| 公開番号 | 発明の名称 |
| 特開２０００−３０６３４ | 偏向ヨーク締付バンド及び偏向ヨーク、並びに、偏向ヨーク締付バンドの製造方法、偏向ヨークの製造方法、陰極線管への偏向ヨーク装着方法 |
| 特開２０００−３０６３５ | 電子銃の支持部材 |
| 特開２０００−３０６３６ | 防爆形陰極線管 |
| 特開２０００−３０６３７ | 陰極線管 |
| 特開２０００−３０６３８ | 陰極線管及びその残留ガス排気方法 |
| 特開２０００−３０６３９ | 電界放出素子デバイスの真空容器 |
| 特開２０００−３０６４０ | 表示装置の発光素子 |
| 特開２０００−３０６４１ | Ｘ線管 |
| 特開２０００−３０６４２ | Ｘ線管装置 |
| 特開２０００−３０６４３ | 回転陽極エックス線管 |
| 特開２０００−３０６４４ | 電子線バイプリズム装置 |
| 特開２０００−３０６４５ | 磁気形結像エネルギフィルタを有する電子顕微鏡 |
| 特開２０００−３０６４６ | 電子ビーム源 |
| 特開２０００−３０６４７ | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| 特開２０００−３０６４８ | 電子線装置およびその使用方法 |
| 特開２０００−３０６４９ | 円筒壁用シャッタ装置 |
| 特開２０００−３０６５０ | Ｉｎ−ｓｉｔｕ試料前処理機能を備えた走査電子顕微鏡 |
| 特開２０００−３０６５１ | 二次電子像調整方法 |
| 特開２０００−３０６５２ | 試料の観察方法およびその装置 |
| 特開２０００−３０６５３ | 荷電粒子線装置及び試験片の検査方法 |
| 特開２０００−３０６５４ | 粒子ビ―ム装置 |
| 特開２０００−３０６５５ | 電子顕微鏡 |
| 特開２０００−３０６５６ | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| 特開２０００−３０６５７ | 出現質量分析方法 |
| 特開２０００−３０６５８ | 全反射Ｘ線光電子分光装置 |
| 特開２０００−３０６５９ | 全反射Ｘ線光電子分光装置 |
| 特開２０００−３０６６０ | 放電管 |
| 特開２０００−３０６６１ | 毛細管型超高圧水銀ランプ |
| 特開２０００−３０６６２ | サーメットおよびセラミック製放電ランプ |
| 特開２０００−３０６６３ | 放電ランプのためのア―ク管 |
| 特開２０００−３０６６４ | 蛍光ランプ、この蛍光ランプの製造方法およびこの蛍光ランプを用いた照明装置 |
| 特開２０００−３０６６５ | ダブルエンド型低電力メタルハライドランプ |
| 特開２０００−３０６６６ | 高圧水銀ランプ、および高圧水銀ランプ発光装置 |
| 特開２０００−３０６６７ | 誘電体バリア放電ランプ |
| 特開２０００−３０６６８ | ランプフィラメント |
| 特開２０００−３０６６９ | 高効率ハロゲン電球 |
| 特開２０００−３０９９１ | ウェハＩＤ読み取り方法および装置 |
| 特開２０００−３０９９２ | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ |
| 特開２０００−３０９９３ | ＳＯＩウェーハの製造方法およびＳＯＩウェーハ |
| 特開２０００−３０９９４ | 半導体ウエーハおよびその製造方法ならびにウエーハチャック |
| 特開２０００−３０９９５ | ＳＯＩウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるＳＯＩウエーハ |
| 特開２０００−３０９９６ | ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ |
| 特開２０００−３０９９７ | 半導体熱処理用ダミーウェーハ |
| 特開２０００−３０９９８ | ＳＯＩ基板の製造方法 |
| 特開２０００−３０９９９ | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| 特開２０００−３１０００ | 半導体製造装置におけるレジスト液供給装置 |
| 特開２０００−３１００１ | 半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパタ―ン形成方法及びこれを適用した半導体素子製造用フォトレジスト |
| 特開２０００−３１００２ | 現像装置 |
| 特開２０００−３１００３ | 露光方法及び露光装置 |
| 特開２０００−３１００４ | 基板処理装置 |