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【発明の名称】 積層セラミック電子部品
【発明者】 【氏名】米田 康信

【氏名】高木 義一

【氏名】中川 卓二
【要約】 【課題】耐熱衝撃サイクル特性が良く、しかもＥＳＲの比較的小さな積層セラミック電子部品を提供する。

【解決手段】積層セラミック電子部品１０は、２個の積層セラミックコンデンサ素子１２の両端に接合層１８ａ，１８ｂを介して金属端子が接続される。金属端子２０ａ，２０ｂは、中間部２２ａ，２２ｂと、中間部の一端縁に形成される基板当接部２６ａ，２６ｂと、中間部の一端縁の延びる方向と交差する方向へ延びる側端縁２２ａ１，２２ａ２に連続し、中間部に間隔を隔てて対向するように形成される素子当接部２４ａ，２４ｂを含み、素子当接部は、中間部および基板当接部に対してばね性を有し、積層セラミックコンデンサ素子の外部電極に接合層で接続される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 両端に外部電極が形成される積層セラミック電子部品素子、および前記外部電極の少なくとも一部に接合層で電気的に接続される金属端子を含み、前記金属端子は、中間部、前記中間部の一端縁に形成される基板当接部、および前記中間部の前記一端縁の延びる方向と交差する方向へ延びる側縁に連続し、前記中間部に間隔を隔てて対向するように形成される素子当接部を含み、前記素子当接部は、前記中間部および前記基板当接部に対してばね性を有し、前記外部電極に前記接合層で接続される、積層セラミック電子部品。
【請求項２】 前記積層セラミック電子部品素子は、前記中間部の側縁の延びる方向に複数積み重ねられ、前記外部電極の少なくとも一部が前記素子当接部に前記接合層で接続される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】 前記積層セラミック電子部品素子は、前記中間部の側縁の延びる方向と交差する方向へ複数並べられ、それぞれの前記外部電極の少なくとも一部が前記素子当接部に前記接合層で接続される、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】 前記素子当接部は、前記複数の積層セラミック電子部品の外部電極のそれぞれに対応して複数形成される、請求項２または請求項３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】 前記積層セラミック電子部品素子の一方の外部電極に接続される金属端子と、他方の外部電極に接続される金属端子とは、前記積層セラミック電子部品素子の両側に線対称に形成される、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】 前記積層セラミック電子部品の一方の外部電極に接続される金属端子と、他方の外部電極に接続される金属端子とは、前記積層セラミック電子部品素子の両側に点対称に形成される、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】 リアクタンス成分を調整するための切欠部が前記金属端子に形成された、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】 前記外部電極との接触面積を減少させるための切欠部が前記金属端子に形成された、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は積層セラミック電子部品に関し、特にたとえば、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電源回路の平滑用のタンタル電解コンデンサなどの置き換えに用いられる高容量の積層セラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属端子付きの積層セラミックコンデンサは、低底面積高容量化や耐熱衝撃性の向上を目途として用いられる。そのような積層セラミックコンデンサは、一般に、金属端子で基板から浮かされている。また、実開平１−１１２０３２号に開示されているように、金属端子を折り曲げることが行われている。これらの技術を用いると、アルミニウム基板などの熱膨張の大きい基板と積層セラミックコンデンサ素子との熱膨張の差を緩和することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属端子を折り曲げる技術は、耐熱衝撃サイクル特性に対して効果的な構造であるが、ＥＳＲ（等価直列抵抗値、Equivalent Series Resistanceの略）が大きくなりやすい問題があった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、耐熱衝撃サイクル特性が良く、しかもＥＳＲの比較的小さな積層セラミック電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる積層セラミック電子部品は、両端に外部電極が形成される積層セラミック電子部品素子と、外部電極の少なくとも一部に接合層で電気的に接続される金属端子とを含み、金属端子は、中間部と、中間部の一端縁に形成される基板当接部と、中間部の一端縁の延びる方向と交差する方向へ延びる側縁に連続し、中間部に間隔を隔てて対向するように形成される素子当接部とを含み、素子当接部は、中間部および基板当接部に対してばね性を有し、外部電極に接合層で接続される、積層セラミック電子部品である。また、この積層セラミック電子部品では、積層セラミック電子部品素子は中間部の側縁の延びる方向に複数積み重ねられ、外部電極の少なくとも一部が素子当接部に接合層で接続されるようにしてもよく、中間部の側縁の延びる方向と交差する方向へ複数並べられ、それぞれの外部電極の少なくとも一部が素子当接部に接合層で接続されるようにしてもよい。さらに、素子当接部は、複数の積層セラミック電子部品の外部電極のそれぞれに対応して複数形成されてもよい。また、積層セラミック電子部品素子の一方の外部電極に接続される金属端子と、他方の外部電極に接続される金属端子とは、前記積層セラミック電子部品素子の両側に線対称に形成されてもよく、積層セラミック電子部品素子の両側に点対称に形成されてもよい。また、リアクタンス成分を調整するための切欠部が金属端子に形成されてもよく、積層セラミック電子部品素子の外部電極との接触面積を減少させるための切欠部が金属端子に形成されてもよい。
【０００６】この発明にかかる積層セラミック電子部品では、金属端子の素子当接部が、中間部の一端縁の延びる方向と交差する方向へ延びる側縁に連続し、中間部に間隔を隔てて対向するように形成されるので、ＥＳＲが大きくなるのを防止することができる。また、金属端子の素子当接部は、中間部および基板当接部に対してばね性を有するので、耐熱衝撃サイクル特性も良い。
【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる第１実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１に示す積層セラミック電子部品１０は、２つの積層セラミックコンデンサ素子１２，１２を含む積層セラミックコンデンサである。
【０００９】各積層セラミックコンデンサ素子１２は、たとえばチタン酸バリウム系の誘電体からなる複数の誘電体層と、たとえばＮｉなどの電極材料からなる複数の内部電極とを、交互に積層して形成された積層体１４を含む。積層体１４の両端部には、Ｃｕ層，Ｎｉ層およびＳｎ層をこの順に積層してなる外部電極１６ａ、１６ｂが形成される。外部電極１６ａ、１６ｂは、Ｃｕペーストを塗布し、焼き付けることによって形成されたＣｕ層、湿式めっきによって形成されたＮｉ層、およびＳｎ層により形成される。
【００１０】２個の積層セラミックコンデンサ素子１２，１２は、たとえばＦｅ−Ｎｉ製の２つの金属端子２０ａおよび２０ｂに、リフローはんだ付けされる。この実施例の金属端子２０ａおよび２０ｂは、それぞれ、厚さ０．１ｍｍの片面はんだめっきの施された幅５．１ｍｍのものである。
【００１１】図２に示すように、一方の金属端子２０ａは、板状の中間部２２ａを含む。中間部２２ａの一方側縁２２ａ１には、短冊状の折曲部２５ａを介して板状の素子当接部２４ａが連続的かつ一体的に形成される。板状の素子当接部２４ａは中間部２２ａに間隔を隔てて対向するように形成される。この間隔は折曲部２５ａの幅長により決定される。また、中間部２２ａの一方側縁と略直交する下端縁には、板状の基板当接部２６ａが中間部２２ａとほぼ直角方向にのびて一体的に形成される。積層セラミック電子部品１０の実装時には、基板当接部２６ａが図示しない基板の実装ランド上にはんだ付けされる。素子当接部２４ａは、折曲部２５ａ、中間部２２ａおよび基板当接部２６ａに対してばね性を有する。
【００１２】さらに、金属端子２０ａの外面（中間部２２ａおよび素子当接部２４ａの対向しない面とそれにつながる基板当接部２６ａの下面、および折曲部２５ａ外面）には、はんだめっきが施される。また、はんだが付きやすい金属端子材料、たとえば黄銅を用いるときは金属端子２０ａの内面（中間部２２ａと素子当接部２４ａとが互いに対向する面とそれにつながる基板当接部２６ａの上面、および折曲部２５ａ内面）には、はんだがつきにくい処理が施されたり皮膜が形成される。この皮膜は、たとえば酸化金属，ワックス，樹脂またはシリコンオイルから形成される。同様に、他方の金属端子２０ｂは、中間部２２ｂ、折曲部２５ｂ、素子当接部２４ｂおよび基板当接部２６ｂを含み、外面にはんだめっきが施され、内面にはんだがつきにくい皮膜が形成される。
【００１３】そして、２個の積層セラミックコンデンサ素子１２，１２は、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２２ａ１，２２ｂ１の延びる方向と平行に延びる方向へ積み重ねられた状態で、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂにリフローはんだ付けされる。この場合の接合層１８ａ，１８ｂに用いられるはんだは、高温はんだ（Ｐｂ：Ｓｎ＝８５：１５）が好ましい。
【００１４】第１実施例では、積層セラミックコンデンサ素子１２の一方の外部電極１６ａに接続される金属端子２０ａと、他方の外部電極１６ｂに接続される金属端子２０ｂとは、積層セラミックコンデンサ素子１２の両側に線対称に形成される。すなわち、金属端子２０ａの素子当接部２４ａは中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に接続され他方側縁は開放される。また、金属端子２０ｂの素子当接部２４ｂは中間部２２ｂの一方側縁２２ｂ１で接続され他方側縁は開放される。そして、金属端子２０ａの一方側縁２２ａ１と金属端子２０ｂの一方側縁２２ｂ１とは、それぞれ積層セラミックコンデンサ素子１２の図１図示奥行き方向の奥側に配置される。
【００１５】図３はこの発明にかかる第２実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図３に示す積層セラミック電子部品１０では、図１に示す積層セラミック電子部品１０と比べて、他方の金属端子２０ｂのみが異なる。この金属端子２０ｂは、第１実施例のものと異なり、板状の中間部２２ｂの他方側縁２２ｂ２に、折曲部２５ｂを介して板状の素子当接部２４ｂが連続的かつ一体的に形成される。板状の素子当接部２４ｂは中間部２２ｂに間隔を隔てて対向するように形成される。この間隔は折曲部２５ｂの幅長により決定される。そして、中間部２２ｂの一方側縁と略直交する下端縁には、板状の基板当接部２６ｂが中間部２２ｂとほぼ直角方向にのびて一体に形成される。素子当接部２４ｂは、折曲部２５ｂ，中間部２２ｂおよび基板当接部２６ｂに対してばね性を有する。
【００１６】第２実施例では、積層セラミックコンデンサ素子１２の両側の金属端子２０ａ、２０ｂが積層セラミックコンデンサ素子１２の両側に点対称に形成される。すなわち、一方の金属端子２０ａの素子当接部２４ａは中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に接続され他方側縁は開放されるが、他方の金属端子２０ｂの素子当接部２４ｂは中間部２２ｂの他方側縁２２ｂ２に接続され一方側縁は開放される。そして、金属端子２０ａの一方側縁２２ａ１は積層セラミックコンデンサ素子１２の図３図示奥行き方向の奥側に配置され、金属端子２０ｂの他方側縁２２ｂ２は、積層セラミックコンデンサ素子１２の図３図示奥行き方向の手前側に配置される。
【００１７】図４はこの発明にかかる第３実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。第３実施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａは、板状の中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に連続的かつ一体的に形成される折曲部２５ａおよび素子当接部２４ａが、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、中間部２２ａの高さ方向に間隔をおきながら上下に分割されて形成される点で第１実施例のものと異なる。
【００１８】同様に第３実施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ｂは、板状の中間部２２ｂの一方側縁２２ｂ１に連続的かつ一体的に形成される折曲部２５ｂ，素子当接部２４ｂが、中間部２２ｂの高さ方向に間隔をおきながら分割されて形成される点で第１実施例のものと異なる。分割された素子当接部２４ａ，２４ｂは、積層セラミックコンデンサ素子１２，１２のそれぞれの外部電極１６ａ，１６ｂに対応するものである。
【００１９】第３実施例の金属端子２０ａの上下に分割された素子当接部２４ａ，２４ａは、折曲部２５ａ，２５ａ，中間部２２ａおよび基板当接部２６ａに対してばね性を有する。また、金属端子２０ｂの上下に分割された素子当接部２４ｂ，２４ｂは、折曲部２５ｂ，２５ｂ，中間部２２ｂおよび基板当接部２６ｂに対してばね性を有する。
【００２０】図６はこの発明にかかる第４実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。第４実施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａでは、折曲部２５ａおよび素子当接部２４ａが、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、中間部２２ａの高さ方向に間隔をおきながら分割されて形成されるが、下に形成される素子当接部２４ａは中間部２２の図７図示奥側の側縁２２ａ１に折曲部２５ａを介して接続され、上に形成される素子当接部２４ａは中間部２２の図７図示手前側の側縁２２ａ２に別の折曲部２５ａを介して接続される点が第３実施例の積層セラミック電子部品と異なる。同様に、第４実施例の金属端子２０ｂでは、折曲部２５ｂおよび素子当接部２４ｂが、中間部２２ｂの高さ方向に間隔をおきながら分割されて形成されるが、下に形成される素子当接部２４ｂは中間部２２の図６図示奥側の側縁２２ｂ１に折曲部２５ａを介して接続され、上に形成される素子当接部２４ｂは中間部２２の図６図示手前側の側縁２２ｂ２に折曲部２５ｂを介して接続される点が第３実施例の積層セラミック電子部品と異なる。その他の点は第３実施例と同様である。
【００２１】図８はこの発明にかかる第５実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図９（Ａ）は図８に示した積層セラミック電子部品の金属端子を示す斜視図であり、（Ｂ）はその金属端子の分割された一方部を示す端面図である。さらに図１０は図８に示した積層セラミック電子部品の等価回路図である。第５実施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａでは、図９（Ａ）に示すように、中間部２２ａが幅方向における中央に形成された切り欠き４０ａによって、一方側縁２２ａ１側と他方側縁２２ａ２側とに分割される。そして、分割された中間部２２ａ，２２ａのそれぞれの一方側縁２２ａ１および他方側縁２２ａ２にそれぞれ折曲部２５ａ，２５ａを介して素子当接部２４ａ，２４ａが連続的かつ一体的に形成される。他方の金属端子２０ｂも同様に形成される。なお、切欠部４０ａ，４０ｂは、金属端子２０ａ，２０ｂの中間部２２ａ，２２ｂの幅方向における中央に限らず、金属端子２０ａ，２０ｂの他の部分に形成されても、複数個形成されてもよい。
【００２２】図１１は第１比較例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１１に示す積層セラミック電子部品１１は、図１に示す積層セラミック電子部品１０と比べて、金属端子の形状のみが異なるものである。第１比較例の積層セラミック電子部品１１の金属端子２１ａ，２１ｂは、中間部２２ａ，２２ｂの上端部に折曲部２５ａ，２５ｂを介して素子当接部２４ａ，２４ｂが連続的かつ一体的に形成される。この素子当接部２４ａ，２４ｂは中間部２２ａ，２２ｂとの間に間隔をおきながら対向するように形成される。素子当接部２４ａ，２４ｂは、中間部２２ａ，２２ｂ、折曲部２５ａ，２５ｂ、および基板当接部２６ａ，２６ｂに対してばね性を有して形成される。
【００２３】図１２は第２比較例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１２に示す積層セラミック電子部品１１は、図１に示す積層セラミック電子部品１０と比べて、金属端子の形状のみが異なるものである。第２比較例の積層セラミック電子部品１１の金属端子２１ａ，２１ｂは、上述の各実施例のような素子当接部を有さず、板状の中間部２２ａ，２２ｂに接合層１８ａ，１８ｂを介して積層セラミックコンデンサ素子１２の外部電極１６ａ，１６ｂが直接接続される。
【００２４】さらに、図１３は第３比較例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。この積層セラミック電子部品１１は、２つの積層セラミックコンデンサ素子１２，１２を積層して外部電極の外側全面にはんだ層を形成してなるものであり、金属端子２１ａ，２１ｂを有しない点のみが上述の各実施例の積層セラミック電子部品と相違する。
【００２５】そして、第１実施例、第２実施例、第３実施例、第４実施例、第５実施例、第１比較例、第２比較例および第３比較例の積層セラミック電子部品をアルミニウム基板に実装したときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表１に示した。なお、この場合、熱衝撃サイクル特性は、−５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝撃として、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときと、５００サイクルの熱衝撃を印加したときとにおいて、静電容量の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良発生数／７２個）を調べた。
【００２６】
【表１】

【００２７】表１の結果より、第１実施例ないし第５実施例では、２５０サイクルの熱衝撃による不良発生数が０であるに対して、第２比較例および第３比較例では２０％以上の不良が発生していることがわかる。また、第１実施例ないし第５実施例では、５００サイクルの熱衝撃による不良発生数が１０％以下であるに対して、第２比較例および第３比較例では６０％以上の不良が発生していることがわかる。一方、第１比較例はＥＳＲが９．０ｍΩと大きいのに比べて、第１実施例ないし第５実施例ではＥＳＲが５．５ｍΩと小さい。
【００２８】第１実施例ないし第５実施例では、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向に折り曲げたような形状の横２重端子とすることにより、第１比較例に比べて実装ランドから積層セラミックコンデンサ素子までの電気的な距離が近くなるので、ＥＳＲを大きく低下させることができると考えられる。また、第１実施例ないし第５実施例では、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向に折り曲げたような形状の横２重端子とすることにより、積層セラミック電子部品１０の固着される図示しないアルミニウム基板と、積層セラミックコンデンサ素子１２との熱膨張率の差を緩和することができる。さらに、第３実施例および第４実施例の積層セラミック電子部品１０では、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂが２つの積層セラミックコンデンサ素子１２、１２にそれぞれ対応するよう分別されているのでＥＳＲを低下させながら、第１実施例および第２実施例のものよりも熱膨張率の差を緩和することができる。
【００２９】また、第５実施例の積層セラミック電子部品１０では、金属端子２０ａ，２０ｂのＬ分を相殺することができる。すなわち、金属端子２０ａ（２０ｂ）の分割された一方部分および他方部分に図１０に図示した矢印に示すように逆向きの電流を流して、磁束が相殺されるようにすることによって、低ＥＳＬ化が可能となる。
【００３０】図１４はこの発明にかかる第６実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１４に示す積層セラミック電子部品１０は、３つの積層セラミックコンデンサ素子１２，１２，１２を、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２２ａ１，２２ｂ１の延びる方向とは略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１６ｂに金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを接続した点を除いて、図１に示した第１実施例と同様の構造である。
【００３１】図１５はこの発明にかかる第７実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図１５に示す積層セラミック電子部品１０では、３つの積層セラミックコンデンサ素子１２，１２，１２が、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２２ａ２，２２ｂ１の延びる方向とは略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１６ｂに金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを接続した点を除いて、図３に示した第２実施例と同様の構造である。
【００３２】図１６はこの発明にかかる第８実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図であり、図１７はその金属端子を示す斜視図である。図１６に示す積層セラミック電子部品１０は、２つの積層セラミックコンデンサ素子１２，１２を、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向とは略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１６ｂに金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを接続したものである。第８実施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａの素子当接部２４ａは、中間部２２ａの一方側縁２２ａ１側と他方側縁２２ａ２側とに分割され、分割された一方の素子当接部２４ａは折曲部２５ａを介して中間部２２ａの一方側縁２２ａ１に連続的かつ一体的に接続され、他方の素子当接部２４ａは別の折曲部２５ａを介して中間部２２ａの他方側縁２２ａ２に連続的かつ一体的に接続される。
【００３３】また、第８実施例の金属端子２０ｂの素子当接部２４ｂは、中間部２２ｂの一方側縁２２ｂ１側と他方側縁２２ｂ２側とに分割されて、分割された一方の素子当接部２４ｂは折曲部２５ｂ１を介して一方側縁２２ｂ１に連続的かつ一体的に接続され，他方の素子当接部２４ｂは別の折曲部２５ｂ２を介して中間部２２ｂの他方側縁２４ｂ２に連続的かつ一体的に接続される。
【００３４】図１８はこの発明にかかる第９実施例の積層セラミック電子部品を示す斜視図であり、図１９はその金属端子を示す斜視図である。図１８に示す積層セラミック電子部品１０は、３つの積層セラミックコンデンサ素子１２，１２，１２を、金属端子２０ａ，２０ｂの側縁２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向とは略直交する方向へ並べた状態で、外部電極１６ａ，１６ｂにそれぞれ金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを接続してなるものである。第９実施例の積層セラミック電子部品１０の金属端子２０ａの中間部２２ａは、一方側縁２２ａ１側と他方側縁２２ａ２側とに分割され、分割された一方の中間部２２ａは折曲部２５ａを介して素子当接部２４ａの一方側縁に連続的かつ一体的に接続され、他方の中間部２２ａは別の折曲部２５ａを介して該素子当接部２４ａの他方側縁に連続的かつ一体的に接続される。
【００３５】また、第９実施例の金属端子２０ｂの中間部２２ｂは、一方側縁２２ｂ１側と他方側縁２２ｂ２側とに分割され、分割された一方の中間部２２ｂは折曲部２５ｂ１を介して素子当接部２４ｂの一方側縁に連続的かつ一体的に接続され、他方の中間部２２ｂは別の折曲部２５ｂ２を介して該素子当接部２４ｂの他方側縁に連続的かつ一体的に接続される。
【００３６】図２０は、この発明にかかる第１０実施例の積層コンデンサの金属端子を示す斜視図である。この金属端子は図１４に示した第６実施例の金属端子の変形例である。この金属端子２０ａ（２０ｂ）は、素子当接部２４ａの中央に略Ｕ字形状の貫通した切り欠き部２４ａ１（２４ｂ１）を備えている点のみが第６実施例のものと相違する。
【００３７】図２１は第４比較例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図２１に示す積層セラミック電子部品１１は、３つの積層セラミックコンデンサ素子１２、１２，１２を金属端子２１ａ，２１ｂの側縁２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向と略直行する方向へ間隔をおきながら並べた点を除いては、図１１に示した第１比較例と同様のものである。
【００３８】図２２は第５比較例の積層セラミック電子部品を示す斜視図である。図２２に示す積層セラミック電子部品１１は、３つの積層セラミックコンデンサ素子１２、１２，１２を金属端子２１ａ，２１ｂの側縁２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ１，２２ｂ２の延びる方向と略直行する方向へ間隔をおきながら並べた点を除いては、図１２に示した第２比較例と同様のものである。
【００３９】そして、第６実施例、第７実施例、第８実施例、第９実施例、第１０実施例、第４比較例、および第５比較例の積層セラミック電子部品をアルミニウム基板に実装したときの熱衝撃サイクル特性を調べ、その結果を表２に示した。なお、この場合、熱衝撃サイクル特性は、−５５℃〜１２５℃の熱変化を１サイクルの熱衝撃として、２５０サイクルの熱衝撃を印加したときと、５００サイクルの熱衝撃を印加したときとにおいて、静電容量の変化（減少）が１０％以上の不良発生率（不良発生数／７２個）を調べた。
【００４０】
【表２】

【００４１】表２の結果より、第６実施例ないし第１０実施例では、２５０サイクルの熱衝撃による不良発生数が０％であるに対して、第５比較例では２０％の不良が発生していることがわかる。また、第６実施例ないし第１０実施例では、５００サイクルの熱衝撃による不良発生数が６％以下であるに対して、第５比較例では５０％以上の不良が発生していることがわかる。一方、第４比較例はＥＳＲが９．０ｍΩと大きいのに比べて、第６実施例ないし第１０実施例ではＥＳＲが６．０ｍΩ以下と小さい。
【００４２】第６実施例ないし第１０実施例では、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向に折り曲げたような形状の横２重端子とすることにより、比較例４に比べて実装ランドから積層セラミックコンデンサ素子までの電気的な距離が近くなるので、ＥＳＲを大きく低下させることができると考えられる。また、第６実施例ないし第１０実施例では、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂを横方向に折り曲げたような形状の横２重端子とすることにより、積層セラミック電子部品１０の固着される図示しないアルミニウム基板と、積層セラミックコンデンサ素子１２との熱膨張率の差を緩和することができる。さらに、第８実施例の積層セラミック電子部品１０では、金属端子２０ａ，２０ｂの素子当接部２４ａ，２４ｂが各積層セラミックコンデンサ素子１２の外部電極にそれぞれ対応して複数設けられているので、ＥＳＲを低下させながら、第１実施例および第２実施例のものよりも熱膨張率の差を緩和することができる。
【００４３】また、第９実施例の積層セラミック電子部品１０では、第５実施例と同様に、金属端子２０ａ，２０ｂのＬ分を相殺することができる。
【００４４】さらに、第１０実施例の積層セラミック電子部品１０では、金属端子２０ａ，２０ｂと積層セラミック素子１２の外部電極との接続面積が減少するので、金属端子２０ａ，２０ｂと積層セラミックコンデンサ素子１２との間において熱膨張または熱収縮の起こる部分を減少させることができる。
【００４５】なお、この発明では、積層セラミック電子部品素子は１個でもよく、４個以上の積層セラミック電子部品素子を積層して用いてもよい。積層する場合には、各積層セラミック電子部品素子間は当接されても一定の間隔をもって配置されてもよい。さらに、複数の積層セラミック電子部品素子間の強度を向上させるために、それらの間の中央部に接合用の樹脂を入れてもよい。
【００４６】また、上述の各実施例では外部電極がＣｕ層、Ｎｉ層およびＳｎ層の３層構造に形成されているが、外部電極ははんだがつくなら他の構造に形成されてもよい。また、外部電極の全表面にはんだ層を設けてもよい。さらに、上述の各実施例では積層セラミック電子部品素子と金属端子との接合をはんだによるものを例示したが、ろう付け、導電性接着剤などの接合層によって行われてもよい。
【００４７】また、金属端子の材質は、Ｆｅ−Ｎｉ，黄銅に限らず、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒあるいはこれらの合金やクラッド材などで構成してもよい。
【００４８】さらに、この発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、インダクタ、バリスタ、多層部品等の積層型積層セラミック電子部品に適用してもよい。
【００４９】
【発明の効果】この発明によれば、熱衝撃に対する信頼性が良く、しかも、ＥＳＲの小さい、積層セラミック電子部品を得ることができる。
【出願人】 【識別番号】０００００６２３１
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
【出願日】 平成１２年８月１１日（２０００．８．１１）
【代理人】 【識別番号】１０００７９５７７
【弁理士】
【氏名又は名称】岡田 全啓
【公開番号】 特開２００２−５７０６３（Ｐ２００２−５７０６３Ａ）
【公開日】 平成１４年２月２２日（２００２．２．２２）
【出願番号】 特願２０００−２４４７４２（Ｐ２０００−２４４７４２）