光学基板

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【発明の名称】	光学基板
【発明者】	【氏名】芦原克充【氏名】清水敦【氏名】松下智彦
【要約】	【課題】マイクロレンズアレイ基板のスタック厚（マイクロレンズアレイ基板の表面からレンズエッジまでの光学距離）を正確に測定できるようにする。【解決手段】ベースガラス５１の上に形成されたレンズ樹脂層５２の表面にマイクロレンズアレイパターン５６を形成し、レンズ樹脂層５２の上に封止樹脂層５８を積層して表面を平坦化し、その上にカバーガラス５９を積層してマイクロレンズアレイ基板６１を形成する。ここで、レンズ樹脂層５２の表面のマイクロレンズアレイパターン５６の領域外において、マイクロレンズアレイパターン５６のレンズエッジを含む平面と同じ高さに測定用マーク５７を設ける。

【特許請求の範囲】
【請求項１】第１の基材の上方に光学パターンを備えた光学素子アレイ層を形成し、当該光学素子アレイ層の上方に少なくとも該光学パターンの上方領域を平坦化する封止樹脂層を積層し、当該封止樹脂層の上方に第２の基材を積層した光学基板において、前記光学パターンのエッジを含む平面内で、かつ前記光学パターン形成領域外に、前記第２の基材の表面から認識可能な面状のマークを設けたことを特徴とする光学基板。
【請求項２】前記マークは、光学素子アレイ層の表面に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成され、該マークの縁には角が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の光学基板。
【請求項３】前記マークは、光学素子アレイ層の表面に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成され、該マークに隣接して設けられた凹部もしくは凸部は曲面によって構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の光学基板。
【請求項４】前記マークは、格子状に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の光学基板。
【請求項５】前記マークは、ストライプ状に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の光学基板。
【請求項６】第１の基材の上方に光学パターンを備えた光学素子アレイ層を形成し、当該光学素子アレイ層の上方に少なくとも該光学パターンの上方領域を平坦化する封止樹脂層を積層し、当該封止樹脂層の上方に第２の基材を積層した光学基板において、前記光学パターンの主点を含む平面内で、かつ前記光学パターン形成領域外に、前記第２の基材の表面から認識可能なマークを設けたことを特徴とする光学基板。

【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロレンズアレイやマイクロプリズムアレイ等の光学素子アレイを含んだ光学基板に関し、特にスタンパ法によって認識用のマークを形成された光学基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を挟み込んで液晶表示素子を構成するための一方の基板として、あらかじめ内部にマイクロレンズアレイパターンを内蔵させたマイクロレンズアレイ基板が従来より用いられている。
【０００３】このようなマイクロレンズアレイ基板の製造方法には、エッチングを利用する方法やスタンパを用いる方法など種々の方法が提案されている。このうちスタンパを用いる方法は、スタンパで紫外線硬化型樹脂に型押しすることによってレンズ樹脂層にマイクロレンズアレイパターンを成形し、その上にレンズ樹脂層と屈折率の異なる封止樹脂層を重ねることによって表面を平坦化する方法であり、量産性に優れ、かつ非球面レンズを製作できるという長所がある。
【０００４】図１（ａ）は従来のマイクロレンズアレイ基板を示す断面図であって、透明なベースガラス１の上に紫外線硬化方樹脂からなる透明なレンズ樹脂層２が積層され、レンズ樹脂層２の表面には、スタンパによる型押しでマイクロレンズアレイパターン３が形成されている。また、レンズ樹脂層２の上にはレンズ樹脂層２と屈折率の異なる紫外線効果型樹脂によって透明な封止樹脂層４が積層され、封止樹脂層４の上にはカバーガラス５が積層一体化され、マイクロレンズアレイ基板８が製作される。
【０００５】また、マイクロレンズアレイ基板８は、液晶表示素子の基板として用いられるもので、表面の平坦性が要求されるため、積層一体化された後、図１（ｂ）に示すように表裏両面を研磨装置６によって平滑に仕上げられる。特に、カバーガラス５は、マイクロレンズアレイ基板８のスタック厚が所定値となるように研磨される。ついで、カバーガラス５の上面には、図１（ｃ）に示すように、透明電極（ＩＴＯ）７が形成される。
【０００６】ここで、図２に示すように、マイクロレンズアレイ基板８のレンズ主面（通常は、レンズ樹脂層２のエッジで代用する）からカバーガラス５の表面（透明電極７を含む）までの光学的距離をスタック厚Ｔsといい、マイクロレンズアレイ基板８の光学的特性を特徴づける量の１つである。このスタック厚Ｔsを、マイクロレンズアレイ基板８の断面の厚み測定から求める場合には、カバーガラス５と封止樹脂層４の屈折率を考慮しなければならないが、基板の上面から光学的に測定する場合には、すでに屈折率の影響を受けているので、実測値を用いることができる。
【０００７】いま、このマイクロレンズアレイ基板８を液晶表示素子の基板として用い、画素開口を設けられた対向側ガラス基板との間に液晶を封止する場合を考える。図２に示すように、このマイクロレンズアレイ基板８に平行光が入射すると、各マイクロレンズを通過した光は各焦点に収斂し、対向側ガラス基板の画素開口を通過するが、このときのレンズ主面から焦点までの距離（焦点距離ｆo）は原理上マイクロレンズアレイ基板８のスタック厚Ｔsに関係なくほぼ一定である。しかし、研磨時にマイクロレンズアレイ基板８のスタック厚Ｔsにばらつきがあると、マイクロレンズアレイ基板８の表面から焦点までの距離ｆo－Ｔsが変動するので、図３に示すようにスタック厚Ｔsが最適値に等しい場合には液晶表示素子のレンズ効率（＝マイクロレンズアレイ基板８が存在するときの明るさ／マイクロレンズアレイ基板８が存在しないときの明るさ）が最大となるが、スタック厚Ｔsが最適値から外れるとレンズ効率が大きく低下する。
【０００８】従って、図１（ｂ）の研磨工程においては、目的とするスタック厚Ｔsが得られるように研磨速度や研磨時間などの条件出しを行ってマイクロレンズアレイ基板８を研磨している。さらに、研磨終了後マイクロレンズアレイ基板８のスタック厚Ｔsを測定し、目的とするスタック厚Ｔsが達成されていない場合には再び研磨を行い、最終的に目的とするスタック厚Ｔsが得られていることを確認している。従って、所望のスタック厚Ｔsを精度良く得るためには、スタック厚Ｔsの正確な測定が欠かせない。
【０００９】図４は従来におけるスタック厚Ｔsの測定方法を説明する図である。この方法では、まずマイクロレンズアレイ基板８の上面から例えば同軸落射光を照射することによって測長顕微鏡９の焦点をカバーガラス５の表面に合わせて測長カウンタをリセットする。ついで、照明を例えば透過光に切り替え、測長顕微鏡９の焦点をマイクロレンズアレイパターン３のエッジ（以下、レンズエッジという）に合わせ、その際の焦点位置の移動量を測長カウンタから読みとってスタック厚Ｔsを求めている。なお、厳密には、スタック厚Ｔsは、カバーガラス５の表面からレンズの主点までの距離であるが、レンズエッジから主点までの距離は当該マイクロレンズアレイ基板８に固有のものであり、しかも主点を検出するのは難しいので、主点位置の近傍に位置するレンズエッジで置き換えてスタック厚測定を行っている。また、研磨後に膜付けされる透明電極７は、０.２ｍｍ程度と薄く、その厚みも安定しているので、透明電極７の厚みを無視してもよく、また透明電極７の厚みを定数として扱ってもよい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レンズ樹脂層２の表面に形成されているマイクロレンズアレイパターン３のレンズエッジ１０は、図５に示すように略四角錐状の尖端（点）となっているため、従来のスタック厚測定方法では、以下に詳述するような理由により、このレンズエッジ１０を正確に検出することが困難であった。
【００１１】図６（ａ）はレンズエッジ１０と測長顕微鏡の焦点位置との関係を表しており、図６（ｂ）はレンズエッジ１０よりも１～２μｍ上のＬＡ位置における顕微鏡像を示し、図６（ｃ）はレンズエッジ１０を通るＬＢ位置における顕微鏡像を示し、図６（ｄ）はレンズエッジ１０よりも１～２μｍ下のＬＣ位置における顕微鏡像を示している。レンズエッジ１０よりも下に焦点が位置している場合には、図７に示すようにレンズエッジ１０の顕微鏡像は井桁状に白く光っている（他の部分は暗く見える）が、焦点がレンズエッジ１０に近づくに従って井桁の端が徐々にはっきりしなくなり、この井桁の端が在るか無いか微妙なところの焦点位置がレンズエッジ１０である。従って、図６（ｃ）（ｄ）のように測長顕微鏡の焦点がレンズエッジ１０に一致しているか、少し外れているのかの判別がつきにくく、顕微鏡像の違いがわかりずらい場合でも、実際には１～２μｍも距離がずれている。また、図６（ｂ）のように焦点がレンズエッジの上方へずれている場合でも、うっすらとレンズエッジの像が残り、白点として見える。
【００１２】このように従来の測定方法では、レンズエッジの急峻性のため、測長顕微鏡の焦点位置がマイクロレンズアレイ基板の厚み方向に変化しても顕微鏡像が変化しにくく（焦点位置が１～２μｍ変化したところでレンズエッジの顕微鏡像の変化はわずかである）、測定精度が悪かった。
【００１３】さらに、測長顕微鏡の明るさについての機差によりレンズエッジの見え方が変わること、透過光の回り込みによってレンズエッジの像が光って輪郭がぼやけることなどによっても、精密なスタック厚の測定が困難であった。
【００１４】また、図８（ａ）（ｃ）は互いにレンズ形状（つまり、レンズのサイズ、曲率、深さ等）の異なるマイクロレンズアレイパターン３の断面を示し、図８（ｂ）は図８（ａ）のマイクロレンズアレイパターン３のＬＤ面に焦点を合わせたときの顕微鏡像を示し、図８（ｄ）は図８（ｃ）のマイクロレンズアレイパターン３のＬＥ面に焦点を合わせたときの顕微鏡像を示している。図８（ｂ）（ｄ）の顕微鏡像はほぼ同一に見えているが、図８（ａ）（ｃ）に示すように、焦点位置の、各レンズエッジ１０からの距離は互いにδだけ異なっている。これは、マイクロレンズアレイ基板８の品種（レンズ形状）が異なると、レンズエッジ１０の顕微鏡像の見え方が大きく異なることを示しており、マイクロレンズアレイ基板８の品種が増加すると、オペレータはその品種毎のレンズエッジの見え方の違いを記憶する必要があり、スタック厚測定の熟練に時間が掛かっていた。
【００１５】
【発明の開示】しかして、本発明の目的とするところは、品種間による顕微鏡像の見え方の違いや、顕微鏡の機差による像の明るさの違いなどに影響されること無く、光学基板のスタック厚を正確に測定できるようにすることにある。
【００１６】本発明による光学基板は、第１の基材の上方に光学パターンを備えた光学素子アレイ層を形成し、当該光学素子アレイ層の上方に少なくとも該光学パターンの上方領域を平坦化する封止樹脂層を積層し、当該封止樹脂層の上方に第２の基材を積層した光学基板において、前記光学パターンのエッジを含む平面内で、かつ前記光学パターン形成領域外に、前記第２の基材の表面から認識可能な面状のマークを設けたものである。ここで、光学パターンとしは、レンズアレイであってもよく、プリズムアレイであってもよい。
【００１７】本発明の光学基板にあっては、例えば測長顕微鏡等の光学機器の焦点を前記マークに合わせることによって光学パターンのエッジにも焦点を合わせることができる。しかも、このマークは面で形成されているため、光学パターンのエッジに焦点を合せる場合と比較すると、焦点があっているかどうかの検出が容易であって、光学パターンの検出精度を高くすることができる。よって、本発明によれば、光学基板のスタック厚を正確に検出することができる。
【００１８】また、本発明の光学基板によれば、直接光学パターンのエッジを計測するのでなく、エッジと同じ高さにあるマークを検出するので、光学基板の品種が変わってもマークの像が同一の見え方となるようにすることができ、測定に熟練を必要としなくなり、測定のばらつきが小さくなる。
【００１９】本発明の一実施形態による光学基板においては、前記マークは、光学素子アレイ層の表面に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成されていてもよい。
【００２０】また、本発明の別な実施形態による光学基板においては、前記マークが、光学素子アレイ層の表面に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成され、該マークの縁に角が形成されたものでもよい。ここで角が形成されているとは、マークの縁にアールが施されていないことを意味する。凸状又は凹状の平面によって形成されたマークの縁にアールが施されていると、マークの境界がはっきりしなくなるが、この実施形態のようにマークの縁に角を形成することによりマークの境界をくっきりと際立たせることができ、マークの認識性をより向上させることができる。
【００２１】また、本発明のさらに別な実施形態によれば、前記マークは、光学素子アレイ層の表面に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成され、該マークに隣接して設けられた凹部もしくは凸部は曲面によって形成されている。この実施形態のように、マークと隣接する凹部もしくは凸部を曲面によって形成してあれば、マークをはっきりさせることができ、マークの認識性をより向上させることができる。
【００２２】本発明のさらに別な実施形態によれば、前記マークを格子状もしくはストライプ状に形成しているので、マークを見つけ易くすることができ、光学基板のスタック厚の測定を容易にすることができる。
【００２３】また、本発明の別な光学基板は、第１の基材の上方に光学パターンを備えた光学素子アレイ層を形成し、当該光学素子アレイ層の上方に少なくとも該光学パターンの上方領域を平坦化する封止樹脂層を積層し、当該封止樹脂層の上方に第２の基材を積層した光学基板において、前記光学パターンの主点を含む平面内で、かつ前記光学パターン形成領域外に、前記第２の基材の表面から認識可能なマークを設けている。
【００２４】本発明の別な光学基板にあっては、例えば測長顕微鏡等の光学機器の焦点を前記マークに合わせることによって光学パターンの主点に容易に焦点を合わせることができ、光学パターンの主点の検出精度を高くすることができる。よって、本発明によれば、光学基板のスタック厚を正確に検出することができる。
【００２５】また、本発明の光学基板によれば、直接光学パターンの主点を計測するのでなく、主点と同じ高さにあるマークを検出するので、光学基板の品種が変わってもマークの像が同一の見え方となるようにすることができ、測定に熟練を必要としなくなり、測定のばらつきが小さくなる。
【００２６】ここでは、この発明の構成要素を個々に説明したが、この発明の以上説明した構成要素は、可能な限り任意に組み合わせることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態によるマイクロレンズアレイ基板の製造工程を図９（ａ）～（ｄ）、図１０（ｅ）～（ｇ）、図１１、図１２及び図１３により説明する。マイクロレンズアレイ基板の製造にあたっては、図９（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ基板の複数枚分の大きさを有する透明なベースガラス５１の上に未硬化の紫外線硬化型樹脂５２を滴下し、ベースガラス５１の上方からスタンパ（型）５３を下降させてスタンパ５３とベースガラス５１の間に紫外線硬化型樹脂（以下、レンズ樹脂層という）５２を挟み込み、スタンパ５３をベースガラス５１に押圧させてレンズ樹脂層５２をスタンパ５３とベースガラス５１の間に押し広げる。このスタンパ５３の下面には、マイクロレンズアレイパターンの反転型５４とスタック厚の測定用マークの反転型５５とが形成されている。ついで、図９（ｂ）に示すように、ベースガラス１を通してレンズ樹脂層５２に紫外線を照射し、レンズ樹脂層５２を硬化させる。スタンパ５３を剥離させると、図９（ｃ）のように、硬化したレンズ樹脂層５３の上面にマイクロレンズアレイパターン５６が形成され、同時にマイクロレンズアレイパターン５６の領域外においてレンズ樹脂層５２の表面に測定用マーク５７が形成される。
【００２８】さらに、図９（ｄ）のように、このレンズ樹脂層５２の上に、当該レンズ樹脂層５２と屈折率の異なる未硬化の紫外線硬化型樹脂５８を滴下し、紫外線硬化型樹脂５８の上方からカバーガラス５９を下降させて下層のレンズ樹脂層５２とカバーガラス５９の間に未硬化の紫外線硬化型樹脂（以下、封止樹脂層という）５８を挟み込み、カバーガラス５９を封止樹脂層５８に押圧させて封止樹脂層５８を下層のレンズ樹脂層５２とカバーガラス５９の間に押し広げる。ついで、図１０（ｅ）に示すように、ベースガラス５１及びレンズ樹脂層５２を通して封止樹脂層５８に紫外線を照射し、封止樹脂層５８を硬化させる。この結果、図１１に示すような複数枚分のマイクロレンズアレイ基板６１を含んだマイクロレンズアレイウエハ（以下、ＭＬＡウエハという）６０が製作され、屈折率の異なるレンズ樹脂層５２と封止樹脂層５８の界面にマイクロレンズアレイパターン５６が形成される。
【００２９】スタック厚の測定用マーク５７は、図１２及び図１３に示すように、マイクロレンズアレイパターン５６の領域外において凸部６５の上面に形成されており、マイクロレンズアレイパターン５６のレンズエッジ６３を含む平面６４と同一平面内（同一高さ）に位置させられている。また、測長顕微鏡でくっきりと見えるよう、測定用マーク５７は平面ないし粗平面で構成されており、測長顕微鏡で見つけやすいよう、測定用マーク５７はストライプ状のものを複数本並べて構成されている。さらに、測定用マーク５７を設けてある凸部６５の縁はアールを付けないで断面略９０度の角を形成し、凸部６５間の凹部６６を断面円弧状の曲面溝によって形成してあり、測長顕微鏡によって測定用マーク５７の境界がくっきりと見える工夫をこらしている。なお、測定用マーク５７は、図１７に示すように凸部６５上面に設けられた格子状の平面によって形成されていてもよい。
【００３０】ＭＬＡウエハ６０が製作されると、測長顕微鏡を用いてスタック厚を測定しながら、図１０（ｆ）のように研磨装置６７によりベースガラス５１の下面とカバーガラス５９の上面を研磨し、表面を平滑にすると共にマイクロレンズアレイ基板６１のスタック厚が所望の最適値となるように調整する。
【００３１】このスタック厚の測定時には、直接レンズエッジを測定するのでなく、例えば同軸落射光によってＭＬＡウエハの表面に測長顕微鏡の焦点を合わせると共に透過光によって測定用マークに測長顕微鏡の焦点を合わせ、その焦点位置間の距離からスタック厚を測定する。このとき、測定用マークはストライプ状平面（もしくは、格子状平面）となっているので、測長顕微鏡の焦点を容易に合わせることができ、しかも縁を略９０度の角にしたり、凹部を曲面で形成したりして測定用マークをくっきりと認識できるようにしているので、正確に測定用マークに焦点を合わせることができ、スタック厚を正確に測定することができる。また、レンズエッジに直接焦点を合わせるのでなく、レンズエッジと同じ高さに設けた測定用マーク５７に焦点を合わせるようにしているので、マイクロレンズアレイパターンの形状が異なっても熟練を要することなく、容易にスタック厚を測定することが可能になる。
【００３２】この後、図１０（ｇ）に示すように、カバーガラス５８の上面に蒸着法によって透明電極（ＩＴＯ膜）６８を形成する。ついで、図１１に示すように、アライメントマークによってＭＬＡウエハ６０を位置決めした後、ＭＬＡウエハ６０をカットして個々のマイクロレンズアレイ基板６１を得る。
【００３３】次に、上記スタンパ５３の製造方法を図１４を参照しながら説明する。まず、図１４（ａ）に示すような平板状のガラス板７１を用意し、図１５に示すようにガラス板７１の表面に、結像レンズ７２で集光させたレーザー光を照射し、レーザー加工（レーザーリトグラフィ）により２点鎖線で示す形状にガラス板７１を蒸発除去し、ガラス板７１の表面に所望の凹凸パターン７３、７４を形成する［図１４（ｂ）］。ここで、凹凸パターン７３は、マイクロレンズアレイパターン５６と同一形状であり、凹凸パターン７４は測定用マークを形成するための凸部６５及び凹部６６に対応するものである。これらの凹凸パターン７３、７４を形成する際には、まずガラス基板７１の表面にマイクロレンズアレイパターン５６に対応する凹凸パターン７３を形成する。そのとき凹凸パターン７３以外の領域では、凹凸パターン７３のエッジと同じ高さとなるようにして基準面（平面）を形成しておく。そして、この基準面に凹部を加工することによって測定マークを形成するための凸部６５及び凹部６６に対応する凹凸パターン７４を形成すると、凹凸パターン７４の凸部上面（測定用マークに対応する平面）が凹凸パターン７３のエッジと同じ高さに形成される。なお、前記レーザー加工は、コンピュータにより制御されているレーザー加工装置を用いて行なうものであり、精密かつ複雑な形状であってもその形状データを入力しておけば、容易に加工することができる。
【００３４】このように、ガラス基板７１の表面に凹凸パターン７３、７４を形成してガラス基板７１からなる原盤を作製した後、その上にニッケルを堆積させ、ニッケル電鋳法により原盤の反転型である第１のニッケルマスタ７５を作製し［図１４（ｃ）］、ニッケルマスタ７５をガラス板７１から剥離する［図１４（ｄ）］。ニッケル電鋳法によりニッケルマスタ７５を作製する際には、その準備として原盤となるガラス板７１を例えば蒸着法あるいは無電解メッキ法で導電化しておき、導電化されたガラス板７１の表面を陰極とし、例えばスルファミン酸ニッケル浴で電気メッキしてニッケルマスタ７５を作製する。このニッケルマスタ７５には、ガラス板７１の凹凸パターン７３、７４に対応して凹凸パターン７６、７７が形成される。
【００３５】この第１のニッケルマスタ７５をさらにニッケル電鋳法で複製して第２のニッケルマスタ７８を形成する［図１４（ｅ）］。この第２のニッケルマスタ７８には、第１のニッケルマスタ７５の凹凸パターン７６、７７に対応して凹凸パターン７９、８０が形成される。
【００３６】さらに、この第２のニッケルマスタ７８をさらにニッケル電鋳法で複製したものをスタンパ５３とする。第２のニッケルマスタ７８を複製する場合には、ニッケルマスタ７８の表面に例えば重クロム酸カリ溶液で酸化膜を作った後、再びニッケル電鋳法によりスタンパ５３を作製する［図１４（ｆ）］。こうして、スタンパ５３には、第２のニッケルマスタ７８の凹凸パターン７９、８０に対応してマイクロレンズアレイパターン５６の反転型５４とスタック厚の測定用マーク５７の反転型５５が形成される。従って、こうして作製されたスタンパ５３でも、反転型５４のエッジ（谷エッジ）と反転型５５の凹部平面とが同一高さに形成されることになる。
【００３７】また、スタンパ５３を作製する別な方法としては、図１６（ａ）～（ｆ）に示すように、ガラス基板７１の表面に塗布されたレジスト８１をレーザー加工することによって原盤を作製してもよい。レジスト８１を使用する場合には、ガラス基板７１とレジスト８１の密着剤として、例えばシランカップリング剤をガラス基板７１の表面に塗布しておき、レーザー加工した後、露光、現像及び洗浄の工程を経て、レジスト８１による所望の凹凸パターン７３、７４がガラス基板７１の表面に形成される［図１６（ａ）（ｂ）］。レーザー加工は、図３と同様に行なわれ、所望の凹凸パターン７３、７４が形成される。この後の処理は、図１４（ｃ）以下と同様に行う［図１６（ｃ）～（ｆ）］。
【００３８】
【発明の効果】本発明の光学基板によれば、スタック厚を正確に測定することができる。また、光学基板の品種の違いによらず、同じ間隔でスタック厚を測定することができ、熟練を要することなく安定にスタック厚測定を行うことができる。

【出願人】	【識別番号】０００００２９４５【氏名又は名称】オムロン株式会社
【出願日】	平成１２年１月１２日（２０００．１．１２）
【代理人】	【識別番号】１０００９４０１９【弁理士】【氏名又は名称】中野雅房
【公開番号】	特開２００１－１９４５０７（Ｐ２００１－１９４５０７Ａ）
【公開日】	平成１３年７月１９日（２００１．７．１９）
【出願番号】	特願２０００－４０４６（Ｐ２０００－４０４６）