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【発明の名称】 電子写真感光体部材及び感光体部材の作成装置
【発明者】 【氏名】伊藤 彰浩
【要約】 【課題】高い機械的強度を有し、低コスト化が図れる単一層の感光体構成が可能で、かつ高感度で残留電位の少ない感光体を形成できる電子写真感光体部材およびその作成装置の提供。

【解決手段】（１）導電性基体上に少なくともＢとＰとＨを含んで構成され、かつＢとＰの含有量がそれぞれ全構成元素のうち３０〜５０ａｔｏｍｉｃ％であり、Ｈの含有量が全構成元素のうち０．５〜３０ａｔｏｍｉｃ％であるＢＰ：Ｈ層を有することを特徴とする電子写真感光体部材。（２）導電性基体上に、水素を含有する平均粒径０．３〜１０００ｎｍの炭素微粒子が、少なくとも炭素と水素を含有する非晶質粒間材中に分散されている光導電層を少なくとも有することを特徴とする電子写真感光体部材。（３）導電性基体上に設ける光導電層が１Ｂ族元素と３Ｂ族元素の多元酸化物を含み、前記各多元酸化物の構成元素が、酸素の原子数と１Ｂ族元素の原子数の比が１：０．４〜０．６で、酸素の原子数と３Ｂ族元素の原子数の比が１：０．４〜０．６であることを特徴とする電子写真感光体部材。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 導電性基体上に少なくともＢとＰとＨを含んで構成され、かつＢとＰの含有量がそれぞれ全構成元素のうち３０〜５０ａｔｏｍｉｃ％であり、Ｈの含有量が全構成元素のうち０．５〜３０ａｔｏｍｉｃ％であるＢＰ：Ｈ層を有することを特徴とする電子写真感光体部材。
【請求項２】 ＢＰ：Ｈ層中に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素及び／又はＣ，Ｓｉ，ＧｅとＳｎよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体部材。
【請求項３】 導電性基体上に、水素を含有する平均粒径０．３〜１０００ｎｍの炭素微粒子が、少なくとも炭素と水素を含有する非晶質粒間材中に分散されている光導電層を少なくとも有することを特徴とする電子写真感光体部材。
【請求項４】 炭素及び水素を含むガスを導入する原料ガス導入機構と少なくとも１つの微粒子作成プラズマ発生機構を有する微粒子生成室、該微粒子生成室の一部に設けられた孔を有するノズル、該ノズルの孔を介して空間的に接続され、その内部に基体が配置される膜形成室、及び前記膜形成室に設けられた膜形成用プラズマ発生機構とガス排気機構を少なくとも有して構成されたことを特徴とする請求項３記載の感光体部材の作成装置。
【請求項５】 導電性基体上に設ける光導電層が１Ｂ族元素と３Ｂ族元素の多元酸化物を含み、前記各多元酸化物の構成元素が、酸素の原子数と１Ｂ族元素の原子数の比が１：０．４〜０．６で、酸素の原子数と３Ｂ族元素の原子数の比が１：０．４〜０．６であることを特徴とする電子写真感光体部材。
【請求項６】 １Ｂ族元素がＣｕ及び／又はＡｇである多元酸化物、３Ｂ族元素がＧａ及び／又はＩｎである多元酸化物で、ＧａとＩｎを含有する場合にはその構成原子数の比が１：０〜１であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体部材。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明の電子写真感光体に関する従来の技術に関連する公知文献としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
（１）特公平７−５２３０３号公報０．５〜５ｅＶのバンドギャップを有する水素化無定型炭素からなる電荷発生層、電荷輸送層及びオーバーコーテイング層からなる光導電体。
（２）特開平９−６０２１号公報導電性基体上に光導電層を設けた電子写真感光体において、導電層がＳｅ、Ａｓ−Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｉ−Ｇｅ，ＺｎＯ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，アゾ顔料等の電荷発生物質からなる微粒子を分散させた水素化非晶質炭素膜からなる。
（３）特公平７−１０７６０７号公報導電性基体上に、Ｓｉ，Ｇｅ及び金属よりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を、これらの元素と炭素の合計に対する添加量が５〜９５ａｔｏｍｉｃ％含有する水素含有炭素膜からなる膜厚０．０１〜５μｍの接着層と、水素含有炭素を主成分とする膜厚５〜５０μｍの電荷輸送層と、アモルファスＳｉ，Ｓｅ−Ａｓ，ＣｄＳなどの無機物質やフタロシアニン系顔料からなる膜厚０．１〜５μｍの電荷発生層を積層した感光体。
（４）特開平１０−４５４０４号公報１〜５０ａｔｏｍｉｃ％の水素を含み、Ａｌ，Ｇａ，ＩｎのようなIII族元素の原子数の総和とＮの原子数の比が１：０．５〜１：２である非晶質光半導体，Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎの有機金属化合物と、放電エネルギー等により活性化Ｎを含む化合物を反応させることにより前記非晶質光半導体を作成する方法、ならびに該非晶質光半導体を用いた素子が開示され、この非晶質光半導体素子の応用例の１つとして電子写真感光体が挙げられている。
（５）特開平１０−２５６５７７号公報０．５〜４０ａｔｏｍｉｃ％の水素を含み、ＧａとＮに加えてＡｌ及び／又はＩｎを含む微結晶化合物半導体，Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎの有機金属化合物と、放電エネルギー等により活性化Ｎを含む化合物を反応させることにより該微結晶化合物半導体を作成する方法、ならびに、該微結晶化合物半導体を用いた素子が開示され、この微結晶化合物半導体素子の応用例の１つとして電子写真感光体が挙げられている。
【０００３】複写機、プリンターなどの電子写真応用製品は、近年、益々高速化、高耐久化及び高精細化が要求されてきている。これらの製品に用いられる感光体のうち、高速化、高耐久化に対応可能なものとして、高い機械的強度を有している無機材料からなる感光体が注目されている。また、高精細化には書き込み光の径を小さくする必要がある。そのため、光源の短波長化が進んでいて、感光体も４００ｎｍ程度の短い波長に感度をもつ感光体も望まれてきている。このような、動向に対応できるものとして、水素化非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を感光層に用いた感光体がある。無機材料である水素化Ｓｉを感光層に用いたものは、無機材料の特性を生かして高い機械的強度を有しているため、高耐久で高速な電子写真応用製品への搭載に適している。しかし、水素化非晶質Ｓｉ感光層は、従来、減圧プラズマＣＶＤ法で作成されているが、成膜速度が数μｍ／ｈｒであり、感光層に必要な２０〜８０μｍの膜厚を得るには長時間を要すること、さらには、これらの感光体の膜構成は、短波長に感度を持たせるためと高い暗抵抗を持たせるためａ−ＳｉＣ：Ｈ層とａ−Ｓｉ：Ｈ層の２層構成からなるものがほとんどである等の理由から、作成プロセスが複雑になり、かつ原料のシラン系ガスが高価であるため、コストの上昇をまねく要因になっている。
【０００４】そこで、ａ−Ｓｉ：Ｈ以外の無機材料でも、高い機械的強度をもつ感光体膜が検討されている。例えば、プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法などの気相合成法による水素化非晶質炭素膜を電子写真感光体部材として用いる例が開示されているが（特公平７−５２３０３、特公平７−１０７６０７）、しかし、未だ感光膜として実現されていない。このような気相合成法による、水素化非晶質炭素膜は、その膜構造として炭素間が１重結合のσ結合からなるダイヤモンド構造に近い相と炭素間が２重結合のπ結合が連なったグラファイト構造に近い相を混在してもつ。このダイヤモンド構造に近い相が水素化非晶質炭素膜の硬度、強度を高める効果をもち、ビッカース硬度２０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の膜を容易に作り得るし、また、このような気相合成法の原料は、メタン、エチレン、ベンゼンなどの有機物質であり安価である。しかし、この水素化非晶質炭素膜は、電子写真感光体部材として使用しようとする場合、電荷発生機能をもたせるのは、非常に困難となる。この理由は、ダイヤモンド構造はバンドギャップ５．５ｅＶであり、機械的強度を高めることは望めるが電荷発生機能と電荷輸送機能は望めず、完全なグラファイト構造は半金属であり、電荷輸送機能は望めるが電荷発生機能は望めないことによる。この水素化非晶質炭素膜のグラファイト構造に近い相のサイズを小さくすれば、電子構造の長周期性が無くなり、半金属から半導体となり電荷発生機能をもたせることが可能となる。さらには、このサイズが小さいほど、π電子の動ける領域が狭くなりバンドギャップが大きくなることが、井戸型ポテンシャルのモデルにより予測できる（Ｇ．Ｍ．Ｂａｒｒｏｗ： “Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ” ， ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ）。
【０００５】また、ＧａＩｎＮ：Ｈに代表される水素を含んだ窒素化IIIＢ族元素からなる高光感度をもつ光半導体素子を開示し、感光体部材として利用できることが示されているが（特開平１０−４５４０４、特開平１０−２５６５７７）、現時点では、感光体への具体的構成が示されていないし、Ｉｎの地殻存在量は小さく、将来の十分な供給が懸念される、と言う課題がある。また、この作成法は高価なＧａ、Ａｌ、Ｉｎの有機金属化合物を使用し大がかりな成膜装置を用いるため製造コストの上昇をまねくと予想される。
【０００６】上記ａ−Ｓｉ：Ｈ感光層やＧａＩｎＮ：Ｈ感光層の製造コスト上の問題を解決するため、安価な原料を用いてゾル・ゲル法等の簡便な成膜法により作成できるＺｎＯやＴｉＯ2などの酸化物を主体にした無機材料感光体の開発もなされてきている（高橋恭介他，Ｊａｐａｎ Ｈａｒｄｃｏｐｙ論文集，Ｖｏｌ．１９９７，４１（１９９７）。ＺｎＯやＴｉＯ2はバンドギャップが３．０〜３．２ｅＶであり、キャリア輸送材料（電荷輸送材料）としては適しているが単独では光キャリア発生材料にはなりえず、別途、有機色素による波長増感が必要となる。しかし、ゾル−ゲル法での焼成工程などでの加熱工程で有機色素の昇華や劣化を引き起こしやすく、無機材料の光キャリア発生材料（電荷発生材料）が望まれている。厚い酸化物電荷輸送材料に接して薄いａ−Ｓｉ：ＨやＧａＩｎＮ：Ｈなどの光キャリア発生層（電荷発生層）を設ける構成も考えられる。しかし、ａ−Ｓｉ：ＨやＧａＩｎＮ：Ｈは、前述の製造コスト上の問題のほかに、酸化物との接合部で高密度に発生する界面準位が引き起こす感光体の電気特性（感度、帯電能、暗抵抗、残留電位）の低下が問題となる。そこで、酸化物電荷輸送材料と電気的接合のとりやすい、酸化物電荷発生材料の使用が考えられる。近年、ＣｕＧａＯ2等のデラフォサイト構造多元酸化物が、透明導電性薄膜を狙って研究されてきており透明太陽電池などの光デバイスへの応用も期待されている（川副博司 他， 第４６回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集，６４４（１９９９）。この酸化物のバンド端は近紫外光領域にあるため、短波長光源に対応する感光体材料に使用できるポテンシャルをもっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一つの目的は、高い機械的強度を有し、低コスト化が図れる単一層の感光体構成が可能で、かつ高感度で残留電位の少ない感光体を形成できる電子写真感光体部材及びその作成装置を提供することである。本発明の他の目的は、ＣｕＧａＯ2系酸化物を無機感光体（特に酸化物無機感光体）に適用できる電子写真感光体部材を提供し、高い機械的強度をもつ無機材料からなり、低コストで作成可能な、短波長（３５０〜４５０ｎｍ程度）書き込み光源に対応する電子写真感光体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、導電性基体上に少なくともＢとＰとＨを含んで構成され、かつＢとＰの含有量がそれぞれ全構成元素のうち３０〜５０ａｔｏｍｉｃ％であり、Ｈの含有量が全構成元素のうち０．５〜３０ａｔｏｍｉｃ％であるＢＰ：Ｈ層を有することを特徴とする電子写真感光体部材を提供することにある。３Ｂ−５Ｂ化合物であるリン化ホウ素（ＢＰ）は、融点が３０００℃以上と高く、硬くて化学的にも安定な物質で、間接遷移のバンドギャップが２ｅＶであり光導電性を有する（Ｚ．Ｄ．Ｍｅｄｖｅｄｅｖａ，Ｊ．Ｈ．Ｇｒｅｅｎｂｅｒｇａｎｄ Ｅ．Ｇ．Ｚｕｋｏｖ，Ｋｒｉｓｔａｌｌ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｋ，Ｖｏｌ ４，４８７（１９６９））。このような特性をもつＢＰを主体にした非晶質構造又は多結晶構造の膜も、機械的強度が高く光導電性を有する。さらに、水素を含ませ層中の未結合電子をターミネートすることにより、光励起キャリアの再結合が少なくなり、輸送されるキャリアの消滅、トラップが少なくなり、熱励起キャリア濃度が小さくなることにより、十分な光キャリア発生能力と高いキャリア輸送能力と高い暗抵抗が得られる。しかし、ＢとＰの含有量がそれぞれ３０〜５０ａｔｏｍｉｃ％の範囲以外であると、上記ＢＰの特性が得られない。すなわち、水素の含有量が０．５ａｔｏｍｉｃ％以下であると、光導電性が見られない暗抵抗の小さい膜が得られ、また、水素の含有量が３０ａｔｏｍｉｃ％以上であると、柔らかく光導電性が見られない膜が得られる。ＢＰは間接遷移なので、直接遷移材料と比較して光の吸収係数は大きくなく層の深さ方向の全体で光キャリアが発生するので、該ＢＰ：Ｈ層は全域で、生成した電子と正孔を表面側又は基板側に同時に輸送する必要があるが、このＢＰ：Ｈ層は、両キャリアの輸送能力を有する。したがって、このＢＰ：Ｈ層が単一層で感光体膜をなすことが可能になり、製造プロセスが簡略になりコストの低減が可能になる。
【０００９】前記ＢＰ：Ｈ層の作成は、（ＣＨ3）3Ｂ，（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ，（Ｃ3Ｈ7）3Ｂ，（Ｃ4Ｈ9）3Ｂなどの有機ホウ素化合物と（ＣＨ3）3Ｐ，（Ｃ2Ｈ5）3Ｐ，（Ｃ3Ｈ7）3Ｐ，（Ｃ4Ｈ9）3Ｐなどの有機リン素化合物をプラズマにより分解し成膜するＣＶＤ法が成膜速度が大きくとれて望ましい。プラズマの周波数は、５０Ｋ〜２．４５Ｇｈｚである。放電は、連続放電に限らず、間欠放電を使用する場合もある。また、ＢＰをターゲットとし水素ガスを雰囲気ガスとしたレーザーアブレーション法も望ましい。さらに、ＢＰのターゲットを用い、希ガスと水素ガスによるスパッタリング法も取り得る。前記各元素の定量は、イオンマイクロアナリシス（ＩＭＡ）、マイクロオージェ分析（ＡＥＳ）等による。
【００１０】本発明の第二は、前記第一の電子写真感光体部材において、ＢＰ：Ｈ層中に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素及び／又はＣ，Ｓｉ，ＧｅとＳｎよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする電子写真感光体部材を提供することにある。前記第一の電子写真感光体部材において、ＢＰ：Ｈ層中に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を添加することにより、ＢＰ：Ｈ層をｎ−型に制御でき、感光体の電気特性（帯電能、感度）を向上させることができる。前記第一の電子写真感光体部材の成膜法で、ＣＨ4、ＳｉＨ4、（ＣＨ3）4Ｇｅ，（ＣＨ3）4Ｓｎのような、ガス上で添加する場合もあり、ＢＰ，Ｂターゲットにあらかじめ添加する場合もある。また、前記第一の電子写真感光体部材において、ＢＰ：Ｈ層中に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を添加することにより、ＢＰ：Ｈ層をｐ−型に制御でき、感光体の電気特性を向上させることができる。上記列記した成膜法で、（ＣＨ3Ｃ5Ｈ4）2Ｍｇ，（ＣＨ3）2Ｚｎのような、ガス上で添加する場合もあり、ＢＰ、Ｂターゲットにあらかじめ添加する場合もある。さらに、前記第一の電子写真感光体部材において、ＢＰ：Ｈ層中に、Ｃ，Ｓｉ，ＧｅとＳｎよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素とＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする電子写真感光体部材がより好ましい。すなわち、前記のようにＢＰ：Ｈ層中に、ｎ−型及びｐ−型制御元素の両者を含むことにより、ｐ，ｎ性、抵抗値、光感度を最適化できるようになるので、ＢＰ：Ｈ層が単一層で感光体膜をなすことがより可能になり、また、製造プロセスが簡略になりコストの低減がより可能になる。
【００１１】前記第１〜２のＢＰ：Ｈ層を用いた感光体構成例を以下に示す。導電性基体上に該光導電層の単一層で電子写真感光体を形成する場合もあり、（図１）、導電性基体に接してブロッキング層、最表面に、表面保護層を設ける場合もある（図２）。また、該ＢＰ：Ｈ層は前述のように高いキャリア輸送能力をもつので、該ＢＰ：Ｈ層の上面又は下面に接して電荷発生層を設け、該ＢＰ：Ｈ層を電荷輸送層として機能させる構成を採用しても良い。
【００１２】本発明の第三は、導電性基体上に、水素を含有する平均粒径０．３〜１０００ｎｍの炭素微粒子が、少なくとも炭素と水素を含有する非晶質粒間材中に分散されている光導電層を少なくとも有することを特徴とする電子写真感光体部材を提供することにある。上述のように水素を含有する炭素微粒子を含む膜構造とすることにより、水素を含有する炭素微粒子中のグラファイト構造に近い相のサイズも小さくなり、水素を含有する炭素微粒子が書き込み光による電荷発生機能及び電荷輸送機能を得ることが可能となる。したがって、この電子写真感光体部材によると、光導電層を安価な原料を使用して、高い機械的強度と書き込み光による電荷発生機能及び電荷輸送機能を有する主に炭素と水素を含む大部分又は全て非晶質構造である水素化炭素膜の作成を可能にする。また、この水素化炭素膜中の水素を含有する炭素微粒子のサイズは、良好な電荷発生機能を得るには平均粒径０．３ｎｍ〜１０００ｎｍであることが必要であり、好ましくは、平均粒径０．３ｎｍ〜５０ｎｍである。前記粒径の、層の断面透過電子線顕微鏡観察による。
【００１３】前記の水素を含有する炭素非晶質粒間材は、電子写真感光体に高い帯電能を持たせながら、書き込み光により発生する電荷を輸送するためには、暗抵抗が１．０Ｅ＋１１〜１．０Ｅ＋１４Ω・ｃｍであることが望ましい。また、水素を含有する炭素微粒子及び非晶質粒間材ともに、膜中での書き込み光による発生電荷及び輸送される電荷の再結合を防ぐために、炭素原子の未結合手の密度を低減する役割の水素原子を含有することが必要である。この水素含有率は、炭素と水素の合計に対し、０．１〜４０ａｔｍ％であることが望ましい。この電子写真感光体の光導電層は、水素を含有する炭素微粒子中で、結晶構造に近い構造をとることがあるが、層全体としては、非晶質構造が大部分であり、機械強度は従来例の水素化非晶質炭素膜と同等である。また、この水素を含有する炭素微粒子と炭素と水素を含有する炭素非晶質粒間材中に、Ｂ又はＰをドーピングし感光体の電気特性を制御することも可能である。さらに、前記の水素を含有する炭素微粒子と炭素とＨを含有する炭素非晶質粒間材中に、炭素とＳｉの合計に対し、１〜５０ａｔｍ％のＳｉを含有させ、感光体の電気特性を制御することも可能である。なお、前記各元素の定量は、イオンマイクロアナリシス（ＩＭＡ）、マイクロオージェ分析（ＡＥＳ）等による。
【００１４】この水素を含有する炭素微粒子と炭素と水素を含有する炭素非晶質粒間材を用いた感光体部材の構成例を以下に示す。導電性基体９０１上に前記光導電層１０１の単一層で電子写真感光体部材を形成する場合（図４）、前記図４の電子写真感光体部材の導電性基体９０１に接してブロッキング層１０４を設ける場合（図５）、光導電層１０１の上面又は下面に接して電荷輸送層１０６を設ける場合もある（図６）。さらに、これら電子写真感光体部材の最表面には表面保護層１０５を設けても良い。
【００１５】本発明の第四は、図７にその基本構成の一例を示すように、炭素及び水素を含むガスを導入する原料ガス導入部３１１と少なくとも１つの微粒子作成プラズマ発生機構３０３を有する微粒子生成室３０１、該微粒子生成室３０１の一部に設けられた孔を有するノズル３１０、該ノズル３１０の孔を介して空間的に接続され、その内部に基体が配置される膜形成室４０１、及び前記膜形成室中に設けられた膜形成用プラズマ発生機構とガス排気機構を少なくとも有して構成されたことを特徴とする前記第三の感光体部材の作成装置を提供することにある。前記の感光体部材作成装置の基本動作を以下に説明する。微粒子生成室においてプラズマ法により短時間に高収率で水素を含有する炭素微粒子を作成し、次に、連続プロセスで、この水素を含有する炭素微粒子を効率良く膜形成室４０１の基体に輸送し、ＲＦプラズマ法により水素を含有する炭素非晶質粒間材中に水素を含有する炭素微粒子が分散した構造の該感光体層を作成する。前記装置を使用することにより、原料ガス利用効率が高く、かつ低コストな膜作成が可能になる。
【００１６】以下に前記作成装置の構成、動作をさらに詳しく述べる。微粒子生成用プラズマ発生機構は、プラズマの発生方式は限定されない。本装置で使用するプラズマの発生方式例を挙げれば次のようなものがある。
（１）微粒子生成室３０１の一部を石英、パイレックス（登録商標）、アルミナ、ジルコニア等の低誘電損失材からなる管の外部に設けた容量結合電極３０４又は誘導結合電極に５０Ｋ〜４００ＭＨｚの高周波を印加し低温プラズマを発生させる機構（図８）。
（２）該低誘電損失材からなる管の外側を導波管３０５で囲みマイクロ波を導入し低温プラズマを発生させる機構（図９）。
（３）該低誘電損失材からなる管の外側に設けた誘導結合電極に５０Ｋ〜１００ＭＨｚの高周波を印加し熱プラズマを発生させる機構（図１０）。放電のタイミングは、連続放電に限らず、間欠放電を使用する場合もある。該微粒子生成室のプロセス圧力は、２０〜１０００００Ｐａが望ましい。
【００１７】原料ガス導入機構より導入するガスは、１種又は複数種のガスで、いずれかのガスの構成原子として炭素及び水素を含むガスである。例をあげれば、メタン、エタン、プロパン、エチレン、ブタジエン、アセチレンのような脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素である。これらの炭素及び水素を含むガスは、主に水素を含有する炭素微粒子を形成する原料となり、他の１部は非晶質粒間材を形成するための原料となる。場合によりこれらの原料ガスと同時に、Ｈ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，ＣＯ2，Ｎ2Ｏなどのガスも導入する場合がある。さらに、これらのガスに該光導電層の価電子制御のためＢ2Ｈ6，Ｂ（ＣＨ3）3，Ｂ（Ｃ2Ｈ5）3，ＰＨ3，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3等のガスを添加する場合もある。さらに、電子写真特性を制御するため、ＳｉＨ４，Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガスを導入する場合もある。
【００１８】前記原料ガス導入部と該ノズル先端部の間又は膜形成室に、非晶質粒間材を形成するための原料となる、少なくとも１つの補助ガス導入機構を設ける場合がある。補助ガス導入機構から導入するガスは、原料ガスと同様であり、１種又は複数種のガスで、いずれかのガスの構成原子として炭素及び水素を含むガスである。例をあげれば、メタン、エタン、プロパン、エチレン、ブタジエン、アセチレンのような脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素である。場合によりこれらの原料ガスと同時に、Ｈ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，ＣＯ2，Ｎ2Ｏなどのガスも導入する場合がある。さらに、これらのガスに該光導電層の価電子制御のためＢ2Ｈ6，Ｂ（ＣＨ3）3，Ｂ（Ｃ2Ｈ5）3，ＰＨ3，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3等のガスを添加する場合もある。さらに、電子写真特性を制御するため、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガスを導入する場合もある。
【００１９】前記膜形成室設ける膜形成用プラズマ発生機構は、基体に高周波を印加する場合と、該基体周辺に必要に応じ湾曲する平面電極を設け該平面電極に高周波を印加する場合がある。これらの高周波の周波数は５０Ｋ〜４００ＭＨｚである。このプラズマのエネルギーにより、微粒子形成室から導入される微粒子の形成を行わなかったガス種と場合により設けることがある該補助ガス導入機構から導入されるガスにより粒間材を形成すると同時に、微粒子形成室から導入される水素を含有する炭素微粒子を取り込み該光導電層形成する。放電のタイミングは、連続放電に限らず、間欠放電を使用する場合もある。基体の内側又は外側に設けたヒータ、ランプにより、該基体を、室温〜４００℃まで加熱する加熱機構機構を設ける場合がある。膜形成室のプロセス圧力は、１．３〜１０００Ｐａが望ましい。
【００２０】本発明の第５は、導電性基体上に設ける光導電層が１Ｂ族元素の多元酸化物と３Ｂ族元素の多元酸化物を含み、前記各多元酸化物の構成元素が、Ｏの原子数と１Ｂ族元素の原子数の比が１：０．４〜０．６で、Ｏの原子数と３Ｂ族元素の原子数の比が１：０．４〜０．６であることを特徴とする電子写真感光体部材を提供することにある。
【００２１】本発明の第６は、前記第５の電子写真感光体部材において、光導電層が１Ｂ族の元素がＣｕ及び／又はＡｇ、３Ｂ族元素がＧａ及び／又はＩｎである多元酸化物で、ＧａとＩｎを含有する場合、その構成原子数の比が１：０〜１であることを特徴とする電子写真感光体部材を提供することにある。
【００２２】前記第５〜６の電子写真感光体部材において、１Ｂ族元素としては、Ｃｕ及び／又はＡｇが挙げられる。３Ｂ族元素としては、Ｇａ及び／又はＩｎが挙げられる。この多元酸化物の組成は、１Ｂ：３Ｂ：Ｏの比が１：１：２であることがもっとも好ましが、０．８〜１．２：０．８〜１．２：１．０の範囲でも光感度を有する。また、この多元酸化物の構造は、多結晶であっても非晶質であっても光感度を有する。前記電子写真感光体部材において、Ｃｕ／Ａｇ含有原子数比が小さくなると、分光感度波長が長波長までのびる。また、前記電子写真感光体部材において、ＧａとＩｎの構成原子数の比は１：０〜１が好ましい。Ｇａ／Ｉｎ含有原子数比が小さくなると、分光感度波長が長波長までのびる。また、ＧａとＩｎの構成原子数の比が１：１以上になると、Ｉｎ2Ｏ3とＣｕ2Ｏなどの相に分離し、安定して光感度を得るのは困難になる。
【００２３】この電子写真感光体部材の構成例としては、前記多元酸化物が酸化物電荷輸送材と接していることを特徴とする電子写真感光体部材が挙げられる。前記多元酸化物１０２が単独で電荷発生層を形成し光導電層１０１をなし、酸化物電荷輸送層１０３と積層される場合（図１１）、粉体状の前記多元酸化物１０９が酸化物電荷輸送材１０８中に分散して光導電層１０１をなす場合がある（図１２）。図１２の粉体形状の多元酸化物１０９の粒径は、高精細の画像品質を得るにはトナーサイズ以下が好ましく、５μｍ以下が望ましい。また、良好な電気的接合がえられるので、前記多元酸化物が接する電荷輸送材は酸化物であることが望ましい。すなわち、（１）多元酸化物が酸化物電荷輸送材と接しているので、界面の電気的接合が良好になり、高い感光体電気特性が得られる。
（２）ゾル−ゲル法や常圧ＣＶＤなどの低コストで作成できる手法が選べる酸化物電荷輸層との組み合わせて感光体を作成できるため、より低コストで機械的強度の高い感光体を作成できる。
前記酸化物電荷輸送材としては、ＺｎＯ，ＴｉＯ2，Ｖ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＣｏＯ，ＮｉＯ，Ｇａ2Ｏ3，ＳｎＯ2など及びこれらの混合物が挙げられる。なお、前記各元素の定量は、イオンマイクロアナリシス（ＩＭＡ）、マイクロオージェ分析（ＡＥＳ）等による。
【００２４】以下に、前記の多元酸化物粉体、又はその焼結体の作成例を挙げる。
Ａ．多元酸化物粉体、又はその焼結体の作成例（１）必要量を秤量したＣｕ2Ｏ，Ａｇ2Ｏ，Ｇａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3酸化物をボールミル等で粉砕混合し、次に、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中で、６００〜９５０℃で加熱処理を行う。必要に応じてホットプレス工程を同時に行う。この時点で、（１Ｂ）（３Ｂ）Ｏ2の多結晶が得られる。
（２）必要量を秤量したＣｕ，Ａｇ，Ｇａ，Ｉｎ金属を石英アンプルやアルミナボートに入れ、１〜５００Ｐａの酸素分圧の条件下、１０００℃程度に加熱溶融し酸化た後、急冷すると（１Ｂ）（３Ｂ）Ｏ2の多結晶が得られる。この後、必要に応じて不活性ガス雰囲気中ホットプレス工程を行う。
Ｂ．多元酸化物電荷発生層の作成例を挙げる。
（１）上述のＡ（１）でホットプレスして作成した多元酸化物をターゲットとして、Ａｒ等の不活性ガスを用いスパッタリング法により該多元酸化物電荷発生層を作成する。必要に応じ基体の温度を室温〜５００℃に保つ。
（２）上記Ａ（１）で作成したホットプレスした多元酸化物をターゲットとして、レーザーアブレーション法により多元酸化物電荷発生層を作成する。必要に応じ基体の温度を室温〜５００℃に保つ。
（３）１×Ｅ−５〜１Ｐａの酸素分圧下、電子ビーム加熱法、抵抗加熱法等、レザー加熱法等によりＣｕ，Ａｇ，Ｇａ，Ｉｎ金属を蒸発させ基体上に該多元酸化物電荷発生層を作成する。必要に応じ高周波を印可したコイル等により蒸発金属を活性化する手段を用いる。また、必要に応じ基体の温度を室温〜５００℃に保つ。
（４）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法等、レザー加熱法等によりＣｕ，Ａｇ，Ｇａ，Ｉｎ金属を蒸発させ基体上に多元金属膜を作成した後、制御された酸素分圧下基体の温度を１００〜５００℃に加熱し該多元酸化物電荷発生層を作成する。この場合、膜構造は非晶質である。
Ｃ．該多元酸化物粒子が酸化物電荷輸送材中に分散した層（多元酸化物粒子分散層）の作成例を挙げる。
前記Ａにより作成した該多元酸化物粉体をボールミルで粉砕した後、この多元酸化物粉体を、酸化物電荷輸送材となる金属のアルコキシド化物を溶かしたアルコール溶液中に懸濁させる。この後は、一般に知られるゾル−ゲル法と同じ工程を行う。弱酸性の水とアルコールを加える。次にこの溶液中に基体を浸漬し、引き上げ基体上に塗布されたゲル状膜を作成する。室温放置後、基体を加熱焼結し、多元酸化物粒子が分散した層を作成する。
【００２５】前記の電子写真感光体部材を用いた電子写真感光体の構成例を挙げる。導電性基体上に該光導電層１０１の単一層で電子写真感光体を形成する場合もあり（図１３）、前記光導電層１０１の上面又は下面に接して電荷輸送層１０６を設ける場合もある。また、導電性基体に接してブロッキング層１０４、最表面に、表面保護層１０５を設ける場合もある（図１４）。
【００２６】前記各本発明の電子写真感光体部材で使用する導電性基体としては、Ａｌ、ステンレス，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｔａ，Ｐｔ等の金属，又は，プラスチック，セラミック，ガラス表面をＡｌ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ2等の導電性材料で被覆したものからなるものが挙げられる。前記ブロッキング層の例として、該導電性基体表面を陽極酸化処理等を施し金属の酸化物層を形成する場合や、ゾルゲル法等により該導電性基体表面にＡｌ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＴｉＯ2等の酸化物層を形成する場合がある。さらに、Ｐ又はＢ原子をドープしたａ−Ｃ：Ｈ膜、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の場合もある。さらには、高濃度にｎ−，ｐ−型にドープした該ＢＰ：Ｈ層の場合もある。
【００２７】該電荷輸送層としてスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法で作成したａ−Ｓｉ：Ｈ（水素化非晶質シリコン）、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｈ、ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｈ、ａ−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ、ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｎ：Ｈ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｃ：Ｎ：Ｈ等からなる層や、ゾルゲル法、プラズマ溶射等で作成したＺｎＯ，ＴｉＯ2、Ｖ2Ｏ5、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｇａ2Ｏ3、ＳｎＯ2など及びこれらの混合物が挙げられる。該表面保護層の例として、スパッタリング法、ＣＶＤ法によるａ−Ｃ，ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｈ等の層がある。
【００２８】該電荷発生層としては、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法で作成したａ−Ｓｉ：Ｈ（水素化非晶質シリコン），ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｎ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｃ：Ｎ：Ｈ，ＧａＩｎＮ：Ｈ，ＧａＰ：Ｈ等からなる層や、ゾルゲル法、プラズマ溶射等で作成した，ＺｎＯ，Ｃｕ2Ｏ等らなる層がある。放電のタイミングは、連続放電に限らず、間欠放電を使用する場合もある。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を示す。
【００３０】実施例１図３に基づいて請求項１と２の電子写真感光体部材の作成装置の構成を述べる。膜形成室４０１はステンレス製円筒状外壁をもち、該円筒の中心軸を同じくして円筒状基体９０１を配置し、該基体円筒軸９０１を中心として１０ｒｐｍで回転させる機構を有する。また、基体に高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、加熱できる機構を有する。この高周波放電方式は、間欠放電型であり、５ｍｓｅｃ間ＯＮして５ｍｓｅｃ間ＯＦＦするサイクルを繰り返す。基体９０１を筒状外壁と空間的に連続して第１、第２の原料供給・プラズマ発生部３０１Ｐ、３０２Ｐを有する。プラズマ発生部３０１Ｐ、３０２Ｐは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波によりガスをプラズマ状態にする機能を有する。さらに、円筒状外壁に補助ガス導入系が接続されている。膜形成室は、２つのバルブを介し２つの排気系に連結している。それぞれ拡散ポンプとメカニカルブースターポンプが接続されている。
【００３１】次に、前記装置を用いた成膜プロセスについて説明する。外径４０ｍｍ、長さ３００ｍｍのＡｌ製の円筒状基体９０１を機械加工により超仕上げした後、上記成膜装置の膜形成室４０１にセットする。膜形成室４０１を拡散ポンプで１×１０-4Ｐａ以下まで排気する。基体９０１を昇温し、以下の成膜プロセス中３５０℃に保つ。補助ガス導入系からＳｉＨ４を２０ｐｐｍと（Ｃ2Ｈ4）2Ｚｎ（（株）トリケミカル研究所製）を５０ｐｐｍ含むＨ2ガスを１００ｓｃｃｍ導入する。同時に、排気ポンプをメカニカルブースターポンプに切り替える。第１の原料供給・プラズマ発生部３０１にＨｅキャリアガスのバブリングによりトリエチルボロン（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ（（株）トリケミカル研究所製）を２００ｓｃｃｍ相当導入する。同時に第２の原料供給・プラズマ発生部３０２にＨｅキャリアガスのバブリングによりトリメチルホスフィン（ＣＨ3）3Ｐ（（株）トリケミカル研究所 製）を２００ｓｃｃｍ相当導入する。補助ガス導入系からＨ2ガスを１００ｓｃｃｍ導入する。この状態で、膜形成室の圧力は６７０Ｐａである。つぎに、第１の原料供給・プラズマ発生部３０１Ｐに２００Ｗ、第２の原料供給・プラズマ発生部３０２Ｐに２００Ｗのマイクロ波電力を投入する。同時に、基体に１００Ｗの高周波を投入する。上記プロセスで作成する厚さ２０μｍの微粒子分散構造光導電層の試料を取り出し、複写スピードが７５ｐｐｍの高速乾式複写機に装填し，画像評価試験を行う。このとき書き込みに用いた半導体レーザーの波長は４００ｎｍであり，光量は３０μＷ／ｃｍ2，光ビーム径を５０μｍとする。帯電方式はスコロトロン方式で，印加電圧を６ＫＶとする。また、現像は２成分現像剤を用いて，磁気ブラシ現像法を用いる。良好な解像度の画像が得られる。
【００３２】実施例２図７に基づいて請求項３の電子写真感光体部材の作成装置の構成を述べる。外径４０ｍｍの長さ３００ｍｍのＡｌ製の円筒状基体９０１を機械加工により超仕上げした後、本発明の成膜装置の膜形成室４０１にセットした。使用した成膜装置は、石英管を主体にした微粒子生成室３０１を有し、この石英管を囲むように微粒子生成誘導結合高周波（１３．５６ＭＨｚ）プラズマ発生機構３０３が配置されている。ステンレス製外壁からなる膜形成室４０１は、２つのバルブを介し２つの排気系に連結している。それぞれ拡散ポンプとメカニカルブースターポンプが接続されている。膜形成４０１中は、基体９０１を基体円筒軸を中心として１０ｒｐｍで回転させる機構を有する。さらに、基体９０１裏面に配置する基体支持円筒を水冷するする機構と基体に高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加できる機構をもつ。
【００３３】微粒子生成室３０１と膜形成室４０１を拡散ポンプで１×１０-4Ｐａ以下まで排気する。微粒子生成プラズマ発生機構部３０３の上流の原料ガス導入部からＣＨ4ガスを５００ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスを５０ｓｃｃｍ導入する。さらに、微粒子生成プラズマ発生機構部３０３の下流の補助ガス導入部３１２よりＣ2Ｈ2ガスを５０ｓｃｃｍとＳｉＨ4ガスを１０ｓｃｃｍ導入する。上記ガスの導入と同時に排気ポンプをメカニカルブースターポンプに切り替える。この状態で、微粒子生成室の圧力は、２．０×１０3Ｐａで、膜形成室４０１の圧力は１０Ｐａである。基体９０１は回転させながら冷却する。つぎに、微粒子生成プラズマ発生機構部３０３に７００Ｗ投入する。基体９０１に１００Ｗの高周波を投入する。上記プロセスで作成する厚さ４０μｍの微粒子分散構造光導電層の試料を取り出し、複写スピードが７５ｐｐｍの高速乾式複写機に装填し，画像評価試験を行う。このとき書き込みに用いた半導体レーザーの波長は６５０ｎｍであり，光量は３０μＷ／ｃｍ2，光ビーム径を５０μｍとする。帯電方式はスコロトロン方式で，印加電圧を６ＫＶとする。また、現像は２成分現像剤を用いて，磁気ブラシ現像法を用いる。良好な解像度の画像が得られる。
【００３４】比較例１図７の微粒子生成プラズマ発生機構部に電力を印可しない以外は、実施例２と同一条件で同一膜厚の試料を作成する。作成した試料を、実施例１と同一条件で画像評価試験を行う。全面ほとんど白色の画像が得られる。
【００３５】実施例３図１５に基づいて本実施例を説明する。外径４０ｍｍの長さ３００ｍｍのＡｌ製の円筒状基体を機械加工により超仕上げした後、円筒型反応間をもつ常圧ＣＶＤ装置にセットし、基体の温度４００℃にし、Ｎ2キャリアガスにより輸送されるビスアセチルアセトナトジンク（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2）とＯ2ガスを導入し、厚さ２０μｍのＺｎＯ電荷輸送層を作成する。重量比で、Ｃｕ2Ｏ：Ｇａ2Ｏ3：Ｉｎ2Ｏ3を１．００：１．３１：０．５８で秤量し、ボールミルで粉砕混合する。この粉体を型に入れ大気圧Ａｒ雰囲気中８００℃で５０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１時間ホットプレスしＣｕＧａ0.8Ｉｎ0.2Ｏ2組成のターゲットを作成する。前記基体と前記ターゲットを高周波スパッタリング装置にセットし、基体を回転させながらＡｒガスを導入し圧力５．２Ｐａ基体温度３５０℃で、厚さ５μｍのＣｕＧａ0.8Ｉｎ0.2Ｏ2層をＺｎＯ電荷輸送層上に積層し電子写真感光体を作成する。この電子写真感光体を複写スピードが７５ｐｐｍの高速乾式複写機に装填し，画像評価試験を行う。このとき書き込みに用いた半導体レーザーの波長は４００ｎｍであり，光量は３０μＷ／ｃｍ2，光ビーム径を５０μｍとする。帯電方式はスコロトロン方式で，印加電圧を６ＫＶとする。また、現像は２成分現像剤を用いて，磁気ブラシ現像法を用いる。良好な解像度の画像が得られる。
【００３６】
【発明の効果】１．請求項１（１）ＢＰ：Ｈ膜が固いＢＰを主体にする構造なので、高耐久で高速な電子写真応用製品への搭載に適している高い機械的強度を持つ電子写真感光体部材を作成できる。
（２）ＢＰ：Ｈ膜が水素を含有しているので、水素が膜中の未結合電子をターミネートし、光励起キャリアの再結合が少なくなり、輸送されるキャリアの消滅、トラップが少なくなり、熱励起キャリア濃度が小さくなることにより、十分な光キャリア発生能力と高いキャリア輸送能力と高い暗抵抗が得られる。
（３）ＢＰ：Ｈ層は、両キャリアの輸送能力を有するので、該ＢＰ：Ｈ層が単一層で感光体膜をなすことが可能になり、製造プロセスが簡略になりコストの低減が可能になる。
２．請求項２（１）ＢＰ：Ｈ層中に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を添加することにより、ＢＰ：Ｈ層をｎ−型に制御でき、感光体の電気特性（帯電能、感度）を向上させることができる。
（２）ＢＰ：Ｈ層中に、元素Ｃ，Ｓｉ，ＧｅとＳｎよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を添加することにより、該ＢＰ：Ｈ層をｐ−型に制御でき、感光体の電気特性（帯電能、感度）を向上させることができる。
（３）ＢＰ：Ｈ層中に、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，ＺｎとＳｒよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素及びＣ，Ｓｉ，ＧｅとＳｎよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素のｎ−型及びｐ−型制御元素を同一層に添加することにより、生成した電子と正孔の輸送がより容易に行え、該ＢＰ：Ｈ層の単独層で感光体膜をなすことがより容易になる。
【００３７】３．請求項３（１）炭素を主体に含む光導電層なので、高耐久で高速な電子写真応用製品への搭載に適している高い機械的強度を持つ電子写真感光体を作成できる。
（２）光導電層をなす炭素微粒子と炭素を含む非晶質粒間材が水素を含有しているので、水素が膜中の炭素の未結合手をターミネートし、光キャリアの再結合、トラップが少なくなり、光導電層の電荷発生機能と電荷輸送機能が高まり、高感度で残留電位の少ない電子写真感光体が得られる。
（３）光導電層中の炭素微粒子の平均粒径０．３〜１０００ｎｍなので、光導電層が高い電荷発生機能をもち、高感度な電子写真感光体が得られる。
（４）炭素非晶質粒間材が非晶質なので、適度の暗抵抗率をもつように設定でき、高い帯電能力をもつ電子写真感光体が得られる。
（５）光導電層の構造が微粒子構造なので、低コストな膜作成可能になる。
４．請求項４微粒子生成室と膜形成室を設けているので、微粒子と光導電層を別々に形成できるので、制御性よく微粒子分散構造の光導電層が作成でき、良好な特性をもつ電子写真感光体部材が得られる。
【００３８】５．請求項５（１）光導電層が（１Ｂ）（３Ｂ）Ｏ2の多元酸化物を含むので、短波長光に感度をもつ光導電層が得られる。
（２）該多元酸化物が、安価な原料及び作成法で作成できるので、低コストで光導電層を作成できる。
（３）該多元酸化物が無機材料なので、電荷輸送材などの他の部材も無機材料を選べば、機械的強度の高い感光体の作成が可能となる。
６．請求項６請求項５の効果に加えて、以下の効果を奏する。
（１）該光導電層の多元酸化物の１Ｂ族元素がＣｕとＡｇの場合、３５０〜４５０ｎｍ付近で光感度の調整ができる。
（２）該光導電層の多元酸化物の３Ｂ族元素がＧａとＩｎの場合、３５０〜４５０ｎｍ付近で光感度の調整ができる。
【出願人】 【識別番号】０００００６７４７
【氏名又は名称】株式会社リコー
【出願日】 平成１２年３月１７日（２０００．３．１７）
【代理人】 【識別番号】１０００７４５０５
【弁理士】
【氏名又は名称】池浦 敏明
【公開番号】 特開２００１−２６５０３６（Ｐ２００１−２６５０３６Ａ）
【公開日】 平成１３年９月２８日（２００１．９．２８）
【出願番号】 特願２０００−７６２８０（Ｐ２０００−７６２８０）