トップ :: C 化学 冶金 :: C30 結晶成長

【発明の名称】
単結晶の製造方法および単結晶の育成装置
単結晶引き上げ装置の保持ルツボ及びルツボ装置
シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法
ダイヤモンド多孔質体の製造方法
シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
半導体素材製造装置
強誘電体薄膜とその成膜用原料溶液および成膜方法
希土類鉄ガーネット粒子および光磁気記録媒体
炭化けい素半導体基板の製造方法
単結晶SiCおよびその製造方法
結晶の成長方法
単結晶育成方法
化合物半導体結晶の製造方法
集光加熱装置及び集光加熱式帯溶融装置
集光加熱装置及び集光加熱式帯溶融装置及びそれにより生産される単結晶及び高純度金属
単結晶製造装置
単結晶の製造方法
複合ルツボとその製造方法および再生方法
シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
単結晶引き上げ装置の保持装置
単結晶保持装置
α−BBO単結晶、その製造方法、光アイソレータ及びプリズム
単結晶の製造方法
気相成長方法
GaN系結晶成長用基板
単結晶の成長方法及び成長装置
シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法
シリコン単結晶用引上げ装置
窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法
ランガサイト単結晶育成方法
単結晶成長装置
化合物単結晶の成長装置及び成長方法
高品質結晶薄板材料の製造方法
薄膜成長装置
薄 膜
低抵抗n型ダイヤモンドの合成法
マグネシウム合金射出成型用部品の被覆膜
シリコン半導体基板及びその製造方法
シリコン単結晶の製造方法および装置
単結晶蛍石または単結晶フッ化物の熱処理装置及び熱処理方法
炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶
円柱形単結晶の製造方法及び装置、並びに半導体ウェ―ハの切断方法
ミクロ多孔体結晶の製造方法
単結晶引上げ装置及び引き上げ方法
液相エピタキシャル成長装置および酸化物単結晶膜の製造方法
エピタキシャル成長法
シリコン単結晶引上げ装置
フッ化物単結晶の熱処理方法及び製造方法
結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法
12345678910  次10へ 最終へ