| 【発明の名称】 |
遅延計算方法及び遅延計算プログラムを記載した記録媒体 |
| 【発明者】 |
【氏名】坂本 敏行
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| 【要約】 |
【課題】配線の遅延時間を短時間で求め、且つ、電圧の閾値がどのような場合でも、実用に耐え得る精度で前記遅延時間を求めること。
【解決手段】配線を抵抗と容量のパイ型回路に近似し、その配線を駆動するセルの出力ピンをステップ電圧波形の電源とそれに直列に接続された抵抗と近似し、上記パイ型回路を駆動する場合の遅延時間と純粋容量を駆動する場合の遅延時間の差を求め、予め計算しておいたセルの遅延時間に上記差を加えることで、セルの出力ピン位置での遅延時間を計算する。前記ステップ電圧波形の電源でのセルの出力ピン位置の電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数をセルの入力ピンまで変換し、セルの入力ピン位置の電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数から入力ピン位置の電圧波形を求めて入力ピン位置までの遅延時間を計算し、入力ピン位置の遅延時間と出力ピン位置の遅延時間の差を配線の遅延とする。 |
【特許請求の範囲】
【請求項1】 信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1のステップと、前記第1のステップにより求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2のステップと、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3のステップと、前記第3のステップにより得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2のステップにより得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4のステップと、前記第3のステップにより得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記配線の全容量を純粋な容量として接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記純粋容量モデルの遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第5のステップと、前記配線の全容量を純粋な容量として前記駆動セルの遅延時間を求める第6のステップと、前記第6のステップにより求めた前記駆動セルの遅延時間に、前記第4のステップで求めた前記パイ型回路での遅延時間と前記第5のステップで求めた純粋容量モデルの遅延時間との差を加算して、抵抗成分がある配線を駆動するセルの遅延時間を算出する第7のステップと、を具備することを特徴とする遅延計算方法。 【請求項2】 信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1のステップと、前記第1のステップにより求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2のステップと、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3のステップと、前記第3のステップにより得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2のステップにより得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4のステップと、前記第4のステップで算出した前記パイ型回路を接続した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第5のステップと、前記第5のステップで求められた電圧波形のラプラス変換された係数を利用して入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第6のステップと、前記第6のステップで求めた入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数から実時間の電圧波形を算出する第7のステップと、前記入力ピン位置の遅延時間として前記第7のステップで算出された入力ピンの位置での電圧波形が閾値を横切る時間を算出する第8のステップと、前記第8のステップで算出された遅延時間と前記第4のステップで算出された遅延時間との差を前記配線の遅延時間として求める第9のステップと、を具備することを特徴とする遅延計算方法。 【請求項3】 前記ラプラス変換された係数をSの少なくとも2乗以上まで求めることを特徴とする請求項2に記載の遅延計算方法。 【請求項4】 信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1の過程と、前記第1の過程により求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2の過程と、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3の過程と、前記第3の過程により得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2の過程により得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4の過程と、前記第3の過程により得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記配線の全容量を純粋な容量として接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記純粋容量モデルの遅延時間として、前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第5の過程と、前記配線の全容量を純粋な容量として前記駆動セルの遅延時間を求める第6の過程と、前記第6の過程により求めた前記駆動セルの遅延時間に、前記第4の過程で求めた前記パイ型回路での遅延時間と前記第5の過程で求めた純粋容量モデルの遅延時間との差を加算して、抵抗成分がある配線を駆動するセルの遅延時間を算出する第7の過程と、をコンピュータに実行させるための機械読み取り可能なコンピュータプログラムを記録したことを特徴とする遅延計算プログラムを記載した記録媒体。 【請求項5】 信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1の過程と、前記第1の過程により求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2の過程と、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3の過程と、前記第3の過程により得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2の過程により得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4の過程と、前記第4の過程で算出した前記パイ型回路を接続した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第5の過程と、前記第5の過程で求められた電圧波形のラプラス変換された係数を利用して入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第6の過程と、前記第6の過程で求めた入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数から実時間の電圧波形を算出する第7の過程と、前記入力ピン位置での遅延時間として前記第7の過程で算出された入力ピンの位置の電圧波形が閾値を横切る時間を算出する第8の過程と、前記第8の過程で算出された遅延時間と前記第4の過程で算出された遅延時間との差を前記配線の遅延時間として求める第9の過程と、をコンピュータに実行させるための機械読み取り可能なコンピュータプログラムを記録したことを特徴とする遅延計算プログラムを記載した記録媒体。
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【発明の詳細な説明】【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル回路設計に係り、特にレイアウト後の実配線のデータを使用した回路の遅延時間を計算する遅延計算方法及び遅延計算プログラムを記載した記録媒体に関する。 【0002】 【従来の技術】近年、半導体集積回路の微細化が進みサブミクロンのテクノロジーを使用するようになってきており、信号の遅延は、LSIの設計上非常に気をつける必要のある要素となっている。 【0003】信号の遅延は通常、セル遅延と配線遅延に分けて考慮される。セル遅延はセルのそれ自体のもつ遅延であり、そのセルの状態、入力信号の鈍り(傾きと呼ぶ場合もある)、駆動する配線の負荷容量を利用して計算される。配線遅延は全体の遅延のうちセル遅延を除いた部分であり、配線に抵抗成分があることに起因する遅延である。配線遅延の計算にはELMOREの式(W.C.Elmore,“The trasient response of damped linear network with particular regard to wide-bandamplifiers",J.Appl.Physics vol 19 no 1,pp55-63,Jan.1948または J.Rubinstein,P.Penfield Jr,and M.A.Horowitz,“Signal Delay in RC Tree Networks",IEEE Trans.on Computer-Aided Design,Vol.CAD-2,No.3,July 1983)が使用されることが多い。 【0004】しかし、半導体集積回路の製造技術がディープサブミクロンといわれるサブミクロンのより微小な領域に入るにつれ、セル遅延は、配線の容量を純粋な容量負荷として、つまり抵抗成分が0として計算した結果と、SPICE等のより高精度のシミュレータでより詳細に配線抵抗を考慮して計算した実際の遅延時間とが合わなくなってきている。また配線遅延に関しても、ELMOREの遅延では十分な近似が得られなくなってきている。 【0005】このセルの遅延が合わなくなった原因として、配線を駆動するピンから遠い位置の容量が配線抵抗によってシールドされ、出力ピンの位置の電圧が閾値電圧まで変化する際に関係する実質的な負荷容量が容量の総和より小さくなり、遅延時間が小さくなる現象がある。従来のこの現象を考慮していない遅延計算では、この現象により実際よりも大きい遅延値を計算する場合がある。 【0006】このように計算して得た遅延を用いたシミュレーションやスタティックタイミング解析ではタイミングエラーがなく正常動作すると考えた回路を実際に製造すると、タイミングエラーで誤動作する場合があった。 【0007】具体的には、図11の(C)で示すように、クロック信号には正しい遅延を計算し、図11の(A)で示すにように、データパスには大きすぎる遅延が計算される。これにより、シミュレーションやスタティックタイミング解析ではタイミングエラーがないとされるが、実際には、図11の(B)に示すように、ホールドエラーである場合がある。 【0008】そこで、SPICE等のより高精度のシミュレータを使用すれば、遅延時間の精度を上げることができ、この問題を防ぐことができる。しかし、SPICE等のより高精度のシミュレータは実行速度が遅く、またメモリも多く必要とするので、大規模な回路に対して使用する事が困難である。 【0009】そのため、SPICE等のより高精度のシミュレータよりも高速に遅延時間を計算する手法が研究されている。その手法の1つとしてAWE(Asymptotic Waveform Evaluation)という方法が1990年頃から提案されており、多くの論文が出されている。AWEの概要は、Lawrence T.Pillage and Ronald A.Rohrer,“Asymptotic Waveform Evaluation for Timing Analysis",IEEE Transactionon Computer-Aided Design,Vol.9,No.4,April 1990,352-366"に、詳しく述べられている。 【0010】以下に、AWEについてかんたんに説明する。AWEは最終的に計算したい信号波形を次式とする。 【0011】 【数1】
この波形のラプラス変換された波形が次式になる。これを波形1とする。 【0012】 【数2】
回路のアドミッタンスと電圧源をラプラス変換して、Sのn乗まで求め、それらを用いて計算したい位置の信号波形のラプラス変換された波形をSのn乗まで求める。これを波形2とする。 【0013】AWEは、波形1と波形2のSの係数をn乗まで比較して連立方程式を立て、それを解くことでKi、Piを求める手法である。求まったKiを剰余(residue)、Piを極(pole)と呼ぶ。 【0014】AWEを用いた場合のセルのモデル化については、Florentin Dartu,Noel Menezes,Jessica Qian,and Lawrence T.Pi11age,“A Gate-Delay Model for High-Speed CMOS Circuits",Proceedings31st ACM/IEEE Design Automation Conference,576-580"の論文に述べられている。 【0015】ここで、セルの出力ピンのモデルを図12、図13に記載する。セルの出力ピン1は、図12で示すように、電圧源Vdに内部抵抗Rdが接続されていると、近似する。以降、セルの出力ピン1の位置での電圧をVdrive(Vd)で示す場合がある。 【0016】図13は、図12のVd(実線)が、そのセルの入力信号(破線)が閾値を横切る時刻を0として、t0の時刻に変化が始まり、傾きがΔTである電圧源であることを示している。 【0017】 【発明が解決しようとする課題】上記した論文では、図12、図13で示したt0、ΔT、Rdというパラメータをセルの特性を測定して得る必要がある。しかし、セルの既に測定されている特性値から、それらの値を計算するほうが便利である。それ故、“大嶋孝幸、斎藤敏幸、藤田陽子、蓑田幸男、中谷隆、ディープサブミクロンに対応した遅延計算システム、信学技報TECHNICAL REPORT OF IEICE,VLD98-137(1999-03),pp43-49”では、t0、ΔTを、既存の測定値から求める方法が述べられている。しかしながら、この論文にあるように実効容量(Ceff)、ΔT、t0を計算するのには、非線形の方程式を解くため、計算量が多く、時間がかかるという問題があった。 【0018】また、セルの出力ピンの位置から、配線を経て次のセルの入力ピンの位置の遅延時間を求める方法として、P.R.O'Brien and T.L.Savarino,“Efficient On-Chip Delay EStimation for Leaky Models of Multiple-Source Nets゛IEEE 1990CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE,9.6.l-9.6.4がある。この論文で述べられている方法は、出力ピンから入力ピンまでの遅延として、Sの1次までの項までしか考慮していない。これでは、波形の中央に電圧の閾値があって、この閾値に対して波形が対象であることを利用して遅延を求めるELMOREの遅延と等価であるため、電圧の閾値が電圧の半分ではない場合の効果を考慮できず、電圧の閾値が電圧の半分でないケースでは誤差が大きく実用にならないという問題があった。 【0019】本発明は、上述の如き従来の課題を解決するためになされたもので、その目的は、セルの出力ピンから配線を経て次の入力ピンの位置までの遅延時間を短時間で求めることができ、且つ、電圧の閾値が電圧の半分でないケースでも実用に耐え得る精度で前記遅延時間を求めることができる遅延計算方法及び遅延計算プログラムを記載した記録媒体を提供することである。 【0020】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、請求項1の発明の特徴は、信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1のステップと、前記第1のステップにより求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2のステップと、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3のステップと、前記第3のステップにより得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2のステップにより得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4のステップと、前記第3のステップにより得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記配線の全容量を純粋な容量として接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記純粋容量モデルの遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第5のステップと、前記配線の全容量を純粋な容量として前記駆動セルの遅延時間を求める第6のステップと、前記第6のステップにより求めた前記駆動セルの遅延時間に、前記第4のステップで求めた前記パイ型回路での遅延時間と前記第5のステップで求めた純粋容量モデルの遅延時間との差を加算して、抵抗成分がある配線を駆動するセルの遅延時間を算出する第7のステップとを具備することにある。 【0021】請求項2の発明の特徴は、信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1のステップと、前記第1のステップにより求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2のステップと、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3のステップと、前記第3のステップにより得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2のステップにより得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4のステップと、前記第4のステップで算出した前記パイ型回路を接続した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第5のステップと、前記第5のステップで求められた電圧波形のラプラス変換された係数を利用して入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第6のステップと、前記第6のステップで求めた入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数から実時間の電圧波形を算出する第7のステップと、前記入力ピン位置の遅延時間として前記第7のステップで算出された入力ピンの位置での電圧波形が閾値を横切る時間を算出する第8のステップと、前記第8のステップで算出された遅延時間と前記第4のステップで算出された遅延時間との差を前記配線の遅延時間として求める第9のステップとを具備することにある。 【0022】請求項3の発明の特徴は、前記ラプラス変換された係数をSの少なくとも2乗以上まで求めることにある。 【0023】請求項4の発明の特徴は、信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1の過程と、前記第1の過程により求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2の過程と、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3の過程と、前記第3の過程により得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2の過程により得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4の過程と、前記第3の過程により得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記配線の全容量を純粋な容量として接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記純粋容量モデルの遅延時間として、前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第5の過程と、前記配線の全容量を純粋な容量として前記駆動セルの遅延時間を求める第6の過程と、前記第6の過程により求めた前記駆動セルの遅延時間に、前記第4の過程で求めた前記パイ型回路での遅延時間と前記第5の過程で求めた純粋容量モデルの遅延時間との差を加算して、抵抗成分がある配線を駆動するセルの遅延時間を算出する第7の過程とをコンピュータに実行させるための機械読み取り可能なコンピュータプログラムを記録したことにある。 【0024】請求項5の発明の特徴は、信号遅延時間を求める対象の配線のラプラス変換されたアドミッタンスを求める第1の過程と、前記第1の過程により求められた前記アドミッタンスをパイ型回路に近似する第2の過程と、前記配線に信号を出力する駆動セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と抵抗の直列接続した回路に近似する第3の過程と、前記第3の過程により得られた前記駆動セルの出力ピンを近似した回路に前記第2の過程により得られた前記パイ型回路を接続して形成した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形を算出し、前記パイ型回路での遅延時間として前記算出された電圧波形が閾値電圧を横切る時間を算出する第4の過程と、前記第4の過程で算出した前記パイ型回路を接続した回路における前記駆動セルの出力ピン位置の電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第5の過程と、前記第5の過程で求められた電圧波形のラプラス変換された係数を利用して入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換された係数をSのn乗まで求める第6の過程と、前記第6の過程で求めた入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数から実時間の電圧波形を算出する第7の過程と、前記入力ピン位置での遅延時間として前記第7の過程で算出された入力ピンの位置の電圧波形が閾値を横切る時間を算出する第8の過程と、前記第8の過程で算出された遅延時間と前記第4の過程で算出された遅延時間との差を前記配線の遅延時間として求める第9の過程とをコンピュータに実行させるための機械読み取り可能なコンピュータプログラムを記録したことにある。 【0025】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の遅延計算方法の一実施形態に係る処理の流れの全体的な概要を示したフローチャートである。まず、セルの出力側に接続される配線のアドミッタンスを計算する(ステップ101)。算出された配線のアドミッタンスから前記配線を抵抗と容量のパイ型回路モデルに近似する(ステップ102)。セルの出力ピンの内部抵抗を求める(ステップ103)。セルからのステップ入力に対して、パイ型回路モデルでのセルの出力ピン位置の電圧波形を計算し、この電圧波形と閾値電圧から遅延時間を求める(ステップ104)。前記ステップ入力に対し、前記配線の容量を純粋Cモデルとした時の遅延時間を求める(ステップ105)。セルの遅延テーブルから、このセルの入力傾きと純粋容量の遅延時間を求める(ステップ106)。ステップ106で求めた遅延時間、ステップ104で求めた遅延時間及びステップ105で求めた遅延時間よりセルの出力ピン位置での遅延を求める(ステップ107)。ステップ104の処理過程で求めた出力ピン位置での電圧波形のラプラス変換のn次までの係数を求める(ステップ108)。入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換のn次までの係数を求める(ステップ109)。入力ピン位置の電圧波形を求める(ステップ110)。入力ピン位置の遅延時間を求める(ステップ111)。ステップ111で求めた入力ピン位置の遅延時間とステップ104で求めた出力ピン位置での遅延時間の差を、その配線のパス遅延とする(ステップ112)。 【0026】上記のように、本例の遅延計算方法の全体のフローは、大きく分けて、12のステップに分かれる。それぞれについて以下に詳細を説明する。 【0027】配線のアドミッタンスを計算する(ステップ101)。 【0028】配線からラプラス変換されたアドミッタンスの抽出には、P.R.O´Brien and T.L.Savarino,“Modeling the Driving-Point Characteristic of Resistive Interconnect for Accurate Delay Estimation",Proc.IEEE International Conference on Computer-Aided Design,1989 の手法が使用できる。上記論文で使われているオーダーよりも高いオーダーまで計算した結果を示す。 【0029】以下にその手法を説明する。セルの出力ピン位置でのラプラス変換されたアドミッタンスをSのn次まで求める。パイ型回路を抽出するためには、n=3までで十分であるが、ここで求めた係数は、入力ピンの位置での電圧波形を求めるときに使用できるため、n=4以上で求める。ここではSの6次までを示す。なお、上記論文では配線は出力ピンをルートとしたツリー状になっていることを仮定している。 【0030】以下の5つのルールを適用することで、出力ピン位置から見た配線のアドミッタンスのn次までのラプラス変換が得られる。 【0031】(1)FANOUT側からFANINに計算する。これは、入力ピンから、その配線を駆動する出力ピンの方向に計算することを意味する(2)最初の値は0(3)Cルール容量が図2のように接続されているとする。図2で、Yupは、容量Cを挟んで駆動する出力ピンに近いアドミッタンスを示す。Ydnは、容量Cを挟んで入力ピンに近いアドミッタンスを示す。 【0032】電流保存則より、【数3】
となるので、【数4】
とすると、【数5】Yup1=Ydn1+CYup2=Ydn2Yup3=Ydn3Yup4=Ydn4Yup5=Ydn5Ydn6=Ydn6(4)Rルール抵抗が図3のように接続されているとする。図3で、Yupは、抵抗Rを挟んで駆動する出力ピンに近いアドミッタンスを示す。Ydnは、抵抗を挟んで入力ピンに近いアドミッタンスを示す。 【0033】Vup(S)は、抵抗を挟んで駆動する出力ピンに近い部分の電圧のラプラス変換したものを示す。Vdn(S)は、抵抗を挟んで出力ピンから遠い部分の電圧のラプラス変換したものを示す。 【0034】電流保存則より、【数6】
上記式を整理してYupをYdnで表すと【数7】
となる。 【0035】Sの係数で整理すると、【数8】
となる。 【0036】(5)マージルール図4は配線に分岐がある場合を示した図である。図4では、Yupは、分岐点を挟んで駆動する出力ピンに近いアドミッタンスを示し、Ydni は、分岐点を挟んで入力ピンに近いアドミッタンスを示す。 【0037】電流一定より、【数9】
となる。 【0038】配線のアドミッタンスから配線をパイ型回路モデルに近似する(ステップ102)。 【0039】配線のアドミッタンスからパイ型回路モデルへの変換には、P.R.O′Brien and T.L.Savarino,“Modeling the Driving-Point Characteristic of ResistiveInterconnect for Accurate Delay Estimation",Proc.IEEE International Conference on Computer-Aided Design,1989 の手法が使用できる。以下に変換方法を簡単に説明する。 【0040】図5は配線のパイ型回路モデルを示した回路図である。セルの出力ピン11に、抵抗Rnetと容量CnearとCfarから成るパイ型回路が接続されている。 ステップ101の処理の結果、得られたセルの出力ピンの位置でのアドミッタンスのラプラス変換を、【数10】
とすると、【数11】
となる。 【0041】セルの出力ピンの内部抵抗Rdを求めて、セルの出力ピンをステップ波形の電圧源と内部抵抗の直列接続した回路に近似する(ステップ103)。 【0042】内部抵抗RdはState Dependのパス毎、立ち上がり、立下り毎に計算する必要がある。ここで、State Dependのパスとは、例えば図6で示すようなNOT((A AND B) OR C)の機能を持ったCMOSの回路で、CがHIGHからLOWに変わることで、出力信号がLOWからHIGHに上がる場合と、AとBの1つだけがLOWである場合と、AとBの両方がLOWである場合では、VDDから出力までのONになるPMOSトランジスタの構成が変わるため、内部抵抗の値が異なる。このようにパスをAとBの1つだけがLOWである場合と、AとBの両方がLOWである場合などを区別した場合、State Dependのパスと呼ぶ。 【0043】図6はState Dependの遅延時間を持ったセルの例を示した回路図である。この図では、信号の傾き(ΔT)を図7で示すように、電源をVDD、VSS=0(Volt)とすると、0.2×VDDから0.8×VDDまでの時間と定義する。信号の傾きの定義は他にもあるが、本質的には同じで、簡単に変換できるため、ここでは出力信号がLOWからHIGHに変化する場合について、図7の定義で説明する。図中、LOWとHIGHのレベルとして、0.2×VDDと0.8×VDDが設定され、信号の傾き(ΔT)時間となる。 【0044】ロードが充分大きい時、Vdの波形はステップ(STEP)波形と仮定しても充分よいので、したがって出力ピンの位置での電圧波形Voutは次のように近似できる(出力信号がLOWからHIGHになる場合)。 【0045】 【数12】
tlを0.2×VDDになる時間、thを0.8×VDDになる時間とすると、【数13】
これを解くと、【数14】
となる。 【0046】従って、傾きは、【数15】
となる。 【0047】出力信号の傾きは、数式で与えられる場合もあるし、テーブルの形で与えられる場合もある。数式で与えられた場合のRdの計算例を(A)で示し、テーブルで与えられた場合のRdの計算例を(B)で示す。 【0048】(A)、傾きを、K0+K1×Cと表現されていた場合、Cが十分大きいため、K0の項は無視できる。 【0049】従って、【数16】
上記の式によって内部抵抗値(Rd)が計算できる。 【0050】(B)、または,出力の傾きが図8のようなテーブルで与えられた場合、テーブルの横の軸(a11,a12,a13,a14の方向)が容量で、それぞれLoadp1,Loadp2,Loadp3,Loadp4の値を持ち、Loadp1<Loadp2<Loadp3<Loadp4の関係があるとする。 【0051】縦の軸(a11,a21,a31,a41の方向)が入力信号の傾きで、Slewp1,Slewp2,Slewp3,Slewp4の値を持ち、Slewp1<Slewp2<Slewp3<Slewp4の関係があるとする。 【0052】まず、入力信号がステップ波形に近いほうが、Vdの波形もステップ波形に近いと考えられるため、入力の傾きが一番小さく、一番容量が大きい点であるa13,a14を使って、【数17】
で求めることができる。より正確な値を出すために、よりステップ応答に近い入力傾きが0,容量が無限大の場合へ、補外して値を求めてもよい。このようにして求めたRdを用いて、図9の10に示すように、セルの出力ピンをステップ波形の電圧源Vdと内部抵抗Rdの直列回路で近似できる。 【0053】ステップ入力に対しパイ型回路モデルでの遅延時間を求める(ステップ104)。 【0054】図9はステップ電源のセルモデルと配線のパイ型回路モデルを示した回路と、セルモデルの出力電圧波形を示した図である。この図では、一般性を失わないで表現を簡単にするため、ステップ電圧源が、時刻0で0から1に変化する電圧源とする。時刻0ではコンデンサには電荷が溜まっていない状態とすると、セルの出力ピン位置での電圧波形Vdriveは次のようになる。 【0055】 【数18】
で求まったk1,k2,p1,p2より、【数19】
電圧の閾値をVthとすると、Vdrive(t)=Vthを数値的に解き、遅延時間D(STEP,PI)を求める。 【0056】ステップ入力に対し純粋Cモデルでの遅延時間を求める(ステップ105)。図10はステップ電源のセルモデルと、配線を純粋Cモデルとした場合の回路と、セルモデルの出力電圧波形を示した図である。この図では、一般性を失わないで表現を簡単にするため、ステップ電圧源が、時刻0で0から1に変化する電圧源とする。時刻0ではコンデンサには電荷が溜まっていない状態とする。Callはステップ102の処理で求められたY1の値であって、ステップ104のCnearとCfarの和である。セルの出力ピン位置での電圧波形Vdriveは次のようになる。 【0057】 【数20】
電圧の閾値をVthとすると、Vdrive(t)=Vthを数値的に解き、遅延時間D(STEP,C)を求める。 【0058】セルの遅延テーブルから、そのセルの入力傾きと純粋容量の遅延時間を求める(ステップ106)。 【0059】セルの遅延は予め、セルの入力信号の傾きと純粋負荷容量を軸としたテーブル、若しくは関数の形で準備されているとする。そのテーブルまたは関数によって、計算したい入力信号の傾き、純粋負荷容量Callの遅延時間D(CELL,C)を得る。 【0060】セルの出力ピン位置での遅延を求める(ステップ107)。 【0061】セルの出力ピン位置の遅延時間をD(CELL,PI)を次の式で近似する。 【0062】D(CELL,PI)=D(CELL,C)+(D(STEP,PI)−D(STEP,C)) この近似式は、CELLの内部電源がSTEPに近い場合、良い精度で成り立つと考えられる。 【0063】出力ピン位置での電圧波形のラプラス変換のSのn次までの係数を求める(ステップ108)。 【0064】ステップ104で求まったk1、k2、p1、p2より、【数21】
ここで、n=4の場合を示す。 【0065】 【数22】
とすると、【数23】
入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換のn次までの係数を求める(ステップ109)。 【0066】ステップ108により、出力ピン位置での電圧波形のラプラス変換されたSのn次までの係数が求まっているとして,入力ピン位置での電圧波形のラプラス変換の係数を求めるには次のようにする。 【0067】ここではn=4とする。 【0068】(1)出力ピンから入力ピンヘ計算する(2)Cルール電圧は同じなので、Vdn=Vup(3)Rルール【数24】
VdnについてSの次数に対してまとめると以下のようになる。 【0069】 【数25】
尚、(4)分散ルールについては特に考慮する必要はない。 【0070】入力ピン位置の電圧波形を求める(ステップ110)。 【0071】入力ピン位置での電圧波形を求めるは、ステップ109で求まったVdnをそれぞれ、【数26】
として、必要な精度に応じて以下に示すような方法を使用する。 【0072】入力ピン位置での電圧波形を1−exp(a×t)とした場合、ラプラス変換し、Sの係数を合わせ込むことにより、 m0=1/aで、a=1/m0となる。 【0073】従って,ステップ波形に対する電圧波形は、【数27】Vinput=1−exp(t/m0) より高精度な波形を求める場合入力ピン位置での電圧波形をLawrence T.Pillage and Ronald A.Rohrer,“Asymptotic Waveform Evaluation for Timing Analysis",IEEE Transaction on Computer-Aided Design,Vol.9,No.4,April 1990,352-366"で述べられている方法を参考にして解く。 【0074】(2次) 【数28】
を解いてa0、a1を求め、次の方程式を解く。 【0075】 【数29】
この方程式の解をp1,p2とする(p1,p2は実数とは限らず複素数も含む)。 【0076】 【数30】
を解いてk1,k2を求める。k1,k2は実数とは限らず複素数も含む。ステップ波形に対する電圧波形は、【数31】Vinput=1+k1×exp(p1×t)+k2×exp(p2×t) となる。 【0077】(3次) 【数32】
この解をa0,a1,a2とする。これらの値を使用して【数33】
を解き、解をp1,p2,p3とする。p1,p2,p3は実数とは限らず複素数も含む。 【0078】次に、【数34】
を解く。 【0079】この解をk1,k2,k3とする。k1,k2,k3は実数とは限らず複素数も含む。 【0080】従ってステップ波形に対する電圧波形は、【数35】
入力ピン位置の遅延時間を求める(ステップ111)。 【0081】ステップ110で求めた入力ピン位置での電圧波形を用いて、Vinput(t)=Vthを解いて、遅延時間を求める。 【0082】ステップ111で求まった入力ピン位置の遅延時間D(STEP,P1)とステップ104で求まった出力ピン位置での遅延時間の差を、その配線のパス遅延とする。 【0083】本実施形態によれば、配線を抵抗と容量のパイ型回路に近似し、その配線を駆動するセルの出力ピンをステップ電圧波形の電源とそれに直列に接続された抵抗と近似し、これら近似を用いて、上記パイ型回路を駆動する場合の遅延時間と、純粋容量を駆動する場合の遅延時間の差を求め、SPICE等によって入力信号の傾きと純粋容量の関数として予め計算しておいたセルの遅延時間に、上記差を加えることで、セルに実際の配線が接続された場合のセルの出力ピン位置での遅延時間を計算する(ステップ107)ことで、計算量を削減して計算時間を大幅に短縮化することができる。 【0084】また、上記出力ピン位置での遅延時間を計算する過程で求まったステップ電圧波形の電源におけるセルの出力ピン位置の電圧波形のラプラス変換を求め、その電圧のラプラス変換されたSのn乗までの係数を、セルの入力ピンまで変換し、セルの入力ピン位置の電圧波形のラプラス変換されたSのn乗までの係数から、実時間のセルの入力ピン位置の電圧波形を求め、入力ピン位置までの遅延時間を計算し、入力ピン位置の遅延時間と出力ピン位置の遅延時間の差を出力ピンから入力ピンまでの配線の遅延とすることにより、実用に耐え得る精度で、出力ピンから入力ピンまでの配線の遅延時間を求めることができる。 【0085】尚、上記した配線の遅延計算方法は、プログラム化してコンピュータに実行させることにより実施でき、同様の効果を得ることができる。その際、コンピュータプログラムは、フロッピー(登録商標)ディスクやハードディスク等のディスク型記録媒体、半導体メモリやカード型メモリ等の各種メモリ、或いは通信ネットワーク等の各種のプログラム記録媒体を通じてコンピュータに供給することができる。 【0086】また、本発明は上記実施形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によっても実施することができる。 【0087】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項1、4の発明によれば、セルの出力ピンを、ステップ波形の電圧源とそれに直列に接続された抵抗として配線をパイ型回路としてモデル化することにより、従来よりも高速で且つ収束性よくセルの出力ピン位置での遅延時間を計算することができる。 【0088】請求項2、3、5の発明によれば、出力ピン位置の電圧波形を、セルの出力ピンをステップ波形の電圧源とそれに直列に接続された抵抗として、配線をパイ型回路としてモデル化することにより、容易に出力ピン位置の波形が計算できるため、その波形を入力ピン位置の電圧波形に変換して入力ピン位置での遅延時間を求めたり、或いは出力ピン位置での遅延時間を求めることを高速に行うことができ、しかも、これらの遅延時間の差をを求めることで、電圧の閾値が電圧の半分ないケースでも実用に耐え得る精度で前記遅延時間を求めることができる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】000003078 【氏名又は名称】株式会社東芝
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| 【出願日】 |
平成12年9月26日(2000.9.26) |
| 【代理人】 |
【識別番号】100083806 【弁理士】 【氏名又は名称】三好 秀和 (外7名)
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| 【公開番号】 |
特開2002−108968(P2002−108968A) |
| 【公開日】 |
平成14年4月12日(2002.4.12) |
| 【出願番号】 |
特願2000−292777(P2000−292777) |
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