座標入力具

トップ :: G 物理学 :: G06 計算;計数

【発明の名称】	座標入力具
【発明者】	【氏名】大橋勉
【要約】	【課題】小さな押圧力でスイッチをオンさせることができると共に、スイッチの長寿命化を図ることができる座標入力具を提供すること。【解決手段】筆記が開始されると、ペン先６３に押圧力が加わってインクカートリッジ６２が矢印Ｗ方向へスライドする。すると、遮光部６６ｂによって閉じられていた採光窓６１ｂが開放されて、フォトトランジスタ６７が外部からの光Ｌを検出する。この外部からの光Ｌの検出によってフォトトランジスタ６７が回路基板７０への通電をオンすると、ペン６０から交番磁界が発生して、ペン６０の位置座標を読み取らせることができる。よって、機械式接点スイッチを用いた場合と比較して、小さな押圧力で回路基板７０の通電スイッチをオンさせることができると共に、接点部の劣化が起こらないので、スイッチの長寿命化を図ることができる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】位置を指定するペンと、そのペンの位置を検出するために交番磁界を発生する発振回路と、その発振回路に前記交番磁界を発生させるための電力を供給する電源と、その電源から前記発振回路への通電と非通電とを切り換えるスイッチとを備えた座標入力具において、前記スイッチは、外部からの光を取り入れる採光窓と、その採光窓からの光を前記ペンで筆記が行われている場合に通過させ、逆に、前記ペンで筆記が行われていない場合に非通過とする遮光部材と、その遮光部材を介して前記採光窓から通過する光を検出して前記発振回路への通電を行う一方、前記採光窓から通過する光を検出できない場合に前記発振回路への通電を非通電とする第１光検出手段とを備えていることを特徴とする座標入力具。
【請求項２】前記第１光検出手段は、フォトトランジスタにより構成されていることを特徴とする請求項１記載の座標入力具。
【請求項３】前記スイッチの切り換え状態により発光と非発光とを切り換える発光手段と、その発光手段から照射される光量を前記ペンの押圧量に応じて変化させる光量変更手段と、その光量変更手段によって変化した光量を検出する第２光検出手段と、その第２光検出手段が検出した光量に応じて前記交番磁界を変化させる磁界変更手段とを備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の座標入力具。
【請求項４】前記磁界変更手段は、前記第２光検出手段によって検出された光量に応じて前記交番磁界の周波数を変調するものであることを特徴とする請求項３記載の座標入力具。
【請求項５】前記光量変更手段は、光の透過を妨げるマスク部の密度が所定の方向に変化するパターンスリットによって構成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の座標入力具。
【請求項６】前記第２光検出手段は、照射される光量に応じて抵抗値が変化する硫化カドミウムセル、または、照射される光量に応じて流れる電流値が変化するフォトダイオードにより構成されていることを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載の座標入力具。

【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペンから交番磁界を発生させて、そのペンの位置を検出する座標入力具に関し、特に、小さな押圧力でスイッチをオンさせることができると共に、そのスイッチの長寿命化を図ることができる座標入力具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】筆記された文字や図形を電気的に読み取る電子黒板では、座標入力具であるペンによって文字や図形が筆記されると共に、そのペン内に設けられたコイルによって交番磁界が発生され、その交番磁界が電子黒板の本体側において縦方向および横方向に直交する形で列設された複数のセンスコイルによって検出されることにより、ペンの位置座標が読み取られる。つまり、座標入力具であるペンによって文字や図形が筆記されている時にのみ交番磁界を発生させる必要があるため、ペンには、筆記または非筆記を検出してコイルへの通電と非通電とを切り換えるスイッチが設けられている。従来の座標入力具においては、このスイッチとして機械式接点を有したスイッチが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、機械式接点を有したスイッチでは、小さな押圧力で筆記された場合にスイッチが作動しないことがあるので、筆記が行われてもペンの位置を検出できないことがあるという問題点がある。特に、座標入力具としてインク式のペンを用いる場合には、小さな筆圧でも筆記することができるので、かかる問題点は顕著なものとなっている。また、機械式接点を有したスイッチは接点部が劣化しやすいので、スイッチの寿命が著しく短くなるという問題点がある。
【０００４】本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、小さな押圧力でスイッチをオンさせることができると共に、スイッチの長寿命化を図ることができる座標入力具を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために、請求項１に記載の座標入力具は、位置を指定するペンと、そのペンの位置を検出するために交番磁界を発生する発振回路と、その発振回路に前記交番磁界を発生させるための電力を供給する電源と、その電源から前記発振回路への通電と非通電とを切り換えるスイッチとを備えており、前記スイッチは、外部からの光を取り入れる採光窓と、その採光窓からの光を前記ペンで筆記が行われている場合に通過させ、逆に、前記ペンで筆記が行われていない場合に非通過とする遮光部材と、その遮光部材を介して前記採光窓から通過する光を検出して前記発振回路への通電を行う一方、前記採光窓から通過する光を検出できない場合に前記発振回路への通電を非通電とする第１光検出手段とを備えている。
【０００６】この請求項１記載の座標入力具によれば、ペンにより筆記が行われていない状態では、外部からの光は遮光部材によって遮られて、採光窓から通過しない。よって、第１光検出手段によって光が検出されず、その結果、電源からの発振回路への通電は非通電とされるので、発振回路から交番磁界は発生しない。一方、ペンにより筆記が行われると、外部からの光は遮光部材によって遮られず、採光窓から通過する。よって、第１光検出手段によって光が検出され、その結果、電源から発振回路への通電が行われて、発振回路から交番磁界が発生する。
【０００７】請求項２記載の座標入力具は、請求項１記載の座標入力具において、前記第１光検出手段は、フォトトランジスタにより構成されている。
【０００８】請求項３記載の座標入力具は、請求項１または２に記載の座標入力具において、前記スイッチの切り換え状態により発光と非発光とを切り換える発光手段と、その発光手段から照射される光量を前記ペンの押圧量に応じて変化させる光量変更手段と、その光量変更手段によって変化した光量を検出する第２光検出手段と、その第２光検出手段が検出した光量に応じて前記交番磁界を変化させる磁界変更手段とを備えている。
【０００９】この請求項３記載の座標入力具によれば、請求項１または２に記載の座標入力具と同様に作用する上、ペンにより筆記が行われてスイッチがオンされると、発光手段が発光する。発光手段から照射される光量は、光量変更手段によって、ペンの押圧量に応じて変化され、その変化された光量が第２光検出手段によって検出される。磁界変更手段は、第２光検出手段が検出した光量に応じて発振回路から発生する交番磁界を変化させる。
【００１０】請求項４記載の座標入力具は、請求項３記載の座標入力具において、前記磁界変更手段は、前記第２光検出手段によって検出された光量に応じて前記交番磁界の周波数を変調するものである。
【００１１】請求項５記載の座標入力具は、請求項３又は４に記載の座標入力具において、前記光量変更手段は、光の透過を妨げるマスク部の密度が所定の方向に変化するパターンスリットによって構成されている。
【００１２】請求項６記載の座標入力具は、請求項３から５のいずれかに記載の座標入力具において、前記第２光検出手段は、照射される光量に応じて抵抗値が変化する硫化カドミウムセル、または、照射される光量に応じて流れる電流値が変化するフォトダイオードにより構成されている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る座標入力具を、好ましい実施の形態である電子黒板１により説明する。この説明で電子黒板１とは、送信部であるペン６０により受信部である筆記パネル１０の筆記面２１ａ上に手書き文字や図形などを描くとともに、交番磁界を発生するペン６０の筆記面２１ａ上の位置を、筆記パネル１０の奥に敷設した複数のセンスコイル２３を備えた受信部により磁気結合して、その座標を読み取るものをいう。
【００１４】図１は、電子黒板１の主要構成を示す外観斜視図である。図１に示すように、電子黒板１には、筆記パネル１０と、筆記面２１ａに筆記を行うためのペン６０と、筆記された軌跡及びその軌跡を示すデータを消去するためのイレーサ４０とが備えられている。筆記パネル１０には、枠状のフレーム１１が設けられ、そのフレーム１１に、筆記パネル本体２０が組み込まれている。フレーム１１の前面下端には、その下端に沿って板状の台１２が前面に張り出す形で取り付けられている。台１２の上面には、ペン６０を差して収容するためのスタンド状の複数の凹部１２ａが形成され、その凹部１２ａの右側には、イレーサ４０などを置くための平面部１２ｂが形成されている。
【００１５】フレーム１１の前面右側には、操作部３０が設けられている。操作部３０には、操作音や警告音等の音を再生するスピーカ３１と、筆記面２１ａに筆記された内容を示すデータ（以下「筆記データ」と称す）を記憶したページ数を７セグメントのＬＥＤによって表示するページ数表示ＬＥＤ３２と、押す毎に１ページずつ戻るページ戻りボタン３３と、押す毎に１ページずつ送るページ送りボタン３４と、記憶されている筆記データを押す毎に１ページずつ消去する消去ボタン３５と、記憶されている筆記データをプリンタ２００（図２参照）へ出力するために押すプリンタ出力ボタン３６と、記憶されている筆記データをＰＣ１００（図２参照）へ出力するために押すＰＣ出力ボタン３７と、ペン６０の電池切れを報知する電池切れ報知用ＬＥＤ３９と、この電子黒板１を起動するために押す電源ボタン３８とが設けられている。
【００１６】フレーム１１の前面下部には、この電子黒板１の電源となる単２乾電池１４ａを４本収容するバッテリーケース１４が設けられており、そのバッテリーケース１４の前面には、蓋１４ｂが開閉可能に取り付けられている。バッテリーケース１４の右側には、スピーカ３１のボリューム調節つまみ１３ｃが設けられ、その右側にはコネクタ１３ｂ，１３ａが設けられている。図２は、電子黒板１にパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」と略記する）１００とプリンタ２００とを接続した状態を示す説明図であるが、この図２に示すように、コネクタ１３ｂには、プリンタ２００と接続された接続ケーブル２０４のプラグ２０２が接続され、コネクタ１３ａには、ＰＣ１００と接続された接続ケーブル１０４のプラグ１０２が接続される。かかる接続により、電子黒板１の筆記面２１ａに筆記された内容を示す筆記データをＰＣ１００へ出力して、ＰＣ１００のモニタ１０３に表示したり、或いは、該筆記データをプリンタ２００へ出力して、印刷用紙２０３に印刷することもできるのである。
【００１７】図１に示すようにフレーム１１の裏面上端の両端部には、この電子黒板１を壁に掛けるための金具１５，１５が取り付けられている。本実施の形態の筆記面２１ａの高さＨ１は９００ｍｍであり、幅Ｗ１は６００ｍｍである。また、フレーム１１及び台１２は、ＰＰ（ポリプロピレン）等の合成樹脂により軽量に形成されており、電子黒板１の総重量は１０ｋｇ以下である。
【００１８】次に、筆記パネル本体２０の構造について図３を参照して説明する。図３は、筆記パネル本体２０の各構成部材を示す説明図である。筆記パネル本体２０は、筆記面２１ａを構成する筆記シート２１と、板状のパネル２２と、センスコイル２３が敷設された枠形状の取付パネル２４と、板状のバックパネル２５とを順に積層した構造を有している。この実施の形態では、筆記シート２１は、貼り合わされたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムにより厚さ０．１ｍｍに形成されており、パネル２２は、アクリル樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）、ＰＣ（ポリカーボネート）等により厚さ３．０ｍｍに形成されている。また、取付パネル２４は、発泡スチロール等の発泡樹脂製材料により厚さ４０ｍｍに形成されており、バックパネル２５は、アルミニウム等の導電性材料により厚さ１．０ｍｍに形成されている。なお、筆記パネル本体２０の各端部を挟持するフレーム１１（図１参照）の全体の厚さは５０ｍｍである。
【００１９】図４を参照して、センスコイル２３の構成について説明する。図４（ａ）は、図３に示すセンスコイル２３の構成を一部を省略して示した説明図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すセンスコイル２３の幅及び重ねピッチを示す説明図である。なお、以下の説明では、センスコイル２３のうちＸ軸方向に配列されたセンスコイルをＸコイルと称し、Ｙ軸方向に配列されたセンスコイルをＹコイルと称している。また、図４（ａ）では、各センスコイル２３の重なり方を見やすくするために、各センスコイル２３の重なり部分に僅かな幅（隙間）を設けて図示している。
【００２０】図４（ａ）に示すように、Ｘ軸方向には、ペン６０及びイレーサ４０の（Ｘ，Ｙ）座標のＸ座標を検出するためのＸコイルがｍ本（Ｘ１～Ｘｍ）配設されており、また、Ｙ軸方向には、Ｘコイルと直交して、Ｙ座標を検出するためのＹコイルがｎ本（Ｙ１～Ｙｎ）配設されている。Ｘコイルの各端子２３ａは、後述するＸコイル切替え回路５０ａに接続されており、Ｙコイルの各端子２３ｂは、Ｙコイル切替え回路５０ｂに接続されている（図７参照）。Ｘコイル及びＹコイルは、それぞれ略矩形状に形成されており、矩形部分の長辺の長さは、それぞれＰ２Ｘ，Ｐ２Ｙとされている。
【００２１】図４（ｂ）に示すように、Ｘコイルの矩形部分の短辺の長さは、幅Ｐ１に形成され、隣接するＸコイルは、幅Ｐ１の１／２ピッチでそれぞれ重ねられている。同様に、Ｙコイルもそれぞれ幅Ｐ１に形成されており、隣接するＹコイルは、幅Ｐ１の１／２ピッチでそれぞれ重ねられている。この実施の形態では、Ｐ１＝５０ｍｍ、Ｐ２Ｘ＝６８０ｍｍ、Ｐ２Ｙ＝９８０ｍｍである。また、ｍ＝２２、ｎ＝３４である。更に、Ｘコイル及びＹコイルは、共に表面に絶縁皮膜層（例えば、エナメル層）を有する直径０．３４５ｍｍの銅線により形成されている。
【００２２】次に、図５及び図６を参照して、筆記面２１ａ上のペン６０の位置座標の検出方式について説明する。図５（ａ）は、Ｘコイル（Ｘ１～Ｘ３）の一部を示す説明図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＸコイル（Ｘ１～Ｘ３）に発生する電圧と幅方向の距離との関係を示すグラフであり、図５（ｃ）は、図５（ａ）に示すＸコイル（Ｘ１～Ｘ３）の相互に隣接するセンスコイル間の電圧差を示すグラフである。また、図６（ａ）は、位置座標テーブルをグラフ化して示す説明図であり、図６（ｂ）は、位置座標テーブルの説明図であり、図６（ｃ）は、各Ｘコイルから検出した検出値の記憶状態を示す説明図である。なお、図５（ａ）では、Ｘコイル（Ｘ１～Ｘ３）の重なり方を見やすくするために、その重なり部分に僅かな幅（隙間）を設けて図示している。
【００２３】図５において、Ｘコイル（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３）の中心線をそれぞれＣ１，Ｃ２，Ｃ３とし、Ｘコイル（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３）に発生する電圧をそれぞれｅｘ１，ｅｘ２，ｅｘ３とする。図５（ｂ）に示すように、電圧ｅｘ１～ｅｘ３は、それぞれセンスコイルの中心Ｃ１～Ｃ３において最大になり、長手方向の端部が近づくにつれて小さくなる単峰性を示す。なお、各コイルは、自己のヌル点、即ち電圧ｅｘ１，ｅｘ２，ｅｘ３が０となる点が隣接するコイルの中心の外側となるように、Ｘコイルの短辺の長さＰ１の１／２の幅で重ねられている。
【００２４】図５（ｃ）に示すように、Ｘコイル（Ｘ１～Ｘ３）の相互に隣接するセンスコイル間の電圧差は、センスコイルの中心Ｃ１～Ｃ３上でそれぞれ最大値を有し、センスコイルの中心とセンスコイルの長辺部分との中間点、つまり隣接するセンスコイルが重なった部分の中間点で零となるグラフとなる。例えば、図５（ｃ）において、（ｅｘ１－ｅｘ２）を示すグラフの実線で示す部分は、Ｘコイル（Ｘ１）の中心Ｃ１から、Ｘコイル（Ｘ１）の右辺とＸコイル（Ｘ２）の左辺との中間点Ｑ１までの距離（重ねピッチの１／２、つまりＰ１の１／４）における、センスコイル間の電圧差（ｅｘ１－ｅｘ２）を示している。
【００２５】コイル幅Ｐ１は５０ｍｍであるから、Ｐ１・１／４＝１２．５ｍｍである。図５（ｃ）において、電圧差（ｅｘ１－ｅｘ２）の特性を示す部分（実線で描いた部分）を８ｂｉｔのデジタルデータに変換すると、図６（ａ）に示すグラフが得られる。このグラフをテーブル形式に変換したものが、図６（ｂ）に示す位置座標テーブル５８ａである。この位置座標テーブル５８ａは、ＲＯＭ５８（図７参照）に記憶されており、ペン６０の位置座標の演算に用いられる。
【００２６】よって、例えば、ペン６０が点Ｑ２に存在する場合、電圧差（ｅｘ１－ｅｘ２）を検出し、その検出結果に基づいて位置座標テーブル５８ａを参照することにより、中心Ｃ１から点Ｑ２までの距離ΔＸ１がわかるので、点Ｑ２のＸ座標を求めることができるのである。なお、位置座標の算出の際に基準となるＸコイルは、図６（ｃ）に示す電圧値記憶エリア５９ａを用いて、次のように決定される。即ち、すべてのＸコイル（Ｘ１～Ｘｍ）をスキャンして、そのスキャンした電圧値ｅ１～ｅｍを電圧値記憶エリア５９ａに一旦記憶する。そして、記憶された電圧値ｅ１～ｅｍの中から最大の電圧値を示すＸコイルを、位置座標の基準となるＸコイルとするのである。上述した事例では、かかる処理によって、Ｘ１のＸコイルが位置座標の基準とされている。
【００２７】図７および図８を参照して、電子黒板１の主な電気的構成および座標読取処理について説明する。図７は、電子黒板１の電気的構成を示したブロック図であり、図８は、電子黒板１の座標読取処理を示したフローチャートである。
【００２８】制御部２に設けられたＣＰＵ５６は、Ｘコイル（Ｘ１～Ｘｍ）を順に選択するコイル選択信号を入出力回路（Ｉ／Ｏ）５３を介してＸコイル切替え回路５０ａに出力することにより、Ｘコイル（Ｘ１～Ｘｍ）のスキャンを行う（Ｓ３０２）。ペン６０から発生した交番磁界と、いずれかのＸコイルとの磁気結合によって発生した信号は、増幅器５０ｃによって増幅され、その増幅信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）５０ｄによって不要な帯域が濾波され、振幅検波回路５１によって振幅検波される。その振幅検波された信号は、Ａ／Ｄ変換回路５２によって振幅、つまり電圧値に対応したデジタル信号に変換され、入出力回路５３を介してＣＰＵ５６に入力される。ここで、後述するように、ペン６０からは、ＡＭ成分が少ない信号が発振されるので、Ａ／Ｄ変換回路５２によって振幅、つまり電圧値に対応したデジタル信号に変換する際の誤差を少なくすることが可能であり、ペン６０の位置を正確に読み取ることができる。
【００２９】ＣＰＵ５６がペン６０を検出したと判定すると（Ｓ３０４：Ｙｅｓ）、Ｘコイル（Ｘ１～Ｘｍ）をスキャンして入力されたデジタル信号によって示されるそれぞれの電圧値を、ＲＡＭ５９のＸコイル用の電圧値記憶エリア５９ａ（図６（ｃ）参照）に順次記憶していく（Ｓ３０６）。そして、ＣＰＵ５６は、ＲＡＭ５９に記憶された各電圧値に基づいてペン６０のＸ座標を演算する（Ｓ３０８）。
【００３０】ペン６０のＸ座標の演算が完了したら、各Ｙコイル（Ｙ１～Ｙｎ）のスキャンを実行し（Ｓ３１０）、各Ｙコイルから検出した電圧値をＲＡＭ５９のＹコイル用の電圧値記録エリアに記憶する（Ｓ３１２）。そして、ＣＰＵ５６は、前述のＳ３０８におけるＸ座標の演算と同じ手法を用いて、ペン６０のＹ座標を演算する（Ｓ３１４）。
【００３１】ペン６０のＸ座標、Ｙ座標を読み取ったら、次はバンドパスフィルタ５０ｄから出力された信号をリミッタ回路５４によって方形波のリミッタ出力信号に変換し、その後、ＦＳＫ復調回路５５に出力することにより、ペン属性（ペンの太さや色の情報）が判定される（Ｓ３１６，Ｓ３１８）。判定されたペン属性は、ペン６０のＸ座標、Ｙ座標と対応付けて、ＲＡＭ５９の所定のエリアに記憶される（Ｓ３２０）。なお、Ｓ３０２の処理により、ＣＰＵ５６がペン６０を検出しなかったと判定した場合には（Ｓ３０４：Ｎｏ）、Ｓ３０６～Ｓ３２０の各処理をスキップして、この座標読取処理を終了する。
【００３２】ＣＰＵ５６は、操作部３０に設けられた各種ボタン（図１参照）の操作により発生するスイッチング信号をＩ／Ｆ回路５７を介して取り込み、ＲＡＭ５９に格納されている位置座標データを記憶するページをページ単位で戻したり、送ったり、或いは位置座標データをページ単位で消去する等のページ処理を実行する。また、ＣＰＵ５６は、操作部３０に設けられた各種ボタンが押された際に発生するスイッチング信号に基づいて音声回路３１ａを動作させて、スピーカ（ＳＰ）３１から「ピー」、「ピッ」等の操作音を発声させる。
【００３３】次に、図９を参照して、ペン６０の構造を説明する。図９（ａ）は、筆記されていない状態におけるペン６０の内部構造を示した断面図であり、図９（ｂ）は、筆記されている状態におけるペン６０の内部構造を示した断面図である。図９（ａ）に示すように、ペン６０は略円筒形状の胴体部６１を備えており、その胴体部６１の内部には、交番磁界を発生させるコイルＬ１が配設されている。このコイルＬ１は、内径が１５ｍｍ程度で長さが１５ｍｍ程度に２００回巻きされて環状に形成されている。コイルＬ１は、筆記面２１ａ（図１参照）と当接する後述のペン先６３の先端から略２０ｍｍ程度離して配置されている。
【００３４】胴体部６１およびコイルＬ１の内側には、胴体部６１から取り出し可能なインクカートリッジ６２が配設され、このインクカートリッジ６２にはペン先６３が挿入されている。また、インクカートリッジ６２の外周には、摺動突起６２ａが突設されており、この摺動突起６２ａは胴体部６１の内周面に形成された摺動溝６１ａに摺動可能に挿嵌されている。よって、インクカートリッジ６２は、胴体部６１に対してその軸方向に摺動溝６１ａの長さ分だけ摺動（スライド）可能となっている。
【００３５】インクカートリッジ６２の後方（図９における右方）には、インクカートリッジ６２を矢印Ｎ方向へ付勢する圧縮バネ６４が配設されている。圧縮バネ６４の一端はインクカートリッジ６２に固着されると共に、その他端は胴体部６１に固着されている。よって、ペン６０により筆記が行われていない状態では、ペン先６３が矢印Ｗ方向へ押圧されていないので、図９（ａ）に示すように、ペン先６３およびインクカートリッジ６２は圧縮バネ６４の付勢力によって、図９（ａ）における左方（矢印Ｎ方向）へ伸長している。一方、ペン６０により筆記が行われている状態では、ペン先６３が矢印Ｗ方向へ押圧されるので、図９（ｂ）に示すように、ペン先６３およびインクカートリッジ６２は図９（ｂ）における右方（矢印Ｗ方向）へ収縮している。
【００３６】インクカートリッジ６２の後方における圧縮バネ６４の側方には、インクカートリッジ６２と共に胴体部６１の内部をスライドしながら発光する発光ダイオード（ＬＥＤ）６５が固着されている。このＬＥＤ６５は、ペン６０によって筆記が行われていない状態では、図９（ａ）に示すように、後述する硫化カドミウムセル（以下「Ｃｄｓ」と称す）６８におけるペン先６３側の端部上方に位置し、ペン６０によって筆記が行われている状態では、図９（ｂ）に示すように、Ｃｄｓ６８における反ペン先６３側の端部上方に位置している。
【００３７】インクカートリッジ６２の後端部近傍からは、略平板状の光調整部材６６が延出されている。光調整部材６６の略中央部には、光を通過させるための貫通孔６６ａが穿設されている。また、貫通孔６６ａよりも反ペン先６３側における光調整部材６６の先端部分には、光の通過を妨げる遮光部６６ｂが形成されている。一方、光調整部材６６の近傍における胴体部６１の側面には、胴体部６１の内部に外部からの光Ｌを取り入れる採光窓６１ｂが穿設されている。よって、ペン６０により筆記が行われていない状態では、図９（ａ）に示すように、採光窓６１ｂは遮光部６６ｂによって閉じられているので、胴体部６１の内部には外部からの光Ｌが取り入れられない。一方、ペン６０によって筆記が行われている状態では、図９（ｂ）に示すように、採光窓６１ｂは貫通孔６６ａによって開口されているので、胴体部６１の内部には外部からの光Ｌが取り入れられる。
【００３８】ここで、採光窓６１ｂ近傍における胴体部６１の内部には、外部から取り入れられた光Ｌを検出すると共に、回路基板７０（図１１参照）への通電と非通電とを切り換えるフォトトランジスタ６７が固着されている。ペン６０によって筆記が行われていない状態では、図９（ａ）に示すように、胴体部６１の内部には外部からの光Ｌが取り入れられないので、このフォトトランジスタ６７によって回路基板７０への通電がオフされる。一方、ペン６０によって筆記が行われている状態では、図９（ｂ）に示すように、胴体部６１の内部には外部からの光Ｌが取り入れられるので、このフォトトランジスタ６７によって回路基板７０への通電がオンされる。つまり、ペン６０によって筆記面２１ａに筆記を行っている時のみコイルＬ１から交番磁界が発生し、ペン６０の位置座標を読み取らせることができるのである。
【００３９】胴体部６１の内部には、コイルＬ１から交番磁界を発生させるための発振回路７２～７４（図１２参照）等が実装された回路基板７０と、この回路基板７０に電力を供給する電池７１と、発光ダイオード（ＬＥＤ）６５と、そのＬＥＤ６５が発する光を検出することによりインクカートリッジ６２のスライド量を検出するＣｄｓ６８とが配設されている。ＬＥＤ６５とＣｄｓ６８との間におけるＣｄｓ６８の表面部分には、インクカートリッジ６２のスライド量に応じて、Ｃｄｓ６８が受光するＬＥＤ６５の光量（光の強度）が変化するパターンスリット６９が貼着されている。
【００４０】図１０を参照して、パターンスリット６９の詳細について説明する。図１０は、パターンスリット６９の正面図である。図１０に示すように、パターンスリット６９は、透明な基材フィルム６９ａの上に光の透過を妨げるマスク部６９ｂが黒く印刷されている。このマスク部６９ｂは、複数の横長三角形により構成されており、パターンスリット６９全体としては、図１０における左方ほどマスク部６９ｂの密度が濃くなるように構成されている。
【００４１】ここで、図１０中の点線Ａは、図９（ａ）に示すペン６０により筆記が行われていない状態のＬＥＤ６５の位置であり、点線Ｂは、図９（ｂ）に示すインクカートリッジ６２がスライドされて圧縮バネ６４が完全に収縮した状態のＬＥＤ６５の位置である。このように、インクカートリッジ６２のスライド量に応じて、Ｃｄｓ６８が受光するＬＥＤ６５の光量が変化するので、ペン先６３への押圧量（筆圧）に応じて、線の太さを変化させた筆圧情報を出力することができる。また、パターンスリット６９を用いることにより、極めて簡単な構成によって、ペン先６３およびインクカートリッジ６２のスライド量に応じてＣｄｓ６８が検出する光量を変化させることができる。
【００４２】図１１は、回路基板７０への電力供給の状態を示した図である。図１１に示すように、回路基板７０は、電池７１とフォトトランジスタ６７と直列に接続されている。筆記が行われていない状態では、図９（ａ）に示すように、採光窓６１ｂは遮光部６６ｂによって閉じられている。よって、フォトトランジスタ６７は外部からの光Ｌを検出できずオフするので、非筆記状態では、電池７１からの回路基板７０への電力供給は行われず、ペン６０から交番磁界は発生しない。一方、筆記が行われている状態では、図９（ｂ）に示すように、ペン先６３に押圧力が加わってインクカートリッジ６２が矢印Ｗ方向へスライドするので、遮光部６６ｂによって閉じられていた採光窓６１ｂが開放されて、フォトトランジスタ６７が外部からの光Ｌを検出する。この外部からの光Ｌの検出によりフォトトランジスタ６７がオンするので、筆記状態では、電池７１から回路基板７０へ電力供給が行われ、ペン６０から交番磁界が発生する。
【００４３】次に、図１２を参照して、ペン６０の回路基板７０の構成を説明する。回路基板７０は、主に、ＬＣ発振回路７２と、ＦＳＫ回路７３と、ＣＲ発振回路７４とにより構成されている。ＣＲ発振回路７４は、ペンの色や太さ（細・中・太）等のペン属性と筆圧とを区別するために、その属性毎に異なる変調周波数ｆｍを発振させる回路である。ＬＣ発振回路７２は、ＣＲ発振回路７４から発振された変調周波数ｆｍの信号を搬送する搬送波Ｓ１を発振するための回路であり、また、ＦＳＫ回路７３は、ＬＣ発振回路７２の発振周波数をＣＲ発振回路７４の変調周波数ｆｍによってＦＳＫ(Frequency Shift Keying)変調するための回路である。ＬＣ発振回路７２の搬送波Ｓ１の周波数ｆｃは、ＣＲ発振回路７４の変調周波数ｆｍの１／２周期毎に、ＦＳＫ回路７３によって、周波数ｆｃ１と周波数ｆｃ２との２種類の周波数に切り替えられる。
【００４４】ＬＣ発振回路７２は、インバータＩＣ１と、帰還抵抗である１ＭΩの抵抗Ｒ１と、発振コイルであるコイルＬ１と、２つの１５００ｐＦのコンデンサＣ１，Ｃ２とにより構成されている。インバータＩＣ１と抵抗Ｒ１とコイルＬ１とは、それぞれ並列に接続されており、インバータＩＣ１の入力端子にはコンデンサＣ１の一端が接続され、一方、インバータＩＣ１の出力端子には、コンデンサＣ２の一端が接続されている。また、両コンデンサＣ１，Ｃ２の他端は共に接地されている。このＬＣ発振回路７２のコイルＬ１の発振周波数ｆｃ（次述するＦＳＫ回路７３の電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２がオフされた状態の搬送波Ｓ１の周波数ｆｃ１）は、コイルＬ１のインダクタンスとコンデンサＣ１，Ｃ２の容量とにより定まる時定数に従って決定される。
【００４５】ＦＳＫ回路７３は、２つの３００ｐＦのコンデンサＣ３，Ｃ４と、２つのＮ－ＭＯＳ電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２とにより構成されている。コンデンサＣ４の一端は、ＬＣ発振回路７２のインバータＩＣ１の入力端子に接続され、そのコンデンサＣ４の他端は、電界効果トランジスタＦＥＴ２のドレイン端子Ｄに接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴ２のソース端子Ｓは接地され、また、そのゲート端子Ｇは、ＣＲ発振回路７４の出力端に接続されている。一方、コンデンサＣ３の一端は、ＬＣ発振回路７２のインバータＩＣ１の出力端子に接続され、そのコンデンサＣ３の他端は、電界効果トランジスタＦＥＴ１のドレイン端子Ｄに接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース端子Ｓは接地され、また、そのゲート端子Ｇは、ＣＲ発振回路７４の出力端に接続されている。
【００４６】このＦＳＫ回路７３の電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は、ＣＲ発振回路７４からハイ電圧が出力され、そのハイ電圧が両ゲート端子Ｇに印加されると、ドレイン端子Ｄからソース端子Ｓへ電流が流れてオンする。電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２がオンすると、コンデンサＣ３，Ｃ４がＬＣ発振回路７２に接続される。逆に、電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２がオフすると、コンデンサＣ３，Ｃ４がＬＣ発振回路７２から非接続とされる。コンデンサＣ３，Ｃ４がＬＣ発振回路７２に接続されると、ＬＣ発振回路７２のコンデンサ容量が変化するので時定数も変化し、その結果、コイルＬ１の発振周波数ｆｃ（搬送波Ｓ１の周波数）は、周波数ｆｃ１から周波数ｆｃ２に変化する。即ち、ＦＳＫ回路７３によって、次述するＣＲ発振回路７４の１／２周期毎に、ＬＣ発振回路７２の発振周波数ｆｃが周波数ｆｃ１と周波数ｆｃ２とで切り替えられる。なお、両電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は、同一のタイミングでオンまたはオフするので、コンデンサＣ３，Ｃ４も、同一のタイミングで、ＬＣ発振回路７２に接続され、或いは、非接続とされる。
【００４７】ＣＲ発振回路７４は、２つのインバータＩＣ２，ＩＣ３と、１ＭΩの抵抗Ｒ２と、抵抗値が１ｋΩ～１００ｋΩの範囲で可変される硫化カドミウムセル（Ｃｄｓ）６８と、１００ｐＦのコンデンサＣ５とにより構成されている。インバータＩＣ２の出力端子は、インバータＩＣ３の入力端子に接続され、インバータＩＣ３の出力端子は、ＣＲ発振回路７４の出力端としてＦＳＫ回路７３の電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２の各ゲート端子Ｇに接続されると共に、コンデンサＣ５の一端に接続されている。コンデンサＣ５の他端は、抵抗Ｒ２およびＣｄｓ６８の一端にそれぞれ接続され、抵抗Ｒ２の他端はインバータＩＣ２の入力端子に、Ｃｄｓ６８の他端はインバータＩＣ２の出力端子およびインバータＩＣ３の入力端子に接続されている。
【００４８】このＣＲ発振回路７４の発振周波数、即ち、変調周波数ｆｍは、コンデンサＣ５の容量と抵抗Ｒ２及びＣｄｓ６８の抵抗値等に応じて決定される。ここで、Ｃｄｓ６８の抵抗値は、Ｃｄｓ６８に照射される光量に応じて変化するが、図９及び図１０を参照して説明した通り、そのＣｄｓ６８に照射されるＬＥＤ６５の光はパターンスリット６９の通過光であるので、その光量はペン先６３に加わる筆圧によって変化する。具体的には、大きな筆圧で筆記されている場合にはパターンスリット６９を通過する光量は大きくなり、逆に、小さな筆圧で筆記されている場合にはパターンスリット６９を通過する光量は小さくなる。従って、ペン先６３に加わる筆圧によって、ＣＲ発振回路７４の発振周波数（変調周波数ｆｍ）を変化させることができるので、かかる変調周波数ｆｍの変化（違い）により、受信部である筆記パネル１０では、ペンの色や太さ（細・中・太）等のペン属性に加えて、筆記時における筆圧までをも区別している。
【００４９】次に、ＬＣ発振回路７２とＦＳＫ回路７３とＣＲ発振回路７４との全体の動作について説明する。図１３（ａ）は、ＣＲ発振回路７４からロウ電圧が出力されている場合のＬＣ発振回路７２の等価回路である。ＦＳＫ回路７３の電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は共にオフされているので、コンデンサＣ３，Ｃ４はＬＣ発振回路７２に非接続とされている。よって、この場合のＬＣ発振回路７２の発振周波数、即ち、搬送波Ｓ１の周波数ｆｃ１は、fc1=1/[2π{(L1・C1・C2)/(C1+C2)}1/2 ]となる。
【００５０】一方、図１３（ｂ）は、ＣＲ発振回路７４からハイ電圧が出力されている場合のＬＣ発振回路７２の等価回路である。ＦＳＫ回路７３の電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は共にオンされているので、コンデンサＣ３，Ｃ４はＬＣ発振回路７２に接続される。よって、この場合のＬＣ発振回路７２の発振周波数、即ち、搬送波Ｓ１の周波数ｆｃ２は、fc2=1/[2π{(L・(C1+C4)(C2+C3))/(C1+C2+C3+C4)}1/2]となる。なお、本実施の形態においては、搬送波Ｓ１の中心周波数は４１０ｋＨｚ、周波数偏移は±１５ｋＨｚとしている。
【００５１】ここで、ペン６０のコイルＬ１から搬送波Ｓ１に基づいた交番磁界が発生すると、受信部である筆記パネル１０において、この交番磁界と磁気結合した所定のセンスコイル２３に誘起電流が誘起される。誘起電流は、振幅検波回路５１により振幅検波され、その振幅検波された信号の電圧値が、Ａ／Ｄ変換回路５２によりサンプリングされディジタル化されて記憶される（図７参照）。
【００５２】ところで、振幅検波された信号にＡＭ成分が含まれていると、読取の精度が低下して、ペン６０の位置を誤って検出してしまう。このため、搬送波Ｓ１のＡＭ成分を極力小さくすることが望ましい。搬送波Ｓ１のＡＭ成分は、搬送波Ｓ１の周波数を変調することにより生じる。即ち、搬送波Ｓ１を２種類の周波数に変調すると、搬送波Ｓ１の振幅（コイルの両端電圧）が周波数によって異なるために、搬送波Ｓ１にＡＭ成分が生じる。これに対し本願発明者は、コイルＬ１の両端電圧、即ち搬送波の振幅は、そのコイルＬ１の両端に接続されるコンデンサ容量の比により定まることを見出した。
【００５３】本実施の形態では、図１２及び図１３に示す通り、ＬＣ発振回路７２にＦＳＫ回路７３のコンデンサＣ３，Ｃ４が接続された場合と接続されない場合とで、コイルＬ１の両端に接続されるコンデンサ容量の比は略等しくされている。即ち、コンデンサＣ１＝コンデンサＣ２＝１５００ｐＦ、コンデンサＣ３＝コンデンサＣ４＝３００ｐＦとして、コイルＬ１の両端に接続されるコンデンサ容量の比を略等しくしている。よって、搬送波Ｓ１にＡＭ成分を含ませることなく、搬送波Ｓ１の周波数ｆｃを、周波数ｆｃ１と周波数ｆｃ２とに変調することができるのである。
【００５４】次に、図９及び図１１を参照して、ペン６０を使用する場合の動作について説明する。まず、ペン６０によって筆記が行われていない状態では、図９（ａ）に示すように、採光窓６１ｂは遮光部６６ｂによって閉じられている。よって、フォトトランジスタ６７は外部からの光Ｌを検出できないので、回路基板７０への通電をオフしたままである。
【００５５】ペン６０によって筆記が開始されると、ペン先６３に押圧力が加わってインクカートリッジ６２が矢印Ｗ方向へスライドする。すると、遮光部６６ｂによって閉じられていた採光窓６１ｂが開放されて、フォトトランジスタ６７が外部からの光Ｌを検出する。この外部からの光Ｌの検出によってフォトトランジスタ６７が回路基板７０への通電をオンし、ペン６０のコイルＬ１から交番磁界が発生する。ペン６０から交番磁界が発生すると、受信部である筆記パネル１０に、ペン６０の位置座標を読み取らせることができる。
【００５６】ここで、ペン先６３に加わる押圧力が大きいほど、インクカートリッジ６２の矢印Ｗ方向へのスライド量が大きくなるので、Ｃｄｓ６８が受光するＬＥＤ６５の光量が大きくなり、ＣＲ発振回路７４の発振周波数（変調周波数ｆｍ）が低い周波数に変化する。この変調周波数ｆｍの変化を筆圧情報として出力することにより、電子黒板１の本体側に認識させる線の太さを太く変化させることができる。逆に、ペン先６３に加わる押圧力が小さければ、インクカートリッジ６２の矢印Ｗ方向へのスライド量も小さくなるので、Ｃｄｓ６８が受光するＬＥＤ６５の光量が小さくなり、ＣＲ発振回路７４の発振周波数（変調周波数ｆｍ）が高い周波数に変化する。この変調周波数ｆｍの変化を筆圧情報として出力することにより、電子黒板１の本体側に認識させる線の太さを細く変化させることができる。
【００５７】ペン６０による筆記が終了すると、ペン先６３に加わる押圧力がなくなるので、圧縮バネ６４の付勢力によってインクカートリッジ６２は矢印Ｎ方向へスライドする。すると、採光窓６１ｂは遮光部６６ｂによって閉じられるので、フォトトランジスタ６７は外部からの光Ｌを検出できなくなる。よって、回路基板７０への通電がオフされ、ペン６０から交番磁界が発生しなくなる。
【００５８】以上説明したように、本実施の形態では、交番磁界を発生させる回路基板７０への通電のオンオフは、フォトトランジスタ６７のオンオフによって行われる。即ち、回路基板７０の通電切替スイッチを、フォトトランジスタ６７により構成しているので、該スイッチに機械式接点スイッチを用いた場合と比較して、小さな押圧力で回路基板７０への通電をオンさせることができる。つまり、小さな押圧力で筆記された場合にも、スイッチ６７を確実にオンさせて、ペン先６３の位置検出を筆記パネル１０に行わせることができるのである。また、該スイッチをフォトトランジスタ６７で構成することにより、機械式接点スイッチの場合のような接点部の劣化が起こらないので、スイッチの長寿命化を図ることができる。
【００５９】更に、ペン先６３に加わる押圧力が大きいほど、インクカートリッジ６２の矢印Ｗ方向（図９参照）へのスライド量が大きくなるので、硫化カドミウムセル（Ｃｄｓ）６８が受光するＬＥＤ６５の光量が大きくなり、ＣＲ発振回路７４の発振周波数（変調周波数ｆｍ）が変化する。よって、この変調周波数ｆｍの変化により、ペン先６３への押圧量（筆圧）に応じて線の太さを変化させた筆圧情報を出力することができ、筆記パネル１０において線の太さを調整することができるのである。
【００６０】次に、図１４を参照して、第２の実施の形態の回路基板８０の構成を説明する。第２の実施の形態の回路基板８０は、前記した図１２に示す回路基板７０に対して、ＣＲ発振回路８４の構成が変更されている。なお、他の構成は、前記した実施の形態の構成と同一であるので、同一の部分には同一の符号を付して、その説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６１】ＣＲ発振回路８４は、シュミットトリガタイプのインバータＩＣ４と、５００ｋΩの抵抗Ｒ３と、１０ｋΩの抵抗Ｒ４と、０．１μＦのコンデンサＣ６と、コンデンサ容量が１００ｐＦ～５００ｐＦの範囲で可変される可変容量コンデンサＣｖと、フォトダイオード７６とにより構成されている。インバータＩＣ４の出力端子は、ＣＲ発振回路８４の出力端としてＦＳＫ回路７３の電界効果トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２の各ゲート端子Ｇに接続されると共に、抵抗Ｒ３の一端に接続されている。この抵抗Ｒ３の他端は、インバータＩＣ４の入力端に接続されるとともに、コンデンサＣ６の一端に接続されている。コンデンサＣ６の他端は、可変容量コンデンサＣｖの一端と、抵抗Ｒ４の一端と、フォトダイオード７６のカソード端子に接続されている。フォトダイオード７６のアノード端子と可変容量コンデンサＣｖの他端とは接地されており、抵抗Ｒ４の他端はＶｃｃ端子にプルアップされている。
【００６２】このＣＲ発振回路８４の発振周波数、即ち、変調周波数ｆｍは、コンデンサＣ６及び可変容量コンデンサＣｖの合成容量と抵抗Ｒ３の抵抗値とインバータＩＣ４のヒステリシスの大きさに応じて決定される。ここで、可変容量コンデンサＣｖの容量は、フォトダイオード７６に照射される光量に応じて変化する。図９及び図１０を参照して説明した通り、フォトダイオード７６に照射されるＬＥＤ６５の光はパターンスリット６９の通過光であるので、その光量はペン先６３に加わる筆圧によって変化する。具体的には、大きな筆圧で筆記されている場合にはパターンスリット６９を通過する光量は大きくなり、逆に、小さな筆圧で筆記されている場合にはパターンスリット６９を通過する光量は小さくなる。従って、ペン先６３に加わる筆圧によって、ＣＲ発振回路８４の発振周波数（変調周波数ｆｍ）を変化させることができるので、かかる変調周波数ｆｍの変化（違い）により、受信部である筆記パネル１０では、ペンの色や太さ（細・中・太）等のペン属性に加えて、筆記時における筆圧までをも区別することができるのである。
【００６３】以上、実施の形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変形が可能であることは容易に推察できるものである。
【００６４】例えば、本実施の形態では、パターンスリット６９として、複数の横長三角形のマスク部６９ｂにより構成されたものを用いたが、そのマスク部６９ｂの形状等は限定されるものではない。例えば、所定の方向に向かうに従って濃淡が変化するグレイスケール等をパターンスリット６９として用いるようにしても良いのである。
【００６５】
【発明の効果】請求項１記載の座標入力具によれば、ペンによる筆記時に採光窓から光を通過させて、その光を検出してスイッチをオンし、発振回路から交番磁界を発生させている。光は僅かな隙間から通過するので、僅かな押圧力（筆圧）で光を通過させることができる。よって、機械式接点スイッチを用いた場合と比較して、小さな押圧力（筆圧）で筆記された場合にも、スイッチを確実にオンして交番磁界を発生させ、ペンの位置を検出することができるという効果がある。また、光の通過又は不通過によりスイッチをオン又はオフしていてるので、機械式接点スイッチを用いた場合と比較して、接点部の劣化が起こらない。よって、スイッチの長寿命化を図ることができるという効果がある。
【００６６】請求項２記載の座標入力具によれば、請求項１記載の座標入力具の奏する効果に加え、更に、第１光検出手段は、フォトトランジスタにより構成されているので、簡単な回路構成により、採光窓から通過した外部の光を検出することができるという効果がある。
【００６７】請求項３記載の座標入力具によれば、請求項１または２に記載の座標入力具の奏する効果に加え、更に、ペンにより筆記が行われると発光手段が発光するが、その発光手段から照射される光量は、光量変更手段によって、ペンの押圧量に応じて変化する。発振回路から発生する交番磁界は、この光量の変化に応じて変化するので、ペンの押圧量（筆圧）に応じた筆圧情報を出力することができるという効果がある。
【００６８】請求項４記載の座標入力具によれば、請求項３記載の座標入力具の奏する効果に加え、更に、ペンの押圧量による光量に応じて、発振回路から発生する交番磁界の周波数を変調しているので、ペンの押圧量（筆圧）に応じた筆圧情報を交番磁界の周波数により出力することができるという効果がある。
【００６９】請求項５記載の座標入力具によれば、請求項３又は４に記載の座標入力具の奏する効果に加え、更に、光量変更手段は、光の透過を妨げるマスク部の密度が所定の方向に変化するパターンスリットによって構成されているので、簡単な構成により、第２光検出手段が検出する光量を、ペンの押圧量（筆圧）に応じて変化させることができるという効果がある。
【００７０】請求項６記載の座標入力具によれば、請求項３から５のいずれかに記載の座標入力具の奏する効果に加え、更に、第２光検出手段は、照射される光量に応じて抵抗値が変化する硫化カドミウムセル、または、照射される光量に応じて流れる電流値が変化するフォトダイオードにより構成されているので、簡単な回路構成により、ペンの押圧量（筆圧）に応じた光量の変化を確実に検出することができるという効果がある。

【出願人】	【識別番号】０００００５２６７【氏名又は名称】ブラザー工業株式会社
【出願日】	平成１２年３月２１日（２０００．３．２１）
【代理人】	【識別番号】１００１０３０４５【弁理士】【氏名又は名称】兼子直久
【公開番号】	特開２００１－２６５５０９（Ｐ２００１－２６５５０９Ａ）
【公開日】	平成１３年９月２８日（２００１．９．２８）
【出願番号】	特願２０００－７７９６６（Ｐ２０００－７７９６６）