解決手段】石板２２の上面に剥離紙２４を介して合成樹脂シート２３を全面に取付ける。合成樹脂シート２３の上方から２値化データに基づく制御によってレーザ光線２６を照射して、合成樹脂シート２３及び剥離紙２４に貫通孔２７を形成する。次に合成樹脂シート２３の上方から全面にサンドブラスト３１を施して、貫通孔２７に対向する位置の石板２２の部分に、径に対してその深さが大きな彫刻孔３４を形成する。次に合成樹脂シート２３の上面にインキ３６を全面に塗布して彫刻孔３４内部にインキ３６を充填する。インキ３６が乾燥した後、合成樹脂シート２３及び剥離紙２４を除去すると、微細な彫刻孔３４にインキ３６が充填された状態が表れ、所望の画像が石板２２に形成される。

【特許請求の範囲】
【請求項１】写真画像等をグレイスケールで表すための２値化データに基づいて被彫刻体に画像を彫刻する画像彫刻方法であって、前記被彫刻体の一方面上に、これを被覆するように保護シートを形成する工程と、前記保護シートに、前記２値化データに基づいてレーザー光線を照射、非照射させて、前記保護シートの所定箇所に複数の貫通孔を形成する工程と、前記保護シートの全面にサンドブラスト処理を施して、前記貫通孔に対向する位置の前記被彫刻体の部分に彫刻孔を形成する工程とを備えた、画像彫刻方法。
【請求項２】前記保護シートの上面にインキを塗布し、前記インキを少なく共前記彫刻孔に充填する工程と、前記保護シートを前記被彫刻体から除去する工程とを更に備えた、請求項１記載の画像彫刻方法。
【請求項３】前記保護シートは、合成樹脂シートと剥離紙とからなる、請求項２記載の画像彫刻方法。
【請求項４】前記２値化データは網点型データであり、前記被彫刻体は石板を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の画像彫刻方法。

【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は画像彫刻方法に関し、特にグレイスケールで表すための２値化データに基づいて被彫刻体に画像を彫刻する画像彫刻方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の画像彫刻方法の概略工程を示した断面図である。
【０００３】図を参照して、その（１）に示されているように、マスクとなるべき感光性樹脂板６１の上面に写真フィルム６２が取付けられる。写真フィルム６２は、写真画像等をグレイスケールで表すための２値化データよりなる画像を撮影して得られたネガフィルムである。すなわち、写真フィルム６２には、その２値化データに応じて透明部分６４及び不透明部分６５が所定の位置に形成されている。
【０００４】この状態で写真フィルム６２に対して紫外線による露光６７を施す。照射された紫外線は写真フィルム６２の透明部分６４を通して感光性樹脂板６１を感光させ、感光部分６８を形成する。一方、写真フィルム６２の不透明部分６５の部分は露光６７による紫外線が通過しないため、未感光の状態のまま残ることになる。
【０００５】所定時間の露光６７が終了すると、感光性樹脂板６１から写真フィルム６２を除去して感光性樹脂板６１を所定の薬品で洗浄し、感光部分６８を感光性樹脂板６１から除去する。尚、この時感光部分６８の下方部は未感光の部分として残存するため、感光性樹脂板６１はその下面が連続することにより全体形状を保ち、感光性樹脂板６１の移送に不都合はない。
【０００６】次に、この様にして得られたマスク７３を、図３の（２）に示されているように彫刻すべき石板２２の上面にセットする。そしてこの状態でマスク７３の上方からサンドブラスト７０を施す。サンドブラスト７０に用いられる微粒子７１は、マスク７３の欠損部７４下部の残存部７５を貫通させる必要があるため、その粒径は相対的に大きなものを使用する。微粒子７１は高圧でマスク７３に吹き付けられ、マスク７３の残存部７５を貫通させる。そして更に微粒子７１の吹き付けを続けると、図３の（３）に示されているように、マスク７３に形成された貫通孔７７を通して石板２２の上面に彫刻孔７８が形成される。
【０００７】次に、この状態でマスク７３の上面全面にインキ３６を塗布し、マスク７３の貫通孔７７及び石板２２の彫刻孔７８にインキ３６を充填させる。
【０００８】インキ３６の塗布が終了しこれが乾燥すると、石板２２からマスク７３を除去する。すると図３の（４）に示されているように、石板２２の上面に形成された彫刻孔７８にインキ３６が充填された状態が表れる。このインキ３６はグレイスケールで表すための２値化データに対応するように表れることから、石板２２の表面に所望の写真画像等が彫刻されて転写されることになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の画像彫刻方法にあっては、写真感光によってマスクを形成するため感光性樹脂板６１には洗浄工程が必要である。そのため洗浄場所から石板２２の上面まで感光性樹脂板６１を移送する必要があり、上述のように残存部７５を残して欠損部７４を形成する必要がある。そのため、マスクとして不要な残存部７５を貫通させるために、サンドブラスト７０は粒径が大きな微粒子７１を使わねばならない。
【００１０】その結果、欠損部７４はこの微粒子７１が通過するのに必要な最小限の径に設定する必要がある。従って欠損部７４は相対的に大きな径となり、これによって石板２２に形成される彫刻孔７８の径も大きくなってしまい、階調を伴うような微細な画像データの再現には適していない。
【００１１】又、石板２２に形成される彫刻孔７８はその径に対して相対的にその深さが小さいため、充填されたインキ３６が石板２２から脱落しやすい。
【００１２】この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、繊細な画像に対する再現性が良く、且つインクの保持性が向上した画像彫刻方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、請求項１記載の発明は、写真画像等をグレイスケールで表すための２値化データに基づいて、被彫刻体に画像を彫刻する画像彫刻方法であって、彫刻体の一方面上に、これを被覆するように保護シートを形成する工程と、保護シートに、２値化データに基づいてレーザ光線を照射、非照射させて、保護シートの所定箇所に複数の貫通孔を形成する工程と、保護シートの全面にサンドブラスト処理を施して、貫通孔に対向する位置の被彫刻体の部分に彫刻孔を形成する工程とを備えたものである。
【００１４】このように構成すると、保護シートには微細な貫通孔が形成されるため、サンドブラストに使用する粒子は粒径が小さなものとなる。
【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の構成において、保護シートの上面にインキを塗布し、インキを少なく共彫刻孔に充填する工程と、保護シートを被彫刻体から除去する工程とを更に備えたものである。
【００１６】このように構成すると、その径に対して相対的に深い彫刻孔にインキが充填され、画像が明瞭に表れる。
【００１７】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明の構成において、保護シートは、合成樹脂シートと剥離紙とからなるものである。
【００１８】このように構成すると、剥離紙は被彫刻体を保護すると共に合成樹脂シートの被彫刻体からの除去を容易にする。
【００１９】請求項４記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明の構成において、２値化データは網点型データであり、被彫刻体は石板を含むものである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発明は、サンドブラストに使用する粒子は粒径が小さなものとなるため、被彫刻体に形成された彫刻孔は小さな径で、且つその径に対して相対的に深くなる。そのため、繊細な画像の再現性が向上し被彫刻体の品質が向上する。
【００２１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の効果に加えて、径に対して相対的に深い彫刻孔にインキが充填されるため、インキの保持性が高まり、被彫刻体の品質が向上する。
【００２２】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明の効果に加えて、被彫刻体の品質が向上すると共に、使い勝手が向上する。
【００２３】請求項４記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明の効果に加えて、画像の階調性の変化がより自然となり、又石板は撓みが少ないため、インキの保持性がより高まることになる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１の実施の形態による画像彫刻装置の概略構成を示したブロック図である。
【００２５】図を参照して、画像彫刻装置１０は制御部１２を中心として構成され、イメージスキャナ等の写真画像等から画像データを読み取るための画像読取部１３と、画像読取部１３によって読み込まれた画像データをグレイスケールで表すための２値化データに変換するための２値化処理部１４と、２値化処理部１４によって処理された２値化データを記憶する記憶部１５と、記憶部１５に記憶された２値化データに基づいてレーザ彫刻機（図示せず）を駆動するためのレーザ駆動部１６とから構成されている。
【００２６】そして制御部１２は、後述するようなブラスト処理及びインキ塗布を行なうブラスト装置１８及びインキ塗布装置２０とも連携して使用するように構成することも可能である。
【００２７】図２は図１で示した画像彫刻装置、ブラスト装置及びインキ塗布装置を用いて行う画像彫刻方法の概略工程を示した断面図である。
【００２８】図を参照して、その（１）に示されているように、被彫刻体の１つである石板２２の一方面上に、これを被覆するように和紙製の微弱糊付きの剥離紙２４が貼りつけられ、更にその上にアクリル系の合成樹脂シート２３が貼りつけられる。そして合成樹脂シート２３の上方から２値化処理されたデータに基づいてレーザ光線２６がオン、オフ制御され、照射、非照射を合成樹脂シート２３の全面に対して行なう。
【００２９】レーザ光線２６が照射された位置にあっては、合成樹脂シート２３及び剥離紙２４が貫通されて複数の貫通孔２７が形成されるとともに、貫通孔２７に対向する位置の石板２２の上面も若干凹み、凹み部２８が形成される。この時貫通孔２７は、レーザ光線２６の照射によって形成されるため、極めて微細な径となる。
【００３０】次に図２の（２）に示されているように、合成樹脂シート２３の上方から合成樹脂シート２３全面に対してサンドブラスト３１を施す。この時サンドブラスト３１に用いられる細微粒子３２は、貫通孔２７の微細な径に合わせたより細かな径のものが使用される。細微粒子３２は高圧で合成樹脂シート２３に対して吹き付けられるが、その粒子径の大きなものに比べてマスクに対する貫通力は大きなものではない。しかし、この実施の形態においてはマスクとなる合成樹脂シート２３及び剥離紙２４がすでに貫通されているため、貫通力の低下による不都合はない。
【００３１】このようにしてサンドブラスト３１を施すと、石板２２の上面に形成された凹み部２８は更に深く形成されることになり、径に対して相対的に深さの大きな彫刻孔３４が貫通孔２７に対向する位置に形成される。この時細微粒子３２の粒子径が小さいため、サンドブラスト３１による彫刻孔３４の径を広げるように働く作用は小さなものとなる。
【００３２】所定深さの彫刻孔３４の形成が終了すると、この状態で図２の（３）に示されているように合成樹脂シート２３の上面全面に例えば耐水耐候性を有するインキ３６を塗布する。これによってインキ３６は、石板２２の上面に形成された彫刻孔３４の内部に充填されることになる。
【００３３】そしてインキ３６の充填が終了しこれが乾燥した状態となると、剥離紙２４とともに合成樹脂シート２３を石板２２から除去する。すると図２の（４）に示されているように、石板２２の表面に形成された微細な彫刻孔３４内に充填されたインキ３６がその表面に表れることになる。これによって、写真画像等を石板２２の表面に２値化データとして極めて微細に彫刻した画像として表すことが可能となる。
【００３４】このように彫刻孔３４はその径に比べて深さが大きいため、その内部に充填されたインキ３６は石板２２から容易に脱落することはなくその保持性が向上する。又、石板２２は被彫刻体として撓み等がほとんど無いため、インキ３６の保持性がより向上する。
【００３５】尚、上記の実施の形態では、彫刻孔を形成後インキを塗布しているが、被彫刻体の材質等によってはインキを塗布せずに彫刻孔のみで転写画像を表すことも可能である。
【００３６】又、上記の実施の形態では、合成樹脂シートを剥離紙の上に貼り付けているが、剥離紙は被彫刻体の表面を保護すると共に、合成樹脂シートの除去を容易にするために使用されるものである。したがって、こららの利点を考慮しない場合には、剥離紙を用いずに合成樹脂シートを直接被彫刻体の表面に貼りつけて使用することも可能である。
【００３７】更に、上記の実施の形態では、被彫刻体として石板を使用しているが、これに代えて樹脂板、ガラス板等を用いても良い事は言うまでもない。

【出願人】	【識別番号】５００４５４４０４【氏名又は名称】コムネット株式会社【住所又は居所】大阪府大阪市淀川区西中島４丁目６番１６号新大阪ＮＫビル４Ｆ
【出願日】	平成１４年１月１７日（２００２．１．１７）
【代理人】	【識別番号】１００１０１４０９【弁理士】【氏名又は名称】葛西泰二
【公開番号】	特開２００３－２１１８９８（Ｐ２００３－２１１８９８Ａ）
【公開日】	平成１５年７月３０日（２００３．７．３０）
【出願番号】	特願２００２－８４９５（Ｐ２００２－８４９５）