| 【発明の名称】 |
光記録媒体 |
| 【発明者】 |
【氏名】三浦 裕司
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】鈴木 栄子
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】田代 浩子
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】水谷 未来
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】安部 美樹子
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】譲原 肇
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】影山 喜之
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
【氏名】針谷 眞人
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式会社リコー内
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| 【要約】 |
【課題】高速オーバーライト記録に対応でき、保存信頼性に優れ、繰り返し記録特性の良好な光記録媒体の提供。
【解決手段】光を照射することにより結晶相から非晶相に相転移して情報を記録する相変化記録媒体において、その記録層の組成式を、ＧｅαＧａβＸγＳｂδＴｅεとして（但し、ＸはＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素、α、β、γ、δ、εは原子％、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である）、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 光を照射することにより結晶相から非晶相に相転移して情報を記録する相変化記録媒体において、その記録層の組成式を、ＧｅαＧａβＸγＳｂδＴｅεとして（但し、ＸはＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素、α、β、γ、δ、εは原子％、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である）、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
０＜α≦７０＜β≦５０＜γ≦５５５≦δ≦７５１５≦ε≦３０【請求項２】 Ｘが、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも二つの元素からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】 基板上に少なくとも第一薄膜層、記録層、第二薄膜層、反射層を有し、該反射層がＡｇ、又はＡｇを９０原子％以上含む合金からなることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】 第二薄膜層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物、又はＺｎＳとＺｒＯ２との混合物からなることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。
【請求項５】 第二薄膜層と反射層との間に、硫黄を含まない第三薄膜層を有することを特徴とする請求項３又は４記載の光記録媒体。
【請求項６】 第三薄膜層がＳｉ又はＳｉＣを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項５記載の光記録媒体。
【請求項７】 第三薄膜層の膜厚が２〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項５又は６記載の光記録媒体。
【請求項８】 記録層を構成する元素を全て含む所定組成の合金ターゲットを用いてスパッタ法により成膜した記録層を有することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項９】 ０＜α＋β＋γ＜１０であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光記録媒体。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射することにより相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて情報の記録・再生を行う、書き換え可能な光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザービームの照射により情報の記録・再生・消去が可能な光記録媒体には、熱を利用して磁化の反転を行い記録・再生・消去を行う光磁気記録方式と、結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録・再生・消去を行う相変化記録方式がある。相変化記録方式は、単一ビームオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系がより単純であることを特徴とし、コンピューター関連や映像音響に関する記録媒体として応用されている。記録材料としては、非晶質を形成し易く、また、繰り返し記録によっても組成偏析が起き難いことから、カルコゲンを中心とした各種化合物や共晶近傍付近の組成の合金が使用されており、実用化されているものとしてはＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合物、及び、Ｓｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬２元系共晶組成にＡｇやＩｎを添加した系がある。特に後者は高感度でアモルファス部分の輪郭が明確であり、高密度記録に適した材料である。例えば特開平１１−０７０７３８号公報（本出願人の先願）には、オーバーライト回数が高く保存信頼性にも優れたＡｇＩｎＳｂＴｅからなる４元系材料の最適組成比、最適層構成が開示されている。また、Ｃｒ又はＺｒを添加することにより保存特性を更に向上させている。
【０００３】近年、相変化記録媒体は高密度画像記録への用途が拡大すると共に、より一層の高速オーバーライト実現（ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍速である７〜１７ｍ／ｓ）が要求されるようになってきたが、高速オーバーライト実現には、マーク消去時における記録層材料の結晶化の高速化が必要である。この要求に対して、記録層の組成式をＸαＳｂβＴｅγ（但し、ＸはＩｎ及び／又はＧａ、α、β、γは原子％である）とし、α、β、γを０．０１≦α≦０．１０．６０≦β≦０．９０γ＝１−α−βとして記録層の結晶化速度を速めた上で、薄膜層や反射層の種類、それらの膜厚や作成方法を最適化することにより上記課題を解決できることが知られている（特許願２００１−７９８３０号）。
【０００４】しかし、本発明者らの知見によると、Ｇａはマーク消去時における記録層材料の結晶化速度を高める効果が非常に大きく、高速オーバーライト実現に適した材料であるが、その添加量の増加に伴い記録層の結晶化温度が上昇し初期結晶化が困難となるという問題を有しており、更に繰り返し記録特性の低下を生じるという問題も有している。そして、何れの問題についても、特にその添加量が５原子％を越えた辺りから顕著になる傾向がある。これらの問題はＧａの添加量を少なくすることにより回避できるが、その場合には添加量を減らしたことによる結晶化速度の低下を補填するためにＳｂの割合を増加させなければならない。実際、本発明者らが得た知見によると、少なくともＳｂの割合を７０原子％以上とする必要があるが、Ｓｂの割合が７０原子％を越えると保存信頼性が大きく低下する。その結果、Ｇａの添加量を減らしＳｂの割合を増やして結晶化速度を上げた記録層は、初期結晶化の容易性と高線速記録には対応できる可能性があるものの、実用上十分な保存信頼性を得ることは困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点を解消し、高速オーバーライト記録に対応でき、保存信頼性に優れ、繰り返し記録特性の良好な光記録媒体の提供をその目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜９）の発明（以下、本発明１〜９という。）によって解決される。１） 光を照射することにより結晶相から非晶相に相転移して情報を記録する相変化記録媒体において、その記録層の組成式を、ＧｅαＧａβＸγＳｂδＴｅεとして（但し、ＸはＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素、α、β、γ、δ、εは原子％、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００である）、次の条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
０＜α≦７０＜β≦５０＜γ≦５５５≦δ≦７５１５≦ε≦３０２） Ｘが、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも二つの元素からなることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３） 基板上に少なくとも第一薄膜層、記録層、第二薄膜層、反射層を有し、該反射層がＡｇ、又はＡｇを９０原子％以上含む合金からなることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４） 第二薄膜層がＺｎＳとＳｉＯ２との混合物、又はＺｎＳとＺｒＯ２との混合物からなることを特徴とする３）記載の光記録媒体。
５） 第二薄膜層と反射層との間に、硫黄を含まない第三薄膜層を有することを特徴とする３）又は４）記載の光記録媒体。
６） 第三薄膜層がＳｉ又はＳｉＣを主成分とする材料からなることを特徴とする５）記載の光記録媒体。
７） 第三薄膜層の膜厚が２〜２０ｎｍであることを特徴とする５）又は６）記載の光記録媒体。
８） 記録層を構成する元素を全て含む所定組成の合金ターゲットを用いてスパッタ法により成膜した記録層を有することを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の光記録媒体。
９） ０＜α＋β＋γ＜１０であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光記録媒体。
【０００７】以下、上記本発明について詳しく説明する。本発明の記録層は、ＳｂとＴｅを主成分とするものであるが、ＳｂとＴｅのみからなる記録層材料は、結晶化温度が１２０℃前後のため、長期的に見ると記録マークの結晶化が進み、マークが消失し保存特性に問題を有する。また、高線速記録対応、例えば、１４ｍ／ｓ以上の線速に応じてオーバーライト可能な高速結晶化が困難であるという問題点を有する。従来の技術ではこうした問題点を解決するために、添加元素としてＧａ、Ｇｅを用いてきたが、前述のように種々の問題があったため、本発明ではＧａ、Ｇｅの他に、更にＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素を添加元素として加えたものである。ここで、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａの各々の元素は、実際の媒体特性の評価などから本発明者らが得た知見によると、消去時、つまり消去パワーを与えることにより記録層を溶融再結晶化させる際の結晶化速度を高める効果が非常に大きい。即ち、結晶化速度を高める観点からはＧａと同等の効果を有するものである。
【０００８】このように本発明の記録層は、結晶化速度の観点からは、Ｇａの一部をＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素で置換したものと考えることができ、その分Ｇａの添加量を減らして記録材料の結晶化速度を高めることができるので、Ｇａの添加量を５原子％未満とした組成範囲で高速オーバーライトを実現することができるものである。このためＧａの添加量が５原子％を越えた場合に生じる繰り返し記録特性の低下、初期結晶化が困難になるといった問題を生じることがない。また、Ｓｂ量を増やすことなく結晶化速度を高めることができるため、保存信頼性が低下するという問題も生じない。なお、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素を添加元素として加えるに当っては、少なくとも二つの元素を同時に加えることが好ましく、三つの元素を同時に加えることが更に好ましい。これは、本発明者らが得た知見、即ち、記録材料の結晶化速度を高めるためにＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた元素を添加した場合、添加量が多くになるにつれてオーバーライト特性の低下する傾向がある点を考慮したものであり、添加元素の種類を増やせば、一元素当りの添加量を少なくできるので繰り返し記録特性の低下を避けることができる。
【０００９】Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素の添加量は５原子％以下とすることが好ましく、３原子％以下とすることが更に好ましい。５原子％を越えるとオーバーライト特性の低下を招く。一方、添加量が少なくなるにつれ添加効果が明確でなくなるため、１原子％以上添加することが望ましい。また、Ｇａの添加量は５原子％以下とすることが好ましく、３原子％以下とすることが更に好ましい。５原子％より多いとオーバーライト特性の低下を招く。一方、添加量が少なくなるにつれ添加効果が明確でなくなるため、１原子％以上添加することが望ましい。また、Ｇｅの添加量が多すぎると、記録感度及びオーバーライト特性の低下を招くため、７原子％以下とすることが望ましい。一方、添加量が少なくなるにつれて添加効果が明確でなくなるため、２原子％以上添加することが望ましい。
【００１０】また、Ｓｂは５５〜７５原子％とすることが好ましく、６５〜７５原子％とすることが更に好ましい。５５原子％未満では高速オーバーライト対応が困難となり、７５原子％を越えると実用上十分な保存信頼性の確保が困難となる。また、Ｔｅは１５〜３０原子％とすることが好ましく、１５〜２５原子％とすることが更に好ましい。１５原子％未満では非晶質化が困難となり、３０原子％を越えると高速オーバーライト対応が困難となる。更に、記録層の結晶化温度は１６０℃以上２００℃未満であることが望ましい。１６０℃未満では実用上十分な保存信頼性を確保することが困難であり、２００℃以上では初期結晶化が困難となる。記録層の結晶化温度を２００℃未満とするためには、添加元素であるＧａ、Ｇｅ及びＤｙ、Ｍｇ、Ｃａの群から選ばれた少なくとも一つの元素の組成範囲を前記の範囲とすることに加えて、これらの元素の添加量の総和を１０原子％未満にすることが好ましい。
【００１１】次に、本発明の光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の光記録媒体の層構成の一例を示すものであり、基板１上に第一薄膜層２、記録層３、第二薄膜層４、反射層（放熱層）５、有機保護層６が設けられている。第一、第二薄膜層の材料としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層として用いることができ、また混合物として用いることもできる。混合物の具体例としては、ＺｎＳとＳｉＯｘ、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯｘが挙げられる。これらの材料の物性としては、熱伝導率、比熱、融点、熱膨張係数、屈折率及び基板材料又は記録層材料との密着性等が挙げられるが、融点が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が良いといった物性が要求される。
【００１２】ここで、第二薄膜層は、記録時にレーザー光照射により記録層に加わった熱を篭らせて蓄熱する一方で、反射層に伝熱して熱を逃がす役割を担うものであり、繰り返し記録特性を左右する。本発明者らの知見によると、第二薄膜層の材料としてはＺｎＳとＳｉＯ２との混合物、又はＺｎＳとＺｒＯ２との混合物を用いることが好ましく、特に熱安定性などの観点からＺｎＳとＺｒＯ２との混合物が好ましい。なお、ＺｒＯ２を用いる場合には、ＺｒＯ２を安定化させる（高温での構造変化をなくす）ために、ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ又は希土類酸化物を２〜１０モル％添加したものを用いることが好ましい。
【００１３】第一薄膜層の膜厚は５０〜２５０ｎｍ、好ましくは７５〜２００ｎｍとする。５０ｎｍより薄くなると、耐環境保護機能の低下、耐熱性低下、蓄熱効果の低下を生じるので好ましくない。また、２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックを生じたり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくない。第二薄膜層の膜厚は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１５〜５０ｎｍとする。１０ｎｍより薄いと、本質的に耐熱性が低下するため好ましくない。また１００ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により繰り返し記録特性が悪くなるので好ましくない。記録層の膜厚は、１０〜３０ｎｍとすることが好ましく、１４〜２０ｎｍとすることが更に好ましい。この範囲を外れると記録感度の低下や繰り返し記録特性の低下を招く。
【００１４】反射層は光を反射する役割を果たす一方で、記録時にレーザー光照射により記録層に篭った熱を逃がす放熱層としての役割も担っている。非晶質マークの形成は、放熱による冷却速度により大きく左右されるため、反射層の選択は高線速対応媒体では特に重要である。従って、本発明の反射層材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又はこれらの元素を主成分とする合金を用いることが好ましいが、中でも熱伝導率の非常に大きいＡｇ又はＡｇを主成分とする（好ましくはＡｇを９０原子％以上含有する）合金を用いると、冷却速度が大きくなり良好な非晶質形成を実現することができる。反射層の膜厚は１００〜３００ｎｍが好ましい。反射層の放熱能力は基本的に膜厚に比例し、１００ｎｍ未満では冷却速度が低下するため好ましくない。一方、３００ｎｍを越えると材料コストの増大を招く。なお、反射層を、上記Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金を用いて第二薄膜層に接して設ける場合であって、第二薄膜層がＳを含む材料からなる場合には、Ａｇの硫化によるピンホール発生を避けるために、両層の間にＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＺｒＯ２などの硫黄を含まない第三薄膜層をバリア層として設けることが好ましい。中でもＳｉはＡｇとの密着性が良く、繰り返し特性が良好であるため特に好ましい。第三薄膜層の膜厚は、２〜２０ｎｍ、好ましくは４〜１０ｎｍとする。２ｎｍ未満ではバリア層として機能せず、２０ｎｍを越えると記録感度の低下を招く。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００１６】実施例１直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボネートディスク基板を高温で脱水処理した後、この基板上にスパッタにより第一薄膜層、記録層、第二薄膜層、反射放熱層を順次成膜した。第一薄膜層にはＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚１８０ｎｍとした。記録層には、組成比がＧｅ３Ｇａ３Ｄｙ３Ｓｂ７２Ｔｅ１９である合金ターゲットを用い、アルゴンガス圧３×１０−３ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし、膜厚２０ｎｍとした。第二薄膜層には、第一薄膜層と同じ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲット用い、厚さ２０ｎｍとした。反射放熱層には、Ａｌ・Ｔｉ合金ターゲットを用い、厚さ１２０ｎｍとした。次に、反射放熱層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる厚さ５〜１０μｍの有機保護膜をスピナー塗布した後、紫外線硬化させ、更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着シートにより貼り合わせ、大口径ＬＤビーム照射により記録層を初期結晶化して光記録媒体とした。記録・再生には、波長６５６ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを用いた。記録にはパルス変調法を用い、記録データは、ＥＦＭ＋変調方式により記録層に応じた最適記録線速、最適記録パワーで記録した。記録ストラテジもジッターが最小となるように各々最適化して使用した。再生は全てパワー０．７ｍＷ、線速３．５ｍ／ｓで行い、ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ（データ・トゥー・クロック）ジッター及び反射率を測定した。その結果、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であることが分り、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは共に１０％未満という値が得られた。更に、この記録媒体（ディスク）について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後共に劣化は見られなかった。
【００１７】実施例２〜３記録層の組成をＧｅ３．５Ｇａ２Ｄｙ２Ｍｇ２Ｓｂ７２Ｔｅ１８．５（実施例２）、Ｇｅ４Ｇａ１．５Ｄｙ１．５Ｍｇ１．５Ｃａ１．５Ｓｂ７２Ｔｅ１８（実施例３）に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であることが分り、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは共に９％未満という実施例１よりも良好な値が得られた。更に、この光記録媒体（光ディスク）について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後共に劣化は見られなかった。
【００１８】比較例１記録層の組成をＧａ７Ｇｅ３Ｓｂ７０Ｔｅ２０に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、実施例１と同様に、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで記録が可能であったが、初回記録後のジッターσ／Ｔｗは１０％台となり、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは１５％を越えていた。これはＧａの割合が多いために繰り返し記録特性が低下したことによると考えられる。
【００１９】比較例２記録層の組成をＧａ３Ｇｅ３．５Ｓｂ７２Ｔｅ２１．５に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１０．５ｍ／ｓまでは良好な記録が可能であったが、記録線速１４ｍ／ｓ以上では初回記録後のジッターσ／Ｔｗが１０％台となり、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗは１５％を越えてしまった。
【００２０】比較例３記録層の組成をＧａ３Ｇｅ３Ｓｂ７８Ｔｅ１６に変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し評価した。その結果、実施例１と同様に、記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔで記録線速１７．５ｍ／ｓまで良好な記録が可能であったが、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間保存したところ、初回記録部でもジッターσ／Ｔｗが１２％まで上昇し、実用上十分な保存信頼性が得られないことが分った。
【００２１】上記比較例２、３の結果より、Ｇａ単独の添加で、Ｇａの割合を３原子％以下とした場合には、高速オーバーライト記録と保存信頼性との両立は困難であることが分った。
【００２２】実施例４〜５反射放熱層としてＡｌ・Ｔｉ合金ターゲットの代りにＡｇを用い、第二薄膜層とＡｇ反射放熱層との間に第三薄膜層として膜厚５ｎｍのＳｉ膜を設けた点以外は、実施例１及び２と同様にして光記録媒体を作成し（実施例１→実施例４、実施例２→実施例５）、実施例１と同様にして評価した。実施例４の光記録媒体を実施例１と、実施例５の光記録媒体を実施例２と比較したところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗに関して特性が向上していることが分った。更に、これらの光記録媒体（ディスク）について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間の保存試験を行ったところ、初回記録、及び、繰り返し記録１０００回後共に劣化は見られず、Ａｇの硫化による欠陥の発生も見られなかった。
【００２３】実施例６第二薄膜層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２の代りにＺｎＳ−ＺｒＯ２を用いた点以外は実施例３と同様にして光記録媒体を作成し、実施例３の光記録媒体と比較したところ、繰り返し記録１０００回後のジッターσ／Ｔｗに関して特性が向上していることが分った。
【００２４】比較例４実施例１の記録層形成工程において、組成比がＧｅ３Ｇａ３Ｄｙ３Ｓｂ７２Ｔｅ１９の合金ターゲットに代えて、所定組成のＳｂ−Ｔｅ合金ターゲット上に、Ｓｂ、Ｇａ、Ｄｙ及びＧｅのチップを載せてスパッタを行ったが、所望組成の記録層を得ることは困難であり、安定して同一組成の記録層を形成することはできなかった。
【００２５】
【発明の効果】本発明１〜２によれば、高速オーバーライト記録対応をＧａ添加量及びＳｂの割合を抑えた記録層組成で実現できるため、高速オーバーライト記録に対応でき、かつ保存信頼性に優れ、繰り返し記録特性に優れた光記録媒体を提供できる。本発明３〜４によれば、記録感度、高速オーバーライト記録特性を一層向上させることができる。本発明５〜６によれば、反射層の硫化を防ぐことができ、保存信頼性の低下を防ぐことができる。また、本発明６のＳｉを主成分とする場合には、反射層との密着性が良いために、より信頼性に優れた光記録媒体を安定して提供できる。本発明７によれば、記録感度を損なうことなく反射層の硫化を確実に防ぐことができ、信頼性に優れた光記録媒体を提供できる。本発明８によれば、製膜ごとの記録層の組成が安定するため、一定の品質の光記録媒体を安定して提供できる。本発明９によれば、更に初期結晶化特性の優れた光記録媒体を提供できる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００６７４７
【氏名又は名称】株式会社リコー
【住所又は居所】東京都大田区中馬込１丁目３番６号
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| 【出願日】 |
平成１４年１月１６日（２００２．１．１６） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００９４４６６
【弁理士】
【氏名又は名称】友松 英爾
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| 【公開番号】 |
特開２００３−２１１８３９（Ｐ２００３−２１１８３９Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１５年７月３０日（２００３．７．３０） |
| 【出願番号】 |
特願２００２−８０８２（Ｐ２００２−８０８２） |
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