| 【発明の名称】 |
半導体チップにおける内部抵抗の検出方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】杉田 雅一
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| 【要約】 |
【課題】半導体チップ１のボンディングパッド２とグランドとの間の内部抵抗を、前記ボンディングパッド２に接触したプローブ３にて電流を印加し、電圧計５にて測定した電圧から演算して検出する場合に、その検出精度を向上する。
【解決手段】前記半導体チップ１におけるボンディングパッド２に、電流を印加用のプローブ３と、電圧測定用のプローブ６とを互いに接触することをなく接触する。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体チップにおける一つのボンディングパッドに、定電流回路を接続した第１プローブを接触して、一定の電流を印加し、この状態で、前記一つのボンディングパッドに、電圧計を接続した第２プローブを、前記第１プローブに接触することなく接触して電圧を測定することを特徴とする半導体チップにおける内部抵抗の検出方法。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップにおいて、その各ボンディングパッドとグラントとの間における内部抵抗を検出する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体チップにおける内部抵抗は可成り小さいので、この内部抵抗を測定するに際しては、ボンディングパッドとグランドとの間に一定の電流Ｉを印加して、このときのボンディングパッドにおける電圧Ｖを測定し、この測定電圧Ｖから内部抵抗Ｒを演算によって検出するようにしている。
【０００３】この場合、従来は、図１に示すように、半導体チップ１における各ボンディングパッド２のうち一つのボンディングパッド２に、プローブ３を接触し、このプローブ３に、定電流回路４を接続して、一定の電流を印加すると共に、電圧計５を接続して、電圧を測定するという手段を採用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プローブ２を、半導体チップにおけるボンディングパッド１ａに対して接触して通電する場合、その接触は点接触であることにより、可成り大きい抵抗（これを接触抵抗と称する）が存在するから、前記従来のように、この定電流回路３を接続したプーロブ２に、電圧計４を接続するという方法では、この電圧計４にて測定した電圧Ｖは、内部抵抗Ｒに前記プローブ２における接触抵抗Ｒ０を加えた合計と、前記電流Ｉとの積になり、Ｖ＝Ｉ（Ｒ＋Ｒ０）の式から内部抵抗Ｒを演算しなければならず、換言すると、電圧計にて測定した電圧Ｖにおける一つの因子に、前記プローブ２における接触抵抗Ｒ０が入ることになり、しかも、この接触抵抗Ｒ０は、プローブのボンディングパッドに対する押圧力及びボンディングパッドにおける表面の状態等によって変化するから、前記した従来における内部抵抗の検出方法では検出の精度が低いという問題があった。
【０００５】本発明は、この問題を解消することを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成するため本発明は、「半導体チップにおける一つのボンディングパッドに、定電流回路を接続した第１プローブを接触して、一定の電流を印加し、この状態で、前記一つのボンディングパッドに、電圧計を接続した第２プローブを、前記第１プローブに接触することなく接触して電圧を測定する。」という方法を採用した。
【０００７】
【発明の作用・効果】電圧計はハイインピーダンスで、当該電圧計における抵抗は、プローブの接触抵抗及び半導体チップの内部抵抗よりも遥かに大きいことにより、半導体チップにおける一つのボンディングパッドに電流印加用の第１プローブに接触することなく接触した第２プローブにて、電流が流れることがないから、前記電圧計に対して、半導体チップにおけるボンディングパッドに接触する第１プローブ及び第２プローブが抵抗になることを回避できる。
【０００８】従って、電圧計にて測定した電圧は、これに従来のようにプローブの接触抵抗が入ることがなく、電流と内部抵抗との積になるから、内部抵抗を高い精度で検出できるのである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図２の図面に基づいて説明する。
【００１０】この図において、符号１は、半導体チップを示し、その上面には、金属線をワイヤボンディングするためのボンディングパッド２の複数個が適宜ピッチの間隔で設けられている。
【００１１】そして、前記半導体チップ１における各ボンディングパッド２のうち一つのボンディングパッド２に、定電流回路４を接続した第１プローブ３を接触することにより、一定の電流を印加する。
【００１２】この状態で、前記一つのボンディングパッド２に、電圧計５を接続した第２プローブ６を、前記第１プローブ３に接触することなく接触することによって電圧を測定する。
【００１３】なお、前記半導体チップ１における各ボンディングパッド２の大きさは、一般的に言って一辺が１００〜１１０ミクロンの正方形である一方、これに接触するプローブは、その先端の直径を２５ミクロン以下にすることができるから、一つのボンディングパッド２に対して、二つのプローブ３，６を互いに接触することなく同時に接触することができる。
【００１４】ところで、前記電圧計５はハイインピーダンスで、当該電圧計５における抵抗は、プローブの接触抵抗及び半導体チップ１の内部抵抗よりも遥かに大きいから、半導体チップ１における一つのボンディングパッド２に対して、電流印加用の第１プローブ３と、電圧測定用の第２プローブ６とを互いに接触することなく接触することにより、第２プローブ６に電流が流れることを回避でき、ひいては、前記電圧計５に対して、半導体チップ１におけるボンディングパッド２に接触する第１プローブ４及び第２プローブ５が抵抗になることを回避できるから、電圧計５にて測定した電圧Ｖは、これに従来のようにプローブの接触抵抗が入ることがなく、電流Ｉと内部抵抗Ｒとの積、つまり、Ｖ＝Ｉ×Ｒになるから、この式から内部抵抗Ｒを演算にて高い精度で検出できるのである。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００１１６０２４
【氏名又は名称】ローム株式会社
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| 【出願日】 |
平成１１年７月３０日（１９９９．７．３０） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００７９１３１
【弁理士】
【氏名又は名称】石井 暁夫 （外２名）
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| 【公開番号】 |
特開２００１−４１９９９（Ｐ２００１−４１９９９Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１３年２月１６日（２００１．２．１６） |
| 【出願番号】 |
特願平１１−２１６１８２ |
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