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【発明の名称】 イオン注入装置
【発明者】 【氏名】浅野 史朗

【氏名】野田 悦夫

【氏名】関 克彦

【氏名】矢崎 逸夫
【要約】 【課題】複数の基体に対して均一なイオン注入を可能とし、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成可能なイオン注入装置を提供する。

【解決手段】真空排気口６とプラズマ原料用の導入口５とを備えた真空容器１、真空容器１内部に複数の基体１０を保持する基体保持具２１、基体保持具２１と真空容器１とを絶縁するブッシング１２、複数の基体１０に正または負の電圧を印加するパルス高電圧電源１５、真空容器１内に放電プラズマを生成して基体１０にイオンを注入する高周波誘導コイル２５、高周波誘導コイル２５に高周波電流を供給する高周波発振器を有する。真空容器１に、電磁波を透過させる絶縁材質からなる中空円筒管２０を設け、複数の基体１０を保持した基体保持具２１を中空円筒管２０内に収納する。高周波誘導コイル２５は、中空円筒管２０の外周に所定の間隔を有して巻回される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 内部空間を真空とするための真空排気口と前記内部空間に生成するプラズマの原料を供給するための導入口とを備えた真空容器と、前記真空容器内部において複数の基体を保持する保持手段と、前記複数の基体に前記真空容器の電位を基準とした正または負の電圧を印加するバイアス電源と、前記真空容器内に放電を発生させることによりプラズマを生成して前記基体にイオンを注入する誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有するイオン注入装置において、前記真空容器には、前記内部空間を一体に形成するとともに前記誘導コイルから放射される電磁波を透過させる絶縁材質から構成され、前記保持手段に保持された前記複数の基体を収納する中空円筒管が設けられ、且つ前記誘導コイルは、前記中空円筒管の外周に所定の間隔を有して巻回されていることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】 前記保持手段および前記中空円筒管はそれぞれ複数設けられ、各中空円筒管内に一つの保持手段が収納されており、前記誘導コイルは、前記複数の中空円筒管を個別に取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項３】 前記保持手段および前記中空円筒管はそれぞれ複数設けられ、各中空円筒管内に一つの保持手段が収納されており、前記誘導コイルは、前記複数の中空円筒管の全体を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項４】 前記誘導コイルは、独立に設けられた複数の誘導コイルであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項５】 前記高周波電源は、前記複数の誘導コイルに高周波電流を供給する単一の高周波電源であり、前記単一の高周波電源と前記複数の誘導コイルとの間に、全ての誘導コイルに対応する単一のインピーダンス整合器が設けられていることを特徴とする請求項４記載のイオン注入装置。
【請求項６】 前記高周波電源は、前記複数の誘導コイルに高周波電流を供給する単一の高周波電源であり、前記単一の高周波電源と前記複数の誘導コイルとの間に、各誘導コイルにそれぞれ対応する複数のインピーダンス整合器が設けられていることを特徴とする請求項４記載のイオン注入装置。
【請求項７】 前記高周波電源は、前記複数の誘導コイルに個別に高周波電流を供給する複数の高周波電源であり、前記複数の高周波電源と前記複数の誘導コイルとの間に、各誘導コイルにそれぞれ対応する複数のインピーダンス整合器が設けられていることを特徴とする請求項４記載のイオン注入装置。
【請求項８】 前記複数の高周波電源は、２種類以上の異なる周波数の高周波電流を供給するように構成されていることを特徴とする請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項９】 前記真空容器本体に接続されてこの真空容器本体と共に前記中空円筒管および前記誘導コイルを収納する空間を形成する金属製カバーが設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項１０】 前記中空円筒管を冷却する冷却手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項１１】 前記中空円筒管は端部に金属製のフランジを有し、このフランジを介して前記真空容器本体に着脱可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、金属製の基体にイオンを注入するためのイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば、ステンレス鋼からなる基体に、窒素イオンやチタンイオンを注入すると、基体の耐磨耗性や疲労寿命が大幅に改善されることが知られている。これは、イオンを金属表面に照射すると、照射されたイオンが金属に侵入すると共に、金属の構成元素と反応して表層部のみを合金化、化合物化するためである。また、照射されたイオンは金属結晶に打ち込まれた釘のような作用をするため、金属表層に形成された合金層、化合物層と金属との密着性は極めて高く、剥離しにくい。そこで、ピストン、ベアリングなどの自動車部品、バイト、ドリルなどの切削工具のような金属製の基体に、イオンを注入することによって、基体の耐磨耗性、耐熱性、硬度などを向上させる試みがなされている。
【０００３】上記のような基体にイオンを注入する方法としては、従来から、イオン源から引き出したイオンを加速し、質量分離用の偏向磁石を通した後に基体に注入するという方法があった。しかし、この方法では、基体に対するイオン注入が一方向からしか行えないことから、基体周囲にイオンを注入するためには、基体を保持するワークホルダ等の角度を変える駆動機構が必要であり、注入時間も長くかかっていた。また、質量分離、加速といった過程を経るために長距離のビーム輸送が必要となり、装置が複雑で、高価となっていた。
【０００４】これに対処するため、近年では、注入したい物質の正イオンを含む放電プラズマ中に基体を保持し、数十から数百ｋＶの負のパルス電圧を印加する方法が提案されている（参考文献： J. R. Conrad, et al., "Plasma source ion-implantation technique for surface modification of materials", J. Appl. Phys 62(11), 1987, pp.4591-4596）。【０００５】このイオン注入方式は、ＰＳＩＩ（Plasma Source Ion Implantation）、ＰＢＩＩ（Plasma Based Ion Implantation）若しくはＰＩＩＩ（Plasma ImmersionIon Implantation）という略称で呼ばれており、前述した加速・質量分離を行う従来法と比べて、以下のような利点を有している。
（ａ）基体の周囲を取り囲んでいるプラズマから、基体表面にほぼ垂直にイオン注入が行えるため、従来法で必要だった基体の駆動機構が不要となり、注入時間も短くて済む。これは、特に、基体が三次元形状をしている場合に有利である。
（ｂ）長距離のビーム輸送が不要なので、装置構成を単純・安価にできる。
【０００６】このようなＰＳＩＩ方式のイオン注入装置の一例を、図１２〜１４を参照して説明する。なお、このイオン注入装置は、例えば、米国特許第４７６４３９４号公報などに記載されたものと同様のものである。また、図１２は、イオン注入装置を正面から見た時の断面図、図１３は上面から見た時の断面図、図１４は斜視図である。
【０００７】まず、図１２に示すように、イオン注入装置の真空容器１は、上面の上板２、下面の底板３、および側面の側板４からなる略円筒形状の容器である。この真空容器１の底板３には、図示しないガス供給源から真空容器１内に放電ガスを導入するためのガス導入口５と、図示しない真空排気ポンプによって真空容器１内を真空にするための真空排気口６とが設けられている。
【０００８】真空容器１の上板２と底板３の外壁には、水平方向に伸びる複数の角棒状の永久磁石７ａ，７ｂが互いに平行に配設されている。これらの永久磁石７ａ，７ｂは、上板２および底板３の外壁に直角な方向に着磁され、隣接する磁石の極性が互いに異なるように交互に配設されている。さらに、図１３に示すように、真空容器１の側板４の外壁には、垂直方向に伸びる複数の永久磁石７ｃが、互いに平行に、かつ、隣接する磁石の極性が互いに異なるように交互に配設されている。このように永久磁石７ａ〜７ｃを真空容器１の外壁全面に配設することにより、真空容器１の内壁全面を覆う磁力線１６ａ〜１６ｃが形成されている。
【０００９】また、真空容器１には、陽極となる上板２、底板３、および側板４に対して、陰極となるフィラメント９が配設されている。さらに、真空容器１内には、イオンを注入する基体１０を保持するための金属製の基体保持台１１が、ブッシング１２を介して真空容器１と電位的に絶縁されて設置されている。
【００１０】そして、真空容器１には、フィラメント９に通電するためのフィラメント電源と、上板２、底板３、および側板４を陽極、フィラメント９を陰極とする放電を起こすためのアーク電源からなる放電電源ユニット１３が接続されている。さらに、基体保持台１１には、ブッシング１２および高圧ケーブル１４を介してパルス高電圧電源１５が接続されており、このパルス高電圧電源１５からパルス状の高電圧を基体１０に印加するようになっている。
【００１１】このような構成を有するＰＳＩＩ装置の動作について、以下に説明する。まず、図示しない真空排気装置を用いて真空排気口６から排気することにより、真空容器１を予め真空状態とする。そして、基体１０に注入しようとする物質のガス（窒素、酸素など）をガス導入口５から真空容器１内に供給し、放電電源ユニット１３のフィラメント電源によってフィラメント９に通電して加熱し、発生する熱電子を真空容器１内に充満させる。
【００１２】この状態で、放電電源ユニット１３のアーク電源によって、フィラメント９と真空容器１との間に放電を発生させ、図１２に示すような放電プラズマ１７を生成する。そして、基体保持台１１に接続されたパルス高電圧電源１５によって、放電プラズマ１７の生成とは独立に、パルス幅がおよそ数十マイクロ秒、大きさが数十から数百ｋＶ程度の負のパルス電圧を、基体１０に対して印加する。
【００１３】ここで、基体１０への電圧印加が、数十マイクロ秒という短い時間幅にパルス化されている理由は、ターゲットへの電圧印加によって、放電プラズマ１７と基体１０との間にアーク放電が発生するのを防止するためである。このように、基体１０に負のパルス電圧が印加されると、基体１０を取り囲んだプラズマ中に、シースが成長して電子が基体１０から遠ざけられ、逆にイオンが基体１０方向に加速されるので、イオンが基体１０に注入される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のような従来のＰＳＩＩ方式のイオン注入装置においては、真空容器１内で放電プラズマ１７を生成する際に、フィラメント９の周辺に、高密度のプラズマが生成され、そのプラズマが基体１０に向かって拡散してゆくため、フィラメント９から基体１０に向かう方向におけるプラズマの密度分布に高低差が生じる。
【００１５】すなわち、基体１０のうち、フィラメント９に対向しない部分と接するプラズマの密度は、フィラメント９に対向する部分と接するプラズマの密度よりも必然的に小さくなる。特に、複数の基体１０の処理を行う場合には、個々の基体１０がプラズマの拡散を妨げることにもなるため、フィラメント９と各基体１０との距離の違いや、基体１０相互の位置関係によっても、基体１０と接するプラズマの密度には濃淡が生じる。
【００１６】このように、複数の基体１０の全体がプラズマと接触している場合であっても、高密度のプラズマと接触している基体１０と低密度のプラズマと接触している基体１０とが生じるため、基体１０に負のパルス電圧を印加した際に注入されるイオンの量が、プラズマの濃淡に応じて変化する。また、そのようなプラズマの濃淡に応じて、各基体１０表面に対するイオンの注入角度も変化するため、注入深さなどにも不均一が生じる可能性がある。従って、複数の基体１０間で処理層の厚みや品質にばらつきが生じ、結果的に複数の基体１０を同一条件でイオン注入処理することが困難となる。
【００１７】本発明は、以上のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、複数の基体に対して均一なイオン注入を可能とし、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成可能なイオン注入装置を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明は、内部空間を真空とするための真空排気口と前記内部空間に生成するプラズマの原料を供給するための導入口とを備えた真空容器と、前記真空容器内部において複数の基体を保持する保持手段と、前記複数の基体に前記真空容器の電位を基準とした正または負の電圧を印加するバイアス電源と、前記真空容器内に放電を発生させることによりプラズマを生成して前記基体にイオンを注入する誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有するイオン注入装置において、以下のような技術的特徴を有する。
【００１９】請求項１記載のイオン注入装置は、前記真空容器に、前記内部空間を一体に形成するとともに前記誘導コイルから放射される電磁波を透過させる絶縁材質から構成され、前記保持手段に保持された前記複数の基体を収納する中空円筒管が設けられ、且つ前記誘導コイルが、前記中空円筒管の外周に所定の間隔を有して巻回されていることを特徴としている。
【００２０】この特徴によれば、保持手段によって保持された複数の基体が、真空容器に設けられた中空円筒管内に収納され、この中空円筒管の外周に誘導コイルが所定の間隔を有して巻回されているので、誘導コイルによって生成される放電プラズマが複数の基体の全面を取り囲むことになり、複数の基体の全面を高密度で均一性の高いプラズマと接触させることができる。この状態でバイアス電源によって基体に正または負の電圧を印加することによって、空間的にほぼ均一で一定量のイオンがプラズマから各基体表面に向かってほぼ垂直方向に加速・注入される。このように、複数の基体に対して均一なイオン注入が可能であるため、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。
【００２１】請求項２記載の発明は、請求項１記載のイオン注入装置において、前記保持手段および前記中空円筒管がそれぞれ複数設けられ、各中空円筒管内に一つの保持手段が収納されており、前記誘導コイルが、前記複数の中空円筒管を個別に取り囲むように配置されていることを特徴としている。請求項３記載の発明は、請求項１記載のイオン注入装置において、前記保持手段および前記中空円筒管がそれぞれ複数設けられ、各中空円筒管内に一つの保持手段が収納されており、前記誘導コイルが、前記複数の中空円筒管の全体を取り囲むように配置されていることを特徴としている。
【００２２】以上のような請求項２、３の特徴によれば、複数の中空円筒管の間において均一なイオン注入が可能であり、多数の基体に対して同一条件でイオン注入処理を行うことができる。特に、請求項３の特徴によれば、複数の中空円筒管の全体を取り囲むように誘導コイルを配置しているため、各中空円筒管を個別に取り囲むように誘導コイルを配置した場合に比べて、誘導コイルの製作が容易である。
【００２３】請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン注入装置において、前記誘導コイルが、独立に設けられた複数の誘導コイルであることを特徴としている。この特徴によれば、複数の誘導コイルを使用しているため、特に、複数の中空円筒管を使用した場合に、単一の誘導コイルを使用した場合に比べて、誘導コイルの製作が容易であり、組み立ての際における中空円筒管と誘導コイルとのギャップ調整が容易になる。
【００２４】請求項５記載の発明は、請求項４記載のイオン注入装置において、前記高周波電源が、前記複数の誘導コイルに高周波電流を供給する単一の高周波電源であり、前記単一の高周波電源と前記複数の誘導コイルとの間に、全ての誘導コイルに対応する単一のインピーダンス整合器が設けられていることを特徴としている。この特徴によれば、単一の高周波電源と単一のインピーダンス整合器を使用して複数の誘導コイルに供給される高周波電力の全てを制御できるため、電源構成を簡略化することができる。
【００２５】請求項６記載の発明は、請求項４記載のイオン注入装置において、前記高周波電源が、前記複数の誘導コイルに高周波電流を供給する単一の高周波電源であり、前記単一の高周波電源と前記複数の誘導コイルとの間に、各誘導コイルにそれぞれ対応する複数のインピーダンス整合器が設けられていることを特徴としている。この特徴によれば、単一の高周波電源を使用することで、電源構成の簡略化を実現しながら、しかも、各誘導コイルに対応する複数のインピーダンス整合器を使用し、各インピーダンス整合器の整合状態を変化させて各誘導コイルへの供給電力を変化させることなどにより、プラズマの空間分布制御を実現することができる。
【００２６】請求項７記載の発明は、請求項４記載のイオン注入装置において、前記高周波電源が、前記複数の誘導コイルに個別に高周波電流を供給する複数の高周波電源であり、前記複数の高周波電源と前記複数の誘導コイルとの間に、各誘導コイルにそれぞれ対応する複数のインピーダンス整合器が設けられていることを特徴としている。この特徴によれば、複数の高周波電源の各々から供給される高周波電力が、各インピーダンス整合器を経由して各誘導コイルに供給される。各インピーダンス整合器の整合状態を変化させて各誘導コイルへの供給電力を変化させるだけでなく、各高周波電源の出力を変動させることによって各誘導コイルへの供給電力の精密な制御が可能となるため、単一の高周波電源を使用した場合に比べてプラズマのより精密な空間分布制御を実現することができる。
【００２７】請求項８記載の発明は、請求項７記載のイオン注入装置において、前記複数の高周波電源が、２種類以上の異なる周波数の高周波電流を供給するように構成されていることを特徴としている。この特徴によれば、誘導コイルに供給する高周波電流の周波数を適切に設定することにより、高密度プラズマの生成と生成したプラズマの空間分布制御をより有利に行うことができる。
【００２８】請求項９記載の発明は、請求項１〜８のいずれか１項に記載のイオン注入装置において、前記真空容器本体に接続されてこの真空容器本体と共に前記中空円筒管および前記誘導コイルを収納する空間を形成する金属製カバーが設けられていることを特徴としている。この特徴によれば、誘導コイルと中空円筒管を金属製カバー内に収納することにより、誘導コイルから電磁波が外部に漏出することを抑制できるため、電磁波障害によるイオン注入装置各部の誤動作などの発生を防止することができる。
【００２９】請求項１０記載の発明は、請求項１〜９のいずれか１項に記載のイオン注入装置において、前記中空円筒管を冷却する冷却手段が設けられていることを特徴としている。この特徴によれば、冷却手段により中空円筒管を冷却することにより、中空円筒管内に生成される放電プラズマから発生する熱を奪って各部の温度上昇を抑制し、熱膨張率の差異に起因する接合部の剥離などを防止することができる。
【００３０】請求項１１記載の発明は、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のイオン注入装置において、前記中空円筒管が端部に金属製のフランジを有し、このフランジを介して前記真空容器本体に着脱可能に構成されていることを特徴としている。この特徴によれば、中空円筒管が、フランジを介して真空容器本体に着脱可能であるため、中空円筒管を取り外した状態で、中空円筒管内に収納される保持手段への基体の取り付け・取り外しや、保持手段の別部材への取り付け・取り外し等の作業を容易に行うことができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
［第１の実施の形態］
［構成］図１は、本発明による第１の実施の形態として、請求項１、２に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図１に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置の真空容器１は、上面の上板２、下面の底板３、および側面の側板４からなる箱形の容器である。この真空容器１の側板４には、図示しないガス供給源から放電ガスを導入するためのガス導入口５と、図示しない真空排気装置によって真空容器１内を真空にするための真空排気口６とが設けられている。
【００３２】そして、この真空容器１の底板３には、下部フランジ１８（１８ａ〜１８ｃ）と上部フランジ１９（１９ａ〜１９ｃ）を備えた垂直方向に伸びる３個の中空円筒管２０（２０ａ〜２０ｃ）が一列に並べて取り付けられ、真空容器１本体と一体の内部空間を形成している。ここで、各中空円筒管２０は、電磁波を透過させるアルミナなどの絶縁材質から構成されており、その下部開口を封じるようにステンレス鋼からなる下部フランジ１８が溶接されると共に、その上部開口の周囲にはステンレス鋼からなる円盤状の上部フランジ１９が溶接されている。
【００３３】真空容器１の内部には、複数の基体１０を保持するための保持手段として、３個の基体保持具２１（２１ａ〜２１ｃ）が設置されている。ここで、各基体保持具２１は、垂直方向に伸びる基体保持棒２２とその上端部を除く部分に取り付けられた複数の基体保持リング２３から構成されており、各基体保持リング２３に基体１０を挟持することにより、複数の基体１０を保持するようになっている。また、各基体保持具２１の基体保持棒２２は、その上端部で共通の基体保持板２４に接続され、真空容器１の上板２に設置されたブッシング１２から高圧ケーブル１４を介してパルス高電圧電源１５に接続されている。
【００３４】これら３個の基体保持具２１ａ〜２１ｃの各々は、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃと順次対応しており、その基体保持棒２２ａ〜２２ｃが対応する中空円筒管２０ａ〜２０ｃの中心軸とほぼ一致し、かつ、基体保持リング２３によって複数の基体１０を保持した領域全体が対応する中空円筒管２０ａ〜２０ｃ内にそれぞれ挿入されるように配置されている。
【００３５】各中空円筒管２０の外周の大気側には、高周波誘導コイル２５が所定の間隔を有して螺旋状に巻回されている。この場合、高周波誘導コイル２５は、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃを個別に順次取り囲むようにして配置されており、図示しないインピーダンス整合器、同軸構造のＲＦ供給ケーブルを経由して高周波発振器に接続されている。また、高周波誘導コイル２５は、例えば中空形状の銅線から構成され、その両端部には冷却水入口２６および冷却水出口２７がそれぞれ設けられており、冷却水供給ユニット２８から供給される冷却水を高周波誘導コイル２５内の中空部に循環させるようになっている。
【００３６】［作用］以上のような本実施の形態に係るイオン注入装置における基本動作を説明する。まず、図示しない真空排気装置を用いて真空排気口６から排気することにより、真空容器１を予め真空状態とする。また、冷却水供給ユニット２８を用いて、大気側に設けられた冷却水入口２６から水を供給し、冷却水出口２７から排出することによって、高周波誘導コイル２５内で水を循環させる。
【００３７】そして、図示しないガス供給源を用いて、例えば、窒素ガスなどの放電ガスをガス導入口５から真空容器１内に供給するとともに、図示しない高周波発振器から同軸構造のＲＦ供給ケーブル、インピーダンス整合器を経由して高周波誘導コイル２５に高周波電力を供給する。その結果、誘導電界によって高周波誘導コイル２５の内側に配置された中空円筒管２０ａ〜２０ｃの内部にそれぞれ放電プラズマが生成される。
【００３８】この場合、高周波誘導コイル２５に供給された冷却水は、コイルを流れる高周波電流によって発生する熱を除去し、高周波誘導コイル２５の温度上昇を抑える働きをする。この状態で、パルス高電圧電源１５から高圧ケーブル１４およびブッシング１２を通して、真空容器１内の基体保持板２４に負のパルス電圧を印加する。負のパルス電圧は基体保持棒２２から基体保持リング２３を経由して基体１０に印加されるため、基体１０を取り囲むように生成された放電プラズマと基体１０との境界部分にイオンシースが形成され、基体１０にはその表面にほぼ垂直な方向から放電プラズマ中のイオンが注入される。
【００３９】［効果］以上のような本実施の形態によれば、複数の基体１０を保持した３個の基体保持具２１ａ〜２１ｃをそれぞれ収納した３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃの外周に高周波誘導コイル２５が所定の間隔を有して巻回されているため、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃ内に収納された基体１０に直接接する空間部分や基体１０間の間隙部分に放電プラズマが生成され、複数の基体１０の全面を高密度でほぼ均一なプラズマによって取り囲み、直接接触させることができる。
【００４０】従って、空間的にほぼ均一で一定量のイオンをプラズマから基体表面に向かってほぼ垂直方向に加速・注入できる。このように、複数の基体に対して均一なイオン注入が可能であるため、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。特に、三次元形状の基体に対しても、厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。さらに、本実施の形態においては、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃの間において均一なイオン注入が可能であり、これらの中空円筒管２０ａ〜２０ｃ内に多数の基体１０を収納してそれらの多数の基体１０に対して同一条件でイオン注入処理を行うことができる。
【００４１】［第２の実施の形態］
［構成］図２は、本発明による第２の実施の形態として、請求項１、３に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図２に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置において、中空円筒管２０と基体保持具２１を３個から６個に増やすと共に、高周波誘導コイル２５の配置を変更したものである。
【００４２】すなわち、真空容器１の底板３には、下部フランジ１８（１８ａ〜１８ｆ）と上部フランジ１９（１９ａ〜１９ｆ）を備えた垂直方向に伸びる６個の中空円筒管２０（２０ａ〜２０ｆ）が取り付けられ、真空容器１本体の内部空間と連通する内部空間を形成している。ここで、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆは、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃ、２０ｄ〜２０ｆを各１列として２列に並べられている。
【００４３】また、これら６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの各々と順次対応する６個の基体保持具２１ａ〜２１ｆは、中空円筒管２０ａ〜２０ｆの位置に合わせて、３個の基体保持具２１ａ〜２１ｃ、２１ｄ〜２１ｆを各１列として２列に並べられている。そして、６個の基体保持具２１ａ〜２１ｆの各々は、その基体保持棒２２ａ〜２２ｆが対応する中空円筒管２０ａ〜２０ｆの中心軸とほぼ一致し、かつ、基体保持リング２３によって複数の基体１０を保持した領域全体が対応する中空円筒管２０ａ〜２０ｆ内にそれぞれ挿入されるように配置されている。
【００４４】また、本実施の形態において、高周波誘導コイル２５は、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの外周の大気側に所定の間隔を有して螺旋状に巻回されているが、この場合、中空円筒管２０ａ〜２０ｆを個別に取り囲むのではなく、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲むように配置されている。なお、他の部分については、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００４５】［作用・効果］以上のような本実施の形態によれば、複数の基体１０を保持した６個の基体保持具２１ａ〜２１ｆをそれぞれ収納した６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの外周に高周波誘導コイル２５が所定の間隔を有して巻回されているため、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆ内に収納された基体１０に直接接する空間部分や基体１０間の間隙部分に放電プラズマが生成され、複数の基体１０の全面を高密度でほぼ均一なプラズマによって取り囲み、直接接触させることができる。
【００４６】従って、前述した第１の実施の形態と同様に、空間的にほぼ均一で一定量のイオンをプラズマから基体表面に向かってほぼ垂直方向に加速・注入できる。このように、複数の基体に対して均一なイオン注入が可能であるため、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。特に、三次元形状の基体に対しても、厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。
【００４７】さらに、本実施の形態においては、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆ内により多くの基体１０を収納してそれらのより多くの基体１０に対して同一条件でイオン注入処理を行うことができる。特に、本実施の形態においては、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲むように高周波誘導コイル２５を配置しているため、各中空円筒管を個別に取り囲むように高周波誘導コイル２５を配置した場合に比べて、誘導コイルの製作が容易である。
【００４８】［第３の実施の形態］
［構成］図３は、本発明による第３の実施の形態として、請求項１、２、９に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図３に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置において、中空円筒管２０と高周波誘導コイル２５を収納する金属製カバー２９を設けたものである。
【００４９】すなわち、真空容器１の底板３には、大地電位を有する箱型の金属製カバー２９が接続されており、底板３と金属製カバー２９とで形成される空間内に、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃおよびそれらに巻回された高周波誘導コイル２５が収納されている。また、高周波誘導コイル２５の一方の端部は金属製カバー２９と接続され、他方の端部は金属製カバー２９を貫通して、金属製カバー２９とインピーダンス整合器３０との間に接続された円筒形状の外導体管３１の中を通り、インピーダンス整合器３０の出力端子に接続されている。
【００５０】インピーダンス整合器３０には、同軸構成のＲＦ供給ケーブル３２を介して高周波発振器（高周波電源）３３が接続されており、この高周波発振器３３から高周波誘導コイル２５に高周波電力が供給されるようになっている。さらに、冷却水供給ユニット２８から高周波誘導コイル２５に冷却水を供給するための配管は金属製カバー２９を貫通している。なお、他の部分については、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００５１】［作用・効果］以上のような本実施の形態によれば、高周波誘導コイル２５と３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃが大地電位の金属製カバー２９内に収納されると共に、高周波誘導コイル２５に高周波電流を供給する配線も外導体管３１内を通っているため、高周波誘導コイル２５および配線から電磁波が外部に漏出することを抑制できる。従って、本実施の形態によれば、前述した第１の実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、さらに、金属製カバー２９を設けたことにより、電磁波障害によるイオン注入装置各部の誤動作などの発生を防止することができ、装置全体の動作の安定性と信頼性を高めることが可能となる。
【００５２】［第４の実施の形態］
［構成］図４は、本発明による第４の実施の形態として、請求項１、２、９、１０に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図４に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図３に示す第３の実施の形態に係るイオン注入装置において、金属製カバー２９に冷却手段を設けたものである。すなわち、金属製カバー２９のうち、両端の中空円筒管２０ａ，２０ｃに対向する側壁には、ファン３４を内蔵した２個の送風ユニット３５ａ，３５ｂがそれぞれ取り付けられている。また、金属製カバー２９の別の側壁には、パンチングメタル製の排気口３６が設けられている。なお、他の部分については、図３に示す第３の実施の形態に係るイオン注入装置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００５３】［作用・効果］以上のような本実施の形態によれば、送風ユニット３５ａ、３５ｂに内蔵されたファン３４を回転させることによって空気を金属製カバー２９内に送り込んで排気口３６から送り出し、金属製カバー２９内の空気を強制的に対流させることができる。これにより、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃおよびその下部フランジ１８ａ〜１８ｃ、上部フランジ１９ａ〜１９ｃに流入する放電プラズマからの熱を奪って中空円筒管２０ａ〜２０ｃ各部の温度上昇を抑制することができる。
【００５４】従って、本実施の形態によれば、前述した第１、第３の実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、さらに次のような効果が得られる。すなわち、金属製カバー２９に送風ユニット３５ａ，３５ｂと排気口３６を設けたことにより、中空円筒管２０ａ〜２０ｃ各部の温度上昇を抑制できるため、温度上昇に伴う中空円筒管２０ａ〜２０ｃの割れや中空円筒管２０ａ〜２０ｃと下部フランジ１８ａ〜１８ｃ、上部フランジ１９ａ〜１９ｃの膨張率の違いに起因する接合部の剥離などを防止することが可能となる。
【００５５】［第５の実施の形態］
［構成］図５は、本発明による第５の実施の形態として、請求項１、１１に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す図であり、特に、放電容器周辺を拡大して示す断面図である。この図５に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置において、中空円筒管２０を独立した放電容器３７として真空容器１本体に着脱可能に構成すると共に、放電容器３７に冷却手段を設けたものである。
【００５６】すなわち、放電容器３７の基本的な構成は、第１の実施の形態と同様であり、中空円筒管２０は、電磁波を透過させるアルミナなどの絶縁材質から構成されており、その下部開口を封じるようにステンレス鋼からなる下部フランジ１８が溶接されると共に、その上部開口の周囲にはステンレス鋼からなる円盤状の上部フランジ１９が溶接されている。この構成に加えて、本実施の形態においては、放電容器３７の上部フランジ１９が、Ｏリング３８を介してボルト３９により真空容器１の底板３に締め付けられ、内部を真空に保持した状態で固定されるようになっている。また、上部フランジ１９の内部には、中空円筒管２０を囲むように同心状円形の冷却水路４０が設けられており、冷却水入口２６および冷却水出口２７を介して図示しない冷却水供給ユニットから供給される冷却水を冷却水路４０内で循環させるようになっている。
【００５７】［作用・効果］以上のような本実施の形態によれば、放電容器３７が真空容器１の底板３に対して着脱可能であるため、この放電容器３７を真空容器１から取り外した状態で、この放電容器３７内に収納される基体保持具２１への基体の取り付け・取り外しや、基体保持板２４への基体保持具２１の取り付け・取り外し等の作業を容易に行うことができる。
【００５８】［第６の実施の形態］
［構成］図６は、本発明による第６の実施の形態として、請求項１、２、４に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図６に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置において、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃに対応する３個の独立した高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃを使用したものである。
【００５９】すなわち、３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃは、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃの外周の大気側に所定の間隔を有して螺旋状に巻回されているが、この場合、３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々が、対応する中空円筒管２０ａ〜２０ｃを個別に取り囲むように配置されている。そして、３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々が、中空形状の銅線から構成され、冷却水供給ユニット２８によりその中空部に冷却水を循環させるようになっている。なお、他の部分については、図１に示す第１の実施の形態に係るイオン注入装置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００６０】［作用・効果］以上のような本実施の形態によれば、複数の基体１０を保持した３個の基体保持具２１ａ〜２１ｃをそれぞれ収納した３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃの外周に独立した３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃが所定の間隔を有して巻回されているため、３個の中空円筒管２０ａ〜２０ｃ内に収納された基体１０に直接接する空間部分や基体１０間の間隙部分に放電プラズマが生成され、複数の基体１０の全面を高密度でほぼ均一なプラズマによって取り囲み、直接接触させることができる。
【００６１】従って、前述した第１の実施の形態と同様に、空間的にほぼ均一で一定量のイオンをプラズマから基体表面に向かってほぼ垂直方向に加速・注入できる。このように、複数の基体に対して均一なイオン注入が可能であるため、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。特に、三次元形状の基体に対しても、厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。
【００６２】さらに、本実施の形態においては、複数の中空円筒管２０ａ〜２０ｃに対応した複数の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃを使用しているため、各中空円筒管２０を個別に取り囲む高周波誘導コイルが直列に接続されて単一の高周波誘導コイルを形成した第１の実施の形態と比較して、高周波誘導コイルの製作、および組立の際の中空円筒管２０と高周波誘導コイル２５とのギャップ調整が容易になるなどの効果が期待できる。
【００６３】［第７の実施の形態］
［構成］図７は、本発明による第７の実施の形態として、請求項１、２、４に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図７に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図２に示す第２の実施の形態に係るイオン注入装置において、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆを巻回する高周波誘導コイルとして３個の独立した高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆを使用したものである。
【００６４】すなわち、本実施の形態においては、３個の高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆは、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの外周の大気側に所定の間隔を有して螺旋状に巻回されているが、この場合、３個の高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆの各々が、対応する各２個の中空円筒管（２０ａ，２０ｄ），（２０ｂ，２０ｅ），（２０ｃ，２０ｆ）を個別に取り囲むように配置されている。そして、３個の高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆの各々が、中空形状の銅線から構成され、冷却水供給ユニット２８によりその中空部に冷却水を循環させるようになっている。なお、他の部分については、図２に示す第２の実施の形態に係るイオン注入装置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００６５】［作用・効果］以上のような本実施の形態によれば、複数の基体１０を保持した６個の基体保持具２１ａ〜２１ｆをそれぞれ収納した６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの外周に独立した３個の高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆが所定の間隔を有して巻回されているため、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆ内に収納された基体１０に直接接する空間部分や基体１０間の間隙部分に放電プラズマが生成され、複数の基体１０の全面を高密度でほぼ均一なプラズマによって取り囲み、直接接触させることができる。
【００６６】従って、前述した第１、第２の実施の形態と同様に、空間的にほぼ均一で一定量のイオンをプラズマから基体表面に向かってほぼ垂直方向に加速・注入できる。このように、複数の基体に対して均一なイオン注入が可能であるため、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。特に、三次元形状の基体に対しても、厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成することができる。
【００６７】さらに、本実施の形態においては、複数の中空円筒管２０ａ〜２０ｆに対して複数の高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆを使用しているため、複数の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲む単一の高周波誘導コイル２５を使用した第２の実施の形態と比較して、高周波誘導コイルの製作、および組立の際の中空円筒管２０と高周波誘導コイル２５とのギャップ調整が容易になるなどの効果が期待できる。
【００６８】また、単一の高周波誘導コイル２５によって複数の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲む第２の実施の形態と比較すると、各高周波誘導コイル２５ａｄ，２５ｂｅ，２５ｃｆに面する中空円筒管２０ａ〜２０ｆの面積を増やすことができるため、中空円筒管２０ａ〜２０ｆ内部への高周波電界の供給が効率的に行われ、生成される放電プラズマの密度を高める効果も期待できる。
【００６９】［第８の実施の形態］
［構成］図８は、本発明による第８の実施の形態として、請求項１、２、４、５に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す図であり、特に、高周波誘導コイルへの高周波電力供給系を示す概略構成図である。この図８に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、３個の独立した高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃを使用し、これらの高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃに高周波電流を供給する単一の高周波発振器３３を設けると共に、高周波発振器３３と３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃとの間に、全ての高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃに対応する単一のインピーダンス整合器３０を設けたものである。単一の高周波発振器３３、単一のインピーダンス整合器３０、および３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの間は、同軸形状のＲＦ供給ケーブル３２を介して接続されており、このＲＦ供給ケーブル３２は、インピーダンス整合器３０と３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃとの間で３系統に分岐している。
【００７０】［作用・効果］以上のような本実施の形態においては、単一の高周波発振器３３から供給された高周波電力が、単一のインピーダンス整合器３０を経由して同軸形状のＲＦ供給ケーブル３２から３系統に分岐され、３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々に供給される。この場合、単一の高周波発振器３３と単一のインピーダンス整合器３０を使用して、複数の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃに供給される高周波電力の全てを制御できるため、電源構成を簡略化することができ、結果的に、電源系に起因するトラブルを未然に防止できるという効果が得られる。
【００７１】［第９の実施の形態］
［構成］図９は、本発明による第９の実施の形態として、請求項１、２、４、６に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す図であり、特に、高周波誘導コイルへの高周波電力供給系を示す概略構成図である。この図９に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、３個の独立した高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃを使用し、これらの高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃに高周波電流を供給する単一の高周波発振器３３を設けると共に、高周波発振器３３と３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃとの間に、高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々に対応する３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃを設けたものである。単一の高周波発振器３３、３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃ、および３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの間は、同軸形状のＲＦ供給ケーブル３２を介して接続されており、このＲＦ供給ケーブル３２は、単一の高周波発振器３３と３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃとの間で３系統に分岐している。
【００７２】［作用・効果］以上のような本実施の形態においては、単一の高周波発振器３３から供給された高周波電力が、同軸形状のＲＦ供給ケーブル３２から３系統に分岐され、３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃを経由して３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々に供給される。
【００７３】この場合、単一の高周波発振器３３を用いるという電源構成の簡略化を実現しながら、しかも、各高周波誘導コイルに対応する複数のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃを使用し、各インピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃの整合状態を変化させて各高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃへの供給電力を変化させることなどにより、プラズマの空間分布制御を実現することができる。また、各高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの負荷条件に応じて個別に負荷整合を行うことができるため、プラズマからの反射電力を最小にする等の制御を容易に行うことができる。このように、本実施の形態によれば、生成プラズマの空間分布制御を行えるため、基体１０の周囲により均一なプラズマを生成できる。
【００７４】［第１０の実施の形態］
［構成］図１０は、本発明による第１０の実施の形態として、請求項１、２、４、７に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す図であり、特に、高周波誘導コイルへの高周波電力供給系を示す概略構成図である。この図１０に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、３個の独立した高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃを使用し、これらの高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃに高周波電流を個別に供給する３個の高周波発振器３３ａ〜３３ｃを設けると共に、３個の高周波発振器３３ａ〜３３ｃと３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃとの間に、高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々に対応する３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃを設けたものである。３個の高周波発振器３３ａ〜３３ｃ、３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃ、および３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの間は、同軸形状の３個のＲＦ供給ケーブル３２ａ〜３２ｃを介して互いに独立に接続されている。
【００７５】［作用・効果］以上のような本実施の形態においては、３個の高周波発振器３３ａ〜３３ｃの各々から供給された高周波電力が、３個のＲＦ供給ケーブル３２ａ〜３２ｃおよび３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃを経由して、３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々に供給される。すなわち、３個の高周波発振器３３ａ〜３３ｃの各々から供給された高周波電力が、３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃの各々に対し、完全に独立した別系統でそれぞれ供給される。
【００７６】この場合、３個のインピーダンス整合器３０ａ〜３０ｃの整合状態を変化させて３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃへの供給電力を変化させるだけでなく、３個の高周波発振器３３ａ〜３３ｃの出力を変動させることによって３個の高周波誘導コイル２５ａ〜２５ｃへの供給電力の精密な制御が可能となるため、単一の高周波発振器を使用した第９の実施の形態に比べてプラズマのより精密な空間分布制御を実現することができる。従って、基体１０の周囲により均一なプラズマを生成できる。
【００７７】［第１１の実施の形態］
［構成］図１１は、本発明による第１１の実施の形態として、請求項１、３、４、８に記載の発明を適用したイオン注入装置の一つの形態を示す断面斜視図である。この図１１に示すように、本実施の形態に係るイオン注入装置は、図２に示す第２の実施の形態に係るイオン注入装置において、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆを巻回する高周波誘導コイルとして２個の独立した高周波誘導コイル２５ａ，２５ｂを使用したものである。
【００７８】すなわち、本実施の形態においては、高周波誘導コイル２５ａが、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの外周の大気側に所定の間隔を有して螺旋状に巻回され、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲むように配置されているが、これに加えて、高周波誘導コイル２５ａの下方に、別の高周波誘導コイル２５ｂが、同様に、６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲むように螺旋状に巻回されている。２個の高周波誘導コイル２５ａ，２５ｂは、２個のインピーダンス整合器３０ａ，３０ｂおよび２個のＲＦ供給ケーブル３２ａ，３２ｂを介して周波数の異なる２個の高周波発振器３３ａ，３３ｂにそれぞれ接続されている。なお、他の部分については、図２に示す第２の実施の形態に係るイオン注入装置と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００７９】［作用・効果］本実施の形態によれば、それぞれが６個の中空円筒管２０ａ〜２０ｆの全体を取り囲む２個の高周波誘導コイル２５ａ，２５ｂに対して、異なる周波数の高周波電流を供給することができる。この場合、２個の高周波誘導コイル２５ａ，２５ｂに供給する高周波電流の周波数を適切に設定することにより、高密度プラズマの生成と生成したプラズマの空間分布制御をより有利に行うことができる。
【００８０】［他の実施の形態］なお、本発明は、以上のような実施の形態に限定されるものではなく、各部材の大きさ、配置位置、数、形状、材質、各実施の形態相互の組み合わせ等は適宜変更可能である。例えば、前記各実施の形態では、いずれも中空円筒管の数が３個あるいは６個となっているが、それらは単なる例示であって中空円筒管の設置個数は特に限定されるものではなく、個数は任意に選択可能である。また、高周波誘導コイルの形状や１個の高周波誘導コイルによって取り囲む中空円筒管の数も特に限定されない。
【００８１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、保持手段によって保持された複数の基体を、真空容器の一部に設けた中空円筒管内に収納し、この中空円筒管の外周に誘導コイルを所定の間隔を有して巻回することにより、複数の基体の全面を高密度で均一性の高いプラズマと接触させることができる。従って、複数の基体に対して均一なイオン注入を可能とし、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成可能なイオン注入装置を提供することができる。
【出願人】 【識別番号】０００００３０７８
【氏名又は名称】株式会社東芝
【識別番号】０００２２１１４４
【氏名又は名称】東芝タンガロイ株式会社
【出願日】 平成１３年５月３０日（２００１．５．３０）
【代理人】 【識別番号】１０００８１９６１
【弁理士】
【氏名又は名称】木内 光春
【公開番号】 特開２００２−３５０５９９（Ｐ２００２−３５０５９９Ａ）
【公開日】 平成１４年１２月４日（２００２．１２．４）
【出願番号】 特願２００１−１６１８３９（Ｐ２００１−１６１８３９）