| 【発明の名称】 |
半導体テスト治工具 |
| 【発明者】 |
【氏名】田中 将裕
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| 【要約】 |
【課題】部品点数を削減することにより安価に構成すると共に、高周波テストに対応できる半導体テスト治工具を提供する。
【解決手段】引き出し内線８が埋設された多層基板３にスルーホール３ａをあけ、このスルーホール内に半田ボールと直接接触するコンタクトピン６を挿入し、更に多層基板３の裏面側にはコンタクトピン６の高さ方向のバラツキを吸収するシリコンゴム５を設ける。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 引き出し内線が埋設された多層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールの内壁に接触して挿入されるコンタクトピンと、上記多層基板の下部に設けられると共に上記コンタクトピンの高さのバラツキを吸収する弾性材を備えたことを特徴とする半導体テスト治工具。
【請求項２】 コンタクトピンの片側を斜めに切り落として構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体テスト治工具。
【請求項３】 コンタクトピンの形状を大径部分と小径部分とを有する２段構造で構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体テスト治工具。
【請求項４】 引き出し内線が埋設された多層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールに挿入されるばねとを備えたことを特徴とする半導体テスト治工具。
【請求項５】 ばねの形状を大径部分と小径部分とを有する２段構造で構成したことを特徴とする請求項４記載の半導体テスト治工具。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造の最終選別工程に使用される半導体テスト治工具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡ，ＣＳＰのような半田ボールを接触子とするデバイスは最終選別工程にて、ポゴピン方式、挟み込み方式、板ばね方式の各種コンタクタを使用し接触させている。図７はポゴピン方式による半導体テスト治工具を示す断面図であり、図において、１１はデバイス、１２はポゴピン、１３はソケット、１４は多層基板、１５はケーブル、１６はスルーホールである。
【０００３】図８は板ばね方式による半導体テスト治工具を示す断面図であり、図において、１７はデバイス、１８は板ばね、１９はソケット、２０は多層基板、２１はケーブル、２２はスルーホールである。図９は挟み込み方式による半導体テスト治工具を示す断面図であり、図において、２３はデバイス、２４は挟み込み部材、２５はソケット、２６は多層基板、２７はケーブル、２８はスルーホールである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体テスト治工具は以上のように構成されているので、高周波でテストを行うデバイスの場合、コンタクトピンの線長がテストの質に大きく影響してくることになるが、上記挟み込み方式、板ばね方式は安価であるが、十分な弾性を持たせるため、線長を短くすることはできず、高速のテストは不可能である。又、ポゴピン方式は構造を変更することによって線長を短くすることは可能であるが、価格が高いためテストコストに大きく影響してしまう。更にこれらコンタクタを取りつけたソケットはコンタクトの取りつけ、保持機構のため部品点数も多く、ソケットコストを引き上げる要因となっている。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、多層基板内に設置したコンタクトピンを採用することにより、部品点数を削減し、安価に構成できるとともに、高周波テストに対応できる半導体テスト治工具を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係る半導体テスト治工具は、引き出し内線が埋設された多層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールの内壁に接触して挿入されるコンタクトピンと、多層基板の下部に設けられると共にコンタクトピンと接触端子（半田ボール）の高さのバラツキを吸収する弾性材とを備えたものである。
【０００７】この発明の請求項２に係る半導体テスト治工具は、コンタクトピンの片側を斜めに切り落として構成したものである。
【０００８】この発明の請求項３に係る半導体テスト治工具は、コンタクトピンの形状を大径部分と小径部分とを有する２段構造で構成したものである。
【０００９】この発明の請求項４に係る半導体テスト治工具は、引き出し内線が埋設された多層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールに挿入されるばねとを備えたものである。
【００１０】この発明の請求項５に係る半導体テスト治工具は、ばねの形状を大径部分と小径部分とを有する２段構造で構成したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の実施形態を図について説明する。図１はこの発明の実施の形態１による半導体テスト治工具を示す断面図、図２は図１におけるＡ部拡大図である。図において、１はソケット外形、２はデバイス、３は多層基板、４はケーブル、５はシリコンゴムである。又、６はコンタクトピンであり、接触が繰り返し確実に行なえるように表面が金メッキ処理されている。７はコンタクトピン６と多層基板３との間に設けられた金メッキ、８は多層基板３内に埋め込まれた引き出し内線である。
【００１２】本実施形態においては、配線の引き回しは多層基板３を使用し、この多層基板３には各層間へ配線を引き回す為にスルーホールと呼ばれる貫通穴があけられており、このスルーホール３ａを使用し、デバイス２から多層基板３までの距離を短くするよう構成する。スルーホール３ａ内には半田ボールと直接接触するコンタクトピン６をその内壁に接触して挿入する。そしてこのコンタクトピン６に弾性をもたせる為、多層基板３の裏面には弾性材となるシリコンゴム５を敷き、コンタクトピン６の高さのバラツキ及び半田ボールの高さのバラツキを吸収するようにする。テスト信号はコンタクトピン６から直接多層基板３を通る為、最短の経路となり、高速テストが可能となる。又、コンタクトピン６は部品点数が１点となり、安価に製造が可能である。
【００１３】実施の形態２．本実施形態においては、コンタクトピン６の形状を図３に示すように変更することによって、接触安定性を大きくするものである。即ち、コンタクトピン６の下部片側を斜めに切りおとして傾斜部６ａを形成することにより、コンタクトピン６とスルーホール３ａとの接触がより上方でなされることとなり、電気的導通路が短くなる。また、コンタクトピン６がスルーホール３ａの壁に２ヶ所ａ，ｂの側面部で確実に接触するため、より安定した電気経路が得られる。更に、実施の形態１の場合と同様、部品点数も削減できる。
【００１４】実施の形態３．上記実施形態におけるコンタクトピン６は、コンタクトピン自体に弾性がなく、シリコンゴム５が必要である。そこで図４に示すように、コンタクトピンとして、表面が金メッキ処理されたばね９を用いることによって、コンタクトと弾性との両方の機能を兼ねそなえたものとすることができる。即ち、ばね９はスルーホール３ａの径よりも例えば＋０.０５ｍｍ大きな径とし、これをスルーホール３ａ内に圧入することにより、ばね９とスルーホール３ａの内壁との接触を確実に行ない、安定した電気経路を確保することができる。これによりシリコンゴムは不必要となり、部品点数の削減となる。又、コンタクト部材がばねである為、接触点も多くなり、安定した電気経路が得られる。
【００１５】実施の形態４．本実施形態においては、図５に示すように、コンタクトピン６の形状を大径部分６ｂと小径部分６ｃとを有する２段構造に形成したものである。そして大径部分６ｂを多層基板３とシリコンゴム５とで挟み込んで押さえ付けることにより、コンタクトピン６と多層基板３との接触性を向上させることができる。又、図６に示すように、ばね９の形状を同様に大径部６ｂと小径部６ｃの２段構造とすることもでき、上記と同様の効果を奏することができる。
【００１６】
【発明の効果】この発明の請求項１に係る半導体テスト治工具によれば、引き出し内線が埋設された多層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールの内壁に接触して挿入されるコンタクトピンと、多層基板の下部に設けられると共にコンタクトピンと接触してその高さのバラツキを吸収する弾性材とを設けたので、高速テストが可能になると共に、部品点数が減るため安価に製造することができる。
【００１７】この発明の請求項２に係る半導体テスト治工具によれば、コンタクトピンの片側を斜めに切り落として構成したので、接触安定性を向上させることができる。
【００１８】この発明の請求項３に係る半導体テスト治工具によれば、コンタクトピンの形状を大径部分と小径部分とを有する２段構造で構成したので、コンタクトピンと多層基板との接触性を向上させることができる。
【００１９】この発明の請求項４に係る半導体テスト治工具によれば、引き出し内線が埋設された多層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールに挿入されるばねとを設けたので、部品点数を削減することができると共に安定した電気経路を得ることができる。
【００２０】この発明の請求項５に係る半導体テスト治工具によれば、ばねの形状を大径部分と小径部分とを有する２段構造で構成したので、ばねと多層基板との接触性を向上させることができる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００６０１３
【氏名又は名称】三菱電機株式会社
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| 【出願日】 |
平成１１年６月３０日（１９９９．６．３０） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００６４６７６
【弁理士】
【氏名又は名称】村上 博 （外２名）
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| 【公開番号】 |
特開２００１−１３２０８（Ｐ２００１−１３２０８Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１３年１月１９日（２００１．１．１９） |
| 【出願番号】 |
特願平１１−１８５１６７ |
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