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【発明の名称】 接触型磁気ヘッドの製造方法
【発明者】 【氏名】保浦 健二
【要約】 【課題】リリース層を溶解除去する際に、接合用パッド及びこれに繋がる電気回路が腐食するおそれのない接触型磁気ヘッドの製造方法を提供すること。

【解決手段】基板１２上に、リリース層１４及び第１絶縁層７２を積層する。次に、第１絶縁層７２の表面を貫通孔７４ａを有するマスク７４で覆い、貫通孔７４ａ直下に積層された第１絶縁層７２が僅かに残る状態となるまで、第１絶縁層７２を等方性エッチングする。次に、等方性エッチングが行われた第１絶縁層７２に対してさらに異方性エッチングを行い、リリース層１４に達する凹部７６を形成する。この後、少なくとも凹部７６の表面に第２絶縁層７８を積層し、その上に接合用パッド６０を積層する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板の表面にリリース層を積層するリリース層積層工程と、前記リリース層が積層された前記基板の表面に第１絶縁層を積層する第１絶縁層積層工程と、エッチングにより、その底面と側壁部がなだらかな曲線で繋がった凹部を前記第１絶縁層に形成する第１エッチング工程と、前記凹部の先端が少なくとも前記リリース層に達するまで、前記凹部に対して異方性エッチングを行う第２エッチング工程と、少なくとも前記凹部の表面に第２絶縁層を積層する第２絶縁層積層工程と、前記第２絶縁層が積層された前記凹部の上に接合用パッドを積層するパッド積層工程とを備えていることを特徴とする接触型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】前記第１エッチング工程は、貫通孔を有するマスクを用いて前記第１絶縁層の表面を覆うマスク工程と、前記貫通孔直下に積層された前記第１絶縁層が僅かに残る状態となるまで、前記第１絶縁層を等方性エッチングする等方性エッチング工程とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の接触型磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接触型磁気ヘッドの製造方法に関し、更に詳しくは、コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルＡＶ等に用いられるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等の磁気記録媒体の高密度記録・再生に好適な接触型磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フロッピーディスク、磁気テープ、ハードディスク等、磁気記録媒体への高密度記録・再生を達成するには、磁気ヘッドから発生する漏れ磁束が書き込まれる磁気記録媒体の領域を微小化し、この微小領域から正確に磁気記録情報を読み出す必要がある。そのためには、磁気記録媒体と磁気ヘッドとをできる限り接近させることが望ましい。このような観点から開発された磁気記録・再生装置としては、磁極を備えた接触パッドを磁気記録媒体に直接接触させながら磁気記録情報の記録・再生を行う接触型磁気ヘッドが知られている。
【０００３】例えば、特開平８−２０３１９０号公報には、磁気ヘッドスライダ（ヘッドチップ）にダイヤモンドからなる１個の接触パッドを設け、接触パッドの先端を、中心線平均粗さＲｍａｘが０．５ｎｍ程度となるように球面研磨した接触型磁気ヘッドが開示されている。
【０００４】また、特願平９−２２５７２４号には、薄膜状のヘッドチップに、磁極（ポールチップ）を有する接触パッド（磁極パッド）と、この磁極パッドの接触走行を安定化させるための２個の接触パッド（補助パッド）を設けた接触型磁気ヘッドが本件出願人により提案されている。
【０００５】図５（ｃ）に、接触パッドを備えた薄膜状の接触型磁気ヘッドの基本構造の一例を示す。図５（ｃ）において、接触型磁気ヘッド５０は、ヘッドチップ５０ａの一方の面にポールチップ５８を備えた接触パッド５９が設けられ、他方の面に接合用パッド６０が設けられている。また、ヘッドチップ５０ａは、磁気回路５１と、電気回路６１と、これらを保護すると同時にヘッドチップ５０ａの主要構造材となる絶縁層６８ａ〜６８ｇからなる。
【０００６】磁気回路５１は、磁気記録媒体（図示せず）に対してほぼ平行に形成された磁性薄膜からなるトップヨーク５２及びボトムヨーク５４、５４と、これらを繋ぐ２つのリターンスタッド５６、５６と、ボトムヨーク５４、５４先端に設けられたポールチップ５８からなる。また、ポールチップ５８の先端には、磁気ギャップ５８ａが設けられ、ポールチップ５８の周囲には、硬質材料からなる接触パッド５９が設けられている。
【０００７】また、電気回路６１は、Ａｕからなる接合用パッド６０と、コイル６２と、接合用パッド６０−コイル６２間を繋ぐアップリード６４からなる。コイル６２は、左右のリターンスタッド５６、５６の周囲にそれぞれ三層ずつ渦巻状に形成されたスパイラルコイル６２ａ…がインターコネクト６６、６６…により１本に繋がれた多層スパイラル構造になっている。
【０００８】なお、接合用パッド６０は、書き込みの際に外部からコイル６２に電流を流したり、あるいは、読み出しの際にコイル６２に流れる誘導電流を取り出すためのものであり、アップリード６４を介してコイル６２に繋がれている。従って、１個のヘッドチップ５０ａに対して２個の接合用パッド６０が設けられているが、図５（ｃ）においては、その内の１個のみが示され、他の１個は、図示が省略されている。
【０００９】このような立体構造を備えた接触型磁気ヘッド５０は、以下のような手順により製造されるのが一般的である。すなわち、まず、図５（ａ）に示すように、基板１２の上に、基板１２からヘッドチップ５０ａを分離するためのリリース層１４、及び複数のヘッドチップ５０ａを含む素子層１６を積層して素子板１０を作製する。素子層１６は、リリース層１４の上に、絶縁層６８ａ、接合用パッド６０、トップヨーク５２、コイル６２等を順次積層し、最後に、磁気回路５１の先端部であるポールチップ５８、及びポールチップ５８を保護するための接触パッド５９を形成することにより作製される。この時、素子板１０上には、数千〜数万個のヘッドチップ５０ａが繋がった状態で形成される。
【００１０】なお、接合用パッド６０は、電気回路の一部であると同時に、接触型磁気ヘッド５０を支持するために、ビームと接合される。そのため、接合用パッド６０の先端は、接合用パッド６０とビームとの接合を容易化するために、ヘッドチップ５０ａの表面からやや突出するように形成される。
【００１１】また、リリース層１４は、ヘッドチップ５０ａを成膜した後、エッチング液で溶解除去し、ヘッドチップ５０ａと基板１２とを分離するために形成される。リリース層１４には、通常、安価で成膜の容易な銅が用いられるので、エッチング液には、硝酸を用いるのが一般的である。基板１２上にヘッドチップ５０ａが成膜された状態において、接合用パッド６０の先端が絶縁層６８ａで覆われているのは、接合用パッド６０をエッチング液から保護するためである。
【００１２】次に、全構造物が形成された後、図５（ｂ）に示すように、レーザを用いて素子層１６に溝１８を入れて各ヘッドチップ５０ａを切り離す。続いて、リリース層１４をエッチングすることによりヘッドチップ５０ａを基板１２から分離させ、さらに、絶縁層６８ａの内、接合用パッド６０先端を覆っている部分を除去すると、図５（ｃ）に示すような接触型磁気ヘッド５０が得られる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】接合用パッド６０とビームとを接合し、ビームによって接触型磁気ヘッドを支持するためには、接合用パッド６０には、ある程度の厚さが必要である。従って、接合用パッド６０の形成には、通常、成膜速度の速いメッキ法が用いられる。この場合、絶縁層６８ａの上に直接メッキするのは困難であるので、絶縁層６８ａの上に図示しない金属薄膜（メッキシード）を形成し、これを一方の電極として、メッキを行うのが一般的である。
【００１４】一方、接合用パッド６０の先端は、上述したように、リリース層１４を溶解除去するためのエッチング液に対する耐性を有する絶縁層６８ａで覆われている。従って、本来であれば、リリース層１４をエッチングする際に、接合用パッド６０及びこれに繋がる電気回路６１は、エッチングされないはずであった。
【００１５】しかしながら、上述の方法により製造された接触型磁気ヘッド５０の中には、リリース層１４を溶解除去する際に、エッチング液が絶縁層６８ａ内を浸透し、メッキシードが腐食する場合があった。また、リリース層１４のエッチング時間が長くなると、メッキシードの腐食によって、エッチング液がさらにヘッドチップ５０ａ内部まで浸透し、電気回路６１を腐食させる場合があった。
【００１６】本発明が解決しようとする課題は、リリース層を溶解除去する際に、接合用パッド及びこれに繋がる電気回路が腐食するおそれのない接触型磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために本発明に係る接触型磁気ヘッドの製造方法は、基板の表面にリリース層を積層するリリース層積層工程と、前記リリース層が積層された前記基板の表面に第１絶縁層を積層する第１絶縁層積層工程と、エッチングにより、その底面と側壁部がなだらかな曲線で繋がった凹部を前記第１絶縁層に形成する第１エッチング工程と、前記凹部の先端が少なくとも前記リリース層に達するまで、前記凹部に対して異方性エッチングを行う第２エッチング工程と、少なくとも前記凹部の表面に第２絶縁層を積層する第２絶縁層積層工程と、前記第２絶縁層が積層された前記凹部の上に接合用パッドを積層するパッド積層工程とを備えていることを要旨とするものである。
【００１８】第１エッチング工程において、その底面と側壁部がなだらかな曲線で繋がった凹部を第１絶縁層に形成し、この凹部に対してさらに異方性エッチングを行うと、凹部は、その先端がリリース層に達した時に、その先端に角部が無く、しかも、その周囲がなだらかに傾斜した形状となる。この凹部の上に第２絶縁層を形成すると、第２絶縁層は、その膜厚がほぼ均等となり、リリース層をエッチングするためのエッチング液に対する耐性が向上する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１及び図２に、本発明の一実施の形態に係る製造方法の工程図を示す。本発明において、接触型磁気ヘッドは、以下のような手順により製造される。すなわち、図１（ａ）に示すように、まず、基板１２上にリリース層１４を積層し（リリース層積層工程）、次いで、リリース層１４の上に中間層７０を積層し、さらにその上に第１絶縁層７２を積層する（第１絶縁層積層工程）。
【００２０】ここで、基板１２は、その上に積層される接触型磁気ヘッドを支持するためのものであり、その材質は、特に限定されるものではない。一般には、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等のセラミックス基板が用いられる。
【００２１】リリース層１４は、基板１２上に全構造物を積層した後、ヘッドチップを基板１２から分離するためのものである。そのため、リリース層１４には、一般に、安価で、エッチング液による除去が容易な金属材料（例えば、銅、クロム、ニッケルなど。）が用いられる。リリース層１４の厚さは、成膜速度、エッチング液による溶解速度等を考慮して、任意に定めることができる。通常は、数μｍ〜数十μｍである。
【００２２】第１絶縁層７２は、接触型磁気ヘッドの内部に形成される磁気回路及び電気回路を保護すると同時に、接触型磁気ヘッドの最表面を構成する主構造材となるものであり、高い絶縁性を有する材料からなる。一般的には、アルミナ、シリカ等のセラミックス材料が用いられる。その厚さは、製造しようとする接触型磁気ヘッドの構造によって異なるが、通常は、数μｍ程度である。
【００２３】中間層７０は、リリース層１４と第１絶縁層７２の密着性を改善するために積層されるものである。従って、リリース層１４と第１絶縁層７２の間に良好な密着性が得られる場合には、中間層７０は、必ずしも必要ではない。また、中間層７０の材質及び厚さは、リリース層１４及び第１絶縁層７２の材質に応じて、良好な密着性が得られるような材質及び厚さとする。例えば、リリース層１４及び第１絶縁層７２として、それぞれ銅及びアルミナを用いる場合、両者を直接積層すると良好な密着性が得られないので、中間層７０として、両者の間に厚さ１５０ｎｍ程度のＣｒ層を積層すると良い。
【００２４】なお、リリース層１４、中間層７０及び第１絶縁層７２の成膜方法については、特に限定されるものではなく、その材質、成膜速度等を考慮して、最適なものを選択するとよい。また、リリース層１４、中間層７０又は第１絶縁層７２の成膜方法によっては、第１絶縁層７２の表面に凹凸が発生する場合がある。このような場合には、第１絶縁層７２を積層した後、第１絶縁層７２の表面を研磨することが好ましい。
【００２５】次に、エッチングにより、その底面と側壁部がなだらかな曲線で繋がった凹部を第１絶縁層７２に形成する（第１エッチング工程）。具体的には、図１（ｂ）に示すように、貫通孔７４ａを有するマスク７４を用いて第１絶縁層７２の表面を覆い（マスク工程）、次いで、図１（ｃ）に示すように、マスク７４で覆われた第１絶縁層７２に対して等方性エッチングを行えばよい（第１エッチング工程）。これにより、所定の形状を有する凹部７６ａが第１絶縁層７２に形成される。
【００２６】なお、マスク７４の材質は、後述する第１エッチング工程におけるエッチングに対する耐性を有するものであれば良く、特に限定されるものではない。通常は、フォトレジスト膜が用いられる。
【００２７】また、等方性エッチングは、マスク７４の貫通孔７４ａ直下に積層された第１絶縁層７２が僅かに残る状態となるまで行い、リリース層１４（中間層７０が積層されている場合には、中間層７０）が完全に露出する前にエッチングを止める必要がある。
【００２８】この場合、第１絶縁層７２の残り厚さが厚すぎると、後述する第２エッチング工程において第１絶縁層７２を除去する際に長時間を要するので好ましくない。一方、第１絶縁層７２の残り厚さが薄すぎると、エッチング条件の僅かな変動によって、リリース層１４又は中間層７２が露出するおそれがあるので好ましくない。最適な残り厚さは、第１絶縁層７２の成膜時の厚さ、材質等によって異なる。例えば、第１絶縁層７２が厚さ５μｍ程度のアルミナである場合、残り厚さは、１μｍ程度が好適である。
【００２９】また、等方性エッチングとしては、具体的には、エッチング液を用いたウエットエッチング法、放電によって発生するラジカルと化学反応を起こさせるプラズマエッチング法等があるが、第１エッチング工程においては、いずれの方法を用いても良く、第１絶縁層７２の材質、コスト等に応じて最適な方法を選択すればよい。但し、プラズマエッチング法は、エッチング速度が遅く、高コストであるので、第１エッチング工程においては、ウエットエッチング法を用いるのが好ましい。この場合、使用するエッチング液は、第１絶縁層７２の材質によって最適なものを選択すればよい。例えば、第１絶縁層７２がアルミナである場合、エッチング液には、リン酸を用いるのが好ましい。
【００３０】次に、マスク７４を取り除いた後、等方性エッチングが行われた第１絶縁層７２に対してさらに異方性エッチングを行う（第２エッチング工程）。ここで、異方性エッチングとしては、具体的には、イオンビームエッチング、リアクティブイオンエッチング等があるが、第２エッチング工程においては、いずれの方法を用いても良く、第１絶縁層７２及びリリース層１４の材質、コスト等に応じて最適な方法を選択すればよい。例えば、第１絶縁層７２及びリリース層１４が、それぞれ、アルミナ及び銅である場合、イオンビームエッチング法が好適である。
【００３１】マスク７４を取り除いた状態で異方性エッチングを行うと、初めに第１絶縁層７２がエッチングされる。さらにエッチングが進行すると、等方性エッチングにより膜厚が薄くなった凹部７６ａの底面部分が完全に除去され、リリース層１４（又は中間層７０）が露出する。異方性エッチングによるエッチング速度は、一般に、絶縁層７２よりリリース層１４の方が速いので、これ以後は、リリース層１４が優先的にエッチングされ、所定時間経過後には、図１（ｄ）に示すように、リリース層１４に所定の深さの凹部７６が形成される。このような方法によって得られた凹部７６は、その先端には角部が無く、しかも、側壁部分がなだらかに傾斜した形状となる。
【００３２】次に、リリース層１４に達する凹部７６を形成した後、図１（ｅ）に示すように、凹部７６の表面に第２絶縁層７８を形成する（第２絶縁層形成工程）。この場合、第２絶縁層７８は、少なくとも凹部７６の表面に形成されていればよいが、図１（ｅ）に示すように、第１絶縁層７２及び凹部７６の全面に渡って形成しても良い。また、第２絶縁層７８及び第１絶縁層７２には、通常、同一材料が用いられるが、異種材料を用いても良い。なお、第１絶縁層７２及び第２絶縁層７８は、図５に示す絶縁層６８ａに相当するものである。
【００３３】次に、図２（ａ）に示すように、第２絶縁層７８の上に、メッキシード８０を形成する。メッキシード８０の材質、厚さ、形成方法等は、接合用パッドの材質、メッキ条件等に応じて、最適なものを選択する。例えば、接合用パッドの材質としてＡｕを用いる場合、メッキシード８０は、スパッタリング法を用いて形成された、厚さ約１００ｎｍのＮｉＦｅ薄膜が好適である。
【００３４】次に、メッキシード８０の上に、接合用パッドに対応する開口部を有するマスク（図示せず）を形成した後、メッキシード８０を一方の電極として、メッキ法により接合用パッドを形成する（パッド層積層工程）。図２（ｂ）に、メッキシード８０の上に、接合用パッド６０が形成された状態を示す。なお、接合用パッド６０を形成するためのマスクの材質としては、種々の材質を用いることができ、特に限定されるものではない。通常は、フォトレジスト膜が用いられる。
【００３５】次に、図２（ｃ）に示すように、接合用パッド６０の上にアップリード６４を形成し、さらに図示しない磁気回路及び電気回路の一部を積層した後、図２（ｄ）に示すように、これらを絶縁層６８ｂで覆う。
【００３６】これ以後の工程は、従来の製造方法と同様である。すなわち、絶縁層６８ｂの上にコイル、リターンスタッド等の電気回路及び磁気回路を順次積層する。次いで、ヘッドチップの境界線に沿って切り込みを入れた後、リリース層１４を溶解除去してヘッドチップを分離する。さらに、接合用パッド６０先端を覆っている第２絶縁層７８を除去する。これにより、ヘッドチップの一方の面には接触パッドが、また、他方の面に接合用パッドが設けられた薄膜状の接触型磁気ヘッドが得られる。
【００３７】次に、本発明に係る接触型磁気ヘッドの製造方法の作用について説明する。接合用パッドの先端は、絶縁層で覆われているので、ヘッドチップ内部の電気回路は、本来であれば、リリース層をエッチング液により溶解除去する際に腐食されないはずであった。しかしながら、得られた接触型磁気ヘッドの中には、電気回路が腐食しているものがあった。その原因について詳細に調べたところ、接合用パッド６０を形成するための凹部の形状に原因があることがわかった。
【００３８】すなわち、基板１２上にリリース層１４及び第１絶縁層７２を積層した後、接合用パッド６０を形成するための凹部をエッチングにより形成する場合、リリース層１４と第１絶縁層７２の材質が異なるので、エッチングは、２回に分けて行われる。一般に、第１絶縁層７２のエッチングには、等方性エッチング、特に低コストであるウエットエッチングが用いられ、リリース層１４のエッチングには、異方性エッチングが用いられる。
【００３９】また、第１絶縁層７２をウエットエッチングする場合、図３（ａ）に示すように、貫通孔７４ａを有するマスク７４でその表面を被覆し、基板１２毎、エッチング液に浸漬する方法が採られる。この時、貫通孔７４ａ直下にある第１絶縁層７２は、その表面に対してほぼ平行にエッチングされる。また、貫通孔７４ａ直下にある第１絶縁層７２のエッチングが進行するに伴い、エッチング液がマスク７４の下側に回り込むので、マスク７４の下部であって貫通孔７４ａ近傍にある第１絶縁層７２もエッチングされる。
【００４０】その結果、貫通孔７４ａ直下にある第１絶縁層７２が厚さｘだけエッチングされると、マスク７４の下部においては、貫通孔７４ａの端部から半径ｘの円弧状の領域がエッチングされることになる。また、貫通孔７４ａ直下に積層された厚さｔの第１絶縁層７２が完全に除去された時点では、マスク７４の下側の円弧状領域の半径は、ほぼｔに等しくなる（以下、この状態を「ジャストエッチ」という。）。ウエットエッチングをさらに続行すると、マスク７４下のエッチング領域が横方向に拡大する（以下、この状態を「オーバーエッチ」という。）。
【００４１】一方、リリース層１４及び第１絶縁層７２には、それぞれ、銅及びアルミナが通常用いられるが、異方性エッチングによるエッチング速度は、一般に、材質によって異なる。例えば、異方性エッチングとしてイオンビームエッチングを用いる場合、アルミナのエッチング速度は、銅のエッチング速度の約半分である。そのため、等方性エッチングを行った後、異方性エッチングによりリリース層１４に凹部を形成する場合において、第１絶縁層７２が残っていると、これを除去するのに長時間を要することになる。また、エッチング条件の不可避的な変動があるので、等方性エッチングをジャストエッチの状態で止めるのは、第１絶縁層７２の溶け残りを発生させるおそれがある。
【００４２】従って、これを避けるためには、等方性エッチングをオーバーエッチの状態となるまで行い、リリース層１４を完全に露出させる必要がある。しかしながら、オーバーエッチを行うと、等方性エッチングが終了した時点では、図３（ａ）に示すように、第１絶縁層７２に形成された凹部の側壁部と露出したリリース層１４の表面との間に、角度θ（θ＞０）が発生することになる。
【００４３】この状態で異方性エッチングを行うと、図３（ｂ）に示すように、リリース層１４に形成された凹部７７の先端には、角部７７ａが形成される。また、凹部７７の側壁の角度は、急峻に立ち上がる。このような凹部７７に第２絶縁層７８を積層すると、図３（ｃ）に示すように、角部７７ａには脆弱層７７ｂが形成され、さらに、第１絶縁層７２とリリース層１４の境界近傍には、薄肉部７７ｃが形成される。その結果、リリース層１４をエッチングする際に、エッチング液が脆弱層７７ｂ及び／又は薄肉部７７ｃを透過して接合用パッドに達し、エッチング液により電気回路が腐食する場合があった。
【００４４】これに対し、図４（ａ）に示すように、第１絶縁層７２を等方性エッチングする際に、リリース層１４を完全に露出させることなく、マスク７４の貫通孔７４ａ直下に積層された第１絶縁層７２が僅かに残った状態となったところで、等方性エッチングを止めると、第１絶縁層に形成された凹部７６ａの底面と側壁部との間に角度θは発生せず、底面と側壁とがなだらかな曲線によって繋がれる。
【００４５】このような形状を有する凹部７６ａに対して異方性エッチングを行うと、図４（ｂ）に示すように、リリース層１４に達する凹部７６の先端には、角部が発生しない。また、第１絶縁層７２とリリース層１４の境界近傍の側壁部分は、なだらかな傾斜となる。この上に第２絶縁層７８を積層すると、図４（ｃ）に示すように、第２絶縁層７８の膜厚がほぼ均等になり、脆弱層や薄肉部が生じない。その結果、リリース層１４をエッチング除去する際に、エッチング液が第２絶縁層７８を透過して接合用パッド６０に達することがなくなり、エッチング液による電気回路の腐食が防止される。
【００４６】以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【００４７】例えば、上記実施の形態においては、磁極パッドを備えた接触型磁気ヘッドについて本発明を適用した例について主に説明したが、本発明は、磁極パッドと補助パッドの双方を備えた接触型磁気ヘッドの製造に対しても同様に適用することができる。
【００４８】また、上記実施の形態では、第１エッチング工程において、等方性エッチング、特に、低コストのウエットエッチングを用いて、底部と側壁部がなだらかな曲線で繋がった凹部７６ａを第１絶縁層７２に形成しているが、このような形状を有する凹部７６ａの形成方法は、これに限定されるものではない。例えば、第１エッチング工程におけるエッチング方法として異方性エッチングを用いる場合であっても、エッチング条件、特にビームの照射角度を最適化すれば、等方性エッチングを用いた場合とほぼ同様の形状を有する凹部７６ａを第１絶縁層７２に形成することもできる。
【００４９】
【発明の効果】本発明に係る接触型磁気ヘッドの製造方法は、接合用パッドを形成するための凹部をエッチングにより形成する場合において、まず、その底面と側壁部がなだらかな曲線で繋がった凹部を第１絶縁層に形成し、次いで、この凹部に対してさらに異方性エッチングを行う方法が用いられているので、凹部の上に積層される第２絶縁層の膜厚をほぼ均等にすることができ、第２絶縁層のリリース層を溶解除去する際のエッチング液に対する耐性が向上するという効果がある。また、これによって、リリース層をエッチングする際に、接合用パッド及びこれに繋がる電気回路の腐食が防止されるという効果がある。
【出願人】 【識別番号】０００００３７１３
【氏名又は名称】大同特殊鋼株式会社
【出願日】 平成１２年８月１０日（２０００．８．１０）
【代理人】 【識別番号】１０００９５６６９
【弁理士】
【氏名又は名称】上野 登
【公開番号】 特開２００２−５６５０８（Ｐ２００２−５６５０８Ａ）
【公開日】 平成１４年２月２２日（２００２．２．２２）
【出願番号】 特願２０００−２４３１４３（Ｐ２０００−２４３１４３）