| 【発明の名称】 |
底面給水型切り花栽培方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】冨満 龍徳
【氏名】後藤 哲
【氏名】阿部 一則
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| 【要約】 |
【課題】生育に応じて栽植距離を広げられるようにすることによって温室の利用効率を高めることができ、土壌消毒が省略でき、さらには肥料成分の流亡がないため水質汚染の危険もなく、技術的にも簡易化された切り花栽培方法を提供する。
【解決手段】生育に必要な肥料成分の全量を含む緩効性肥料をほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に埋め込んだ成型培土１に植えられた切り花苗３を、底面給水装置１０上面の給水マット１４上に載置し、成型培土底面から給水しながら生育させ、生育量に応じて成型培土を底面給水装置上面の給水マット上で移動・植え広げを行い、成型培土底面からの給水状態を維持したまま採花時まで底面給水装置上面の給水マット上で生育させる。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 生育に必要な肥料成分の全量を含む緩効性肥料をほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に埋め込んだ成型培土に植えられた切り花苗を、底面給水装置上面の給水マット上に載置し、成型培土底面から給水しながら生育させ、生育量に応じて成型培土を底面給水装置上面の給水マット上で移動・植え広げを行い、成型培土底面からの給水状態を維持したまま採花時まで底面給水装置上面の給水マット上で生育させることを特徴とする底面給水型切り花栽培方法。
【請求項２】 前記成型培土として、鉢内に充填された培土を使用することを特徴とする請求項１記載の栽培方法。
【請求項３】 前記成型培土として、型枠から取り出した根鉢を使用することを特徴とする請求項１記載の栽培方法。
【請求項４】 前記底面給水装置上面の給水マットの上に、防根透水シートを敷くことを特徴とする請求項１記載の栽培方法。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、苗から採花時まで底面給水システムを利用して栽培することができ、温室などの施設の高度利用が可能となる新規な切り花栽培方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】洋ラン等地床栽培の困難なものでは切り花を鉢栽培で行うこともあるが、通常の切り花栽培は地床で栽培される。最近ではロックウール等を培地として用いる養液栽培や地床に養液を供給する養液土耕栽培がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】養液栽培を含む上記従来の技術では、いずれも次の問題がある。
■切り花栽培においては、生育途中で植物体に大きなストレスを与えることなく移動・植え広げを行うことは困難であるため、定植期から収穫期の繁茂を見越した定植間隔としなければならない。この場合には、太陽光の効率的利用という面からみると、定植直後の生育期前半は必要以上に粗植となっており、温室などの施設の利用効率は高くない。
【０００４】■従来の栽培法では連作する場合、広い根域の全体にわたって、人体に危険で環境に有害（オゾン層の破壊等）な土壌消毒剤の処理が必要であることが多い。
【０００５】■従来の栽培法では施用された肥料成分の全てが植物に吸収されるわけではないので、水質汚染につながる肥料成分の流亡を回避できない。
【０００６】■養液栽培では現在、養液のかけ流し方式が主流で、この方法の場合肥料成分による地下水の汚染等が危惧されている。また、循環方式の場合でも定期的に養液を循環系外へ廃棄して新しい養液と交換する必要がある。
【０００７】そこで本発明は、生育に応じて栽植距離を広げられるようにすることによって温室の利用効率を高めることができ、土壌消毒が省略でき、さらには肥料成分の流亡がないため水質汚染の危険もなく、技術的にも簡易化された切り花栽培方法を提供することを課題としてなされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するための本発明は、生育に必要な肥料成分の全量を含む緩効性肥料をほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に埋め込んだ成型培土に植えられた切り花苗を、底面給水装置上面の給水マット上に載置し、成型培土底面から給水しながら生育させ、生育量に応じて成型培土を底面給水装置上面の給水マット上で移動・植え広げを行い、成型培土底面からの給水状態を維持したまま採花時まで底面給水装置上面の給水マット上で生育させることを特徴とする底面給水型切り花栽培方法である。
【０００９】上記したごとき本発明の方法によれば、底面給水装置上面の給水マット上で、底面給水により苗から開花時まで生育させることができ、生育初期は成型培土が互いに接触する程度の栽植密度に密植し、生育が進んで茎葉が繁茂し、植え広げが必要となる時期には、底面給水装置上面の給水マット上で成型培土を自由に移動させて適切な栽植密度となるように植え広げが可能であることから、温室の利用効率を高めることができる。
【００１０】また、開花時まで生育するのに必要な肥料成分の全量を、緩効性肥料として成型培土内部に埋め込んであるため、追肥の必要もなく、余剰の肥料成分が流亡することもなく、肥料成分の効率的な利用が図れる。
【００１１】さらに、この緩効性肥料を成型培土のほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に局所的に埋め込んであるため、根が緩効性肥料の周りに集中し、生育期間が比較的長期になっても給肥が阻害されることがなく、根詰まりによる生育の緩慢化が防止できるとともに、根が成型培土の底面から外部へ向かって伸びにくくなるため、成型培土の移動・植え広げがしやすくなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明で使用する成型培土とは、植物の生育に必要な培土が一定の形状に成型されているものをいう。例えば、ピートモスやバークなどの培土を一定形状に成型したものでもよいし、ポットやセル成型トレイのようなプラスチックなどでできた型枠の中に培土を入れたものでもよい。いずれも必要量の緩効性肥料が培土のほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に位置するよう施用しておく。この成型培土に苗を植え付けたり、挿し芽をしたり、播種したりして用いる。セル成型トレイや連結ポットのような型枠の中の成型培土で植物を一定期間生育させ、植物の根で培土が自然に成型されたもの（根鉢）を型枠から外して利用してもよい。
【００１３】かくして得られた成型培土に植えられた切り花苗を図１に示す。すなわち、成型培土１のほぼ中央部には緩効性肥料２が埋め込まれており、この成型培土１と緩効性肥料２により切り花苗３が生育している。なお、図示の例では緩効性肥料を成型培土の高さ方向のほぼ中央に位置させてあるが、植物の品目によっては、成型培土の底面よりのほぼ中央部に位置させた方がよい場合もある。また、通常は成型培土１個当たり切り花苗１株を植え付けるが、植物品目によっては成型培土１個に複数本の苗を植え付けることもできる。
【００１４】鉢に入れた成型培土に植えられた苗は、底面給水装置上に載置して、開花時まで鉢に入れたまま生育させてもよいが、鉢から取り出して自然に成型された状態の根鉢として底面給水装置上に載置することもできる。
【００１５】セル成型トレイに入れた成型培土で生育された苗は、生育初期にはトレイのまま底面給水装置上に載置できるが、生育が進んで植え広げが必要となった時点でトレイから取り出して根鉢として底面給水装置上に適切な栽植密度となるように植え広げる。
【００１６】緩効性肥料は、開花時まで生育するのに必要な肥料成分の全量を基肥として、成型培土のほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に埋め込む。かような緩効性肥料の選定については、植物の肥料吸収パターンに合った肥料成分の溶出パターンをもつものが望ましい。肥料の必要量は、肥料を多量に要するものや比較的少なくてよいものがあり、また溶出パターンも、生育期間の長短により変える必要がある。従って、施肥量や溶出パターンは、植物の品目ごとに予備実験により予め決定しておく必要がある。本発明では、緩効性肥料として、窒素、リン酸、加里、苦土などの肥料成分の他に、微量要素も配合されている被覆肥料が用いられ、溶出期間も数十日間で溶出するものから、３００日間以上の溶出期間のものまで各種の緩効性肥料が市販品として入手できる。
【００１７】本発明を実施するに際して使用する底面給水装置としては、従来から慣用されている装置を使用することができるが、その一例を図２に示す。図２の底面給水装置１０は、支持台１１の上に潅水樋１２を水平に設置し、その上に成型培土と植物体の重さ等で変形しない強度を持った金網１３を置く。この際、潅水樋１２自体を金網１３の支持材として機能させてもよいし、別の支持材を利用してもよい。この金網１３の上に、水の毛管作用の旺盛な給水マット１４を敷き、その上に成型培土１に植え付けた切り花苗３を置く。給水マット等を切って短冊状にした繊維束からなる給水ヒモ１５を給水マット１４に接して潅水樋１２内に垂らし、潅水樋１２内の水を毛管作用により給水マット１４に伝え、成型培土１へ底面給水させる。潅水樋１２内の水は水道にフロートバルブを設置して水位を一定に保ちながら給水する。
【００１８】給水マット１４としては、例えば市販されているポリエステル長繊維の不織布が好ましく使用できる。図１に示したように本発明においては、成型培土１のほぼ中央部に緩効性肥料２を配置させてあるから、植物の根が緩効性肥料２の周囲に集中して伸びるため、成型培土１の底面から外部へは根が伸長しにくくなり、その結果、給水マット１４上で成型培土１の移動や植え広げが行い易くなる。
【００１９】しかしながら、植物の品目によっては、根が伸びやすいものもあり、この場合には給水マット内部にも根が入り込むこともあって、給水マット１４上で成型培土１の移動や植え広げを行うと、根を傷めやすくなる。この場合には、給水マット１４の上に、防根透水シートを敷いて根の侵入を阻止することが望ましい。
【００２０】上述したごとき本発明の方法を用いて、底面給水装置上で採花時まで栽培可能であることを確認できた切り花品目は、キク、トルコギキョウ、スターチスシヌアータ、宿根性スターチス、宿根アスター、シンテッポウユリ、シュッコンカスミソウ、カーネーション、バラ、デルフィニウム、ラークスパーなどが挙げられる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げてこの発明をさらに詳述する。
【００２２】［実施例１：スプレーギクの栽培］２号（容積約１００ｍＬ［ミリリットル］）と２．５号（容積約２２０ｍＬ）の２種類の大きさの鉢（黒ポット）を用い、培土として調整ピートモス（“ＢＭ−２”、岩谷産業（株）発売）を鉢内に充填し、灌水して鉢内の培土を十分に湿らせた後、緩効性肥料（微量要素入り被覆燐硝安加里肥料“ロングトータル３１３”７０日タイプ、窒素１３％＋リン酸１１％＋加里１３％＋苦土２％＋総合微量要素を含み、約７０日で溶出するもの、チッソ旭肥料（株）発売）を鉢の底面に近い中央部に１鉢当たり３ｇ入れた。
【００２３】この鉢に、スプレーギク品種「セイアルプス」と「セイピュア」を直挿しにより挿し芽した。挿し芽に際しては、穂の折り口が鉢内の肥料に接しないように挿した。１９９８年８月２３日に挿し芽を行ない、ミスト室に１６日間置いて発根させた。
【００２４】発根後の苗を鉢とともに９月８日に開放ガラス室内の底面給水装置（図２に図示した装置、給水マットの上に防根透水シート使用）の上に移動し、深夜４時間の電照を行って底面給水により育苗を行った。
【００２５】９月２２日（直挿し後３０日目）に、従来から慣行されている地床栽培に準じて、底面給水装置上で株間を１２ｃｍに広げるとともに、自然日長（キクが花芽分化、開花できる短日条件）とした。この時点で、鉢を付けたままの試験区と、鉢から培土を抜き出して根鉢だけにした試験区とを設けた。
【００２６】この状態で底面給水装置上で生育を続け、「セイピュア」種については１１月１０〜１１日に、「セイアルプス」種については１１月１８〜２０日にそれぞれ開花した。採花した切り花の切り花重、切り花長、８０ｃｍ重、枝数、茎径、枝長（最上位枝を■、上位より５番目の枝を■として表す）を調べた結果を表１および表２に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】表１および表２からわかるように、両品種とも鉢の大きさについては、２．５号鉢に比べて２号鉢の方が切り花重、切り花長、８０ｃｍ重、枝数、茎径、枝長の値がやや小さかったが、２号鉢でも品質のよい切り花となった。また、両品種とも定置（置き広げ）後の鉢の有無が生育に及ぼす影響は認められなかった。以上の結果、２号鉢でも品質のよい切り花となり、定置時に鉢から抜いて根鉢だけにしても、その後の生育に障害はなかった。
【００３０】［実施例２：スプレーギクの栽培］セル成型トレイ（３０×６０ｃｍ、５５穴、１セル容積約７４ｍＬ、セル間隔約６ｃｍ）を用い、各セルに培土として調整ピートモス（“ＢＭ−２”）を充填し、灌水して各セル内の培土を十分に湿らせた後、各セルの底面に近い中央部に緩効性肥料（被覆肥料“ロングトータル３１３”７０日タイプ）を１セル当たり１．５ｇ、２．０ｇ、２．５ｇの３水準で入れた。
【００３１】このトレイの各セルに、スプレーギク品種「セイアルプス」と「セイチャーム」を直挿しにより挿し芽した。挿し芽に際しては、穂の折り口がセル内の肥料に接しないように挿した。１９９８年１２月１９日に挿し芽を行ない、ミスト室に２３日間置いて発根させた。
【００３２】発根後の苗をトレイとともに１９９９年１月１１日に開放ガラス室内の底面給水装置（図２に図示した装置、給水マットの上に防根透水シート使用）の上に移動し、深夜４時間の電照を行って底面給水により育苗を行った。
【００３３】２月６日（直挿し後４９日目）に、トレイの各セルから根鉢をつけて苗を抜き取り、従来から慣行されている地床栽培に準じて、底面給水装置上で株間を１２ｃｍとして置き広げるとともに、自然日長（キクが花芽分化、開花できる短日条件）とした。
【００３４】この状態で底面給水装置上で生育を続け、「セイアルプス」種については３月２４〜２６日に、「セイチャーム」種については３月２８〜２９日にそれぞれ開花した。採花した切り花の切り花重、切り花長、着蕾枝数、孫蕾着枝数、花穂長、茎径、枝長（最上位枝を■、上位より５番目の枝を■として表す）を調べた結果を表３に示す。
【００３５】
【表３】
【００３６】表３からわかるように、両品種とも施肥量が１セル当たり１．５ｇでは、切り花重、切り花長、枝数、花穂長、茎径、枝長の値が小さく、ボリュームのない切り花となった。１セル当たり２．０ｇと２．５ｇの施肥量では、両区とも切り花品質がよかった。２．０ｇの方はスプレーフォーメーションがスマートで、２．５ｇの方は全般的にやや切り花としてボリュームがあった。全区とも切り花形質の揃いが特によかった。
【００３７】このことから、１トレイ５５穴程度のセル成型トレイに直挿しにより挿し芽を行ない、長日条件下で慣行の地床栽培に比べて４倍以上の密植条件で育苗した後、トレイの各セルから根鉢をつけて苗を抜いて底面給水装置の上に置き広げて短日条件下で生育を続けて開花させる切り花栽培法が可能となることがわかる。
【００３８】また、栽培当初の基肥としての施肥量を調節することによって、切り花の形質を自由にコントロールでき、ボリューム感ある切り花にしたり、スマートな草姿にしたりすることができる。
【００３９】［実施例３：トルコギキョウの栽培］３号ポット（容積約３８０ｍＬ）に、培土として調整ピートモス（“ＢＭ−２”）を充填し、灌水してポット内の培土を十分に湿らせた後、定植穴をやや深めにあけ、この定植穴の下部中央に緩効性肥料（被覆肥料“ロングトータル３１３”１４０日タイプ、約１４０日で溶出するもの）を１ポット当たり３ｇ入れた。各ポットの定植穴に、トルコギキョウ品種「キングオブスノー」と「あずまの粧」の苗を植え（１９９７年３月２５日）、開放ガラス室内の底面給水装置（図２に図示した装置、給水マットの上に防根透水シート使用）の上に載置して、この装置上で底面給水により開花まで栽培を行った。
【００４０】比較のために、同じ苗を同じ日に地床に定植し慣行栽培を行った。慣行栽培においては、土壌への石灰および有機物の投入と消毒を行い、土壌に基肥を施肥して耕耘畦立て整地後、苗を定植し、定植後２週間おきに４回追肥を行った。
【００４１】栽植密度は、本発明法および慣行法ともに、株間１２ｃｍ、条間１２ｃｍの７条植えとした。結果を表４に示す。なお表４中の「硬さ」は茎の硬さを表し、切り花の頂部と頂部から７０ｃｍの部分を手で支えて水平に保ち、頂部の手を離したときの下垂度で示した。表４の結果からわかるように、本発明の栽培法では、慣行の栽培法と切り花重および切り花長はほぼ同等で、茎が硬い形質のよい切り花が得られた。
【００４２】
【表４】
【００４３】［実施例４：トルコギキョウの栽培：密植の検討］２．５号ポット（容積約２２０ｍＬ）に、培土として調整ピートモス（“ＢＭ−２”）を充填し、灌水してポット内の培土を十分に湿らせた後、定植穴をやや深めにあけ、この定植穴の下部中央に緩効性肥料（被覆肥料“ロングトータル３１３”１００日タイプ、約１００日で溶出するもの）を１ポット当たり４ｇ入れた。各ポットの定植穴に、トルコギキョウ品種「キングオブスノー」、「あずまの調２号」、「つくしの春」、「つくしの雪」の苗を植え（「キングオブスノー」と「あずまの調２号」は１９９８年４月３０日、「つくしの春」と「つくしの雪」は１９９８年７月３日）、開放ガラス室内の底面給水装置（図２に図示した装置、給水マットの上に防根透水シート使用）の上に載置して、この装置上で底面給水により栽培を行った。
【００４４】底面給水装置上での栽培について、各ポットが接触し合う密植状態（株間７．５ｃｍ、条間７．５ｃｍ）で１ヶ月間栽培した後、通常の栽植密度（株間１２ｃｍ、条間１２ｃｍ）に置き広げて採花時まで栽培した場合と、密植を行わずに最初から通常の栽植密度で採花時まで栽培した場合とを比較した。結果を表５に示す。この結果からわかるように、１ヶ月間密植したものは、最初から通常の栽植密度にしたものと比べて、切り花品質に特に差は認められず、従って、施設の利用率向上の手段として底面給水装置上での生育初期の密植は有効であった。
【００４５】
【表５】
【００４６】［実施例５：トルコギキョウの栽培：切り花の日持ち性の検討］２．５号ポット（容積約２２０ｍＬ）に、培土として調整ピートモス（“ＢＭ−２”）を充填し、灌水してポット内の培土を十分に湿らせた後、定植穴をやや深めにあけ、この定植穴の下部中央に緩効性肥料（被覆肥料“ロングトータル３１３”１００日タイプ、約１００日で溶出するもの）を１ポット当たり４ｇ入れた。各ポットの定植穴に、トルコギキョウ品種「あずまの波」の苗を植え（１９９８年３月５日）、開放ガラス室内の底面給水装置（図２に図示した装置、給水マットの上に防根透水シート使用）の上に載置して、この装置上で底面給水により開花まで栽培を行った。
【００４７】比較のために、同じ苗を同じ日に地床に定植し慣行栽培を行った。慣行栽培においては、土壌への石灰および有機物の投入と消毒を行い、土壌に基肥を施肥して耕耘畦立て整地後、苗を定植し、定植後２週間おきに４回追肥を行った。
【００４８】栽植密度は、本発明法および慣行法ともに、株間１２ｃｍ、条間１２ｃｍの７条植えとした。表６に採花後の切り花の鑑賞可能期間を比較した結果を示す。表６からわかるように、本発明法で栽培したものは、慣行法で栽培したものに比べて、６月下旬のやや高温の花保ちの悪い時期で４日間鑑賞可能日数が長くなった。この結果からわわるように、本発明法によれば、従来から慣行されていた地床栽培法で得られた切り花に比べて、茎が硬く、日持ちの良い良質な切り花が得られた。
【００４９】
【表６】
【００５０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００５１】(1) 少量の培土しか使用しないため土壌消毒剤の使用量が少なくてすむ。消毒済みの購入培土等の利用もできる。
【００５２】(2) 生育に必要な肥料成分の全量を培土に基肥として施用しているため、養液や追肥は必要なく、底面から水の補給を行うだけで栽培でき、肥料成分の流亡がなく肥料の利用率も高い。
【００５３】(3) 生育途中で底面給水装置上での移動・植え広げが可能となるため、生育に応じて栽植密度を変えることができるため、温室の利用率を従来の２倍以上に高めることができる。またそれに伴い、生産量当たりの燃料の消費とそれに伴う二酸化炭素の発生が削減できる。
【００５４】(4) 株ごとに肥料が固定されており、株間の肥料成分の奪い合いが無いため、個体間の生育のバラツキを小さくでき、容易に高品質安定生産ができる。
(5) トラクターや耕運機等の使用の必要がないため作業の安全性が高い。
(6) 施設内の土壌改良や排水対策が不要である。
(7) 植物工場的な栽培に適しており、切り花以外の野菜栽培等にも利用価値が高い。
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| 【出願人】 |
【識別番号】５９１２２４７８８
【氏名又は名称】大分県
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| 【出願日】 |
平成１１年６月９日（１９９９．６．９） |
| 【代理人】 |
【識別番号】１０００６７０４６
【弁理士】
【氏名又は名称】尾股 行雄
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| 【公開番号】 |
特開２０００−７８９３５（Ｐ２０００−７８９３５Ａ） |
| 【公開日】 |
平成１２年３月２１日（２０００．３．２１） |
| 【出願番号】 |
特願平１１−１６２５７２ |
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