| 【発明の名称】 |
磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッド |
| 【発明者】 |
【氏名】中 康弘
【氏名】三浦 英生
【氏名】小柳 広明
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| 【要約】 |
【課題】薄膜磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置において、磁気ディスクに対向する端面の幅狭小化加工が容易で、応力を低減し剥離を防止して信頼性高めること。
【解決手段】絶縁膜１３を介在させた下部磁極１５と上部磁極３とを有し、上部磁極３を第１上部磁極１と第２上部磁極２とに分離し、第１上部磁極１にディスクと対向する端面１ａ１を形成し、第２上部磁極２を幅が狭い先端部２ａと幅の広い上面部２ｃとこの両者をつなぐ傾斜部２ｂとを有し、その先端部２ａの接合面２ａ２における特異点２ａ３を略直角に形成する。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】記録面を有する円盤状のディスクを回転させるモータと、前記ディスクの記録面に磁気信号の記録又は再生を行う薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを支持し駆動するアクチュエータとを備えた磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドは、下部磁極と、上部磁極と、前記下部磁極と前記上部磁極との間に形成された絶縁膜とを有し、前記上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、前記第１上部磁極は、前記絶縁膜上に前記下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、前記第２上部磁極は、幅の広い上面部と、前記第１上部磁極上に積層され前記上面部より幅が狭い先端部と、前記先端部と前記上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、前記第２上部磁極の先端部は、前記第１上部磁極側の接合面の前記傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】記録面を有する円盤状のディスクを回転させるモータと、前記ディスクの記録面に磁気信号の記録又は再生を行う薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを支持し駆動するアクチュエータとを備えた磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドは、下部磁極と、上部磁極と、前記下部磁極と前記上部磁極との間に形成された絶縁膜とを有し、前記上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、前記第１上部磁極は、前記絶縁膜上に前記下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、前記第２上部磁極は、幅の広い上面部と、前記第１上部磁極上に積層され前記上面部より幅が狭い先端部と、前記先端部と前記上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、前記第２上部磁極の先端部は、前記第１上部磁極側の接合面の前記傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成し、前記第２上部磁極の傾斜部は、その中間部に幅の変化が急拡大するように変曲点を形成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】記録面を有する円盤状のディスクを回転させるモータと、前記ディスクの記録面に磁気信号の記録又は再生を行う薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを支持し駆動するアクチュエータとを備えた磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドは、下部磁極と、上部磁極と、前記下部磁極と前記上部磁極との間に形成された絶縁膜とを有し、前記上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、前記第１上部磁極は、前記絶縁膜上に前記下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、前記第２上部磁極は、幅の広い上面部と、前記第１上部磁極上に積層され前記上面部より幅が狭い先端部と、前記先端部と前記上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、前記第２上部磁極の先端部は、前記第１上部磁極側の接合面の前記傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成し、前記第２上部磁極の傾斜部は、その中間部に幅の変化が急拡大するように変曲点を形成し、前記第２上部磁極の先端部の接合面から前記傾斜部の変曲点までの高さをh(mm)とし、前記第２上部磁極の先端部の接合面から前記上面部までの高さをH(mm)とする場合、4<H≦7のときにh>(0.18H+0.25)2.1-1、7<H≦13のときにh>(0.049H+1.2)2.1-1であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項４】下部磁極と、上部磁極と、前記下部磁極と前記上部磁極との間に形成された絶縁膜とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、前記第１上部磁極は、前記絶縁膜上に前記下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、前記第２上部磁極は、幅の広い上面部と、前記第１上部磁極上に積層され前記上面部より幅が狭い先端部と、前記先端部と前記上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、前記第２上部磁極の先端部は、前記第１上部磁極側の接合面の前記傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】下部磁極と、上部磁極と、前記下部磁極と前記上部磁極との間に形成された絶縁膜とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、前記第１上部磁極は、前記絶縁膜上に前記下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、前記第２上部磁極は、幅の広い上面部と、前記第１上部磁極上に積層され前記上面部より幅が狭い先端部と、前記先端部と前記上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、前記第２上部磁極の先端部は、前記第１上部磁極側の接合面の前記傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成し、前記第２上部磁極の傾斜部は、その中間部に幅の変化が急拡大するように変曲点を形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置に係り、特に上部磁極を分離した構成を有する薄膜磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術１の磁気ディスク装置としては、図１２に示す上部磁極を有する薄膜磁気ヘッドを用いたものがある。図１２は従来技術１の磁気ディスク装置に用いる薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の斜視模式図、図１３は図１２の上部磁極の接合面を示す模式図である。
【０００３】従来技術１における上部磁極３は、図１２に示すように、円盤状ディスクと対向する端面３ａ１を有する先端部３ａと、この先端部３ａより上方に位置すると共にこれより幅広の上面部３ｃと、この先端部３ａと上面部３ｃとをつなぐ傾斜部３ｂとを有しており、これらは一体に形成されている。そして、先端部３ａは、図１３で明らかなように、その下面が図示しない絶縁層との接合面３ａ２を形成し、さらにその接合面３ａ２の傾斜部３ｂにつながる部分と両側部分とを直角に結ぶ特異点３ａ３を有している。なお、図１２の特異点３ａ３から延びる矢印Ｐは後述する応力分布の方向を示すものである。
【０００４】また、従来技術２の磁気ディスク装置としては、図１４に示す上部磁極を有する薄膜磁気ヘッドを用いたものがある。図１４は従来技術２の磁気ディスク装置に用いる薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の斜視模式図、図１５は図１４の上部磁極の接合面を示す模式図である。
【０００５】従来技術２における上部磁極３は、図１４に示すように、第１上部磁極１と第２上部磁極２に分離して形成されている。第１上部磁極１は、円盤状ディスクと対向する端面１ａ１を有する先端部１ａと、上部磁極２との接合部分になる後部拡大部１ｂとからなっている。第２上部磁極２は、幅の広い上面部２ｃと、第１上部磁極１の後部拡大部１ｂ上に積層され、上面部２ｃより幅が狭い端面２ａ１を有する先端部２ａと、先端部２ａと上面部２ｃとをつなぐ傾斜部２ｂとを有している。また、傾斜部２ｂから先端部２ａの端面２ａ１へ至る両側は直線状に幅が狭くなるように形成されている。そして、第２上部磁極２の先端部２ａは、図１５で明らかなように、その下面が第１上部磁極１の後部拡大部１ｂ及び図示しない絶縁層との接合面２ａ２を形成し、さらにその接合面２ａ２の傾斜部２ｂにつながる部分と両側部分とを鋭角θに結ぶ特異点２ａ３を有している。なお、図１４の特異点２ａ３から延びる矢印Ｐは後述する応力分布の方向を示すものであり、寸法ｌは端面２ａ１の幅を示すものである。
【０００６】なお、従来技術２に関連するものとしては、例えば特開平１０−２６９５２４号公報に記載されたものが挙げられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術１では、先端部３ａの端面３ａ１の幅を狭くして磁気ディスク装置の高記録密度化に対応しようとする場合に、その先端部３ａの加工が極めて難しくなるという問題がある。即ち、近年の磁気ディスク装置の高記録密度化は著しく、これに伴って、磁気記録を磁気ディスクに記録、再生する磁気ヘッドはますます微細構造化する傾向にあり、それに伴って、記録ヘッドのトラック幅と呼ばれる上部磁極先端部の幅も狭小化しているが、従来技術１では、先端部３ａと傾斜部３ｂ及び上面部３ｃとを一体に形成しなければならないため、その先端部３ａの微細化加工が極めて難しいものとなっている。
【０００８】一方、従来技術２では、上部磁極３を第１上部磁極１と第２上部磁極２とに分離して形成するために、第１上部磁極１の端面の幅狭小化への加工技術の対応が比較的容易であるが、第１上部磁極１と第２上部磁極２とに分離したことによりその接合面における大きなはく離を生じ、信頼性が低下することが考えられる。
【０００９】そこで、従来技術２のはく離に対する信頼性を確認するために応力解析を行った。この応力解析は、３次元モデルを用い、有限要素法弾性解析により行った。具体的には、薄膜固有の真性応力を含む成膜の過程において生じる残留応力と、コイル通電による温度上昇によって生じる熱応力を計算し、両者を足しあわせたものである。一方、比較のため、従来技術１の応力解析も同様な方法で行った。
【００１０】この応力解析の結果は、特異点からの距離に対する応力分布を示す図９で明らかなように、特異点近傍における従来技術２の応力分布特性４２が従来技術１の応力分布特性４１より極めて大きくなることが判明した。これは、第２上部磁極２の先端部２ａにおける接合面２ａ２の傾斜部２ｂにつながる部分と両側部分とを結ぶ特異点２ａ３の角度θが鋭角になっているので、特異点２ａ３付近に応力が集中してしまうためと考えられる。なお、図９は接合面において応力の集中する特異点近傍の応力分布を示した図である。
【００１１】本発明は、磁気ディスクに対向する端面の幅狭小化加工が容易で、しかも応力を低減して剥離を防止できることにより高い信頼性を有する薄膜磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するための本発明の第１の特徴は、記録面を有する円盤状のディスクを回転させるモータと、ディスクの記録面に磁気信号の記録又は再生を行う薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドを支持し駆動するアクチュエータとを備えた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、下部磁極と、上部磁極と、下部磁極と上部磁極との間に形成された絶縁膜とを有し、上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、第１上部磁極は、絶縁膜上に下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、第２上部磁極は、幅の広い上面部と、第１上部磁極上に積層され上面部より幅が狭い先端部と、先端部と上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、第２上部磁極の先端部は、第１上部磁極側の接合面の傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成したことにある。
【００１３】本発明の第２の特徴は、さらに、第２上部磁極の先端部は、第１上部磁極側の接合面の傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成し、第２上部磁極の傾斜部は、その中間部に幅の変化が急拡大するように変曲点を形成したことにある。
【００１４】本発明の第３の特徴は、さらに、第２上部磁極の先端部の接合面から傾斜部の変曲点までの高さをh(mm)とし、第２上部磁極の先端部の接合面から上面部までの高さをH(mm)とする場合、4<H≦7のときにh>(0.18H+0.25)2.1-1、7<H≦13のときにh>(0.049H+1.2)2.1-1を満足するようにしたことにある。
【００１５】本発明の第４の特徴は、下部磁極と、上部磁極と、下部磁極と上部磁極との間に形成された絶縁膜とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁極は第１上部磁極と第２上部磁極とに分離して形成し、第１上部磁極は、絶縁膜上に下部磁極と対向すると共に、円盤状のディスクと対向する端面を有し、第２上部磁極は、幅の広い上面部と、第１上部磁極上に積層され上面部より幅が狭い先端部と、先端部と上面部とをつなぐ傾斜部とを有し、第２上部磁極の先端部は、第１上部磁極側の接合面の傾斜部につながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点を有するように形成したことにある。
【００１６】本発明の第５の特徴は、薄膜磁気ヘッドにおいて、さらに、第２上部磁極の傾斜部は、その中間部に幅の変化が急拡大するように変曲点を形成したことにある。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施例を図を用いて説明する。各実施例及び従来技術の図における同一符号は同一物又は相当物を示す。
【００１８】まず、本発明の第1実施例を図２から図５及び図９を用いて説明する。
【００１９】最初に、磁気ディスク装置の全体構成を図２を用いて説明する。図２は本発明の第１実施例に係る磁気ディスク装置の正面図である。
【００２０】磁気ディスク装置は、記録面を有する円盤状のディスク５を回転させるモータ４と、アームの先端に位置し、ディスク５の記録面に対向して磁気信号の記録又は再生を行う薄膜磁気ヘッド９と、薄膜磁気ヘッド９が先端部に装着され、薄膜磁気ヘッド９を支持してアームを構成するヘッド支持ばね８と、ヘッド支持ばね８を取り付けてアームを構成し、薄膜磁気ヘッド９を駆動するアクチュエータ７と、前記先端部に薄膜磁気ヘッド９が搭載されたアームを駆動させ、薄膜磁気ヘッド９の位置を制御する制御機構部６とを備えている。制御機構部６は、アームを通じて薄膜磁気ヘッド９をディスク５における所定の位置へ誘導し、これにより、薄膜磁気ヘッド９は、ディスク５に所定位置に磁気信号を記録し、又は磁気信号を読み取る。
【００２１】次に、薄膜磁気ヘッド９の全体構成を図３を用いて説明する。図３は図２に用いる薄膜磁気ヘッドの外観模式図である。
【００２２】薄膜磁気ヘッド９は、基板１０上に薄膜１７が多層にスパッタリングなどにより積層された構造となっている。なお、面Ｓが、ディスク５の記録面と対向する面である。
【００２３】次に、薄膜磁気ヘッド９の上下磁極部分の詳細構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は図３のＡ−Ａ断面図、図５は図４の上部磁極の斜視模式図である。
【００２４】図４に示すように、薄膜磁気ヘッド９は、基板１０上に積層された下部磁極１５と、下部磁極１５上に積層された絶縁膜１３と、絶縁膜１３上に積層された上部磁極３と、上部磁極３を覆って最上層を形成する保護膜１６とを有している。上部磁極３内には、絶縁膜１１ａ、１１ｂ、１１ｃにより覆われたコイル１２を有している。この絶縁膜１１ａ、１１ｂ、１１ｃの内部にあるコイル１２によって、絶縁膜１３を挟んだ上部磁極３と下部磁極１５を通る磁界を発生させ、ディスク５への記録を行う。
【００２５】図４及び図５に示すように、上部磁極３は第１上部磁極１と第２上部磁極２とに分離して形成されている。第１上部磁極１は、円盤状ディスクと対向する端面１ａ１を有し、細幅の直方体で形成されている。第２上部磁極２は、幅の広い上面部２ｃと、第１上部磁極１の後部上に積層され、上面部２ｃより幅が狭い端面２ａ１を有する先端部２ａと、先端部２ａと上面部２ｃとをつなぐ傾斜部２ｂとを有している。先端部２ａは、図５で明らかなように、端面２ａ１とほぼ同じ外形の略直方体状に形成され、下面に第１上部磁極１及び絶縁膜１３との接合面２ａ２を有し、さらにその接合面２ａ２の傾斜部２ｂにつながる部分と両側部分とを略直角に結ぶ特異点２ａ３を有している。従って、傾斜部２ｂは、両側が先端部２ａの両側に交差するようにつながっている。なお、接合面２ａ３から上面部２ｃまでの高さ寸法は約７μｍであり、端面１ａ１の幅ｌは従来技術２に示すものと同じである。
【００２６】なお、上下磁極３、１５の材料は８１Ｎｉ−１９Ｆｅ、９４Ｃｏ−６Ｆｅ、４５Ｎｉ−５５Ｆｅ、ＦｅＴａＮ、及び３０Ｆｅ−２５Ｃｏ−４５Ｎｉ等である。また、絶縁膜１１に用いる材質は有機系の樹脂である。
【００２７】かかる第２上部磁極２の応力解析を従来と同様の解析方法で行なった結果、図９で明らかなように、本発明第１実施例の応力分布特性４３は、上部磁極３を分離した従来技術２の応力分布特性４２より著しく低いものとすることができることが判明した。これは、第２上部磁極の先端部２ａの接合面２ａ２の傾斜部２ｂにつながる部分と両側部分とを結ぶ特異点２ａ３の角度が略直角にしたために、特異点２ａ３付近における応力集中を大幅に緩和できるためである。このように、本実施例によれば、従来技術２と比較して、応力を大幅に低減できることにより、剥離を防止して信頼性の高いものとすることができると共に、上部磁極３を第１上部磁極１と第２上部磁極２の分離構造にしているので、第１上部磁極１の端面１ａ１の幅狭小化加工が容易である。特に、第１上部磁極１を直方体で形成したことにより、その加工は極めて容易である。
【００２８】次に、本発明の第２実施例を図１、図６、図７及び図９から図１１を用いて説明する。図１は本発明の第２実施例における上部磁極の斜視模式図、図６は図１の上部磁極における寸法例１を示す斜視模式図、図７は図１の上部磁極における異なる寸法例２を示す斜視模式図である。本実施例は、上部磁極２の傾斜部が次に述べる通り第１実施例と相違するものであり、その他の点については第１実施例と基本的には同一である。
【００２９】本実施例では、第２上部磁極２の傾斜部２ｂの中間部に幅の変化が急拡大するように変曲点２ｂ３を設け、先端部２ａに近い方の第１傾斜部２ｂ１と、上面部２ｃに近い方の第２傾斜部２ｂ２とを形成している。そして、接合面２ａ１から変曲点２ｂ３までの高さｈを変化させ、図６に示す寸法例１はｈを約２μｍとした場合であり、図７に示す寸法例２はｈを約５μｍとした場合である。
【００３０】この寸法例１及び寸法例２の応力解析を従来と同様の解析方法で行なった結果、図９で明らかなように、寸法例１の応力分布特性４４は、上部磁極３を分離した従来技術２の応力分布特性４２及び本発明の第１実施例より格段に、かつ上部磁極３を一体形成した従来技術１よりも低いものとすることができるものであった。また、図９に示すように、寸法例２は、上述した全ての例に対して格段に低い応力分布特性４５することができるものであった。このように、本実施例では、変更が極めて難しい材料の変更によるのではなく、傾斜部２ｂに変曲点２ｂ３を設けるという構成の変更により、応力を格段に低減することができるものである。
【００３１】次に、本発明の第３実施例を図８を用いて説明する。図８は本発明の第３実施例における上部磁極の斜視模式図である。
【００３２】本実施例は、幅狭の端面２ａ１を有する直方体状の先端部１ａと、第２上部磁極２の先端部２ａの幅より広い幅を有してこの先端部２ａに接合する直方体状の後部拡大部１ｂとを有する点にて第２実施例と相違するものであり、その他の点については第２実施例と基本的には同一である。
【００３３】この第２実施例によれば、第１上部磁極１の加工性が低下するが、第１上部磁極１と第２上部磁極２との接合面積を広く確保できので、その磁気結合を確実に行なうことができる。し、図８は、本発明のさらに別の実施形態に係る上部磁極の模式図である。この図で示されるように、第１上部磁極１の形状を凸字状として、第２上部磁極２の接合面の形状から鋭角を排除してもよい。
【００３４】次に、本発明の各実施例の解析結果に基づいて、接合面２ａ２から変曲点２ｂ３までの高さｈと上面部２ｃまでの高さＨとの最適な関係について図９から図１１を用いて説明する。
【００３５】図９に示す従来技術２（図１４）、第１実施例（図５、ｈ＝０μｍ）、第２実施例１（図６、ｈ＝２μｍ）及び第２実施例２（図７、ｈ＝５μｍ）の特異点付近の各応力分布は、次式に従うと仮定できるので、応力拡大係数Ｋで整理することができる。
【００３６】
δz＝Ｋ／ｘλ …（１）
この（１）式において、λは特異場の指数であり、図９に示された両対数グラフの傾きに相当する。図９に示された上部磁極の各構造における特異点近傍の応力は、両対数グラフですべてほぼ同じ傾きの直線で近似でき、その傾きは０．３である。したがって、特異場の指数λは０．３である。また、ｘは特異点からの距離である。
【００３７】図１０は、変曲点高さｈと応力拡大係数Ｋ（λ＝０．３）の関係を両対数プロットして示すものである（ただし横軸は（ｈ＋１）とした。）。この図１０のグラフより、変曲点高さｈは次式で表される。
【００３８】
ｈ＝（８７４／Ｋ2.14）−１ …（２）
（２）式に従来技術１のK=15.4MPam?を代入するとh=1.5mmが得られる。例えば、応力拡大係数Kを従来技術１より小さくする条件はh>1.5mmである。なお、図１０は、第２上部磁極２の磁性膜裏面の接合面からの高さH=約7mmのときの曲線である。
【００３９】図１１に、任意の上面部高さHのときの応力拡大係数Kと、H=7mmのときのK（HK=7）の比を示す。図１１の関係は任意のh(0≦h≦H)で成り立ち、図１１より変曲点高さhは次式で表される。
【００４０】
ｈ＝（（２．８３Ｈ＋３．８１）／Ｋ）2.14−１ （１≦Ｈ≦７） …（３）
ｈ＝（（０．７４７Ｈ＋１８．６）／Ｋ）2.14−１ （７＜Ｈ≦１３）…（４）
例えばH=5mmのとき、K=15.4MPam?を代入することによりh=0.39mmが得られ、従来技術１以下のKとするためには、h>0.39mmでなければならないことがわかる。
【００４１】図１のように、第２上部磁極２の傾斜部２ｂの変曲点高さhを次式を満たす値とすれば、第１上部磁極１と第２上部磁極２の接合面の応力を従来技術１以下に抑制でき、はく離を防止することができる。
【００４２】
ｈ＞（０．１８Ｈ＋０．２５）2.1−１ （１≦Ｈ≦７） …（５）
ｈ＞（０．０４９Ｈ＋１．２）2.1−１ （７＜Ｈ≦１３）…（６）
なお、H≦4mmで、h<0となるため、実際のHの適用範囲は、H>4である。従って、従来技術１より応力を低減するには、4<H≦7のときにh>(0.18H+0.25)2.1-1、7<H≦13のときにh>(0.049H+1.2)2.1-1であることが必要である。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ディスクに対向する端面の幅狭小化加工が容易で、しかも応力を低減して剥離を防止できることにより高い信頼性を有する薄膜磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置を提供することができる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００５１０８
【氏名又は名称】株式会社日立製作所
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| 【出願日】 |
平成１２年８月１０日（２０００．８．１０） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００６８５０４
【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男 （外２名）
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| 【公開番号】 |
特開２００２−５６５０６（Ｐ２００２−５６５０６Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１４年２月２２日（２００２．２．２２） |
| 【出願番号】 |
特願２０００−２４２１２１（Ｐ２０００−２４２１２１） |
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