公開番号 発明の名称
特開2001−335916 高分子基板用薄膜形成装置および高分子基板用薄膜形成方法
特開2001−335917 アルミナ結晶質薄膜の低温製法
特開2001−335918 ITO透明導電膜の形成方法
特開2001−335919 αタンタル膜の製造方法、αタンタル膜及びそれを用いた素子
特開2001−335920 蒸着源、光学物品およびそれらの製造方法
特開2001−335921 蒸着被膜形成装置
特開2001−335922 気相成長結晶薄膜製造装置
特開2001−335923 スパッタリングターゲット
特開2001−335924 スパッタリング装置
特開2001−335925 ITO薄膜の製造方法
特開2001−335926 ガスバリア性フィルムの製造方法
特開2001−335927 スパッタリング装置
特開2001−335928 スパッタリング装置
特開2001−335929 成膜装置
特開2001−335930 薄膜形成装置
特開2001−335931 真空処理装置および処理方法
特開2001−335932 低温プラズマによる固体表面処理制御方法
特開2001−335933 金属膜作製装置及び金属膜作製方法
特開2001−335934 立方晶炭化珪素単結晶薄膜におけるスリップの低減方法
特開2001−335935 炭化珪素の製造方法、炭化珪素及び複合材料、並びに半導体素子
特開2001−335936 処理方法および処理装置
特開2001−335937 金属汚染低減方法及びプラズマ装置の再生方法
特開2001−335938 パーティクル低減方法
特開2001−335939 プラズマ生成用電極のクリーニング方法、クリーニング装置おおよび成膜装置
特開2001−335940 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置
特開2001−335941 ガス噴出装置及び真空処理装置
特開2001−335942 堆積膜形成方法
特開2001−335943 プラズマCVD装置およびCVD用サイドアンテナコイル構造
特開2001−335944 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
特開2001−335945 CVD成膜装置及びCVD成膜方法
特開2001−335946 CVD成膜装置及びCVD成膜方法
特開2001−335947 CVD成膜装置及びCVD成膜方法
特開2001−335948 プラズマCVDによる堆積膜形成装置および方法
特開2001−335949 プラズマ式化学蒸気沈積設備の自動監視方法及び系統
特開2001−335950 被覆物の形成方法及び被覆物
特開2001−335951 導体の形成方法および電子部品
特開2001−335952 無電解めっき方法、並びに、配線装置およびその製造方法
特開2001−335953 プリント基板の端子部分におけるめっき処理方法及びプリント基板
特開2001−335954 金属表面処理剤、金属表面処理方法及び表面処理金属材料
特開2001−335955 耐食性に優れた有機被覆鋼板
特開2001−335956 Cr含有鋼製油井管継ぎ手のりん酸マンガン系化成処理方法
特開2001−335957 ステンレス鋼の表面改質方法
特開2001−335958 Sn−Zn合金めっき上に六価クロムフリー耐食性皮膜を形成する方法
特開2001−335959 金属超微粒子作製方法及び金属超微粒子作製装置
特開2001−335960 亜鉛系めっき材の耐候性改善方法
特開2001−335961 加工性に優れた樹脂フィルム表面被覆金属板
特開2001−335962 電極の表面処理法
特開2001−335963 耐熱性塗装金属板
特開2001−335964 耐食性に優れた有機被覆鋼板
特開2001−335965 耐食性に優れた有機被覆鋼板
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