| 【発明の名称】 |
電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および電気絶縁性架橋薄膜の形成方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】中村 隆司
【氏名】小林 昭彦
【氏名】澤 清隆
【氏名】峰 勝利
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| 【要約】 |
【課題】低誘電率で耐熱性を有し、電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を形成できる電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および電子デバイス表面に低誘電率で耐熱性を有し、前記電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を効率よく形成できる方法を提供する。
【解決手段】(Ａ)ケイ素原子結合水素原子またはケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂、および(Ｂ)溶剤から少なくともなる電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および該組成物を電子デバイス表面に塗布し、溶剤の一部もしくは全部を蒸発させた後、加熱および／または高エネルギー線の照射により前記組成物中の電気絶縁性有機樹脂を架橋させることを特徴とする電気絶縁性架橋薄膜の形成方法。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 (Ａ)ケイ素原子結合水素原子またはケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂、および(Ｂ)溶剤から少なくともなる電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項２】 (Ａ)成分が、有機樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性有機樹脂であって、ケイ素原子結合水素原子またはアルケニル基は、前記オルガノポリシロキサンブロック中のケイ素原子に結合していることを特徴とする、請求項１記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項３】 (Ａ)成分が、ポリイミド樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項２記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項４】 (Ａ)成分が、一般式：【化１】
（式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ2はアルキレン基またはアリーレン基であり、ａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ｃは１以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。）で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項３記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項５】 (Ａ)成分が、一般式：【化２】
（式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ2はアルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒ3はアルキレン基であり、Ｒ4はアルケニル基であり、ａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ｃは１以上の整数であり、ｄは１以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。）で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項３記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項６】 (Ａ)成分が、(ｉ)ケイ素原子結合水素原子を有する電気絶縁性有機樹脂と(ii)ケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂からなり、さらに(Ｃ)ヒドロシリル化反応用触媒を有することを特徴とする、請求項１記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項７】 (ｉ)成分が、有機樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性有機樹脂であって、ケイ素原子結合水素原子は、前記オルガノポリシロキサンブロック中のケイ素原子に結合していることを特徴とする、請求項６記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項８】 (ｉ)成分が、ポリイミド樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項７記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項９】 (ｉ)成分が、一般式：【化３】
（式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ2はアルキレン基またはアリーレン基であり、ａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ｃは１以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。）で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項８記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項１０】 (ii)成分が、有機樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性有機樹脂であって、アルケニル基は、前記オルガノポリシロキサンブロック中のケイ素原子に結合していることを特徴とする、請求項６記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項１１】 (ｉ)成分が、ポリイミド樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項１０記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物。
【請求項１２】 (ii)成分が、一般式：【化４】
（式中、Ｒ1はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ2はアルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒ3はアルキレン基であり、Ｒ4はアルケニル基であり、ａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ｃは１以上の整数であり、ｄは１以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。）で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項１１記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性樹脂組成物。
【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物を電子デバイス表面に塗布し、溶剤の一部もしくは全部を蒸発させた後、加熱および／または高エネルギー線の照射により前記組成物中の電気絶縁性有機樹脂を架橋させることを特徴とする電気絶縁性架橋薄膜の形成方法。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および電気絶縁性架橋薄膜の形成方法に関し、詳しくは、低誘電率で耐熱性を有し、電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を形成できる電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および電子デバイス表面に低誘電率で耐熱性を有し、前記電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を効率よく形成できる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイス表面に電気絶縁性架橋薄膜を形成する方法としては、例えば、水素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイス表面に塗布し、溶剤を蒸発させた後、１５０〜１,０００℃で加熱する方法(特開昭６３−１４４５２５号公報参照)、水素シルセスキオキサン樹脂と白金触媒もしくはロジウム触媒の溶液を電子デバイス表面に塗布し、溶剤を蒸発させた後、１５０〜１,０００℃に加熱する方法(特開昭６３−１４４５２４号公報参照)が提案されている。
【０００３】近年、電子デバイスの微細化、高集積化に伴い、低誘電率の電気絶縁層を形成する方法、具体的には、次世代の設計ルール０.１５μｍ以下の高集積回路においては、比誘電率が２.５未満である低誘電率の電気絶縁層を形成する方法が要求されている。このため、特開平１０−２７９６８７号公報には、水素シルセスキオキサン樹脂と沸点あるいは該樹脂に対する親和性の異なる２種の溶剤からなる溶液を電子デバイス表面に塗布した後、溶媒の一部を蒸発し、加熱することにより、前記樹脂の架橋時あるいは架橋後に溶剤を蒸発させ、多孔質の電気絶縁性架橋薄膜を形成する方法が提案されている。
【０００４】しかし、多孔質の電気絶縁性架橋薄膜は一般的に機械的強度が乏しく、かつ種々の化学薬品の侵入・攻撃を受けやすいなど、次世代の多層配線プロセス、特に、銅デュアルダマシン法に対しては十分な工程耐性が得られないため、実用に供しないという問題があった。また、低誘電率の電気絶縁性架橋薄膜を形成するためには、水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子を比較的多く残存させておかねばならないため、前記薄膜を形成後、電子デバイスの多層配線等の各工程において熱あるいは各種薬品・プラズマにより、前記薄膜中のケイ素原子結合水素原子が反応し、前記薄膜がさらに高密度化して誘電率が大きくなるという問題があった。
【０００５】また、比較的誘電率が低い電気絶縁性薄膜を形成する電気絶縁性薄膜形成性有機樹脂組成物が数多く提案されているが、このような電気絶縁性薄膜は耐熱性が乏しく、電子デバイスの製造工程で４００℃以上に加熱された場合には、膜質の劣化や膜減りを生じてしまうという問題があった。さらに、このような電気絶縁性薄膜は電子デバイス表面に対する密着性が劣り、電子デバイスの製造工程で剥離してしまうという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明に達した。すなわち、本発明の目的は、低誘電率で耐熱性を有し、電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を形成できる電気絶縁性薄膜形成性有機樹脂組成物、および電子デバイス表面に低誘電率で耐熱性を有し、前記電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を効率よく形成できる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物は、(Ａ)ケイ素原子結合水素原子またはケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂、および(Ｂ)溶剤から少なくともなることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の電気絶縁性架橋薄膜の形成方法は、(Ａ)ケイ素原子結合水素原子またはケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂、および(Ｂ)溶剤から少なくともなる電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物を電子デバイス表面に塗布し、溶剤の一部もしくは全部を蒸発させた後、加熱および／または高エネルギー線の照射により前記組成物中の電気絶縁性有機樹脂を架橋させることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物を詳細に説明する。本発明の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物は、(Ａ)ケイ素原子結合水素原子またはケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂、および(Ｂ)溶剤から少なくともなることを特徴とする。(Ａ)成分の電気絶縁性有機樹脂としては、ポリイミド樹脂；ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフルオロカーボン樹脂；ベンゾシクロブテン樹脂；フッ化ポリアリルエーテル樹脂；ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂；その他、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂が挙げられ、好ましくは、これらの有機樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性有機樹脂であり、特に好ましくは、ポリイミド樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性ポリイミド樹脂である。また、(Ａ)成分の電気絶縁性有機樹脂において、ケイ素原子結合水素原子またはアルケニル基は、有機樹脂構造中のシリル基のケイ素原子に結合したり、または、前記のシリコーン変性有機樹脂においては、オルガノポリシロキサンブロック中のケイ素原子に結合しており、特に、前記のシリコーン変性有機樹脂において、オルガノポリシロキサンブロック中のケイ素原子に結合していることが好ましく、特には、シリコーン変性ポリイミド樹脂において、オルガノポリシロキサンブロック中のケイ素原子に結合していることが好ましい。このようなケイ素原子結合水素原子を有するシリコーン変性ポリイミド樹脂としては、一般式：【化５】
で示される。上式中のＲ1はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ1のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、また、Ｒ1のアリール基としては、フェニル基、トリル基が例示される。また、上式中のＲ2はアルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒ2のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が例示され、また、Ｒ2のアリーレン基としては、フェニレン基が例示される。また、上式中のａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ｃは１以上の整数である。また、上式中のｎは１以上の整数である。このようなシリコーン変性ポリイミド樹脂としては、例えば、式：【化６】
(式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｎは１以上の整数を示す。)で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００１０】また、ケイ素原子結合アルケニル基を有するシリコーン変性ポリイミド樹脂としては、一般式：【化７】
で示される。上式中のＲ1はアルキル基またはアリール基であり、Ｒ1のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、また、Ｒ1のアリール基としては、フェニル基、トリル基が例示される。また、上式中のＲ2はアルキレン基またはアリーレン基であり、Ｒ2のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基が例示され、また、Ｒ2のアリーレン基としては、フェニレン基が例示される。また、上式中のＲ3はアルキレン基であり、エチレン基、プロピレン基が例示される。また、上式中のＲ4はアルケニル基であり、ビニル基、アリル基、ブテニル基が例示される。また、上式中のａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ｃは１以上の整数であり、ｄは１以上の整数である。また、上式中のｎは１以上の整数である。このようなシリコーン変性ポリイミド樹脂としては、例えば、式：【化８】
(式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｎは１以上の整数を示す。)で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００１１】本組成物において、(Ａ)成分の電気絶縁性有機樹脂として２種以上併用する場合には、(ｉ)ケイ素原子結合水素原子を有する電気絶縁性有機樹脂と(ii)ケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂との組み合せが好ましい。(ｉ)成分の電気絶縁性有機樹脂としては、前記と同様のものが例示され、好ましくは、有機樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性有機樹脂であり、特に好ましくは、ポリイミド樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性ポリイミド樹脂である。このようなシリコーン変性ポリイミド樹脂としては、前記と同様のものが例示される。また、(ii)成分の電気絶縁性有機樹脂としては、前記と同様のものが例示され、好ましくは、有機樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性有機樹脂であり、特に好ましくは、ポリイミド樹脂ブロックとオルガノポリシロキサンブロックからなるシリコーン変性ポリイミド樹脂である。このようなシリコーン変性ポリイミド樹脂としては、前記と同様のものが例示される。(ｉ)成分と(ii)成分を併用する場合には、(ii)成分の含有量は、(ｉ)成分中のケイ素原子結合水素原子１モルに対して、(ii)成分中のアルケニル基が０.１〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましい。これは、(ii)成分の含有量が上記範囲外の量であると、得られる組成物が室温放置もしくは加熱のみでは十分に架橋しなくなるおそれがあるからである。
【００１２】(Ｂ)成分の溶剤は、上記(Ａ)成分を溶解し、該(Ａ)成分を変質させないものであれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤；酢酸ブチル、酢酸イソアミル等の脂肪族エステル系溶剤；Ｎ，Ｎ'−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジブチルエーテル、ブチロラクトン、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等の鎖状メチルシロキサン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルテトラシクロシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルテトラシクロシロキサン等の環状シロキサン、テトラメチルシラン、ジメチルジエチルシラン等のシラン化合物のシリコーン系溶剤が挙げられる。本組成物において、(Ｂ)成分の含有量は限定されないが、一般に、(Ａ)成分１００重量部に対して５０重量以上であることが好ましい。これは(Ｂ)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる電気絶縁性有機樹脂を電子デバイス等の基材の表面に薄く塗布できなくなる傾向があるからである。
【００１３】本組成物にはその他任意の成分として、(Ｃ)ヒドロシリル化反応用触媒を含有させてもよい。特に、(Ａ)成分の電気絶縁性有機樹脂として、(ｉ)ケイ素原子結合水素原子を有する電気絶縁性有機樹脂と(ii)ケイ素原子結合アルケニル基を有する電気絶縁性有機樹脂を併用する場合には、前記(ｉ)成分中のケイ素原子結合水素原子と、前記(ii)成分中のアルケニル基とのヒドロシリル化反応を促進する。このような(Ｃ)成分のヒドロシリル化反応用触媒としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、特に、白金系触媒が好ましい。この白金系触媒としては、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体が例示される。本組成物において、(Ｃ)成分の含有量は限定されず、上記の反応を促進する量であれば特に限定されないが、(Ａ)成分１００万重量部に対して、(Ｃ)成分中の触媒金属が１〜１,０００重量部の範囲内となる量であることが好ましい。また、本組成物がもっぱら高エネルギー線の照射により架橋する場合には、増感剤を添加してもよい。
【００１４】次に、本発明の電気絶縁性架橋薄膜の形成方法を詳細に説明する。本発明の電気絶縁性架橋薄膜の形成方法は、上記の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物を電子デバイス表面に塗布し、溶剤の一部もしくは全部を蒸発させた後、加熱および／または高エネルギー線の照射により前記組成物中の電気絶縁性有機樹脂を架橋させることを特徴とする。電気絶縁性有機樹脂の架橋は、紫外線、赤外線、Ｘ線、電子線等の高エネルギー線の照射および／または加熱により達成することができる。本発明の方法では、まずはじめに、上記の電気絶縁性架橋薄膜形成性樹脂組成物を電子デバイス表面に塗布する。塗布方法としては、スピンコーティング法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、フローコーティング法が例示される。塗布後、溶剤の一部もしくは全部を蒸発させ、次いで、加熱および／または高エネルギー線の照射する。また、得られる電気絶縁性薄膜の平坦化が求められる場合には、(Ａ)成分の融点より高い温度に加熱することが好ましい。また、加熱の方法としては、例えば、加熱炉、ホットプレート等による加熱方法が挙げられる。また、高エネルギー線を照射する場合、用いることのできる高エネルギー線としては、例えば、紫外線、赤外線、Ｘ線、電子線が挙げられ、特に、(Ａ)成分を十分に架橋させることができることから、電子線を用いることが好ましい。
【００１５】
【実施例】本発明の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および電気絶縁性架橋薄膜の形成方法を実施例により詳細に説明する。なお、式中のＭｅはメチル基を示し、ｎは繰り返し単位を示す正の整数であり、電気絶縁性架橋薄膜の比誘電率は比抵抗値１０-2Ω・cmのシリコンウエハ上に形成した試料を温度２５℃、１MHzの条件下で測定した。測定はアルミ電極を形成してサンドイッチ方式でインピーダンスアナライザを用いて行った。
【００１６】［参考例１］窒素気流下、攪拌機、滴下ロート、温度計を備えた四つ口フラスコに、ピロメリット酸二無水物６.４ｇ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアセトアミドとキシレンとの重量比９５：５の混合物３１.５ｇを投入して攪拌した。滴下ロートから、式：【化９】
で示されるジアミノ官能性シロキサン化合物９.４ｇ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアセトアミドとキシレンとの重量比９５：５の混合物３１.５ｇを約１５分かけて滴下したところ、反応温度は２６〜３３℃に変化した。
【００１７】その後、３３〜２５℃で３時間攪拌した。次に、Dean-Stark管を取り付け、１４０〜１４４℃で１３分間共沸脱水した。その後、室温まで冷却しろ過を行ったところ、式：【化１０】
で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液６４.６ｇを得た。
【００１８】［参考例２］窒素気流下、攪拌機、滴下ロート、温度計を備えた四つ口フラスコに、ピロメリット酸二無水物３.６ｇ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアセトアミドとキシレンとの重量比９５：５の混合物３４.８ｇを投入して攪拌した。滴下ロートから、式：【化１１】
で示されるジアミノ官能性シロキサン化合物１１.１ｇ、およびＮ，Ｎ'−ジメチルアセトアミドとキシレンとの重量比９５：５の混合物３４.８ｇを約３０分かけて滴下したところ、反応温度は２９〜３７℃に変化した。
【００１９】その後３７〜２６℃で３.５時間攪拌した。次に、Dean-Stark管を取り付け、１４４〜１４６℃で８分間共沸脱水した。その後、室温まで冷却してろ過を行い、式：【化１２】
で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液７７.３ｇを得た。
【００２０】［参考例３］窒素気流下、攪拌機、滴下ロート、温度計を備えた四つ口フラスコに、ピロメリット酸二無水物３.６ｇ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアセトアミドとキシレンとの重量比９５：５の混合物３５.０ｇを投入して攪拌した。滴下ロートから、式：【化１３】
で示されるジアミノ官能性シロキサン化合物１６.５ｇ、Ｎ，Ｎ'−ジメチルアセトアミドとキシレンとの重量比９５：５の混合物３４.８ｇを約３０分かけて滴下したところ、反応温度は２９〜３７℃に変化した。
【００２１】その後、３７〜２６℃で３.５時間攪拌した。次に、Dean-Stark管を取り付け、１４４〜１４６℃で８分間共沸脱水した。その後、室温まで冷却してろ過を行い、式：【化１４】
で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液８１.０ｇを得た。
【００２２】［実施例１］参考例２で調製したシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液５０ｇ、参考例３で調製したシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液５０ｇ、および塩化白金酸の１，３−ジビニルテトラメチルシロキサン錯体(反応混合物全体に対して錯体中の白金金属が重量単位で５ppmとなる量)からなる電気絶縁性架橋薄膜形成性樹脂組成物を調製した。この組成物を回転数３０００rpmでシリコンウエハにスピンコートし、溶剤を蒸発させた後、１５０℃のホットプレート上で１分加熱した。次に、窒素気流下、石英炉(３６０℃)中で３時間加熱することにより、膜厚＝５２００Å、比誘電率＝２.４である電気絶縁性架橋薄膜を形成した。この薄膜はシリコンウエハに良好に密着していた。さらに、得られた電気絶縁性架橋薄膜を窒素気流下、石英炉(４２０℃)中で１時間のアニーリング試験を行った。電気絶縁性架橋薄膜のアニーリング前後での膜厚の変化を表１に示した。
【００２３】［実施例２］参考例２により調製したシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液を回転数３０００rpmでシリコンウエハ上にスピンコートし、溶剤を蒸発させた後、１６５kVで加速された電子線(３００Mrad)を照射し、次いで、窒素気流下、石英炉(３６０℃)中で３時間加熱することにより、膜厚＝５１００Å、比誘電率＝２.４である電気絶縁性架橋薄膜を形成した。この薄膜はシリコンウエハに良好に密着していた。さらに、得られた電気絶縁性架橋薄膜を窒素気流下、石英炉(４２０℃)中で１時間のアニーリング試験を行った。電気絶縁性架橋薄膜のアニーリング前後での膜厚の変化を表１に示した。
【００２４】［実施例３］参考例３で調製したシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液を回転数３０００rpmでシリコンウエハ上にスピンコートし、溶媒を蒸発させた後、１６５kVで加速された電子線(３００Mrad)を照射し、次いで、窒素気流下、石英炉(３６０℃)中で３時間加熱することにより、膜厚＝５１００Å、比誘電率＝２.４である電気絶縁性架橋薄膜を形成した。この薄膜はシリコンウエハに良好に密着していた。さらに、得られた電気絶縁性架橋薄膜を窒素気流下、石英炉(４２０℃)中で１時間のアニーリング試験を行った。電気絶縁性架橋薄膜のアニーリング前後での膜厚の変化を表１に示した。
【００２５】［比較例１］参考例１で調製したシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液を回転数３０００rpmでシリコンウエハ上にスピンコートし、溶剤を蒸発させた後、窒素気流下、石英炉(３６０℃)中で３時間加熱することにより、膜厚＝５０００Å、比誘電率＝２.４である電気絶縁性薄膜を形成した。さらに、得られた電気絶縁性薄膜を窒素気流下、石英炉(４２０℃)中で１時間のアニーリング試験を行った。電気絶縁性薄膜のアニーリング前後での膜厚の変化を表１に示した。アニーリング後に膜減りが観察された。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明の電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物は、低誘電率で耐熱性を有し、電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を形成できるという特徴があり、また、本発明の電気絶縁性架橋薄膜の形成方法は、電子デバイス表面に低誘電率で耐熱性を有し、前記電子デバイス表面に対して優れた密着性を有する電気絶縁性架橋薄膜を効率よく形成できるという特徴がある。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００１１００７７
【氏名又は名称】東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
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| 【出願日】 |
平成１２年３月３日（２０００．３．３） |
| 【代理人】 |
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| 【公開番号】 |
特開２００１−２４７８１９（Ｐ２００１−２４７８１９Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１３年９月１４日（２００１．９．１４） |
| 【出願番号】 |
特願２０００−５８４８４（Ｐ２０００−５８４８４） |
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