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【発明の名称】 多層プリント配線板
【発明者】 【氏名】白井 誠二

【氏名】島田 憲一

【氏名】浅井 元雄
【要約】 【課題】バイアホールとバイアホールとの間の接続信頼性に優れたフィルドビア構造を有する多層プリント配線板を提供する。

【解決手段】下層の層間樹脂絶縁層４０に設けられた開口部４２にめっき４８を充填し下層バイアホール５０を析出した後、表面に粗化層５８を形成する。そして、当該下層バイアホール５０の上層の層間樹脂絶縁層６０に開口６２を設け、上層バイアホール７０を形成する。ここで、下層バイアホール５０の表面に粗化層５８が形成されているため、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との接続信頼性を確保できる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部には金属が充填されて下層バイアホールが形成され、当該下層バイアホールの表面の粗化層を介して上層バイアホールが形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】 前記下層バイアホールの中央部には、窪みが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】 前記下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されていることを特徴とする請求項１又は２の多層プリント配線板。
【請求項４】 前記上層バイアホール及び前記導体回路の表面が粗化処理されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の多層プリント配線板。
【請求項５】 前記下層の層間樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体又は主として熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層プリント配線板。
【請求項６】 前記下層バイアホールは、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が１を越え、４以下に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、下層のバイアホールの直上に上層のバイアホールを形成するフィルドビア構造を有する多層プリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】いわゆるビルドアップ多層プリント配線板においては、図２０（Ａ）に示すようにバイアホール２５０によって、下層の導体回路２３４と上層の導体回路２５２とが電気的に接続されている。該バイアホール２５０は、層間樹脂絶縁層２４０に穿設された開口部２４２の内面にめっき膜２４８を設けることにより形成されている。このバイアホール２５０を形成するめっき層２４８の内側には、上層の層間樹脂絶縁層２６０を形成する樹脂２６０ａが充填されている。このため、該バイアホール２５０の上側にバイアホールを図中点線に示すように形成すると、めっき層２４８の内側に充填された樹脂２６０ａにより両バイアホール間の接続が困難と成る。
【０００３】このため、バイアホールの上にバイアホールを形成する際、即ち、高密度化を図るため、配線を介さずバイアホールにバイアホールを直接接続するときには、図２１（Ｉ）に示すように層間樹脂絶縁層１４０の開口部１４２をめっき１４８にて充填するいわゆるフィルドビア構造により多層プリント配線板を形成している。係る技術が本出願人に係る特開平２−１８８９９２号、特開平３−３２９８号、特開平７−３４０４８号に開示されている。
【０００４】このバイアホールの上にバイアホールを形成する方法について図２０（Ｂ）〜図２１（Ｉ）を参照して説明する。先ず、表面に導体回路１３４を形成した基板１３０の上下面に下層層間樹脂絶縁層を形成する樹脂１４０を塗布する（図２０（Ｂ）参照）。そして、該層間樹脂絶縁層１４０にバイアホールを形成するための開口部１４２を形成する（図２０（Ｃ）参照）。引き続き、基板１３０の表面に均一に無電解めっき膜１４４を析出させた後に、レジスト層１４６を形成する（図２０（Ｄ）参照）。そして、該レジスト層１４６の非形成部に電解めっき膜１４８を析出させることで、バイアホール１５０及び導体回路１５２を形成する（図２０（Ｅ）参照）。その後、レジスト層１４６及びレジスト層の下層の無電解めっき膜１４４を剥離してから、基板１３０の表面に上層の層間樹脂絶縁層となる樹脂１６０と塗布する（図２１（Ｆ）参照）。そして、フォトエッチングにより該層間樹脂絶縁層１６０にバイアホールを形成するための開口部１６２を形成する（図２１（Ｇ）参照）。引き続き、基板１３０の表面に均一に無電解めっき膜１６４を析出させた後に、レジスト層１６６を形成し、該レジスト形成１６６の非形成部に電解めっき膜１６８を析出させる（図２１（Ｈ）参照）。最後に、レジスト層１６６及びレジスト層の下層の無電解めっき膜１６４を剥離することで、上層バイアホール１７０及び導体回路１７２を完成する（図２１（Ｉ）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した製造方法に係る多層プリント配線板においては、下層のバイアホール１５０と上層のバイアホール１７０との接続信頼性が低かった。この原因を本発明者が研究したところ、図２０（Ｅ）に示すように電解めっき層１４８により下層バイアホール１５０を形成した際に、該下層バイアホール１５０の表面に酸化皮膜が形成されるためであることが判明した。即ち、図２１（Ｉ）に示すように、上層層間樹脂絶縁層１６０は、熱収縮を繰り返す際に該下層バイアホール５０と上層バイアホール７０とを引き離す方向に応力を加わえる。この際に、下層バイアホール１５０と上層バイアホール１７０との界面、、即ち、下層バイアホール１５０の表面に酸化皮膜が形成されていると、該下層バイアホール１５０の表面と上層バイアホール１７０の下面とが分断され、下層バイアホール１５０と上層バイアホール１７０との電気接続が断たれることが分かった。
【０００６】本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、バイアホールとバイアホールとの間の接続信頼性に優れたフィルドビア構造を有する多層プリント配線板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成するため本発明は、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部には金属（めっき）が充填されて下層バイアホールが形成され、当該下層バイアホールの表面の粗化層を介して上層バイアホールが形成されてなることを技術的特徴とする。
【０００８】本発明においては、下層のバイアホールと上層のバイアホールとが、下層バイアホールの表面に形成された粗化層を介して接続されているため、該下層バイアホールの表面に酸化皮膜が形成されたとしても、下層バイアホールと上層バイアホールとの接続信頼性を保つことができる。
【０００９】本発明の好適な態様において、下層バイアホールの中央部に窪みが形成されているため、該窪みに垂直に粗化層が設けられている。このため、下層バイアホールと上層バイアホールとを強固に接続し、下層バイアホールと上層バイアホールとの接続信頼性を保つことができる。
【００１０】本発明の好適な態様においては、下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されているため、該開口部内に形成されるバイアホールとの密着性を高めることができる。
【００１１】本発明の好適な態様においては、上層バイアホール及び導体回路の表面が粗化処理されているため、該上層バイアホール及び導体回路の上に形成される半田パッド或いは層間樹脂絶縁層との間の密着性を高めることができる。
【００１２】本発明の好適な態様においては、下層の層間樹脂絶縁層が、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体又は主として熱可塑性樹脂からなり、靱性が高いため、該層間樹脂絶縁層の開口部にバイアホール用のめっきを充填しても、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し難い。
【００１３】本発明の好適な態様においては、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が１を越える。即ち、めっきによりバイアホールを形成する工程において、バイアホールを形成する開口部は、開口径に対して深みが深過ぎないので、金属（めっき液）が該開口部内に十分に回り込み、効率的にバイアホールをめっきにて形成できる。他方、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は４以下に設定される。即ち、めっきによりバイアホールを形成する工程において、バイアホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎないので、バイアホールの中央に窪みを形成することができる。窪みの深さは、導体回路の厚み範囲（即ち、窪みが開口部に達しない範囲）であることが望ましく、具体的には０．５〜３０μｍである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板の断面を示す図１９を参照して説明する。図中に示す多層プリント配線板１０は、上面に図示しないＩＣチップのバンプ側に接続するための半田バンプ８８Ｕが設けられ、下面側に図示しないマザーボードのバンプに接続するための半田バンプ８８Ｄが配設され、該ＩＣチップ−マザーボード間の信号等の受け渡しの役割を果たすパッケージ基板として構成されている。
【００１５】多層プリント配線板１０のコア基板３０の上面側上層及び下面側上層（ここで、上層とは基板３０を中心として上面については上側を、基板の下面については下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パターン３４、３４が形成されている。また、内層銅パターン３４の上層には、下層層間樹脂絶縁層４０を介在させて信号線を形成する導体回路５２、又、該層間樹脂絶縁層４０を貫通して下層バイアホール５０が形成されている。下層バイアホール５０及び導体回路５２の上層には、上層層間樹脂絶縁層６０を介して最外層の導体回路７２、及び該上層層間樹脂絶縁層６０を貫通する上層バイアホール７０が形成されている。
【００１６】上面側の該導体回路７２、上層バイアホール７０には半田バンプ８８Ｕを支持する半田パッド８６Ｕが形成されている。ここで、ＩＣチップ側の半田パッド８６Ｕは、直径１３３μｍに形成されている。他方、下面側の該導体回路７２、上層バイアホール（図示せず）には半田バンプ８８Ｄを支持する半田パッド８６Ｄが形成されている。ここで、マザーボード側の半田パッド８６Ｄは、直径６００μｍに形成されている。
【００１７】第１実施形態の多層プリント配線板においては、下層バイアホール５０の表面、即ち、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との界面は、粗化処理された粗化層５８が形成されているので、両者は強固に接合している。このため、該下層バイアホール５０の表面に酸化皮膜が形成され、層間樹脂絶縁層６０の熱収縮により該下層バイアホール５０と上層バイアホール７０とを引き離す方向に応力が加わったとしても、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との接続信頼性を保つことができる。更に、下層バイアホール５０の中央部に窪み５０ａが形成され、該窪み５０ａの曲面に対して垂直に粗化層５８が設けられている。このため、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との間に加わる両者を剥離させる図中上下方向の応力に対して、両者を強固に接続し、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との接続を維持することができる。そして、下層層間樹脂絶縁層４０及び上層層間樹脂絶縁層６０の開口部４２、６２の側面４２ａ、６２ａは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部４２、６２内に形成されるバイアホール５０、７０との密着性を高めることができる。
【００１８】銅からなるバイアホール５０と、該バイアホール５０の形成された樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０との間には、両者の熱膨張率の違いから熱収縮の際に大きな応力が加わる。ここで、図２０（Ａ）を参照して上述した従来技術に係る内側に樹脂２６０ａを充填する構成のバイアホール２５０においては、発生した応力を銅めっき２４８内部の樹脂２６０ａ側へ逃がすことができた。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板１０においては、層間樹脂絶縁層４０、６０の開口部４２、６２にバイアホール用の電解銅めっき４８、６８を充填してあるため、内側へ応力を逃がすことができない。このため、該多層プリント配線板１０においては、下層層間樹脂絶縁層４０及び上層層間樹脂絶縁層６０に、靱性の高い熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いることで、該応力によるクラックの発生を防止している。ここでは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を用いているが、この代わりに靱性の高いフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を主に用いて層間樹脂絶縁層４０、６０を形成することも可能である。
【００１９】更に、上層バイアホール７０及び導体回路７２、５２の表面は粗化処理され、粗化層７８、５８が形成されているため、該上層バイアホール７０、導体回路７２上に形成される半田パッド８６Ｕとの密着性、及び、導体回路５２上に形成される層間樹脂絶縁層６０との間の密着性を高めることができる。
【００２０】引き続き、図１９に示すパッケージ基板の製造工程について図１〜図１９を参照して説明する。
（１）厚さ１ｍｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂またはガラスエポキシ樹脂からなるコア基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをパターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に内層銅パターン（導体回路）３４を形成する（図２参照）。
【００２１】さらに、内層銅パターン３４を形成した基板３０を、水洗いして乾燥した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該内層銅パターン３４の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層３８を形成する（図３参照）。その基板３０を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌホウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、粗化層表面に０．３μｍのスズ層（図示せず）を設ける。
【００２２】（２）ここで、層間樹脂絶縁層を形成する無電解めっき用接着剤を用意する。ここでは、■クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製：分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５重量部（固形分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製 Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部を撹拌混合する。
■熱可塑性樹脂としてポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂粒子（三洋化成製商品名 ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのものを７．２４５重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ２０重量部を添加し撹拌混合する。
■イミダゾール硬化剤（四国化成製：商品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー製イルガキュア −９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製：ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合する。
■から■を混合撹拌して無電解めっき用接着剤を得る。
【００２３】（３）（１）の無電解めっき用接着剤を（２）の基板３０にロールコ一夕で塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、層間樹脂絶縁層４０を形成する（図４参照）。
【００２４】下層層間樹脂絶縁層４０を形成した基板３０の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ２で露光する。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ２ で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた６０μｍφの開口（バイアホール形成用開口部４２：底部６１μｍ、上部６７μｍ）を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層４０を形成する（図５参照）。
【００２５】（４）開口部４２が形成された基板３０を、クロム酸に２分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、該層間樹脂絶縁層４０の表面に深さ４μｍ粗化面を形成する。この粗化面は、開口部４２内部の側面４２ａに対しても同様に形成される（図６参照）。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面およびバイアホール用開口部４２の内壁面に触媒核を付ける。
【００２６】（５）以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜４４を形成する（図７参照）。
〔無電解めっき液〕
ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ硫酸銅 ２０ ｇ／ｌＨＣＨＯ ３０ｍｌ／ｌＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌα、α’−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌＰＥＧ ０．１ｇ／ｌ【００２７】（６）上記（５）で形成した無電解銅めっき膜４４上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２ で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍで、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍのめっきレジスト４６を設ける（図８参照）。
【００２８】（７）ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５８を析出し、該めっき膜により開口部４２内を充填する（図９参照）。
液条件：硫酸銅・５水和物 ６０ｇ／ｌ 硫酸 １９０ｇ／ｌ 塩素イオン ４０ｐｐｍ レベリング剤（アトテック製 ＨＬ）４０ｍｌ／ｌ 光沢剤 （アトテック製 ＵＶ）０．５ｍｌ／ｌ操作条件：バブリング ３．００ｌ／分 電流密度 ０．５Ａ／ｄｍ２ 設定電流値 ０．１８Ａ めっき時間１００分本実施形態の製造方法では、バイアホール５０を形成する部位の電解銅めっき４８の中央部に深さ１０μｍの窪み５０ａができるように電解めっきを行う。この実施形態では、めっきにより充填を行ったが、めっきの代わりに、導電性ペーストを充填することもできる。導電性ペーストとしては、タッタ電線製ＤＤペースト（ＡＥ１６００１）などが挙げられる。
【００２９】（８）めっきレジスト４６を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４６下の無電解めっき膜４４を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めっき膜４４と電解銅めっき膜４８からなる厚さ約１５μｍの導体回路５２及びバイアホール５０を形成する（図１０参照）。
【００３０】本実施形態では、バイアホール径（開口部４２の開口径：６７μｍ）と層層間樹脂絶縁層４０の厚み（２０μｍ）との比が、３．３５に設定してある。ここで、バイアホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が１以下では、上記めっき工程において、開口部４２の開口径に対して深みが深過ぎて、めっき液が該開口部４２内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が４を越えると、バイアホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎるため、バイアホールの中央部に窪みを形成することができない。このため、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、１を越え４以下であることが望ましい。
【００３１】また、導電回路５２の厚みは２０μｍ以下が好適で、４０μｍ以下であることが望ましい。これは、導電回路の厚みは、上述しためっきレジスト４６の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめっきレジストの厚みが４０μｍを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。
【００３２】（９）引き続き、基板３０の導体回路５２及びバイアホール５０に対して、上記（２）と同様にして粗化層５８を形成する（図１１参照）。この粗化層５８は、バイアホール５０の中央の窪み５０ａの曲面に対しては、該曲面に垂直に形成される。
【００３３】（１０）上記（２）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即ち、基板３０の両面に、無電解めっき用接着剤を塗布し、水平状態で放置してから乾燥を行い、その後、フォトマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、バイアホール形成用開口６２を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層６０を形成する（図１２参照）。次に、該層間樹脂絶縁層６０の表面を粗面とした後、該粗面化処理した該基板３０の表面に、無電解銅めっき膜６４を形成する（図１３参照）。引き続き、無電解銅めっき膜６４上にめっきレジスト６６を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めっき膜６８を形成する（図１４参照）。そして、めっきレジスト６６を剥離除去した後、そのめっきレジスト６６下の無電解めっき膜６４を溶解除去し上層バイアホール７０及び導体回路７２を形成する（図１５参照）。さらに、該上層バイアホール７０及び導体回路７２の表面に粗化層７８を形成し、パッケージ基板を完成する（図１６参照）。
【００３４】（１１）引き続き、上述したパッケージ基板にはんだバンプを形成する。先ず、はんだバンプ用のソルダーレジスト組成物の調整について説明する。ここでは、ＤＭＤＧに溶解させた８０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００３５】（１２）基板にソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布する。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、１０００ｍＪ／ｃｍ２ の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理し、パッド部８１が開口したソルダーレジスト層８０を得る（図１７参照）。パッド部８１の開口径は上面側１３３μｍ、下面側６００μｍである。
【００３６】（１３）次に、ソルダーレジスト層８０を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、パッド部（開口部）８１に厚さ５μｍのニッケルめっき層８２を形成する（図１８参照）。さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層８２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層８４を析出し、上面に直径１３３μｍの半田パッド８６Ｕを、下面に直径６００μｍの半田パッド８６Ｄを形成する。
【００３７】（１４）厚さ４０μｍ、直径１６０μｍの開口をもつメタルマスク（図示せず）を載置し、ソルダーレジスト層８０の開口部８１内の上面側半田パッド８６Ｕに、平均粒子径２０μｍの半田ペーストを印刷し、同様に下面側の半田パッド８６Ｄに半田ペーストを印刷した後、２００℃で加熱リフローし、上面側半田パッド８６Ｕに直径１３３μｍの半田バンプ８８Ｕを、下面側半田パッド８６Ｄに直径６００μｍの半田バンプ８８Ｄを設け、半田バンプの形成を完了する（図１９参照）。
【００３８】ここで、本発明者が図１９に示す構造の多層プリント配線板について、加熱試験及びヒートサイクル試験を行った結果について説明する。１２８°Ｃで４８時間加熱した後、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との間の剥離の有無について断面を光学顕微鏡で観察した結果、剥離が生じていなかった。同様に、−５５〜１２５°Ｃで１０００回のヒートサイクルを繰り返した後、光学顕微鏡で観察した結果、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０との間で剥離が生じていなかった。上記の試験結果から本実施形態の多層プリント配線板では、粗化層５８を介在させることで、下層バイアホール５０と上層バイアホール７０とを強固に接合できることが判明した。
【００３９】なお、上述した実施形態では、セミアディティブ法により形成するパッケージ基板を例示したが、本発明の構成は、フルアディティブ法により形成するパッケージ基板にも適用し得る。また、上述した実施形態では、多層プリント配線板としてパッケージ基板を例に挙げたが、本発明の構成をパッケージ基板以外の多層プリント配線板に好適に適用し得ることは言うまでもない。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリント基板において、バイアホールにバイアホールを直接接続し、接続を配線を介さず行うため高密度化を達成することができる。この下層バイアホールと上層バイアホールとの接続する際に、下層バイアホールの表面に形成した粗化層を介在させて接続しているため、上下層のバイアホールの接続信頼性を確保できる。
【出願人】 【識別番号】００００００１５８
【氏名又は名称】イビデン株式会社
【出願日】 平成１０年（１９９８）１２月２４日
【代理人】 【弁理士】
【氏名又は名称】田下 明人 （外１名）
【公開番号】 特開平１１−２５１７５４
【公開日】 平成１１年（１９９９）９月１７日
【出願番号】 特願平１０−３６７９１１