| 【発明の名称】 |
光記録媒体 |
| 【発明者】 |
【氏名】三浦 裕司
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】針谷 眞人
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】譲原 肇
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】影山 喜之
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】鈴木 栄子
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】田代 浩子
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】水谷 未来
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】安部 美樹子
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
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| 【要約】 |
【課題】高速オーバーライト記録に対応でき、保存信頼性に優れ、繰り返し記録特性の良好な光記録媒体の提供。
【解決手段】光を照射することにより、記録層を結晶相から非晶相に相転移させて情報を記録する相変化記録媒体において、該記録層の組成式をＧｅαＧａβＭｎγＳｂδＴｅε（α、β、γ、δ、εは原子％、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００）としたとき、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。０＜α≦７、０＜β≦７、５≦γ≦１０、６０≦δ≦７０、１５≦ε≦２５ |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 光を照射することにより、記録層を結晶相から非晶相に相転移させて情報を記録する相変化記録媒体において、該記録層の組成式をＧｅαＧａβＭｎγＳｂδＴｅε（α、β、γ、δ、εは原子％、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００）としたとき、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
０＜α≦７０＜β≦７５≦γ≦１０６０≦δ≦７０１５≦ε≦２５【請求項２】 記録層の結晶化温度が１６０℃以上２００℃未満であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】 基板上に少なくとも第一薄膜層、記録層、第二薄膜層、反射層をこの順に有し、記録層の膜厚が１４〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】 反射層がＡｇ又はＡｇを９０原子％以上含む合金からなることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。
【請求項５】 第二薄膜層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物又はＺｎＳとＺｒＯ２との混合物であることを特徴とする請求項３又は４記載の光記録媒体。
【請求項６】 第二薄膜層と反射層との間に、硫黄を含まない第三薄膜層を設けたことを特徴とする請求項３〜５の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項７】 第三薄膜層がＳｉ又はＳｉＣを主成分とする層からなることを特徴とする請求項６記載の光記録媒体。
【請求項８】 第三薄膜層の膜厚が２〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項６又は７記載の光記録媒体。
【請求項９】 記録層を形成する元素を含む所定組成の合金ターゲットを用いてスパッタ法により成膜された記録層を有することを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】 初期結晶化されたものであることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項１１】 初期結晶化がレーザービームによる溶融初期化方法、又は固相初期化により行われたものであることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒体。
【請求項１２】 ０＜α＋β＜１０であることを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の光記録媒体。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射することにより相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて情報の記録・再生を行う、書き換え可能な光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザービームの照射により情報の記録・再生・消去が可能な光記録媒体には、熱を利用して磁化の反転を行い記録・再生・消去を行う光磁気記録方式と、結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録・再生・消去を行う相変化記録方式がある。相変化記録方式は、単一ビームオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系がより単純であることを特徴とし、コンピューター関連や映像音響に関する記録媒体として応用されている。記録材料としては、非晶質を形成し易く、また、繰り返し記録によっても組成偏析が起き難いことから、カルコゲンを中心とした各種化合物や共晶近傍付近の組成の合金が使用されており、実用化されているものとしてはＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合物、及び、Ｓｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬２元系共晶組成にＡｇやＩｎを添加した系がある。特に後者は高感度でアモルファス部分の輪郭が明確であり、高密度記録に適した材料である。例えば特開平１１−０７０７３８号公報（本出願人の先願）には、オーバーライト回数が高く保存信頼性にも優れたＡｇＩｎＳｂＴｅからなる４元系材料の最適組成比、最適層構成が開示されている。また、Ｃｒ又はＺｒを添加することにより保存特性を更に向上させている。
【０００３】近年、相変化記録媒体は高密度画像記録への用途が拡大すると共に、より一層の高速オーバーライト実現（ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍速である７〜１７ｍ／ｓ）が要求されるようになってきたが、高速オーバーライト実現には、マーク消去時における記録層材料の結晶化の高速化が必要である。この要求に対して、記録層の組成式をＸαＳｂβＴｅγ（但し、ＸはＩｎ及び／又はＧａ、α、β、γは原子％である）とし、α、β、γを０．０１≦α≦０．１０．６０≦β≦０．９０γ＝１−α−βとして記録層の結晶化速度を速めた上で、薄膜層や反射層の種類、それらの膜厚や作成方法を最適化することにより上記課題を解決できることが知られている（特願２００１−７９８３０号）。
【０００４】しかし、本発明者らの知見によると、Ｇａはマーク消去時における記録層材料の結晶化速度を高める効果が非常に大きく、高速オーバーライト実現に適した材料であるが、その添加量の増加に伴い記録層の結晶化温度が上昇し初期結晶化が困難となるという問題を有しており、更に繰り返し記録特性の低下を生じるという問題も有している。そして、何れの問題についても、特にその添加量が５原子％を越えた辺りから顕著になる傾向がある。これらの問題はＧａの添加量を少なくすることにより回避できるが、その場合には添加量を減らしたことによる結晶化速度の低下を補填するためにＳｂの割合を増加させなければならない。実際、本発明者らが得た知見によると、少なくともＳｂの割合を７０原子％以上とする必要があるが、Ｓｂの割合が７０原子％を越えると保存信頼性が大きく低下する。その結果、Ｇａの添加量を減らしＳｂの割合を増やして結晶化速度を上げた記録層は、初期結晶化の容易性と高線速記録には対応できる可能性があるものの、実用上十分な保存信頼性を得ることは困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点を解消し、高速オーバーライトに対応でき、保存信頼性に優れ、初期結晶化の容易な光記録媒体の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜１２）の発明によって解決される。
１） 光を照射することにより、記録層を結晶相から非晶相に相転移させて情報を記録する相変化記録媒体において、該記録層の組成式をＧｅαＧａβＭｎγＳｂδＴｅε（α、β、γ、δ、εは原子％、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００）としたとき、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
０＜α≦７０＜β≦７５≦γ≦１０６０≦δ≦７０１５≦ε≦２５２） 記録層の結晶化温度が１６０℃以上２００℃未満であることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３） 基板上に少なくとも第一薄膜層、記録層、第二薄膜層、反射層をこの順に有し、記録層の膜厚が１４〜２０ｎｍであることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４） 反射層がＡｇ又はＡｇを９０原子％以上含む合金からなることを特徴とする３）記載の光記録媒体。
５） 第二薄膜層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物又はＺｎＳとＺｒＯ２との混合物であることを特徴とする３）又は４）記載の光記録媒体。
６） 第二薄膜層と反射層との間に、硫黄を含まない第三薄膜層を設けたことを特徴とする３）〜５）の何れかに記載の光記録媒体。
７） 第三薄膜層がＳｉ又はＳｉＣを主成分とする層からなることを特徴とする６）記載の光記録媒体。
８） 第三薄膜層の膜厚が２〜２０ｎｍであることを特徴とする６）又は７）記載の光記録媒体。
９） 記録層を形成する元素を含む所定組成の合金ターゲットを用いてスパッタ法により成膜された記録層を有することを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の光記録媒体。
１０） 初期結晶化されたものであることを特徴とする１）〜９）の何れかに記載の光記録媒体。
１１） 初期結晶化がレーザービームによる溶融初期化方法、又は固相初期化により行われたものであることを特徴とする１０）記載の光記録媒体。
１２） ０＜α＋β＜１０であることを特徴とする１）〜１１）の何れかに記載の光記録媒体。
【０００７】以下、上記本発明について詳しく説明する。本発明の記録層は、ＳｂとＴｅを主成分とするものであるが、ＳｂとＴｅのみからなる記録層材料は、結晶化温度が１２０℃前後のため、長期的に見ると記録マークの結晶化が進み、マークが消失し保存特性に問題を有する。また、高線速記録対応、例えば、１５ｍ／ｓ以上の線速に応じてオーバーライト可能な高速結晶化が困難であるという問題点を有する。従来の技術ではこうした問題点を解決するために、添加元素としてＧａ、Ｇｅを用いてきたが、前述のように種々の問題があったため、本発明ではＧａ、Ｇｅの他に、更にＭｎを添加元素として加えたものである。ここで、Ｍｎは、実際の媒体特性の評価などから本発明者らが得た知見によると、添加に伴う記録層の結晶温度の変化が殆んどなく、繰り返し記録特性を損なわず、かつ記録層の結晶化速度を高める効果を有している。こうした点でＳｂの割合を増加させた場合と類似の添加効果を有するものである。しかもＳｂの場合にはその割合を増加させると保存特性が低下するという問題があったが、Ｍｎの場合には保存特性の低下は生じない。
【０００８】このように、本発明の記録層は、光記録媒体として特性の観点からは、Ｓｂの一部をＭｎで置換したものと考えることができ、Ｓｂの割合を増やさずに記録材料の結晶化速度を高めることができるため、Ｓｂの割合を７０原子％未満とした組成範囲であっても、高速オーバーライトを実現することが可能となる。その結果、Ｓｂの割合が７０原子％を越えた場合に生じる保存信頼性の低下の問題を伴うことがないという優れた効果を奏する。また、Ｍｎを添加することにより、Ｓｂ量を増やした場合と同程度に結晶化速度を高めることができるので、結晶化速度を向上させるために必要であったＧａの添加量を少なくすることが可能となり、Ｇａの割合を少なくしても高速オーバーライト対応が可能となる。即ち、結晶化速度を向上させるために添加するＧａの量が前記した組成範囲内であっても高速オーバーライト対応が可能となる。その結果、Ｇａ添加に伴う結晶化温度の上昇を抑えることができ、初期結晶化を容易に行うことができる。
【０００９】次に、記録層の各構成元素の割合について説明すると、Ｍｎの添加量は５原子％以上１０原子％以下とすることが望ましい。５原子％よりも少ないと高速オーバーライト対応、保存特性、初期結晶化容易性の全てを満足することはできない。即ち、Ｓｂ量を７０原子％以下とし保存特性を確保した上で高速オーバーライト対応を実現しようとすると、Ｇａの添加量を増やす必要があるため、結晶化温度が高くなり初期結晶化が困難となる。また、Ｇａの添加量を減らして初期結晶化容易性を確保した上で高速オーバーライト対応を実現しようとすると、Ｓｂの割合を７０原子％よりも大きくする必要が生じ、実用上十分な保存特性を確保することができない。１０原子％を越えるとオーバーライト特性の低下を招くので好ましくない。Ｇｅ、Ｇａの添加量は、それぞれ７原子％以下とすることが望ましい。Ｇｅの量がこれより多いとオーバーライト特性の低下を招き、Ｇａの量がこれより多いと、オーバーライト特性の低下を招くと共に、初期結晶化が非常に困難となる。一方、添加量が少なくなるにつれ添加効果が明確でなくなるため、１原子％以上添加することが望ましい。
【００１０】Ｓｂは、６０〜７０原子％とすることが好ましい。６０原子％未満では高速オーバーライト対応が困難であり、７０原子％を越えると実用上十分な保存信頼性の確保が困難となる。Ｔｅは、１５〜２５原子％とすることが好ましい。１５原子％未満では非晶質化が困難となり、２５原子％を越えると高速オーバーライト対応が困難である。なお、記録層の結晶化温度は１６０℃以上２００℃未満であることが望ましい。１６０℃未満では実用上十分な保存信頼性を確保することが難かしく、２００℃以上では初期結晶化が困難となる。記録層の結晶化温度を２００℃未満とするには、記録層の結晶化速度を向上させる作用を有する添加元素であるＧａ及びＧｅの組成範囲を前記の範囲とすることに加えて、ＧａとＧｅの添加量の総和を１０％未満にすることが好ましい。
【００１１】次に、本発明の光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の光記録媒体の層構成の一例を示すものであり、基板１上に第一薄膜層２、記録層３、第二薄膜層４、反射層（放熱層）５が設けられている。第一、第二薄膜層の材料としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層として用いることができ、また混合物として用いることもできる。混合物の具体例としては、ＺｎＳとＳｉＯｘ、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯｘが挙げられる。これらの材料の物性としては、熱伝導率、比熱、融点、熱膨張係数、屈折率及び基板材料又は記録層材料との密着性等が挙げられるが、融点が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が良いといった物性が要求される。
【００１２】ここで、第二薄膜層は、記録時にレーザー光照射により記録層に加わった熱を篭らせて蓄熱する一方で、反射層に伝熱して熱を逃がす役割を担うものであり、繰り返しオーバーライト特性を左右する。本発明者らの知見によると、第二薄膜層の材料としてはＺｎＳとＳｉＯ２との混合物、又はＺｎＳとＺｒＯ２との混合物を用いることが好ましく、特に熱安定性などの観点からＺｎＳとＺｒＯ２との混合物が好ましい。なお、ＺｒＯ２を用いる場合には、ＺｒＯ２を安定化させる（高温での構造変化をなくす）ために、ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ又は希土類酸化物を２〜１０モル％添加したものを用いることが好ましい。
【００１３】第一薄膜層の膜厚は５０〜２５０ｎｍ、好ましくは７５〜２００ｎｍとする。５０ｎｍより薄くなると、耐環境保護機能の低下、耐熱性低下、蓄熱効果の低下を生じるので好ましくない。また、２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックを生じたり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくない。第二薄膜層の膜厚は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１５〜５０ｎｍとする。１０ｎｍより薄いと、本質的に耐熱性が低下するため好ましくない。また１００ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなるので好ましくない。記録層の膜厚は、１０〜３０ｎｍとすることが好ましく、１４〜２０ｎｍとすることが更に好ましい。この範囲を外れると記録感度の低下や繰り返しオーバーライト特性の低下を招く。
【００１４】反射層は光を反射する役割を果たす一方で、記録時にレーザー光照射により記録層に篭った熱を逃がす放熱層としての役割も担っている。非晶質マークの形成は、放熱による冷却速度により大きく左右されるため、反射層の選択は高線速対応媒体では特に重要である。従って、本発明の反射層材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又はこれらの元素を主成分とする合金を用いることが好ましいが、中でも熱伝導率の非常に大きいＡｇ又はＡｇを主成分とする（好ましくはＡｇを９０原子％以上含有する）合金を用いると、冷却速度が大きくなり良好な非晶質形成を実現することができる。反射層の膜厚は１００〜３００ｎｍが好ましい。反射層の放熱能力は基本的に膜厚に比例し、１００ｎｍ未満では冷却速度が低下するため好ましくない。一方、３００ｎｍを越えると材料コストの増大を招く。なお、反射層を、上記Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金を用いて第二薄膜層に接して設ける場合であって、第二薄膜層がＳを含む材料からなる場合には、Ａｇの硫化によるピンホール発生を避けるために、両層の間にＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＺｒＯ２などの硫黄を含まない第三薄膜層をバリア層として設けることが好ましい。中でもＳｉはＡｇとの密着性が良く、繰り返し特性が良好であるため特に好ましい。第三薄膜層の膜厚は、２〜２０ｎｍ、好ましくは４〜１０ｎｍとする。２ｎｍ未満ではバリア層として機能せず、２０ｎｍを越えると記録感度の低下を招く。
【００１５】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００１６】実施例１直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、この基板上にスパッタにより第一薄膜層、記録層、第二薄膜層、反射放熱層を順次成膜した。第一薄膜層にはＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚１８０ｎｍとした。記録層には、組成比がＧａ５Ｇｅ３Ｍｎ６Ｓｂ６８Ｔｅ１８である合金ターゲットを用い、アルゴンガス圧３×１０−３ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚２０ｎｍとした。第二薄膜層には、第一薄膜層と同じ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲット用い、厚さ２０ｎｍとした。反射放熱層には、Ａｌ・Ｔｉ合金ターゲットを用い、厚さ１２０ｎｍとした。次に、反射放熱層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる厚さ５〜１０μｍの有機保護膜をスピナー塗布した後、紫外線硬化させ、更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して光記録媒体とした。記録・再生には、波長６５６ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを用いた。記録にはパルス変調法を用い、記録データは、ＥＦＭ＋変調方式により記録層に応じた最適記録線速、最適記録パワーで記録した。記録ストラテジもジッターが最小となるように各々最適化して使用した。再生は全てパワー０．７ｍＷ、線速３．５ｍ／ｓで行い、ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ（データ・トゥー・クロック）ジッター及び反射率を測定した。その結果、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であることが分り、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは共に１０％未満という値が得られた。更に、この記録媒体（ディスク）について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後共に劣化は見られなかった。
【００１７】実施例２〜３記録層の組成をＧａ３Ｇｅ３Ｍｎ７Ｓｂ６９Ｔｅ１８（実施例２）、Ｇａ４Ｇｅ３Ｍｎ９Ｓｂ６５Ｔｅ１９（実施例３）に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、実施例１と同様に、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であることが分り、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは共に１０％未満という値が得られた。更に、この光記録媒体（光ディスク）について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後共に劣化は見られなかった。
【００１８】比較例１記録層の組成をＧａ５Ｇｅ３Ｓｂ７６Ｔｅ１６に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、実施例１と同様に、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であり、初回記録、及び繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは共に１０％未満という値が得られた。しかしながら、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間保存したところ、初回記録部でも１２％まで上昇しており、実用上十分な保存信頼性が得られないことが分った。これはＳｂの割合が７０原子％を越えているために保存信頼性が低下したものと考えられる。
【００１９】比較例２〜４記録層の組成をＧａ５Ｇｅ３Ｍｎ４．５Ｓｂ６９．５Ｔｅ１８（比較例２）、Ｇａ５Ｇｅ３Ｍｎ４．５Ｓｂ７１Ｔｅ１６．５（比較例３）、Ｇａ７Ｇｅ３Ｍｎ４．５Ｓｂ６９．５Ｔｅ１６（比較例４）に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、比較例２の媒体は、実施例１と同様に、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であり、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回共に劣化は見られなかったが、記録線速１７．５ｍ／ｓでは初回記録、及び繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗが共に１５％となり、良好な記録を行うことができなかった。また、比較例３の媒体は、実施例１と同様に、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であったが、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間保存したところ、初回記録部でも１２％まで上昇しており、実用上十分な保存信頼性が得られないことが分った。また、比較例３の媒体は、初期結晶化することができなかった。これらの結果から、Ｍｎの添加量が５原子％未満であると、高速記録対応、保存信頼性、初期化容易性の全てを満足させることが困難であることが分る。
【００２０】実施例４〜５反射放熱層としてＡｌ・Ｔｉ合金ターゲットの代りにＡｇを用い、第二薄膜層とＡｇ反射放熱層との間に第三薄膜層として膜厚５ｎｍのＳｉ膜を設けた点以外は、実施例１及び２と同様にして光記録媒体を作成し（実施例１→実施例４、実施例２→実施例５）、実施例１と同様にして評価した。実施例４の光記録媒体を実施例１と、実施例５の光記録媒体を実施例２と比較したところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗに関して特性が向上していることが分った。更に、これらの光記録媒体（ディスク）について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後共に劣化は見られず、Ａｇの硫化による欠陥の発生も見られなかった。
【００２１】実施例６第二薄膜層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２の代りにＺｎＳ−ＺｒＯ２を用いた点以外は実施例３と同様にして光記録媒体を作成し、実施例３の光記録媒体と比較したところ、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗに関して特性が向上していることが分った。
【００２２】比較例５記録層の初期結晶化をランプアニールで行った点以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、反射率は均一であったが、記録ストラテジやパワーの調整によっても評価に値するような記録はできなかった。そこで、記録層のみをガラス基板にスパッタで成膜し、ＬＤビームとランプアニールによりそれぞれ結晶化させた薄膜について、粉末Ｘ線回折法で結晶構造を調べたところ、ＬＤビームで結晶化した膜は単一のＮａＣｌ構造に近い結晶相によると考えられる回折スペクトルが得られたのに対し、ランプアニールで結晶化した膜は、単一の結晶相ではなく、ＩｎＳｂの析出に伴うと推定される六方晶やＳｂ２Ｔｅ３の析出に伴うと推定される三方晶の出現が見られた。従って、この結晶構造の違いのために記録ができない状態になっているものと考えられる。
【００２３】比較例６実施例１の記録層形成工程において、Ｇａ５Ｇｅ３Ｍｎ６Ｓｂ６８Ｔｅ１８の合金ターゲットに代えて、所定組成のＳｂ−Ｔｅ合金ターゲット上に、Ｓｂ、Ｇａ、Ｍｎ及びＧｅのチップを載せてスパッタを行ったが、所望組成の記録層を得ることは困難であり、安定して同一組成の記録層を形成することはできなかった。
【００２４】
【発明の効果】本発明１によれば、Ｇａ添加量及びＳｂの割合を抑えた記録層組成で高速オーバーライト対応を実現でき、かつ保存信頼性に優れ、初期結晶化の容易な光記録媒体を提供できる。本発明２によれば、高速オーバーライトに対応でき、かつ保存信頼性に優れ、初期結晶化の容易な光記録媒体を提供できる。本発明３〜５によれば、記録感度及び高速オーバーライト特性を一層向上させることができる。本発明６〜７によれば、反射層の硫化を防ぐことができ、保存信頼性の低下を防ぐことができる。また、本発明７のＳｉを主成分とする場合には、反射層との密着性が良いために、より信頼性に優れた光記録媒体を安定に提供できる。本発明８によれば、記録感度を損なうことなく反射層の硫化を確実に防ぐことができ、信頼性に優れた光記録媒体を提供できる。本発明９によれば、製膜ごとの記録層の組成が安定するため、一定の品質の光記録媒体を安定して提供できる。本発明１０〜１１によれば、高密度記録が可能で、繰り返し記録特性に優れた光記録媒体を、良好な記録が可能な状態で提供できる。本発明１２によれば、更に初期結晶化特性の優れた光記録媒体を提供できる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００６７４７
【氏名又は名称】株式会社リコー
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号
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| 【出願日】 |
平成１４年１月２５日（２００２．１．２５） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００９４４６６
【弁理士】
【氏名又は名称】友松 英爾
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| 【公開番号】 |
特開２００３−２１１８４９（Ｐ２００３−２１１８４９Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１５年７月３０日（２００３．７．３０） |
| 【出願番号】 |
特願２００２−１６９０３（Ｐ２００２−１６９０３） |
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