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【発明の名称】 シイタケ菌及びシイタケ子実体
【発明者】 【氏名】斉藤 武

【要約】 【課題】種菌の接種から子実体の形成までの期間が短く、子実体を発生させるための発生操作を必要としない生産性の高いシイタケ菌と、その栽培・培養技術の提供する。

【解決手段】外部刺激非依存性子実体形成能を有し、栄養生長期間の短い新規なシイタケ菌を使用する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】 外部刺激非依存性子実体形成能を有することを特徴とするシイタケ菌。
【請求項2】 短縮された子実体形成期間を有することを特徴とするシイタケ菌。
【請求項3】 外部刺激非依存性子実体形成能と、短縮された子実体形成期間を有することを特徴とするシイタケ菌。
【請求項4】 新規なシイタケ菌MIL−LEW−H13−1(寄託番号FERM P−18234)。
【請求項5】 請求項1乃至請求項4のシイタケ菌を栽培して得られたことを特徴とするシイタケ子実体。
【発明の詳細な説明】【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、産業上有用な気質を有するシイタケ菌に関するもので、シイタケ栽培技術に属するものである。
【0002】
【従来の技術】風味、香りなどの良さから消費量も多く、市場に広く出まわっているシイタケは、クヌギやコナラなどの原木に、シイタケ種菌を接種した種駒を打ち込んで栽培する原木栽培から、おが屑に栄養剤等を添加して形成した培地に、シイタケ種菌を接種して行う菌床栽培に移行しているが、いずれの栽培方法も、種菌も接種から子実体を得るまでの期間が長く、子実体を発生させるためには、品種の特性にあった低温の刺激を与えるための発生操作が不可欠なものである。
【0003】発明者はかかる現状に鑑み、鋭意研究の結果、シイタケの栽培・培養技術の生産性を高める手段として、シイタケ菌の性質・基質を利用することを考え、出願人が保持している全国各地で採取した野生株であるシイタケ菌のなかに、それらを解決してくれる特性を有するものがあるのではとの想定のもと、保管している菌株について、その特性を調べたところ、昭和61年10月8日に岩手県上閉伊郡宮守村下鱒沢で採取されたシイタケ菌が、外部刺激非依存性子実体形成能を有するとともに、栄養生長期間が短いことを見出し、この発明を完成させた。
【0004】この発明の目的は、種菌の接種から子実体の形成までの期間がきわめて短いシイタケ菌を提供せんとするものである。
【0005】また、この発明の他の目的は、従来のシイタケ栽培において、子実体を発生させるために不可欠な低温刺激等の刺激を与えることなく、子実体を形成するシイタケ菌を提供せんとするものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前記の目的を達成するため、この発明のシイタケ菌は、外部刺激非依存性子実体形成能を有することを特徴とするものである。
【0007】この発明の請求項2に記載の発明は、栄養生長期間が短いことを特徴とするシイタケ菌である。
【0008】また、この発明の請求項3に記載の発明は、外部刺激非依存性子実体形成能を有し、栄養生長期間が短いことを特徴とするシイタケ菌である。
【0009】さらに、この発明の請求項4に記載の発明は、新規なシイタケ菌MIL−LEW−H13−1(寄託番号FERM P−18234)である。
【0010】さらにまた、この発明の請求項5に記載の発明は、上記発明のシイタケ菌を栽培して得られたことを特徴とするシイタケ子実体である。
【0011】
【発明の実施の形態】この発明のシイタケ菌は、全国各地で採取された菌株を培養することにより見出されたもので、具体的には、オガクズ培地に接種したシイタケ菌を、子実体原基を発生させるために通常行われる、低温刺激、浸水や散水などの水処理、衝撃などの外部刺激を与えずに、温度25℃、湿度55〜65%、光照射は1日数回10分/回程度という条件で培養することにより、菌の特性・基質を測定したのである。
【0012】この発明のシイタケ菌は、上記の測定により、従来のシイタケ菌では全く認められなかった、外部刺激非依存性子実体形成能という特性を有することが認められ、さらに、菌床栽培においては、通常のシイタケ菌は、種菌の接種から子実体の形成までの期間(栄養生長期間)として70日以上を必要とするのに対し、この発明のシイタケ菌は、40日前後、より具体的には45日以下でよいという、栄養生長期間が非常に短いという特性も有することが認められた。
【0013】なお、この発明に属するシイタケ菌を、Lentinula edodes MIL−LEW−H13−1H44と表示し、工業技術院生命工学技術研究所に寄託し、寄託番号FERM P−18234が付与されている。
【0014】
【実施例】以下、このはつめいについて、具体的な実施例に基づいて詳述する。なお、比較のために用いたシイタケ菌は、国立の試験研究機関である森林総合研究所から分譲されたFMC2及びFMC29、株式会社秋山種菌研究所から購入したA−567である。
【0015】<栽培試験I>300mlメリクロンフラスコに、150gのオガクズ培地(ブナオガ:コーンブラン=4:1(質量比)、水分含量65%(質量比))を詰め、シイタケ菌を接種して、温度25℃、湿度55〜65%で培養した。光は、1日数回10分/回程度(培養室に入って電気をつけたとき、光が当たるという程度)照射された。散水や培養温度を下げるなどの刺激を与えるための操作は行わなかった。試験本数は20本で、子実体の傘と柄が、明確に区別できた時点を子実体形成日とし、種菌接種日からの日数を計測し、その結果を表1に纏めた。子実体の発生率は85%で、子実体が発生した17本の平均日数は40.76±1.09であった。また、FMC2及びA−567は、以上の条件では子実体原基の形成は認められなかった。
【0016】
【表1】

【0017】<栽培試験II>300mlメリクロンフラスコに、150gのオガクズ培地(ブナオガ:コーンブラン=4:1(質量比)、水分含量65%(質量比))を詰め、シイタケ菌糸(PDA寒天培地で前培養したもの)を接種して、温度25℃、暗黒下で培養した。培養日数40日、60日、80日で、フラスコ4本に菌を株取り出し、人工気象器(日本医化機器)に移して、5日間、温度15℃、湿度90%、照度7500ルクス(12時間/日)の条件できのこを発生させた。発生した芽数は表2の通りで、それぞれの観察結果は、以下の通りである。
【0018】<MIL−LEW−H13−1>培養40日で3〜8個の芽(子実体原基)ができ、これらは正常な子実体に生長した。発生形態は束生(株状発生)であったが、培養60日では40日の場合に比べて芽数は減少したが正常なきのこが発生し、束生ではあるものの大きなきのことなった。なお、培養80日は実施せず。
【0019】<FMC2>どの培養日数においても、子実体原基は認められなかった。
【0020】<A−567>培養40日では、子実体原基が形成されても子実体まで生長しなかった。培養60日では、少数の芽が子実体まで成長したものの、傘の開かない奇形きのこであった。培養80日では、少数の芽が正常な子実体に成長した。
【0021】
【表2】

【0022】<栽培試験III>ブナオガとテンパック(栄養体;森産業株式会社の登録商標)を質量比4:1で混合し、水分を63〜65%に調整した1.3kg菌床を、温度20℃、湿度60〜70%で空調栽培したところ、40日で蔓延し、低温刺激を与えないにもかかわらず、50日目で直径2cm程度のきのこが株状発生した。10菌床で試験したが、その発生率は100%で、きのこの発生場所は、主に菌床の肩下部分であった。
【0023】なお、同一条件で市販品の菌株(森産業株式会社:湧湧、丸丸)を90日間培養したのち、培養袋から取り出し、さらに180日間培養し、発生操作(低温刺激)して得た収量は約480gであった。
【0024】<菌糸生育試験>各菌株をディフコ(Difco)社製のポテト・デキストロース寒天培地(PDA)をライアンチューブに流し込んだところに植え付け、温度25℃で1週間放置後10日間の菌糸の伸長を測定し、表3に示した。表3における単位は、cm/10日である。
【0025】
【表3】

【0026】
【発明の効果】この発明のシイタケ菌は、外部刺激非依存性子実体形成能と、短縮された子実体形成期間を有するため、シイタケの栽培・培養技術の生産性を大きく向上させるものである。
【0027】通常、子実体を形成させるためには、低温刺激、浸水や散水などの水処理、衝撃などの外部刺激を与える必要があるが、そのような操作を、このシイタケ菌を用いれば省略でき、さらに、通常のシイタケ菌は、菌床栽培する場合、子実体形成に70日以上を必要とするのに対し、この発明のシイタケ菌は、40日前後で子実体を形成するので、該シイタケ菌を使用することにより、培養期間が非常に短く、生産性を著しく向上させることを可能とする。
【0028】さらに、このような新しい特性を利用し、従来公知のシイタケ菌と交配させることにより、新しい性質、特性を有する新規なシイタケ菌種を育種することを可能とした。
【出願人】 【識別番号】390039963
【氏名又は名称】森産業株式会社
【識別番号】596111690
【氏名又は名称】財団法人日本きのこ研究所
【出願日】 平成13年3月2日(2001.3.2)
【代理人】 【識別番号】100069903
【弁理士】
【氏名又は名称】幸田 全弘
【公開番号】 特開2002−253073(P2002−253073A)
【公開日】 平成14年9月10日(2002.9.10)
【出願番号】 特願2001−58836(P2001−58836)