| 公開番号 | 発明の名称 |
| 特開２０００−２９２０１ | 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスクの修正装置 |
| 特開２０００−２９２０２ | マスクの製造方法 |
| 特開２０００−３０４５１ | 半導体メモリ装置及びそのカラムデコ―ダ |
| 特開２０００−３０４５２ | コマンド・スタッキングを有する高帯域幅で狭い入出力のメモリ装置 |
| 特開２０００−３０４５３ | 周波数対応バックバイアス電圧発生回路及び方法 |
| 特開２０００−３０４５４ | 集積メモリ |
| 特開２０００−３０４５５ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４５６ | メモリデバイス |
| 特開２０００−３０４５７ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４５８ | 増加したドライブ電流能力を有するセンス増幅器 |
| 特開２０００−３０４５９ | シングルサイドプリチャ―ジデバイスを備えたインタ―リ―ブセンスアンプ |
| 特開２０００−３０４６０ | パイプラインド・デュアル・ポ―ト集積回路メモリ |
| 特開２０００−３０４６１ | 半導体集積回路装置 |
| 特開２０００−３０４６２ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４６３ | 同期型半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４６４ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４６５ | 同期パイプライン・バ―スト・メモリおよびその動作方法 |
| 特開２０００−３０４６６ | マルチデ―タ貯蔵用メモリ |
| 特開２０００−３０４６７ | 記憶方法および記憶装置ならびに情報処理方法および情報処理装置 |
| 特開２０００−３０４６８ | ホログラフィックメモリシステム |
| 特開２０００−３０４６９ | 連想メモリセル及び連想メモリ |
| 特開２０００−３０４７０ | 不揮発性半導体メモリ |
| 特開２０００−３０４７１ | 不揮発性半導体メモリ |
| 特開２０００−３０４７２ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４７３ | 不揮発性半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４７４ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４７５ | 半導体メモリ装置 |
| 特開２０００−３０４７６ | 不揮発性半導体記憶装置および閾値電圧書込み方法 |
| 特開２０００−３０４７７ | フラッシュＥＥＰＲＯＭを用いた記録再生装置 |
| 特開２０００−３０４７８ | ＲＯＭ |
| 特開２０００−３０４７９ | ＭＡＣＲＯＭ書込みシステム |
| 特開２０００−３０４８０ | エンコーダの制御方法 |
| 特開２０００−３０４８１ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４８２ | サンプル・ホールド回路 |
| 特開２０００−３０４８３ | 大規模メモリ用ＢＩＳＴ回路 |
| 特開２０００−３０４８４ | 冗長回路 |
| 特開２０００−３０４８５ | カラムリダンダンシ―回路 |
| 特開２０００−３０４８６ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４８７ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４８８ | ボ―ドを用いたモジュ―ルのテスト用バ―ンインシステム回路装置 |
| 特開２０００−３０４８９ | 半導体不良解析方法およびそのシステム |
| 特開２０００−３０４９０ | 半導体試験装置および冗長救済判定方法 |
| 特開２０００−３０４９１ | 不良解析メモリ |
| 特開２０００−３０４９２ | 半導体集積回路 |
| 特開２０００−３０４９３ | メモリ装置 |
| 特開２０００−３０４９４ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４９５ | フ―リオンチップ・ウェハレベル・バ―ンインテスト回路及びその方法 |
| 特開２０００−３０４９６ | 半導体メモリテスト回路及びその方法 |
| 特開２０００−３０４９７ | 半導体記憶装置 |
| 特開２０００−３０４９８ | 欠陥分析用スタティックＲＡＭ回路 |