| 【発明の名称】 |
放射強度温度計素子の製法 |
| 【発明者】 |
【氏名】宇ノ木 保元
【氏名】金原 勉
【氏名】石川 勇夫
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| 【要約】 |
【課題】
【解決手段】 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】銅−コンスタンタン、白金−白金ロジュウム、ニッケル・クローム（９０／１０）−ニッケル・アルミニューム・シリコーン（９４／３／３）、ニッケル・クローム（９０／１０）−ニッケル・銅（４５／５５）、鉄−ニッケル・銅（４５／５５）、銅−ニッケル・銅（４５／５５）の積層箔状材料（クラッド材）を図１の様な加工（エッチング加工、プレス加工等）をして、各素子を一個ずつ切断分離することを特徴とする放射強度温度計素子。
【請求項２】請求項１に記載の積層箔帯状材料（１）と、その長さ方向の一端面あるいは両端面（２）に沿って、帯状材料の長さ方向を横断するように各素子一個ずつ切断分離することを特徴とする輻射強度温度計素子。
【請求項３】請求項１に記載の材料以外の鉄−コンスタン、ニッケル・クロウム（９０／１０）−コンスタンタン、鉄−ニッケル、タングスタン−タングステン７５％、モリブデン−モリブデン２５％で作製した放射差温素子。
【請求項４】請求項１、３項記載の各種積層材の比抵抗値の分圧比に依存した熱起電力を利用した放射強度温度計素子。
【請求項５】請求項１、３、４に記載の材料と、図２示す回路構成からなる放射強度温度計素子。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は他の温度計と異なり、熱電対金属合金よりなる積層金属箔熱電対素子の比抵抗値が小さく、且つ、比較的抵抗温度係数の小さい熱電対合金材料を提供すると同時に、その温度に応じた熱放射を行っている。０．３８ミクロンよりも波長の短い紫外線から５０ミクロン遠赤外に及ぶ波長帯域の放射の適当な波長帯域を選択し放射強度を測定する事が可能な素子。
【０００２】
【従来の技術】従来の放射強度温度計素子は素子材料としては巻線、及びメッキ皮膜、蒸着皮膜等による皮膜素子の為、接合面の耐腐食性、機械強度の不具合が多発し、信頼性に乏しく小型化が非常に困難である。従って、素子製作の歩留まりが向上せず生産性が悪く、広範囲の分野に普及しなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、この様な素子の作製を異種金属の接合（クラッド加工）技術とリソグラフィー技術、レーザ加工技術を応用して、従来では加工を出来なかった複雑で微細な加工が容易になり、小型で高精度素子の作製が可能になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は銅−コンスタンタン、白金−白金ロジュウム、ニッケル・クローム−ニッケル・アミニュウ・シリコーン、ニッケル・クローム−ニッケル・銅等の積層箔を接合（クラッド加工）技術とリソグラフィー技術、レーザ処理技術等を活用して、従来では加工を出来なかった熱電対列（サーモパイル）の図形が複雑で且つ、微細な素子の作製が容易となり、多様な素子の量産化が可能と成った。
【０００５】
【発明の実施の形態】
【０００６】
【実施例１】銅−コンスタンタンの積層箔状材料（クラッド材）をフォトレジスト塗布→予備加熱→露光→現像→焼き付け→銅箔エッチング→水洗→乾燥の工程を実施した後、同様の処理方法で、コンスタンタンをエッチング処理し、図１の様なにエッチング加工、又はレザー加工等の方法により加工した後、素子を一個ずつ切断分離して放射温度計素子を作製。
【０００７】
【実施例２】実施例１で作製した素子を図２の回路図を用いて放射温度計素子を作製。
【発明の効果】
【要約】
【目的】金属接合技術とリソグラフィ技術を駆使して、小型で微細加工をする事により放射温度委素子の量産が容易で且つ安価に製作を可能とするのみならず、端子部を任意に取り出す事ができる為、熱起電力を任意に調整出来、また加工方法が安定している為、極めて特性の安定した素子の製作が可能となる。
【構成】放射差温素子の製法に関わり、銅−コンスタンタン積層箔状材料よりなる帯状材料（１）とその長さ方向の一端面に沿ってＣｕ−コンスタンタン帯状材料をフォットエッチンク、又はプレス加工等によって連続的に素子を製作し、次いで帯状材料の長さ方向を横断するように逐次切断分割する事によって、個々の放射差温素子を安価に量産可能にする製造方法である。
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| 【出願人】 |
【識別番号】５９８０６１５１９
【氏名又は名称】宇ノ木 保元
【識別番号】５９９０２８１４６
【氏名又は名称】金原 勉
【識別番号】５０１０５０２４３
【氏名又は名称】石川 勇夫
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| 【出願日】 |
平成１２年１２月２７日（２０００．１２．２７） |
| 【代理人】 |
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| 【公開番号】 |
特開２００２−２０３９９２（Ｐ２００２−２０３９９２Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１４年７月１９日（２００２．７．１９） |
| 【出願番号】 |
特願２０００−４０４６５３（Ｐ２０００−４０４６５３） |
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