| 【発明の名称】 |
放射線検出素子 |
| 【発明者】 |
【氏名】小倉 隆
【氏名】宮澤 良和
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| 【要約】 |
【課題】高感度、高解像度で、耐久性及び機械的強度に優れた放射線検出素子を提供する。
【解決手段】複数画素からなる固体撮像素子３と、固体撮像素子３の前面に配置した蛍光体１と、固体撮像素子３と前記蛍光体１の間に、固体撮像素子３に入射する前記蛍光体の拡散光を低減させる光遮蔽体２を配置したことを特徴とする放射線検出素子。また、この光遮蔽体は、前記固体撮像素子３の受光のための開口部に対応した開口部を有することを特徴とする。また、前記蛍光体１は、透明単結晶であることを特徴とする。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 複数画素からなる固体撮像素子と、該固体撮像素子の前面に配置した蛍光体と、前記固体撮像素子と前記蛍光体との間に、前記固体撮像素子の受光のための開口部に対応した開口部を有する光遮蔽体を配置したことを特徴とする放射線検出素子。
【請求項２】 前記光遮蔽体は、前記蛍光体から発生する光を透過する層と前記蛍光体から発生する光の一部を遮蔽する層を積層したことを特徴とする請求項１記載の放射線検出素子。
【請求項３】 前記光遮蔽体は、表面に遮光層を有する透明なガラス板を複数枚積層して構成し、前記遮光層は、前記固体撮像素子の受光のための開口部に対応した開口部を有することを特徴とする請求項２記載の放射線検出素子。
【請求項４】 前記遮光層の光学濃度が、０．７以上であることを特徴とする請求項２又は３記載の放射線検出素子。
【請求項５】 前記遮光層が、顔料及び／又は染料を含む樹脂より形成されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の放射線検出素子。
【請求項６】 前記光遮蔽体は、蛍光体から発生する光を遮蔽する物質の格子構造体であることを特徴とする請求項１記載の放射線検出素子。
【請求項７】 前記光遮蔽体は、前記固体撮像素子の受光面から前記蛍光体に向かって次第に広がる形状の開口部を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項８】 前記光遮蔽体は、前記蛍光体と、屈折率が１．５から２．０の透明接着剤で接着されたことを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項９】 前記蛍光体は、透明であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項１０】 前記蛍光体は、該蛍光体が発する蛍光に対して透明であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項１１】 前記蛍光体は、透明単結晶であることを特徴とする請求項９記載の放射線検出素子。
【請求項１２】 前記蛍光体は、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＮａＩ：Ｔｌのいずれかからなることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項１３】 前記蛍光体は、１００μｍから１ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項１４】 前記蛍光体は、前記固体撮像素子の受光面と反対側の面を光反射層で覆っていることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項記載の放射線検出素子。
【請求項１５】 前記固体撮像素子は、光電変換膜にａ−Ｓｉ：Ｈを用いたことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項記載の放射線検出素子。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療分野または非破壊検査分野において、被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した被写体情報を取得する放射線検出素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の放射線検出装置を図７に示す。図７において、放射線源１１から放射線を被写体Ｓに照射すると、放射線と被写体との相互作用（吸収、散乱等）により、被写体Ｓの内部構造に応じて放射線が強度変調かつ散乱され、放射線検出器１３に到達し、放射線画像となる。放射線検出器１３の前に配置するグリッド１２は、散乱放射線を除去し、放射線画像のコントラストを改善する。
【０００３】一般に、放射線検出器１３は、照射放射線量に比例した強度の蛍光を発する増感紙（Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓｉ：Ｔｂ等）と銀塩フィルムからなり、被写体は潜像としてフィルムに記録され、現像処理の後、蛍光量の対数に比例した濃度で表す可視画像として提示され、診断や検査等に使用される。
【０００４】また、輝尽性蛍光を発するＢａＦＢｒ：Ｅｕ蛍光体、およびＢａＦ：Ｅｕ蛍光体を塗布したイメージングプレート（以下ＩＰ）を使用したコンピューテッドラジオグラフィ装置（以下ＣＲ装置）も使用され始めている。このＣＲ装置は、被写体の放射線画像をＩＰに一旦記録し、その後、レーザ光等の励起光をこのＩＰに照射して輝尽性発光させ、この光を光電的に読取って画像信号を得、この信号に基づいて被写体の放射線画像を銀塩フィルムやＣＲＴディスプレイに表示する装置である。
【０００５】最近では、放射線検出器１３に微小な固体撮像素子、スイッチング素子等からなる画素を格子状に配列した固体撮像素子と蛍光体を組み合わせたデジタル撮影装置が開発されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の、固体撮像素子の受光面に銀塩フィルムとともに用いる増感紙を密着した放射線検出器では、発光した蛍光が、蛍光体層内の蛍光体粒子自体や蛍光体粒子同士を接着しているバインダ等で吸収、散乱され、発光率や鮮鋭度の低下が生じるという問題が起こる場合がある。
【０００７】また、ヨウ化セシウム（Ｃｓｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の蛍光体を塗布、または真空蒸着した、従来の放射線検出器の内、ＣｓＩ結晶を柱状化して成長させたもの等は、横方向の散乱が減少して鮮鋭度は高いものの、前者と同様、結晶内で散乱、吸収されて発光輝度が低下するという問題点が生じる場合がある。
【０００８】また、この柱状ＣｓＩ結晶は、特に湿気に弱く、柱状であるため強度的にも弱い。
【０００９】更にまた、ＣｓＩ結晶をａ−Ｓｉ：Ｈ膜に直接蒸着・焼成させて放射線検出器を形成する場合は、このＣｓＩ結晶の焼成プロセスにおいて、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を熱によって劣化させてしまうという場合があることが、特開平０５−１８０９４５号公報で報告されている。
【００１０】また、従来例として、光ファイバプレートの上部に柱状ＣｓＩ結晶等を形成し、光ファイバプレートを通った光を固体撮像素子で受光するものもある。
【００１１】しかしながら、光ファイバプレートは、高価で、かつ大型化が困難であり、固体撮像素子の画素ピッチと光ファイバプレートのピッチを同程度にすることや画素と光ファイバのコアとの位置合わせが極めて難しく、さらに、発光光が光ファイバプレートを通過する際に反射吸収が起こり、固体撮像素子に入射する光量が低下するということがあることが、特開平０７−０２７８６３号公報で報告されている。
【００１２】［発明の目的］本発明の目的は、上記のような問題点を鑑み、蛍光体内での蛍光の拡散および吸収が少なく、かつ、拡散光が光電変換素子へ入射することがなく、耐湿性による劣化がなく、機械的強度の高い、高感度、高解像度の放射線検出素子を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明に係る放射線検出素子は、複数画素からなる固体撮像素子と、該固体撮像素子の前面に配置した蛍光体と、前記固体撮像素子と前記蛍光体との間に、前記固体撮像素子の受光のための開口部に対応した開口部を有する光遮蔽体を配置したことを特徴とする。
【００１４】また、前記遮光層の光学濃度が、０．７以上であることを特徴とする放射線検出素子でもある。
【００１５】また、前記遮光層が、顔料及び／又は染料を含む樹脂より形成されていることを特徴とする放射線検出素子でもある。
【００１６】また、前記光遮蔽体は、蛍光体から発生する光を透過する層と蛍光体から発生する光の一部を遮蔽する層を積層したことを特徴とする。
【００１７】また、前記光遮蔽体は、表面に遮光層を有する透明なガラス板を複数枚積層して構成し、前記遮光層は、前記固体撮像素子の受光のための開口部に対応した開口部を有することを特徴とする。
【００１８】また、前記光遮蔽体は、蛍光体から発生する光を遮蔽する物質の格子構造体であることを特徴とする。
【００１９】また、前記光遮蔽体の開口形状は、前記固体撮像素子の受光面から前記蛍光体に向かって次第に広がる形状であることを特徴とする。
【００２０】また、前記光遮蔽体は、前記蛍光体と、屈折率が１．５から２．０の透明接着剤で接着されたことを特徴とする。
【００２１】また、前記蛍光体は、透明であることを特徴とする。
【００２２】また、前記蛍光体は、該蛍光体が発する蛍光に対して透明であることを特徴とする。
【００２３】また、前記蛍光体は、透明単結晶であることを特徴とする。
【００２４】また、前記蛍光体は、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＮａＩ：Ｔｌのいずれかからなることを特徴とする。
【００２５】また、前記蛍光体は、１００μｍから１ｍｍの厚さを有することを特徴とする。
【００２６】また、前記蛍光体は、前記固体撮像素子の受光面と反対側の面を光反射層で覆っていることを特徴とする。
【００２７】また、前記固体撮像素子は、光電変換膜にａ−Ｓｉ：Ｈを用いたことを特徴とする。
【００２８】［作用］本発明によれば、従来の、拡散、吸収の大きい粒子状の蛍光体に代えて、透明な蛍光体を用いることにより、蛍光体内での拡散および吸収を少なくすることができる。
【００２９】また、単結晶の蛍光体を用いることにより、耐湿性が良好で、硬度の高い蛍光体とすることができるため、耐久性及び機械的強度を高めることができる。
【００３０】さらに、固体撮像素子と蛍光体との間に、固体撮像素子の受光のための開口部以外の領域を遮蔽する光遮蔽体を配置することにより、横方向の拡散光の入射を防止し、直接光のみを固体撮像素子に入射させることができる。
【００３１】従って、本発明によれば、高感度、高解像度で、かつ耐久性と機械的強度を向上した放射線検出素子を提供することができる。
【００３２】
【実施例】［実施例１］本発明の実施例を図１〜図４に基づいて詳細に説明する。
【００３３】［概略構成］図１は、本発明の放射線検出素子の概略構成を示す模式的断面図である。
【００３４】［蛍光体］図１において、１は、放射線を、蛍光体から発光する光に変換する蛍光体である。
【００３５】本発明は、この蛍光体として、透明単結晶の蛍光体を用いることを特徴の一つとする。このような蛍光体としては、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、又はＮａＩ：Ｔｌを用いることができる。
【００３６】本実施例では、この蛍光体として、例えば、その大きさが４３０ｍｍ×４３０ｍｍで、厚さが約５００μｍ位の単結晶のＣｓＩ：Ｔｌを用いた（結晶厚は、特に、この値にとらわれる必要はない）。
【００３７】ＣｓＩ：Ｔｌの結晶は、厚さが厚ければ厚いほど、放射線の吸収率は高くなるが、固体撮像素子に到達する発光光は、厚ければ厚いほど結晶内で拡散、吸収して減衰する。よって、結晶の発光輝度は、結晶厚に対してピーク値が存在し、発明者が検討した結果によると、ＣｓＩ：Ｔｌの結晶は１００μｍ〜１ｍｍであることが好ましい。すなわち、１００μｍより薄くすると、発光量が低下し、１ｍｍより厚くすると、解像力が低下し、好ましくない場合がある。
【００３８】［光遮蔽体］２は、蛍光体１と固体撮像素子３との間に配置した光遮蔽体である。この光遮蔽体２は、固体撮像素子３に入射する単結晶の蛍光体１の拡散光を低減させ、固体撮像素子３に入射する全光に対する直接光の比率を高くする性質を有している。詳しくは、後述する。
【００３９】また、この光遮蔽体は、前記蛍光体と、屈折率が１．５から２．０の透明接着剤で接着されている。透明接着剤は、蛍光体１で発光された光成分のうち、固体撮像素子で必要とする波長成分を充分に透過するものであってよく、いわゆる、透明体に必ずしも限定されるものではない。
【００４０】［固体撮像素子］３は、単結晶の蛍光体１で発光した光を光電変換する複数画素からなる固体撮像素子であり、光電変換膜にａ−Ｓｉ：Ｈなどの薄膜半導体層を用いたものが好適に使用できる。
【００４１】［光反射層］４は、蛍光体１の放射線の入射面側を覆った光反射層である。この光反射層４は、例えばアルミニウムまたはクロム等からなり、蛍光体１の発光光を、固体撮像素子３方向に反射し、蛍光体の発光輝度を高める。この光反射層４は、例えば、蛍光体１の一面に真空蒸着により直接形成する。
【００４２】［回路構成］図５に、固体撮像素子３の等価回路の一例を示す。以下の例は、２次元ａ−Ｓｉセンサについて説明を加えていくが、検出素子は特に限定する必要はなく、例えばその他の固体撮像素子（電荷結合素子など）であってもよい。
【００４３】ただし、ａ−ＳｉセンサとＣｓＩ：Ｔｌの組み合わせは、ＣｓＩ：Ｔｌの極大発光波長が５６５ｎｍであり、ａ−Ｓｉセンサの感度ピークが５８０ｎｍでほぼ一致するので変換効率が良い。
【００４４】ここで一素子の構成について説明する。一素子の構成は、固体撮像素子２１と電荷の蓄積および読み取りを制御するスイッチングＴＦＴ２２とで構成され、一般には、ガラスの基板上に配されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜で形成される。
【００４５】固体撮像素子２１中の２１Ｃは、この例では単に寄生キャパシタンスを有した光ダイオードでもよいし、光ダイオード２１Ｄと検出器のダイナミックレンジを改良するように追加コンデンサ２１Ｃを並列に含んでいる光検出器と捉えても良い。ダイオード２１ＤのアノードＡは、共通電極であるバイアス配線Ｌｂに接続され、カソードＫは、コンデンサ２１Ｃに蓄積された電荷を読み出すための制御自在なスイッチングＴＦＴ２２に接続されている。この例では、スイッチングＴＦＴ２２は、ダイオード２１ＤのカソードＫと電荷読み出し用増幅器２５との間に接続された薄膜トランジスタである。
【００４６】スイッチングＴＦＴ２２と信号電荷はリセット用スイッチング素子２４を操作してコンデンサ２１Ｃをリセットした後に、放射線２６を放射することにより、光ダイオード２１Ｄで放射線量に応じた電荷が発生し、コンデンサ２１Ｃに蓄積される。その後、再度、スイッチングＴＦＴ２２と信号電荷は、リセット用スイッチング素子２４を操作して容量素子２３に電荷を転送する。そして、光ダイオード２１Ｄにより蓄積された量を電位信号として読み出し用増幅器２５によって読み出し、Ａ／Ｄ変換を行うことにより入射放射線量を検出する。
【００４７】図６は、２次元に配列した固体撮像素子を表した等価回路図である。図５で示された固体撮像素子を具体的に２次元に拡張して構成した場合における光電変換動作について述べる。
【００４８】固体撮像素子３の画素は、２０００×２０００〜４０００×４０００程度の画素から構成され、センサ面積は、２００ｍｍ×２００ｍｍ〜５００ｍｍ×５００ｍｍ程度である。図６において、固体撮像素子３は４０９６×４０９６の画素から構成され、センサ面積は４３０ｍｍ×４３０ｍｍである。よって、１画素のサイズは、約１０５×１０５μｍである。１ブロック内の４０９６画素を横方向に配線し、４０９６ラインを順に縦に配置する事により各画素を２次元的に配置している。
【００４９】前述の通り、１画素は、固体撮像素子２１とスイッチングＴＦＴ２２とで構成される。２１−（１，１）〜２１−（４０９６，４０９６）は前述の固体撮像素子２１に対応するものであり、光検出ダイオードのカソード側をＫ、アノード側をＡとして表している。２２−（１，１）〜２２（４０９６，４０９６）はスイッチングＴＦＴ２２に対応するものである。
【００５０】２次元ａ−Ｓｉセンサの各列の固体撮像素子２１−（ｍ，ｎ）のＫ電極は、対応するスイッチングＴＦＴ２２−（ｍ，ｎ）のソース、ドレイン導電路によりその列に対する共通の列信号線（Ｌｃ１〜４０９６）に接続されている。例えば、列１の固体撮像素子２１−（１，１）〜（１，４０９６）は第１の列信号配線Ｌｃ１に接続されている。
【００５１】各行の固体撮像素子２１のＡ電極は、共通にバイアス配線Ｌｂを通してバイアス電源３１に接続されている。各行のＴＦＴ２２のゲート電極は、行選択配線（Ｌｒ１〜４０９６）に接続されている。例えば、行１のＴＦＴ２２−（１，１）〜（４０９６，１）は行選択配線Ｌｒ１に接続される。行選択配線Ｌｒはラインセレクタ部３２を通して制御部３３に接続されている。ラインセレクタ部３２は最も簡単に構成するならば、単に液晶ディスプレイなどに用いられているシフトレジスタによって構成することも可能である。
【００５２】列信号配線Ｌｃは、制御部３３により制御される信号読み出し部３４に接続されている。出力信号は順次図示しないＡ／Ｄ変換器へ出力されディジタル値に変換される。
【００５３】［複数基板の貼り合わせによる大面積基板の作製］上記の例では、４０９６×４０９６画素の固体撮像素子３を１枚の基板で構成した例を示したが、４０９６×４０９６画素の固体撮像素子３を２０４８×２０４８個の画素を持つ４枚の光検出器で構成することもできる。２０４８×２０４８個の検出器を４枚で１つの固体撮像素子３を構成する場合は、分割して製作する事により歩留まりが向上するなどのメリットがある。
【００５４】また、蛍光体も同様に、必ずしもＣｓＩ：Ｔｌも４３０ｍｍ×４３０ｍｍの１枚の単結晶である必要はなく、例えば、４枚を貼り合わせることで生産性を向上することができる。２１５ｍｍ×２１５ｍｍの４枚の結晶は、端面を接着剤等で貼り合わせてもよいし、レーザ光等を用いて、結晶の一部を溶解して貼り合わせてもよい。
【００５５】接着剤を用いる場合は、この接着剤は蛍光体から発生する光に対して透明で、その屈折率はＣｓＩ：Ｔｌ結晶と同等で、約１．８程度が好ましい。
【００５６】［光遮蔽体の構成］次に、蛍光体１と固体撮像素子３の間に配置した光遮蔽体について説明する。
【００５７】図２に、実施例１の光遮蔽体の構造を示す。図２に示すように、本実施例の光遮蔽体２は、蛍光体１と固体撮像素子３との間に配置され、蛍光体から発生する光を透過する層４１と蛍光体から発生する光の一部を遮蔽する層４２を積層した構成としてある。
【００５８】蛍光体から発生する光を透過する層４１は、例えばガラス板（？）からなり、本実施例では、このガラス板を３枚積層してある（ただし、積層枚数は何枚でもかまわないし、１枚だけでも、かまわない）。
【００５９】また、蛍光体から発生する光遮蔽層４２は、そのガラス板の表面に、蛍光体から発生する光に対して不透明な物質によって、蛍光体から発生する光の一部を遮光する形状に形成された層である。この光遮蔽層を形成する材料は、アルミニウムやクロムなどの金属膜あるいは金属酸化膜、顔料や染料などの着色剤を含有する樹脂である。
【００６０】本実施例では、このような蛍光体から発生する光遮蔽層４２をそれぞれ形成したガラス板を３枚、積層してある。また、この蛍光体から発生する光遮蔽層は、格子状に光電変換部（開口部）３１以外の領域上に形成されており、かつ、固体撮像素子３に近付くにしたがって、遮光幅が大きくなるようにしてある。
【００６１】図３は、この光遮蔽体の断面図を模式的に示した図である。図３において、単結晶蛍光体で発光した蛍光の内、直接光（実線）は固体撮像素子３の開口部５に導光し、その他の結晶内で拡散した拡散光（点線）は遮蔽層４２が吸収するようになっている。例えば、最下層の遮蔽層４２は固体撮像素子３の開口部５以外の部分、例えば、図５、図６で説明した、スイッチングＴＦＴ２２や信号配線Ｌｃや選択配線Ｌｒ等を覆うように形成され、上層の遮蔽層４２ほどその面積が小さくなるようになっているのが好ましい。
【００６２】ここでは、光遮蔽体としては、一枚の厚さが１００〜５００μｍ（未定？？）のガラス板を３枚、積層して形成している。特に積層するガラスの厚さおよび積層枚数は、この例にとらわれる必要はなく、固体撮像素子の開口面積とＣｓＩ：Ｔｌ結晶の厚さに基づいて最適化されていればよい。
【００６３】そして、放射線検出素子として感度を重視する場合は、この光遮蔽体を薄くして固体撮像素子へ多くの光量が到達するようにし、解像力を重視する場合は、逆に光遮蔽体を厚くして結晶内での拡散光を減少させるのが好ましい。
【００６４】これにより、拡散光が固体撮像素子の光電変換部（開口部）に入射するのを減少させることができる。
【００６５】［光遮蔽体の作製方法］蛍光体から発生する光の遮光層の材料としては、アルミニウムやクロムなどの金属膜あるいは金属酸化膜、カーボンブラックやチタンブラックなどの顔料又はアゾ系の黒色染料などが上げられる。
【００６６】遮光層の光学濃度は、再帰反射を防止するために、０．７以上であることが必要である。
【００６７】また、作製方法としては、オフセット印刷法、スクリーン印刷法などの印刷方法、またはフォトリソプロセスなどにより、容易に作製することができる。
【００６８】また、このように、固体撮像素子の基板と同等の熱膨張率の物質（ガラス）で光遮蔽体を作製すれば、固体撮像素子の開口部と光遮蔽体の開口部との熱膨張による位置ずれは生じない。
【００６９】また、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶からなる蛍光体とガラスとの接着は、屈折率が１．５から２．０の透明接着剤を用いて、接着面での反射を最小限にすることが好ましい。
【００７０】［実施例２］光遮蔽体の実施例２として、図４に蛍光体から発生する光を遮蔽する物質の格子構造体からなる光遮蔽体を示す。
【００７１】［光遮蔽体の構成］この格子構造体６１は、例えば、フォトリソグラフィ技術により作製したもので、その格子の開口の数は固体撮像素子の画素数と一致し、固体撮像素子に近い方の格子の開口形状は、固体撮像素子の受光面の開口形状と一致し、固体撮像素子から離れるにしたがい、わずかに広がっているのが好ましい。
【００７２】また、この格子構造体６１は、単結晶蛍光体の放射線入射面付近、すなわち固体撮像素子３から遠い面付近で発光した蛍光を固体撮像素子３に導光し、その他の結晶内で拡散した拡散光は格子が吸収するように設計されていることを特徴としている。
【００７３】［光遮蔽体の作製方法］このような、格子構造の光遮蔽体の作製方法としては、例えば、カラーテレビ等のＣＲＴディスプレイ装置に用いられるシャドーマスク製造法と同様に、フォトリソグラフィ技術により作製することができる。
【００７４】例えば、図８に示すように、光遮蔽体となる基材の両面にレジストを塗布し（ａ）、その両面のレジストに格子のガラスマスクを用いて露光し（ｂ）、その後、レジストを現像し（ｃ）、エッチングして開口し（ｄ）、レジストを剥離して（ｅ）、格子構造を形成することができる。
【００７５】［他の実施例］実施例１では、複数のガラス板を積層して構成した光遮蔽体を示したが、１枚のガラス板中に、光遮蔽層を形成しても良い。
【００７６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば、従来の、拡散、吸収の大きい粒子状の蛍光体に代えて、透明な蛍光体を用いることにより、蛍光体内での拡散および吸収を少なくすることができる。
【００７７】また、単結晶の蛍光体を用いることにより、耐湿性が良好で、硬度の高い蛍光体とすることができるため、耐久性及び機械的強度を高めることができる。
【００７８】さらに、固体撮像素子と蛍光体との間に、固体撮像素子の受光のための開口部以外の領域を遮蔽する光遮蔽体を配置することにより、横方向の拡散光の入射を防止し、直接光のみを固体撮像素子に入射させることができる。
【００７９】従って、本発明によれば、蛍光体内での拡散および吸収が少なく、かつ蛍光体内での拡散光が固体撮像素子に入射することを低減した、高感度、高解像度で、更に耐久性及び機械的強度に優れた放射線検出素子を提供することができる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００１００７
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
【識別番号】５９１１１１１１２
【氏名又は名称】株式会社オプトロン
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| 【出願日】 |
平成９年（１９９７）１１月２８日 |
| 【代理人】 |
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 穣平
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| 【公開番号】 |
特開平１１−１６０４４１ |
| 【公開日】 |
平成１１年（１９９９）６月１８日 |
| 【出願番号】 |
特願平９−３２８６１９ |
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