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【発明の名称】 回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法
【発明者】 【氏名】中谷 誠一

【氏名】平野 浩一
【要約】 【課題】無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板を用いることによって、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性が高い回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供する。

【解決手段】積層された電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃからなる電気絶縁性基板４０１と、電気絶縁性基板４０１の主面および内部に形成された配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄと、電気絶縁性基板４０１の内部に配置され配線パターンに接続された回路部品４０３と、配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄを電気的に接続するインナービア４０４とを含む。電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 無機フィラー７０重量％〜９５重量％と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも主面に形成された複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板の内部に配置され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品と、前記複数の配線パターンを電気的に接続するように前記電気絶縁性基板内に形成されたインナービアとを含む回路部品内蔵モジュール。
【請求項２】 前記配線パターンは、前記電気絶縁性基板の主面および内部に形成されている請求項１に記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項３】 前記回路部品は能動部品を含み、前記インナービアは導電性樹脂組成物からなる請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項４】 前記回路部品は、前記電気絶縁性基板によって外気から遮断されている請求項１ないし３のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項５】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内臓モジュール。
【請求項６】 前記無機フィラーが、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮおよびＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含む請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項７】 前記無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ〜１００μｍである請求項１、２、３、４または６のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項８】 前記配線パターンが銅を含む請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項９】 前記配線パターンが導電性樹脂組成物を含む請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１０】 前記能動部品は半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされている請求項３または４に記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１１】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含む請求項３、４または９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１２】 前記配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなる請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１３】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１４】 前記混合物は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含む請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１５】 前記電気絶縁性基板の線膨張係数が８×１０-6／℃〜２０×１０-6／℃であり、かつ前記電気絶縁性基板の熱伝導度が１ｗ／ｍＫ〜１０ｗ／ｍＫである請求項１ないし４のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項１６】 無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の銅箔の一主面に回路部品を実装する工程と、前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記第２の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、前記第３の板状体を加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１７】 無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、前記第１の離型フィルムと前記第２の板状体と前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記第２の板状体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、第３の板状体を加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、前記第１および第２の離型フィルムを前記硬化した第３の板状体から剥離する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１８】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、前記第１の離型フィルムの前記一主面側に、前記第２の板状体を位置合わせして重ね、加圧することによって前記回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、前記第１の離型フィルムを前記第３の板状体から剥離することによって第４の板状体を形成する工程と、複数の前記第４の板状体を位置合わせして重ね、さらに一主面に配線パターンが形成された第２の離型フィルムを前記配線パターンが前記第４の板状体側を向くように位置合わせして重ねて加圧し加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層構造を有する第５の板状体を形成する工程と、前記第２の離型フィルムを前記第５の板状体から剥離する工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１９】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成して前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、前記第１の離型フィルムの前記一主面側に、前記第２の板状体を位置合わせして重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、前記第１の離型フィルムを前記第３の板状体から剥離することによって第４の板状体を形成する工程と、複数の前記第４の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層構造を有する第５の板状体を形成する工程と、前記第５の板状体の前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２０】 前記回路部品は能動部品を含み、前記導電性物質は導電性樹脂組成物からなる請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２１】 前記銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２２】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を加熱して硬化させる際の温度が１５０℃以上２６０℃以下である請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２３】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を加熱して硬化させる際に、加熱しながら１０ｋｇ／ｃｍ2〜２００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧する請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２４】 前記第１の板状体を形成する工程が、前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２５】 前記回路部品を前記第２の板状体に埋設することによって前記第３の板状体を形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２６】 前記回路部品を前記配線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなる請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２７】 前記能動部品を前記配線パターンに実装する際に、前記能動部品の金バンプと前記配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続する請求項１６から１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２８】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２９】 前記無機フィラーがＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮおよびＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３０】 前記配線パターンが、銅を含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３１】 前記配線パターンが、導電性樹脂組成物を含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３２】 前記回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされている請求項２０または２６に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３３】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含む請求項２０または３１に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３４】 前記配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなる請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３５】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項１６ないし１９のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路部品内蔵モジュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれている。そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応した回路基板が要求されている。
【０００３】回路部品を高密度化する方法として、回路を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポキシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難である。このため、最も回路の高密度化が図れる方法として、ＬＳＩ間や部品間の配線パターンを最短距離で接続できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進められている。
【０００４】インナービアホール接続法では、必要な各層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優れている（特開昭６３−４７９９１、特開平６−２６８３４５）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いという問題があった。回路部品内蔵モジュールでは、回路部品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生する熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュールの信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題を解決するため、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の高い回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラー７０重量％〜９５重量％（混合物に対して）と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも主面に形成された複数の配線パターン（一つの配線パターンは同一平面内に形成される一群の電気配線からなる）と、前記電気絶縁性基板の内部に配置され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品と、前記複数の配線パターンを電気的に接続するように前記電気絶縁性基板内に形成されたインナービアとを含む。
【０００８】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板内に形成されるインナービアによってインナービアホール接続が行われるため、高密度に回路部品を実装することができる。また、回路部品から発生する熱が、無機フィラーによって速やかに放熱されるため、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。さらに、無機フィラーを選択することによって、内蔵する回路部品にあわせて電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率、絶縁耐圧等を変化させることができる。また、半導体素子およびチップコンデンサを含む回路部品内蔵モジュールでは、半導体素子とチップコンデンサとの距離を短くすることによって、電気信号のノイズを低減することができる。
【０００９】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンは、電気絶縁性基板の主面および内部に形成されていることが好ましい。配線パターンを多層構造とすることによって、さらに高密度に回路部品を実装することができる。
【００１０】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部品は能動部品を含み、インナービアは導電性樹脂組成物からなることが好ましい。回路部品が能動部品を含むことによって所望の機能をもった回路部品を形成することができる。また、インナービアが導電性樹脂組成物からなる場合は、製造が容易になる。
【００１１】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部品が、電気絶縁性基板によって外気から遮断されていることが好ましい。回路部品が外気から遮断されることによって、湿度による回路部品の信頼性低下を防止できる。
【００１２】上記回路部品内蔵モジュールでは、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。
【００１３】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーが、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮおよびＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含むことが好ましい。これらの無機フィラーを用いることによって、放熱性に優れた電気絶縁性基板が得られる。また、無機フィラーとしてＭｇＯを用いた場合は、電気絶縁性基板の線膨張係数を大きくすることができる。また、無機フィラーとしてＳｉＯ2（特に非晶質ＳｉＯ2）を用いた場合は、電気絶縁性基板の誘電率を小さくすることができる。また、無機フィラーとしてＢＮを用いた場合は、線膨張係数を低くすることができる。
【００１４】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーの平均粒子径が０．１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンが銅を含むことが好ましい。銅は電気抵抗が小さいため、微細な配線パターンを形成することができる。
【００１５】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンが導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。導電性樹脂組成物を用いることによって、配線パターンを容易に形成することができる。
【００１６】上記回路部品内蔵モジュールでは、能動部品は半導体ベアーチップを含み、半導体ベアーチップは配線パターンにフリップチップボンディングされていることが好ましい。
【００１７】上記回路部品内蔵モジュールでは、導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含むことが好ましい。上記金属は電気抵抗が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。
【００１８】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなることが好ましい。金属板のリードフレームは、電気抵抗が低いからである。エッチング法を用いることによって、微細なパターンの配線パターンを形成することができる。打ち抜き法を用いることによって、簡易な設備で配線パターンを形成することができる。
【００１９】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。チップ状の部品を用いることによって、電気絶縁性基板に容易に埋設することができる。
【００２０】上記回路部品内蔵モジュールでは、混合物は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含むことが望ましい。分散剤によって、熱硬化性樹脂中の無機フィラーを均一性よく分散させることができる。着色剤によって、電気絶縁性基板を着色することができるため、回路部品内蔵モジュールの放熱性をよくすることができる。カップリング剤によって、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの接着強度を高くすることができるため、電気絶縁性基板の絶縁性を向上できる。離型剤によって、金型と混合物との離型性を向上できるため、生産性を向上できる。
【００２１】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板の線膨張係数が８×１０-6／℃〜２０×１０-6／℃であり、かつ電気絶縁性基板の熱伝導度が１ｗ／ｍＫ〜１０ｗ／ｍＫであることが好ましい。セラミック基板に近い熱伝導度が得られ、放熱性に富む基板が得られるからである。
【００２２】本発明の第１の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー７０重量％〜９５重量％（混合物に対して）と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の銅箔の一主面に回路部品を実装する工程と、第１の銅箔の一主面上に、第２の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、第３の板状体を加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させる工程と、第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含む。上記第１の製造方法によれば、本発明の回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００２３】本発明の第２の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー７０重量％〜９５重量％（混合物に対して）と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、第１の離型フィルムと第２の板状体と第２の離型フィルムとを配線パターンが第２の板状体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、第３の板状体を加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させる工程と、第１および第２の離型フィルムを硬化した第３の板状体から剥離する工程とを含む。
【００２４】上記第２の製造方法によれば、本発明の回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。本発明の第３の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、無機フィラー７０重量％〜９５重量％（混合物に対して）と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第１の離型フィルムの一主面側に、第２の板状体を位置合わせして重ね、加圧することによって回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムを第３の板状体から剥離することによって第４の板状体を形成する工程と、複数の第４の板状体を位置合わせして重ね、さらに一主面に配線パターンが形成された第２の離型フィルムを配線パターンが第４の板状体側を向くように位置合わせして重ねて加圧し加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させて多層構造を有する第５の板状体を形成する工程と、第２の離型フィルムを第５の板状体から剥離する工程とを含むことを特徴とする。
【００２５】上記第３の製造方法によれば、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。本発明の第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、無機フィラー７０重量％〜９５重量％（混合物に対して）と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第１の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第２の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成して配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第１の離型フィルムの一主面側に、第２の板状体を位置合わせして重ねて加圧することによって、回路部品が埋設された第３の板状体を形成する工程と、第１の離型フィルムを第３の板状体から剥離することによって第４の板状体を形成する工程と、複数の第４の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させて多層構造を有する第５の板状体を形成する工程と、第５の板状体の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】上記第４の製造方法によれば、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品は能動部品を含み、導電性物質は導電性樹脂組成物からなることが好ましい。回路部品が能動部品を含むことによって所望の機能をもった回路部品を形成することができる。また、導電性物質が導電性樹脂組成物からなる場合は、貫通孔への充填および硬化が容易であるため、製造が容易になる。
【００２７】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、銅箔または配線パターンに回路部品を実装した後、銅箔または配線パターンと回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ましい。この工程によって、回路部品と配線パターンとの間に空間が形成されることを防止することができ、また、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすることができる。
【００２８】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を加熱して硬化させる際の温度が１５０℃以上２６０℃以下であることが好ましい。この温度範囲で加熱することによって、回路部品に大きなダメージを与えることなく熱硬化性樹脂を硬化することができる。
【００２９】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を加熱して硬化させる際に、加熱しながら１０ｋｇ／ｃｍ2〜２００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧することが好ましい。加熱しながら加圧することで、機械的強度に優れた回路部品内蔵モジュールが得られる。
【００３０】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、第１の板状体を形成する工程が、混合物を板状に成型した後、板状の混合物を熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度（たとえば、硬化開始温度より低い温度）で熱処理することによって、板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。板状の混合物の粘着性を失わせることによって、その後の工程が容易になるからである。
【００３１】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品を第２の板状体に埋設することによって第３の板状体を形成する工程を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行うことが好ましい。熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で工程を行うことによって、熱硬化性樹脂を硬化させることなく軟化させることができるため、回路部品を第２の板状体に埋設することが容易となり、また、回路部品内蔵モジュールの表面を平滑にすることができる。
【００３２】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品を配線パターンに実装する工程は、回路部品と配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなることが好ましい。上記工程によれば、熱硬化性樹脂を硬化させるために加熱を行う際に、加熱によって回路部品と配線パターンとの接続不良が発生することを防止できる。
【００３３】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、能動部品を配線パターンに実装する際に、能動部品の金バンプと配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続することが好ましい。導電性接着剤を用いることによって、後の工程で加熱する際に、接続不良や部品の位置ずれが起こることを防止できる。
【００３４】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。これらの樹脂は、耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。
【００３５】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、無機フィラーがＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮおよびＳｉＯ2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含むことが好ましい。これらの無機フィラーを用いることによって、放熱性に優れた電気絶縁性基板が得られる。また、無機フィラーとしてＭｇＯを用いた場合は、電気絶縁性基板の線膨張係数を大きくすることができる。また、無機フィラーとしてＳｉＯ2（特に非晶質ＳｉＯ2）を用いた場合は、電気絶縁性基板の誘電率を小さくすることができる。また、無機フィラーとしてＢＮを用いた場合は、線膨張係数を低くすることができる。
【００３６】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンが、銅を含むことが好ましい。銅は電気抵抗が小さいため、微細な配線パターンを形成することができるからである。
【００３７】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンが、導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。導電性樹脂組成物を用いることによって、配線パターンを容易に形成することができる。
【００３８】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品が半導体ベアーチップを含み、半導体ベアーチップは配線パターンにフリップチップボンディングされていることが好ましい。半導体ベアーチップをフリップチップボンディングすることによって、高密度に半導体素子を実装することができる。
【００３９】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含むことが好ましい。上記金属は電気抵抗が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。
【００４０】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなることが好ましい。金属板のリードフレームは、電気抵抗が低いからである。エッチング法を用いることによって、微細なパターンの配線パターンを形成することができる。打ち抜き法を用いることによって、簡易な設備で配線パターンを形成することができる。
【００４１】上記第１ないし第４の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。チップ状の部品を用いることによって、電気絶縁性基板に部品を容易に埋設することができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。
（実施形態１）この実施形態１は、本発明の回路部品内蔵モジュールの一例であり、図１は、この実施形態の回路部品内蔵モジュール１００の斜視断面図である。
【００４３】図１を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性基板１０１と、電気絶縁性基板１０１の一主面および他主面に形成された配線パターン１０２ａおよび１０２ｂと、配線パターン１０２ｂに接続され電気絶縁性基板１０１の内部に配置された回路部品１０３と、配線パターン１０２ａおよび１０２ｂを電気的に接続するインナービア１０４とを含む。
【００４４】電気絶縁性基板１０１は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％から９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜１００μｍ以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
【００４５】配線パターン１０２ａおよび１０２ｂは、電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ１８μｍ〜３５μｍ程度の銅箔が使用できる。銅箔は、電気絶縁性基板１０１との接着性を向上させるため、電気絶縁性基板１０１と接触する面を粗化することが望ましい。また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のため、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用してもよい。また、配線パターン１０２ａおよび１０２ｂには、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
【００４６】回路部品１０３は、たとえば、能動部品１０３ａおよび受動部品１０３ｂを含む。能動部品１０３ａとしては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。受動部品１０３ｂとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品１０３は、受動部品１０３ｂを含まない場合であってもよい。
【００４７】配線パターン１０２ｂと能動部品１０３ａとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。インナービア１０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００４８】この実施形態１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａと配線パターン１０２ｂとが、電気絶縁性基板１０１の貫通孔に充填されたインナービア１０４によって接続される。したがって、回路部品内蔵モジュール１００では、高密度に回路部品１０３を実装することができる。
【００４９】また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１に含まれる無機フィラーによって回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。したがって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
【００５０】また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１に用いる無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板１０１の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。電気絶縁性基板１０１の線膨張係数を半導体素子と略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。電気絶縁性基板１０１の熱伝導性を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合にも、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。電気絶縁性基板１０１の誘電率を低くすることによって、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られる。
【００５１】また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１によって回路部品１０３を外気から遮断することができるため、湿度による信頼性低下を防止することができる。
【００５２】また、本発明の回路部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性基板１０１の材料として、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が容易である。
【００５３】なお、図１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａが電気絶縁性基板１０１に埋設されていない場合を示したが、配線パターン１０２ａが電気絶縁性基板１０１に埋設されていてもよい（図３（ｈ）参照）。
【００５４】また、図１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａ上に回路部品が実装されていない場合を示したが、配線パターン１０２ａ上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モジュールを樹脂モールドしてもよい（以下の実施形態において同様である）。配線パターン１０２ａ上に回路部品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を実装できる。
【００５５】（実施形態２）この実施形態２では、図１に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態２で用いられる材料および回路部品は、実施形態１で説明したものである。
【００５６】図２（ａ）〜（ｈ）は回路部品内蔵モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物２００を形成する。板状の混合物２００は、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型することによって形成することができる。
【００５７】なお、板状の混合物２００を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処理をすることによって、混合物２００の可撓性を維持しながら粘着性を除去することができるため、その後の処理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤の一部を除去することができる。
【００５８】その後、図２（ｂ）に示すように、混合物２００の所望の位置に貫通孔２０１を形成することによって、貫通孔２０１が形成された板状体を形成する。貫通孔２０１は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加工または金型による加工で形成することができる。レーザ加工は、微細なピッチで貫通孔２０１を形成することができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工が容易である。なお、貫通孔２０１は、ペースト状混練物を成型して板状の混合物２００を形成する際に、同時に形成してもよい。
【００５９】その後、図２（ｃ）に示すように、貫通孔２０１に導電性樹脂組成物２０２を充填することによって、貫通孔２０１に導電性樹脂組成物２０２が充填された板状体を形成する。
【００６０】図２（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図２（ｄ）に示すように、銅箔２０３に回路部品２０４をフリップチップボンディングする。回路部品２０４は、導電性接着剤２０５を介して銅箔２０３と電気的に接続されている。導電性接着剤２０５には、たとえば、金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものが使用できる。また、導電性接着剤２０５の代わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまたは半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、熱処理によって金または半田の溶解して回路部品２０４を実装することも可能である。さらに、半田バンプと導電性接着剤とを併用することも可能である。
【００６１】なお、銅箔２０３に実装した回路部品２０４と銅箔２０３との間に封止樹脂を注入してもよい（以下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入してもよいことは同様である）。封止樹脂の注入によって、後の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止することができる。封止樹脂には通常のフリップチップボンディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いることができる。
【００６２】図２（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、銅箔２０６を形成する。その後、図２（ｆ）に示すように、回路部品２０４を実装した銅箔２０３、図２（ｃ）の板状体および銅箔２０６を位置合わせして重ねる。
【００６３】その後、図２（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧することによって回路部品２０４が埋設された板状体を形成した後、これを加熱することによって、混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品２０４が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物２００は電気絶縁性基板２０７となり、導電性樹脂組成物はインナービア２０８となる。この工程によって、銅箔２０３および２０６と回路部品２０４と電気絶縁性基板２０７とが機械的に強固に接着する。また、インナービア２０８によって、銅箔２０３および２０６が電気的に接続される。なお、加熱によって混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂を硬化させる際に、加熱しながら１０ｋｇ／ｃｍ2〜２００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧することによって、回路部品モジュールの機械的強度を向上させることができる（以下の実施形態において同様である）。
【００６４】その後、図２（ｈ）に示すように、銅箔２０３および２０６を加工することによって配線パターン２０９および２１０を形成する。このようにして、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００６５】なお、実施形態２では、貫通孔２０１に充填する導電性物質として導電性樹脂組成物２０２を用いたが、熱硬化性の導電性物質であればよい（以下の実施形態において同様である）。
【００６６】（実施形態３）この実施形態３では、図１に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態３で用いられる材料および回路部品は、実施形態１で説明したものである。
【００６７】図３（ａ）〜（ｈ）は、実施形態３における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物３００を形成する。この工程は図２（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００６８】その後、図３（ｂ）に示すように、混合物３００の所望の位置に、貫通孔３０１を形成する。この工程は図２（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００６９】その後、図３（ｃ）に示すように、貫通孔３０１に導電性樹脂組成物３０２を充填することによって、貫通孔３０１に導電性樹脂組成物３０２が充填された板状体を形成する。
【００７０】図３（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図３（ｄ）に示すように、離型フィルム３０５上に配線パターン３０３を形成し、配線パターン３０３に回路部品３０４を実装する。回路部品３０４を実装する方法は、図２（ｄ）で説明した方法と同様であるため、重複する説明は省略する。離型フィルム３０５には、たとえば、ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファイトのフィルムを用いることができる。配線パターン３０３は、たとえば、離型フィルム３０５に銅箔を接着した後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことによって形成できる。また、配線パターン３０３には、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
【００７１】図３（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図３（ｅ）に示すように、離型フィルム３０７上に配線パターン３０６を形成する。配線パターン３０６は、配線パターン３０３と同様の方法で形成できる。
【００７２】その後、図３（ｆ）に示すように、配線パターン３０３および３０６と導電性物質３０２とが所望の部分で接続されるように、離型フィルム３０５、図２（ｃ）の板状体および離型フィルム３０７を位置合わせして重ねる。
【００７３】その後、図３（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混合物３００および導電性樹脂組成物３０２中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品３０４ならびに配線パターン３０３および３０６が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物３００および導電性樹脂組成物３０２中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物３００は電気絶縁性基板３０８となり、導電性樹脂組成物３０２はインナービア３０９となる。インナービア３０９によって、配線パターン３０３および３０６が電気的に接続される。
【００７４】その後、図３（ｈ）に示すように、離型フィルム３０５および３０７を図３（ｇ）の板状体から剥離する。このようにして、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００７５】なお、本方法では、あらかじめ配線パターン３０６を形成した離型フィルム３０７を用いるため、配線パターン３０６が電気絶縁性基板３０８に埋め込まれ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。表面が平坦であることによって配線パターン３０６上に高密度に部品を実装することができるため、より高密度に回路部品を実装できる。
【００７６】（実施形態４）この実施形態４では、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。図４は、この実施形態４の回路部品内蔵モジュール４００の斜視断面図である。
【００７７】図４を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール４００は、積層された電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃからなる電気絶縁性基板４０１と、電気絶縁性基板４０１の主面および内部に形成された配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄと、電気絶縁性基板４０１の内部に配置され配線パターン４０２ａ、４０２ｂまたは４０２ｃに接続された回路部品４０３と、配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄを電気的に接続するインナービア４０４とを含む。
【００７８】電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％〜９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
【００７９】配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄは、実施形態１で説明した配線パターン１０２ａおよび１０２ｂと同様であるので、重複する説明は省略する。
【００８０】回路部品４０３は、たとえば、能動部品４０３ａや受動部品４０３ｂを含む。能動部品４０３ａとしては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。受動部品４０３ｂとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品４０３は、受動部品４０３ｂを含まない場合であってもよい。
【００８１】配線パターン４０２ａ、４０２ｂおよび４０２ｃと能動部品４０３ａとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。インナービア４０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。インナービア４０４としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子の材料としては、金、銀、銅またはニッケルなどの金属を用いることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００８２】なお、図４に示した回路部品内蔵モジュール４００は、配線パターン４０２ｄが電気絶縁性基板４０１ｃに埋設されていない場合を示したが、配線パターン４０２ｄが電気絶縁性基板４０１ｃに埋設されていてもよい（図６（ｇ）参照）。
【００８３】また、図４には３層構造の回路部品内蔵モジュール４００を示したが、設計に応じた多層構造とすることができる（以下の実施形態において同様である）。
（実施形態５）この実施形態５では、実施形態４に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態５で用いられる材料および回路部品は、実施形態４で説明したものである。
【００８４】図５を参照して、実施形態４に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図５（ａ）〜（ｈ）は、この実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００８５】まず、図５（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物５００を形成し、貫通孔に導電性樹脂組成物５０１を充填することによって、貫通孔に導電性樹脂組成物５０１が充填された板状体を形成する。この工程は、図２（ａ）〜（ｃ）で説明した工程と同様であるので、重複する説明は省略する。
【００８６】一方、離型フィルム５０３上に配線パターン５０６を形成し、配線パターン５０６上に能動部品５０４および受動部品５０５を実装する。この工程は、図３（ｄ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。
【００８７】その後、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）の板状体と離型フィルム５０３とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム５０３を剥離することによって、配線パターン５０６、能動部品５０４および受動部品５０５が埋設された板状体を形成する。
【００８８】図５（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図５（ａ）および（ｂ）と同様の工程で、配線パターン５０６および回路部品が埋設された板状体を複数形成する（図５（ｃ）および（ｄ）、図５（ｅ）および（ｆ）参照）。なお、配線パターン５０６と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。
【００８９】その後、図５（ｇ）に示すように、図５（ｂ）、（ｄ）および（ｆ）の板状体を位置合わせして重ね、図５（ｆ）の板状体の配線パターンが形成されていない主面上にさらに銅箔５０７を重ねる。
【００９０】その後、図５（ｈ）に示すように、図５（ｇ）で重ねた板状体および銅箔５０７を加圧し加熱することによって多層構造を有する板状体を形成する。加熱は、混合物５００および導電性樹脂組成物５０１中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物５００は電気絶縁性基板５０８となり、導電性樹脂組成物５０１はインナービア５０９となる。この工程によって、回路部品５０４および５０５、銅箔５０７および電気絶縁性基板５０８が機械的に強固に接着する。また、インナービア５０９によって、配線パターン５０６および銅箔５０７が電気的に接続される。その後、銅箔５０７を加工して配線パターン５１０を形成する。
【００９１】このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００９２】（実施形態６）この実施形態６では、実施形態４で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態６で用いられる材料および回路部品は、実施形態４で説明したものである。
【００９３】図６を参照して、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図６（ａ）〜（ｇ）は、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００９４】まず、図６（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物６００を形成し、貫通孔に導電性物質６０１を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成物６０１が充填された板状体を形成する。この工程は、図２（ａ）〜（ｃ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。一方、離型フィルム６０３上に配線パターン６０６を形成し、配線パターン６０６上に能動部品６０４および受動部品６０５を実装する。この工程は、図３（ｄ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。
【００９５】その後、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の板状の混合物６００と離型フィルム６０３とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム６０３を剥離することによって、配線パターン６０６、能動部品６０４および受動部品６０５が埋設された板状体を形成する。
【００９６】図６（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図６（ａ）および（ｂ）と同様の工程で、配線パターン６０６および回路部品が埋設された板状体を形成する（図６（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、配線パターン６０６と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。
【００９７】図６（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図６（ｅ）に示すように、離型フィルム６０３上に、配線パターン６０７を形成する。その後、図６（ｆ）に示すように、図６（ｂ）および（ｄ）の板状体を位置合わせして重ね、図６（ｄ）の板状体の配線パターン６０６が形成されていない主面上に、さらに図６（ｅ）の離型フィルム６０３を配線パターン６０７が内側になるように重ねる。
【００９８】その後、図６（ｇ）に示すように、図６（ｆ）で重ねた板状体および離型フィルム６０３を加圧し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形成する。加熱は、混合物６００および導電性樹脂組成物６０１中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物６００は電気絶縁性基板６０８となり、導電性樹脂組成物６０１はインナービア６０９となる。この工程によって、能動部品６０４、受動部品６０５、配線パターン６０６および６０７、および電気絶縁性基板６０８が機械的に強固に接着する。また、インナービア６０９によって、配線パターン６０６および６０７が電気的に接続される。
【００９９】その後、多層構造を有する板状体から離型フィルム６０３を剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。このようにして、上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【０１００】
【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例を説明する。
（実施例１）本発明の回路部品内蔵モジュールの作製に際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板の作製方法の一例について説明する。
【０１０１】本実施例では、表１に示す配合組成で電気絶縁性基板を作製した。なお、比較例を試料番号１に示す。
【０１０２】
【表１】

【０１０３】この実施例では、液状エポキシ樹脂には、日本ペルノックス（株）製のエポキシ樹脂（ＷＥ−２０２５、酸無水系硬化剤含む）を用いた。フェノール樹脂には、大日本インキ（株）製のフェノール樹脂（フェノライト、ＶＨ４１５０）を用いた。シアネート樹脂には、旭チバ（株）製のシアネート樹脂（ＡｒｏＣｙ、Ｍ−３０）を用いた。この実施例では、添加物としてカーボンブラックまたは分散剤を加えた。
【０１０４】板状体の作製は、まず、表１の組成で混合されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム上に滴下する。ペースト状の混合物は、無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって１０分程度混合して作製した。使用した攪拌混合機は、所定の容量の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。離型フィルムには厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる離型処理を施した。
【０１０５】次に、離型フィルム上のペースト状の混合物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ５００μｍになるようにプレスして、板状の混合物を得た。次に、離型フィルムで挟まれた板状の混合物を離型フィルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が無くなる条件下で熱処理した。熱処理は、１２０℃の温度で１５分間保持である。この熱処理によって、板状の混合物の粘着性が失われるため、離型フィルムの剥離が容易になる。この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、硬化温度が１３０℃であるため、この熱処理条件下では、未硬化状態（Ｂステージ）である。
【０１０６】次に、板状の混合物から離型フィルムを剥離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム（ＰＰＳ：ポリフェニレンサルファイト、厚さ７５μｍ）で挟んで、５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧しながら１７０℃の温度で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。
【０１０７】次に、硬化した板状の混合物から耐熱性離型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を得た。この電気絶縁性基板を所定の寸法に加工して、熱伝導度、線膨張係数などを測定した。熱伝導度は、１０ｍｍ角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接触させて加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。線膨張係数は、室温から１４０℃まで温度上昇させた場合の電気絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化の平均値から求めた。絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚み方向にＡＣ電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単位厚み当たりの絶縁耐圧を計算した。
【０１０８】表１に示すように、上記の方法で作製された電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてＡｌ2Ｏ3を用いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板（熱伝導度０．２ｗ／ｍＫ〜０．３ｗ／ｍＫ）に比べて熱伝導度が約１０倍以上となった。Ａｌ2Ｏ3の量を８５重量％以上とすることによって、熱伝導度を２．８ｗ／ｍＫ以上とすることができた。Ａｌ2Ｏ3はコストが安いという利点もある。
【０１０９】また、無機フィラーとしてＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合では、Ａｌ2Ｏ3を用いた場合と同等以上の熱伝導度が得られた。また、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導体（線膨張係数３×１０-6／℃）により近くなった。したがって、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いた電気絶縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチップ用基板として好ましい。
【０１１０】また、無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いた場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。ＳｉＯ2は比重が軽いという利点もある。無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。
【０１１１】また、無機フィラーとしてＢＮを用いた場合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基板が得られた。表１の比較例（試料番号１）に示すように、無機フィラーとして６０重量％のＡｌ2Ｏ3を用いた場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、１０ｋＶ／ｍｍ以上であった。電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性の指標となる。すなわち、無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が生じて絶縁耐圧が低下する。このような微小な隙間は回路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。一般に、絶縁耐圧が１０ｋＶ／ｍｍ以上であれば無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。したがって、無機フィラーの量は７０重量％以上であることが好ましい。
【０１１２】なお、熱硬化性樹脂の含有量が低いと電気絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は４．８重量％以上であることが好ましい。
（実施例２）実施例２は、実施形態２で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１１３】本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成は、Ａｌ2Ｏ3（昭和電工（株）製ＡＳ−４０、球状、平均粒子径１２μｍ）が９０重量％、液状エポキシ樹脂（日本レック（株）製、ＥＦ−４５０）が９．５重量％、カーボンブラック（東洋カーボン（株）製）が０．２重量％、カップリング剤（味の素（株）製、チタネート系、４６Ｂ）が０．３重量％である。
【０１１４】上記材料を実施例１と同様の条件で処理することによって、板状体（厚み５００μｍ）を作製した。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレーザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔（直径０．１５ｍｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。
【０１１５】この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリーン印刷法によって充填した（図２（ｃ）参照）。導電性樹脂組成物は、球状の銅粒子８５重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ製、エピコート８２８）３重量％と、グルシジルエステル系エポキシ樹脂（東都化成製、ＹＤ−１７１）９重量％と、アミンアダクト硬化剤（味の素製、ＭＹ−２４）３重量％とを混練して作製した。
【０１１６】次に、厚さ３５μｍの銅箔の片面を粗化し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図２（ｄ）参照）。次に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を充填した板状体と、別途作製した銅箔（片面を粗化処理した銅箔で厚さ３５μｍ）とを位置合わせして重ねた（図２（ｆ）参照）。この時、銅箔の粗化面は、板状体側になるように重ねた。
【０１１７】次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中に容易に埋没した。
【０１１８】次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図２（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
【０１１９】次に、半導体素子が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングし、配線パターンを形成した（図２（ｈ）参照）。このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
【０１２０】本実施例によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が２６０℃で１０秒のサイクルを１０回繰り返すことで行った。温度サイクル試験は、１２５℃で３０分間保持した後、−６０℃の温度で３０分間保持する工程を２００サイクル繰り返すことによって行った。
【０１２１】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１２２】（実施例３）実施例３は、実施形態３で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１２３】まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体（厚さ５００μｍ）を作製した（図３（ｃ）参照）。次に、離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製、厚さ１５０μｍ）に、厚さ３５μｍの銅箔を接着剤によって接着した。この銅箔は、片面が粗化処理されており、光沢面が接着剤側になるように接着した。
【０１２４】次に、離型フィルム上の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、配線パターンを形成した。さらにこの配線パターン上に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図３（ｄ）参照）。
【０１２５】次に、配線パターンに実装した半導体素子と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。具体的には、７０℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターンを有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。１０秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹脂を注入できた。ホットプレートで加熱するのは、封止樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするためである。また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易にするためである。封止樹脂には、テクノアルファー（株）製ＥＬ１８Ｂを用いた。ＥＬ１８Ｂは、一液性のエポキシ樹脂にＳｉＯ2粉末を混入した樹脂である。
【０１２６】一方、上記工程と平行して、上記工程と同様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製、厚さ１５０μｍ）を作製した（図３（ｅ）参照）。
【０１２７】次に、半導体素子をボンディングした離型フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルムとを、位置合わせして重ねた（図３（ｆ）参照）。
【０１２８】次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線パターンが板状体中に容易に埋没した。
【０１２９】次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図３（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。さらに、この加熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入された封止樹脂も硬化した。
【０１３０】次に、板状体から離型フィルムを剥離した（図３（ｈ）参照）。ポリフェニレンサルファイト製の離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。また、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きいため、離型フィルムだけを剥離することができる。このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
【０１３１】実施例３によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
【０１３２】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例３の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１３３】（実施例４）この実施例４は、実施形態５で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１３４】この実施例４では、回路部品として、半導体素子とチップ部品とを用いた。まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。
【０１３５】次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）とを、位置合わせして重ねた（図５（ａ）参照）。
【０１３６】次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形成した（図５（ｂ）参照）。
【０１３７】この板状体を複数個作製し、複数個の板状体と銅箔とを位置合わせして重ねた（図５（ｇ）参照）。次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１７５℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱加圧処理によって、銅箔および配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
【０１３８】次に、回路部品が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングすることによって、配線パターンを形成した（図５（ｈ）参照）。このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した。
【０１３９】実施例４によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
【０１４０】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例４の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１４１】（実施例５）この実施例５は、実施形態６で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１４２】まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）とを、位置合わせして重ねた（図６（ａ）参照）。
【０１４３】次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって板状体を形成した（図６（ｂ）参照）。同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した（図６（ｄ）参照）。
【０１４４】次に、離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）の片面に配線パターンを形成した（図６（ｅ）参照）。次に、回路部品が埋設された２個の板状体と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置合わせして重ねた（図６（ｆ）参照）。
【０１４５】次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１７５℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
【０１４６】次に、一体となった板状体から離型フィルムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した（図６（ｇ）参照）。実施例５によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
【０１４７】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例５の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなる電気絶縁性基板を用いるとともにインナービアホール接続法を用いているため、高密度に回路部品を実装することができ放熱性も高い。したがって、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、高密度に回路部品が実装され且つ信頼性が高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
【０１４９】また、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路部品が実装することができる。さらに、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率などを制御することが可能である。したがって、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板の線膨張係数を半導体素子とほぼ同じにすることが可能であるため、半導体素子を内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好ましい。また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向上させることができるため、放熱を必要とする半導体素子などを内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好ましい。さらに、電気絶縁性基板の誘電率を低くすることもできるため、高周波回路用の回路部品内蔵モジュールとして好ましい。
【０１５０】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、上記回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。また、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルムを用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板に埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内蔵モジュールが得られる。したがって、表面の配線パターンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路部品を実装することができる。
【出願人】 【識別番号】０００００５８２１
【氏名又は名称】松下電器産業株式会社
【出願日】 平成１０年（１９９８）１１月１８日
【代理人】 【弁理士】
【氏名又は名称】池内 寛幸 （外１名）
【公開番号】 特開平１１−２２０２６２
【公開日】 平成１１年（１９９９）８月１０日
【出願番号】 特願平１０−３２８２１５