電子ビーム処理装置

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【発明の名称】	電子ビーム処理装置
【発明者】	【氏名】山口真典
【要約】	【課題】複数の電子ビーム管から照射される電子ビームを良好に重なり合わせて、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるようにすることにより、被処理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全体を一括処理することができる電子ビーム処理装置を提供することにある。【解決手段】本発明の電子ビーム処理装置は、複数の電子ビーム管１が、被処理物Ｗを処理するための処理室２に、電子ビーム出射窓１５が露出するように配置された電子ビーム処理装置であって、各々の電子ビーム管１は、被処理物Ｗの処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように配置されていることを特徴とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられ前面に電子ビーム発生器より発生した電子ビームが透過する電子ビーム出射窓が形成された複数の電子ビーム管が、被処理物を処理するための処理室に、電子ビーム出射窓が露出するように配置された電子ビーム処理装置であって、前記各々の電子ビーム管は、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように配置されていることを特徴とする電子ビーム処理装置。
【請求項２】前記処理室が圧力調整機構によって減圧されていることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム処理装置。
【請求項３】前記処理室には被処理物を載置するための載置台が設けられており、当該載置台は、前記電子ビーム出射窓との離間距離を可変することができることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の電子ビーム処理装置。

【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、表面改質、薄膜形成、電子線硬化、ドライ洗浄等のプロセスに利用される電子ビーム処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子線照射技術は、その高い電子エネルギーを利用し、比較的被処理物の深いところまで電子を侵入させて処理を行なうことができ、この特徴を活かした薄膜硬化技術が知られている。例えば、特表平８－５１０８６４号では、電子ビーム管を直線状あるいは千鳥状に配列し、複数の電子ビーム管から照射される電子ビームは全体的に直線状になるように重なり合っており、この直線状の電子ビームによって被処理物を電子ビームによって処理するものである。
【０００３】このような装置の場合、電子ビーム全体が直線状であるために、被処理物の処理領域全体を処理するためには、被処理物を電子ビーム管に対して移動させる必要がある。特表平８－５１０８６４号では、被処理物は搬送系である回転ローラを用いて移動させられるものである。
【０００４】また、搬送系が電子ビーム管の直下にあるため、電子ビームの照射雰囲気の制御が非常に困難なものであり、通常は空気中（大気中）で、被処理物に対して電子ビームが照射されるものである。
【０００５】近年、ＳＯＧ膜硬化技術が発達してきており、この技術により形成した膜を半導体等の層間絶縁膜として利用するようになってきている。従来、ＳＯＧ膜の製造方法は、スピンコータでシリコンウエハ上に膜となる膜用液体物質を塗布し、４００～４５０℃で約1時間加熱することにより膜を生成するものであった。
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】しかし、加熱だけでは膜の硬化に１時間程度もかかり、スループットの向上には、硬化時間を短くする必要があった。そこで、高いエネルギーを有する電子ビームを、シリコンウエハ上の膜用液体物質、又は、予め約２００℃で加熱された膜用液体物質に照射し、内部から膜用液体物質を硬化させると短時間で膜が硬化し、所望の膜質が得られることを発見した。
【０００７】しかし、前述したように、複数の電子ビーム管を直線的または千鳥状に配列した装置では、電子ビームが全体的に広がらず直線状になるので、膜用液体物質を塗布したシリコンウエハを電子ビーム管に対して移動させなければならず、移動の際、搬送系から汚染粒子が発生すると膜用液体物質が汚染され、ＳＯＧ膜に不良が発生する問題があった。
【０００８】さらに、電子ビーム照射と同時に膜用液体物質を塗布したシリコンウエハを加熱すると、相乗効果が顕著に現れ、極めて短時間で膜を硬化することができることを発見した。この場合、シリコンウエハを加熱しながら移動させる機構は極めて複雑であり、また、加熱源からの汚染粒子の発生もあり、ＳＯＧ膜の不良率が上がってしまうという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、上記の種々の問題に鑑みて、複数の電子ビーム管から照射される電子ビームを良好に重なり合わせて、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるようにすることにより、被処理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全体を一括処理することができる電子ビーム処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、請求項１に記載の電子ビーム処理装置は、真空容器の内部に電子ビーム発生器が設けられ前面に電子ビーム発生器より発生した電子ビームが透過する電子ビーム出射窓が形成された複数の電子ビーム管が、被処理物を処理するための処理室に、電子ビーム出射窓が露出するように配置された電子ビーム処理装置であって、前記各々の電子ビーム管は、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように配置されていることを特徴とする。
【００１１】請求項２に記載の電子ビーム処理装置は、請求項１に記載の電子ビーム処理装置であって、特に、前記処理室が圧力調整機構によって減圧されていることを特徴とする。
【００１２】請求項３に記載の電子ビーム処理装置は、請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の電子ビーム処理装置であって、特に、前記処理室には被処理物を載置するための載置台が設けられており、当該載置台は、前記電子ビーム出射窓との離間距離を可変することができることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の電子ビーム処理装置に用いられる電子ビーム管の説明図である。電子ビーム管１は、ガラスよりなる真空容器１１と、この真空容器１１内に設けられた電子ビーム発生器１２を有するものである。
【００１４】電子ビーム発生器１２は、フィラメント１２１とグリッド１２２を有し、フィラメント１２１とグリッド１２２には、端子１３を介して直流高電圧電源から例えば５～７０ｋＶの高電圧が印加されている。また、フィラメント１２１には端子１３を介して、別のフィラメント電源から電流が供給されることによりフィラメントが加熱され、熱電子を放出する。放出された電子はグリッド１２２によって生じる電界によりビーム形状に整えられる。
【００１５】真空容器１１の一端側にはシリコン製の蓋部材１４が設けられており、この蓋部材１４は、電子ビームが通過するスリット１４１が形成されている。このスリット１４１前方には、スリット１４１を気密に覆うようにシリコンよりなる薄膜状の電子ビーム出射窓１５が形成されており、電子ビーム発生器１２から発生した電子ビームが、この電子ビーム出射窓１５を透過し、電子ビーム管１の外に照射される。
【００１６】図２は、蓋部材１４の正面図である、蓋部材１４には直線状にスリット１４１が５個設けられており、それぞれのスリット１４１の間には橋部１４１ａが形成されている。そして、全てのスリット１４１を覆うように、便宜上点線で示す外径長方形状の電子ビーム出射窓１５が形成されている。
【００１７】この電子ビーム出射窓１５は、シリコン又はシリコン化合物を主としたものよりなり、電子ビーム発生器１２から発生した電子ビームを良好に透過するように厚みが０．３～３μｍである。このように電子ビーム出射窓１５は、厚みが０．３～３μｍと非常に薄いためスリット１４１の面積が大きくなると電子ビーム照射窓１５が電子線の通過或いは電子ビーム出射窓１５に加わる応力のために破れる可能性があり、これを防止するために、前述したようにと各スリット１４１の面積を小さくし、それぞれのスリット１４１の間には橋部１４１ａを設け、電子ビーム出射窓１５の破れを防止するものである。なお、スリット１４１が直線状に並んでいる理由は、電子ビームが略均一にそれぞれのスリット１４１にかかるようにするためである。
【００１８】図３は、本発明の電子ビーム処理装置の説明図である。電子ビーム管１は、前述した真空容器１１の一端側に形成された蓋部材１４が処理室２の上壁２１に密閉固定され、電子ビーム出射窓１５が処理室２に露出している。被処理物Ｗは、処理室２内に設けられた載置台３に載置され、電子ビーム出射窓１５と対向するように配置されている。なお、載置台３は、電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗとの離間距離を変えることができるものである。
【００１９】また、処理室２には、処理室２内を減圧にするための排気口４０とこの排気口４０に続く排気管４１が設けられ、これらからなる排気系４を備えている。排気系４を設ける理由は、電子ビーム出射窓１５を透過した電子ビームは、処理室２内の空間を通過して被処理物Ｗに照射される。この時、処理室２内の圧力によって、電子ビームの広がりや到達距離が決まり、所望の電子ビームの広がりや到達距離を出すために排気管４１を通して処理室２内の内圧を制御するものである。
【００２０】また、処理室２には、処理室２内に被処理物Ｗの所望の反応以外の反応が起こらないようにするための窒素などの抑制ガスや、処理室２内で紫外線を発生させるなどの所望の反応を起こさせるためのアルゴンなどのガスを導入するするガス導入口５０と、このガス導入口５０に続く導入管５１が設けられ、これからなるガス導入系５を備えている。例えば、排気系４により、処理室２内を所望の減圧状態にして、次に、ガス導入系５により、窒素ガスを処理室２内に導入し、処理室２内を窒素ガス充填し、減圧状態にするものである。つまり、処理室２には排気系４とガス導入系５からなる圧力調整機構Ｋが設けられ、この圧力調整機構Ｋにより、処理室２内のガス種や減圧状態を決定し、電子ビームの広がりや到達距離を調整するものである。
【００２１】図４は、本発明の電子ビーム処理装置の電子ビーム管の配置状態を説明する説明図であり、図３の被処理物Ｗ側から各々の電子ビーム管の配置状態を示すものであり、それぞれの電子ビーム管１の蓋部材１４と電子ビーム出射窓１５が描かれており電子ビーム管の配置状態と円形の被処理物との関係がわかるように被処理部物Ｗも合わせて描いた説明図である。
【００２２】図４では、各電子ビーム管の蓋部材１４は、中心の電子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心に、６０°の間隔をもって他の電子ビーム管の電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４が同心円上に位置するように配置されており、隣り合う電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４との離間距離が全て６０ｍｍになるように配置されている。
【００２３】具体的に、各電子ビーム管１は、中心の電子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ２が６０ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ２が位置する６つの電子ビーム管ｂと、中心の電子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ３が１０４ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ３が位置する６つの電子ビーム管ｃと、中心の電子ビーム管ａの電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心として、この中心点Ｐ１から電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ４が１２０ｍｍ離間し、かつ、中心点Ｐ１を中心に６０°の間隔を保った位置に電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ４が位置する６つの電子ビーム管ｄとなるように、合計１９個の電子ビーム管１が配置されている。
【００２４】このように、電子ビーム管ａを中心として、同心円状に、電子ビーム管ｂ、ｃ、ｄが配置されている。そして、電子ビーム管ａの出力は４５μＡであり、電子ビーム管ｂの出力は５０μＡであり、電子ビーム管ｃの出力は６０μＡであり、電子ビーム管ｄの出力は６５μＡであり、中心の電子ビーム管ａから離れるにしたがって、それぞれの電子ビーム管の出力が大きくなっている。
【００２５】つまり、中心の電子ビーム管ａの周りには複数の電子ビーム管が存在することになり、この電子ビーム管ａの直下の被処理物上には周囲の電子ビーム管ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビーム管ｄからの電子ビームの一部が照射されるので、電子ビーム管ａの出力を抑え、反対に、最外位置に存在する電子ビーム管ｄの周りには一部他の電子ビーム管が存在し、一部他の電子ビーム管が存在していないので、図４中、一番上方の電子ビーム管ｄは、図中、下方には電子ビーム管ｂ、ｃが存在し、上方には電子ビーム管が存在していないでの、電子ビーム管ｄの直下の被処理物上では電子ビーム管ａの直下の電子ビームの量に比べ少なくなるので電子ビーム管ｄの出力を上げている。
【００２６】つまり、この実施例においては、全ての電子ビーム管の離間距離が等しいという条件下において、電子ビーム管ａの出力を４５μＡ、電子ビーム管ｂの出力を５０μＡ、電子ビーム管ｃの出力を６０μＡ、電子ビーム管ｄの出力を６５μＡというように被処理物の処理領域全体の吸収線量が均一になるように、各電子ビーム管から照射される照射電子線量を規定するものである。
【００２７】この結果、被処理物Ｗ上の処理領域全体の吸収線量を均一にでき被処理物Ｗを移動させることなく均一に一括処理することができる。なお、処理室２内の圧力状態或いは被処理物Ｗと電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５との離間距離によっては、各々の電子ビーム管１から照射される照射線量が全て等しい場合もある。このような電子ビーム管の配置状態は、被処理物の処理領域が円形のものに適している。また、各々の電子ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の電子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他の電子ビーム管との離間距離や電子ビーム管の個数、あるいは処理室内壁との間隔などを考慮して、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように設定されている。
【００２８】図５は、図４と同様に、それぞれの電子ビーム管１の蓋部材１４と電子ビーム出射窓１５が描かれており電子ビーム管の配置状態と四角形の被処理物との関係がわかるように被処理部物Ｗも合わせて描いた説明図である。図５では、電子ビーム管ａは、電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１を中心にこの電子ビーム管ａを囲むように６０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム管（ｂ，ｃ，ｄ）が６つ配置されている。電子ビーム管ｂは、電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ２を中心にこの電子ビーム管ｂを囲むように６０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム管（ａ，ｄ）が５つ配置されている。電子ビーム管ｃは、電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ３を中心にこの電子ビーム管ｃを囲むように６０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム管（ａ，ｄ）が４つ配置されている。電子ビーム管ｄは、配置されている場所によって異なるが電子ビーム出射窓１５の中心Ｐ４を中心にこの電子ビーム管ｄを囲むように６０°の間隔をもって隣接するように他の電子ビーム管（ａ，ｂ，ｃ，ｄ）が３つ配置されている。また、隣り合う電子ビーム出射窓１５の中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４との離間距離が全て６０ｍｍになるように配置されている。
【００２９】そして、電子ビーム管ａの出力は５０μＡであり、電子ビーム管ｂの出力は５５μＡであり、電子ビーム管ｃの出力は６０μＡであり、電子ビーム管ｄの出力は６５μＡである。
【００３０】つまり、電子ビーム管は、その電子ビーム管の周りに隣接する他の電子ビーム管から照射される照射電子線量や他の電子ビーム管との離間距離を考慮して、出力が調整され、具体的には、電子ビーム管ａは、その電子ビーム管ａの周りに６つ存在することにより、電子ビーム管ａの直下の被処理物上には周りの電子ビーム管からの電子ビームの一部が照射されるので電子ビーム管ａの出力を抑え、電子ビーム管ｄは、その電子ビーム管ｄの周りに隣接する電子ビーム管が３つしか存在しないで、電子ビーム管ｄの直下の被処理物上では電子ビーム管ａの直下の電子ビーム量に比べ少なくなるので電子ビーム管ｄの出力を上げている。
【００３１】つまり、この実施例においては、全ての電子ビーム管の離間距離が等しいという条件下において、電子ビーム管ａの出力を５０μＡ、電子ビーム管ｂの出力を５５μＡ、電子ビーム管ｃの出力を６０μＡ、電子ビーム管ｄの出力を６５μＡというように被処理物の処理領域全体の吸収線量が均一になるように、各電子ビーム管から照射される照射電子線量を規定するものである。
【００３２】この結果、被処理物Ｗ上の処理領域全体の吸収線量が均一になり被処理物Ｗを移動させることなく均一に一括処理することができる。なお、処理室２内の圧力状態或いは被処理物Ｗと電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５との離間距離によっては、各々の電子ビーム管１から照射される照射線量が全て等しい場合もある。このような電子ビーム管の配置状態は、被処理物の処理領域が四角形のものに適している。また、各々の電子ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の電子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他の電子ビーム管との離間距離や電子ビーム管の個数、あるいは処理室内壁との間隔などを考慮して、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように設定されている。
【００３３】次に、図３に示す本発明の電子ビーム処理装置を用いて電子処理を行う技術について説明する。なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４で示す電子ビーム管の配置状態と同じである。処理室２内は、十分に排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒素ガスを導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そして、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と載置台３のシリコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍｍに設定した。
【００３４】電子ビーム管は、図４に示すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍであり、電子ビーム管ａ、電子ビーム管ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビーム管ｄは、全て電子ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシリコンで、加速電圧が２５ｋＶで、５０μＡの出力を有するものである。
【００３５】そして、被処理物Ｗ上に厚み２０μｍ、直径２００ｍｍの円形の電子線量測定シートであるＥＢ感光フィルムを貼り、このＥＢ感光フィルムに向けてすべての電子ビーム管から電子ビームを７０秒照射した。この時の、ＥＢ感光フィルム上での吸収線量は１４μＣ／ｃｍ²であった。
【００３６】そして、ＥＢ感光フィルムの感光度合いから処理領域全領体の最大吸収線量値と最小吸収線量値を実測し、以下の評価式を用いて処理領域全体の吸収線量の振幅度を判定し、この振幅度を用いて均一性を評価した。なお、下記の評価式より、振幅度が０に近づくほど均一性が高くなるものである。
【００３７】
【数１】

【００３８】均一性を表す振幅度は、７％であり、被処理物にほぼ均一に電子ビームが照射されていることがわかる。
【００３９】一方、上記の電子ビーム処理装置において、処理室２内の圧力のみ大気圧状態にした場合、電子ビームは、電子ビーム出射窓１５の前方６ｍｍまでしか到達せず、電子ビーム照射窓１５から６０ｍｍ離れた被処理物Ｗまでは電子が到達せず、被処理物を処理することができなかった。
【００４０】従って、処理室２内を５Ｔｏｒｒの窒素減圧状態にし、電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗの離間距離を６０ｍｍとし、各電子ビーム管の配置状態と出力を前述した通りにすることにより、被処理物Ｗ上の処理領域全体の吸収線量が均一になり被処理物Ｗを均一に一括処理することができる。
【００４１】次に、図３に示す本発明の電子ビーム処理装置を用いて電子処理を行う他の例について説明する。なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４に示すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍであり、電子ビーム管ａ、電子ビーム管ｂ、電子ビーム管ｃ、電子ビーム管ｄは、全て電子ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシリコンで、加速電圧が４０ｋＶで、５０μＡの出力を有するものである。処理室２内は、十分に排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒素ガスを導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そして、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と載置台３との距離を２通りに設定した。つまり、シリコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍｍと７５ｍｍに設定した。
【００４２】そして、被処理物Ｗ上に厚み２０μｍ、直径２００ｍｍの円形の電子線量測定シートであるＥＢ感光フィルムを貼り、このＥＢ感光フィルムに向けてすべての電子ビーム管から電子ビームを２５秒照射した。この時の吸収線量は、電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗとの離間距離が６０ｍｍの場合ＥＢ感光フィルム上で２６μＣ／ｃｍ²であり、電子ビーム出射窓１５と被処理物Ｗとの離間距離が７５ｍｍの場合ＥＢ感光フィルム上で２０μＣ／ｃｍ²であった。
【００４３】そして、前述した測定方法によって、ＥＢ感光フィルムの感度度合いを測定することにより被処理物上での電子ビームの振幅度を測定した。結果は、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離が６０ｍｍの場合、均一性を示す振幅度は１０％であり、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離が７５ｍｍの場合、均一性を示す振幅度は６．５％であった。
【００４４】この結果から、加速電圧が４０ｋＶという高い加速電圧では、電子ビーム出射窓から照射される電子ビームの広がりが狭く、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離が６０ｍｍと接近している場合は、他の電子ビーム管から照射される電子ビームの重なりが不十分であるため被処理物上の処理領域全体の吸収線量が均一にならず、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を７５ｍｍと離した場合には、他の電子ビーム管から照射される電子ビームの重なりが最適状態となるため被処理物上の処理領域全体の吸収線量が均一になることがわかる。
【００４５】この結果からわかるように、処理室内の圧力や加速電圧の大きさなど電子ビームの照射条件によって、電子ビーム管の電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を変えることにより、被処理物上の処理領域全体の吸収線量の均一性を高めることができる。
【００４６】なお、均一性に一定の許容範囲がある場合は、被処理物を電子ビームで処理する時に、電子ビーム管の電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を変えて、被処理物に浸透する電子ビームの深さを調整することができる。具体的には、ＳＯＧ膜の硬化処理工程において、始めは、シリコンウエハ上に塗布されたＳＯＧ膜用液体物質の表面を硬化させるために、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を一定に保っておき、ＳＯＧ膜用液体物質の表面が硬化した段階で、電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を縮め電子ビームがＳＯＧ膜用液体物質の内部深くまで到達するようにして内部を硬化させることもできる。
【００４７】次に、図３に示す本発明の電子ビーム処理装置を用いて電子処理を行う他の例について説明する。なお、この装置の電子ビーム管の配置状態は、図４に示すようにそれぞれの電子ビーム管の離間距離が６０ｍｍであり、電子ビーム管ａの出力は４５μＡ、電子ビーム管ｂの出力は５０μＡ、電子ビーム管ｃの出力は６０μＡ、電子ビーム管ｄの出力は６５μＡであり、全て電子ビーム出射窓１５が厚み３μｍのシリコンで、加速電圧が２５ｋＶである。処理室２内は、十分に排気系４により排気した後、ガス導入系５より窒素ガスを導入し、内圧が５Ｔｏｒｒとなるようにした。そして、図３に示す各電子ビーム管１の電子ビーム出射窓１５と載置台３のシリコンウエハである被処理物Ｗとの離間距離を６０ｍｍに設定した。
【００４８】そして、前述した測定方法によって、ＥＢ感光フィルムの感光度合いを測定することにより処理領域全体の吸収線量の振幅度を測定した。均一性を表す振幅度は、５．５％であり、処理室内で極めて良好に電子ビームが重なり合っており、被処理物Ｗ上の処理領域全体の吸収線量が極めて均一になり、被処理物を電子ビームによって均一処理できることがわかる。
【００４９】つまり、図４に示すように、被処理物上の処理領域全体の吸収線量が極めて均一になるように、各電子ビーム管の離間距離を一定にし、電子ビーム管ａを中心として、同心円状に、電子ビーム管ｂ、その外側に電子ビーム管ｃ、その外側に電子ビーム管ｄとなるように各電子ビーム管を配置し、外側の電子ビーム管にいくにつれて電子ビーム管からの出力値を上げることにより、処理室内で極めて良好に電子ビームが重なり合って被処理物を電子ビームによって均一処理できることがわかる。なお、被処理物の種類、処理方法によっては、被処理物上の処理領域全体の吸収線量の振幅度の許容範囲は変化するものであり、この振幅度の許容範囲を超えないように電子ビーム出射窓１５と載置台３上の被処理物Ｗとの離間距離を小さくすることによって、最大の照射速度を得て、最適な照射条件を得ることができるものである。なお、被処理物が小さい場合においては、載置台３上に複数並べて一括処理することもできる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子ビーム照射装置によれば、各々の電子ビーム管から照射される照射電子線量は、周囲の他の電子ビーム管から照射される照射電子線量及び周囲の他の電子ビーム管との離間距離を考慮して、被処理物の処理領域全体の吸収線量が所定の分布状態になるように配置されているので、所定の分布状態が均一な状態の場合、被処理物の処理領域全体の吸収線量が均一になり、被処理物を動かさなくても、被処理物の処理領域全体を均一に一括処理することができる。
【００５１】さらに、処理室が圧力調整機構によって減圧されているので、複数の電子ビーム管から照射される電子ビームを最適に重ね合わせて、電子ビーム全体をより均一に面状にすることができる。
【００５２】さらに、電子ビーム管の電子ビーム出射窓と被処理物との離間距離を変えて、被処理物に浸透する電子ビームの深さや、被処理物上での電子ビームの均一度を調整することができる。

【出願人】	【識別番号】０００１０２２１２【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社
【出願日】	平成１２年１２月１４日（２０００．１２．１４）
【代理人】
【公開番号】	特開２００２－１８２０００（Ｐ２００２－１８２０００Ａ）
【公開日】	平成１４年６月２６日（２００２．６．２６）
【出願番号】	特願２０００－３７９６７９（Ｐ２０００－３７９６７９）