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【発明の名称】 ダイアフラム式センサチップを利用したセンサ
【発明者】 【氏名】神戸 正方

【氏名】岩田 仁
【要約】 【課題】感度変化率が小さくて温度特性に優れるばかりでなく、製造が簡単であって低コストなダイアフラム式センサチップを利用したセンサを提供する。

【解決手段】このセンサ１を構成するリードフレーム３はダイパッド４を備える。センサチップ６は、ダイパッド４に接着剤１０を介して軟接着されている。モールド材２は、センサチップ６の周囲に空間８ａを確保しつつリードフレーム３を全体的にモールドする。モールド材２としては、線膨張係数が１．６×１０-5／℃〜１．７×１０-5／℃かつ弾性率が１０５×１０3 kg／cm2 〜１１５×１０3 kg／cm2 のものが使用される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材とを備えるセンサであって、前記モールド材は、線膨張係数が１．４×１０-5／℃〜１．８×１０-5／℃かつ弾性率が１００×１０3 kg／cm2 〜１３０×１０3 kg／cm2 であることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。
【請求項２】ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材とを備えるセンサであって、前記モールド材は、線膨張係数が１．６×１０-5／℃〜１．７×１０-5／℃かつ弾性率が１０５×１０3 kg／cm2 〜１１５×１０3 kg／cm2 であることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。
【請求項３】前記センサチップはシリコンチップであり、前記リードフレームは厚さが０．２５mm〜０．５mmの４２アロイ製リードフレームであり、前記接着剤は軟接着が可能なシリコーンゴム系の接着剤であることを特徴とする請求項１または２に記載のダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。
【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラム式センサチップを利用したセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイアフラム式の感圧センサチップを利用した加速度センサが多数提案されている。
【０００３】この種の加速度センサに用いられる感圧センサチップは、肉厚の基部と肉薄のダイアフラム部とを備えている。ダイアフラム部の表面側には、薄膜形成技術によって複数の歪みゲージが形成されている。これらの歪みゲージは１つのブリッジ回路を構成している。そして、感圧センサチップの基部は、リードフレームのダイパッドに対して接着剤を介して軟接着されている。リードフレームはモールド材によって全体的にモールドされている。ダイボンディングされたセンサチップの周囲には空間が確保されており、そこにはチップ封止用のシリコーンゲルが充填されている。
【０００４】ところで、センサを構成している材料は、それぞれ固有の熱歪量を有している。また、センサチップやリードフレームに用いられる金属材料は線膨張係数が比較的小さく、モールド材や接着剤に用いられる樹脂材料はそれよりも線膨張係数が大きい。このような材料間で熱歪量差が大きいと、周囲の温度変化に起因してダイアフラム部に熱応力が加わりやすくなる。すると、ダイアフラム部のエッジ領域にある歪みゲージに歪みが生じ、抵抗値が変化してしまう。そして、これが原因となって感度が変化する結果、センサの温度特性が悪化するという問題があった。
【０００５】そのため、従来においては、ダイパッド上に小さなセラミックス基板を接着し、かつそのセラミックス基板上にエラストマーによりセンサチップを軟接着するという対策が講じられていた（第１の対策）。また、センサ外部に温度補正用回路を設けることにより検出信号の補正を電気的に行うという対策が講じられていた（第２の対策）。その結果、センサの感度変化率を、現状の値（±１０〜３０％程度）から許容範囲である±５％以内に収めていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の対策ではセラミックス基板が必要であるため、材料コストが高くなる。それに加え、第１の対策ではセラミックス基板を接着する工程を実施する必要があるため、製造が面倒になりかつ生産性も低下する。
【０００７】また、第２の対策では温度補正用回路が別途必要であるため、やはり高コスト化が避けられない。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、感度変化率が小さくて温度特性に優れるばかりでなく、製造が簡単であって低コストなダイアフラム式センサチップを利用したセンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材とを備えるセンサであって、前記モールド材は、線膨張係数が１．４×１０-5／℃〜１．８×１０-5／℃かつ弾性率が１００×１０3 kg／cm2 〜１３０×１０3 kg／cm2 であることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサをその要旨とする。
【０００９】請求項２に記載の発明では、ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材とを備えるセンサであって、前記モールド材は、線膨張係数が１．６×１０-5／℃〜１．７×１０-5／℃かつ弾性率が１０５×１０3 kg／cm2 〜１１５×１０3 kg／cm2 のエラストマーであることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサをその要旨とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または２において、前記センサチップはシリコンチップであり、前記リードフレームは厚さが０．２５mm〜０．５mmの４２アロイ製リードフレームであり、前記接着剤は軟接着が可能なシリコーンゴム系の接着剤であるとしている。
【００１１】以下、本発明の「作用」を説明する。まず、請求項１に記載の発明の作用を説明する。センサを構成している材料の中で容積的に最も大きな割合を占めているのはモールド材である。従って、ダイアフラム部に加わる熱応力の大きさは、モールド材に加わる熱応力の大きさに強く支配される。本発明ではかかる事実に鑑みて使用するモールド材の物性の適正化、特に線膨張係数及び弾性率の適正化を図っている。その結果、材料間の熱歪量差が小さくなり、ダイアフラム部に加わる熱応力の低減が図られる。従って、ダイアフラム部の歪みが解消され、感度変化率も小さな値に抑えられる。ゆえに、温度特性に優れたセンサとすることができる。
【００１２】また、セラミックス基板を使用する必要がなく、しかもセンサ外部に温度補正用回路を設ける必要もないので、低コストなセンサとすることができる。さらに、セラミックス基板の接着工程も不要であるため、製造が簡単なセンサとすることができる。
【００１３】請求項２に記載の発明によると、使用するモールド材の線膨張係数及び弾性率のよりいっそうの適正化が図られているため、感度変化率が極めて小さい値に抑えられる。ゆえに、温度特性に極めて優れたセンサとすることができる。勿論、請求項１に記載の発明と同様の理由により、低コストであって製造が簡単なセンサとすることができる。
【００１４】請求項３に記載の発明によると、シリコンチップ、厚さが０．２５mm〜０．５mmの４２アロイ製リードフレーム及び軟接着が可能なシリコーンゴム系の接着剤と、上記のようにしたモールド材とを組み合わせた場合に感度変化率が許容範囲である±５％以内に抑えられることが、試験により確認されている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明をダイアフラム式センサチップを利用した加速度センサに具体化した一実施の形態を図１〜図５に基づき詳細に説明する。
【００１６】図１，図２には、本実施形態の加速度センサ１が示されている。この加速度センサ１は、いわゆるプラスティックモールドパッケージの形態を採っている。モールド材２は絶縁体であって、所定の空間８ａを確保しつつリードフレーム３をほぼ全体的にモールドしている。リードフレーム３はダイパッド４，５を有している。ダイパッド４には感圧センサチップ６がダイボンディングされ、ダイパッド５には信号処理用のＩＣチップ７がダイボンディングされている。リードフレーム３のインナーリード部３ａは、その殆どがモールド材２の中にあり、ダイパッド４，５を包囲している。リードフレーム３のアウターリード部３ｂは、モールド材２から突出しており、外部接続端子として使用されるようになっている。感圧センサチップ６及びＩＣチップ７は、各インナーリード部３ａに対してボンディングワイヤＷ1 を介してワイヤボンドされている。
【００１７】モールド材２の一部には有底筒状のゲル収容部８が形成されている。前記ダイパッド４は、ゲル収容部８の底面中央部に位置している。そして、このゲル収容部８内の空間８ａには、シリコーン系封止材としてのシリコーンゲル９が充填されている。その結果、ダイパッド４に搭載された感圧センサチップ６の封止が図られている。なお、シリコーンゲル９は加速度を感圧センサチップ６に伝達する慣性体としての役割も果たす。
【００１８】図２，図３に示されるように、感圧センサチップ６は、肉厚の基部６ａと肉薄のダイアフラム部６ｂとを備えている。ダイアフラム部６ｂの表面側には、スパッタリング等の薄膜形成技術によって複数の歪みゲージ１１が形成されている。これらの歪みゲージ１１は１つのブリッジ回路を構成している。ブリッジ回路からの出力信号は、信号処理用のＩＣチップ７において処理された後にセンサ外部に出力されるようになっている。
【００１９】感圧センサチップ６の基部６ａは、リードフレーム３のダイパッド４に対して接着剤１０を介してダイボンドされている。本実施形態では、シリコーン系であって軟接着が可能な接着剤１０が使用されている。より具体的には、シリコーンゴム系接着剤（加熱硬化型であって１液型）１０が使用されている。同接着剤１０の線膨張係数は５５×１０-5／℃であり、弾性率は０．０６×１０3 kg／cm2である。
【００２０】上記の加速度センサ１では、加速度の変動の影響をまず慣性体であるシリコーンゲル９が受けるとともに、そのシリコーンゲル９を介してダイアフラム部６ｂにその影響が波及する。すると、ダイアフラム部６ｂにはその加速度の大小・方向に応じた撓みが生じる。より具体的にいうと、図２において加速度センサ１が上側から下側に向かって加速されたとき（正圧時）には、ダイアフラム部６ｂは下面側に撓むようになる。図２において加速度センサ１が下側から上側に向かって加速されたとき（負圧時）には、ダイアフラム部６ｂは上面側に撓むようになる。このような撓みが生じると、各歪みゲージ１１の抵抗値にも変化が起こる。従って、このときの抵抗値の変化に基づいて加速度が感知されるようになっている。
【００２１】ところで、この加速度センサ１に使用されるモールド材２は、線膨張係数が１．４×１０-5／℃〜１．８×１０-5／℃かつ弾性率が１００×１０3 kg／cm2 〜１３０×１０3 kg／cm2 であることが必要とされる。なお、前記線膨張係数は１．６×１０-5／℃〜１．７×１０-5／℃であることがより好ましい。同じく弾性率は１０５×１０3 kg／cm2 〜１１５×１０3 kg／cm2 であることがより好ましい。その理由は、かかる事実が後述する比較試験において確認されているからである。
【００２２】次に、加速度センサ１を製造する手順について説明する。まず、４２アロイ等の導電性金属板をプレス加工またはエッチング加工することによって、所定パターンを備えるリードフレーム３を製造する。本実施形態では、厚さが０．２５mm〜０．５mmの４２アロイ製リードフレーム３を選択している。４２アロイはニッケルを約４２重量％含む鉄合金であって、線膨張係数の平均値は０．６７×１０-5／℃〜０．６８×１０-5／℃である。弾性率は０．１５×１０3 kg／cm2 である。また、あらかじめ感圧センサチップ６及びＩＣチップ７をそれぞれ用意しておく。本実施形態では、厚さが０．５mm〜０．６mm程度のシリコンチップを感圧センサチップ６として選択している。シリコンの線膨張係数の平均値は０．２６×１０-5／℃〜０．３６×１０-5／℃であり、弾性率は１０００×１０3 kg／cm2 〜１６００×１０3 kg／cm2 である。
【００２３】リードフレーム製造工程の後、リードフレーム３をスクリーン印刷機にセットし、従来公知の方法によりダイパッド４，５上に液状の前記シリコーンゴム系接着剤１０を所定厚さに印刷塗布する。このとき、印刷厚は数十μｍ程度に設定される。
【００２４】印刷工程の後、リードフレーム３をダイボンダにセットして、感圧センサチップ６及びＩＣチップ７をそれぞれダイパッド４，５上にダイボンディングする。この後、接着剤１０を所定温度に加熱することにより熱硬化を行う。従って、接着剤１０には上述のように熱硬化性が付与されていることが望ましい。そして、このような熱硬化処理を行うと、接着剤１０の流動性が失われて弾性体化する。その結果、感圧センサチップ６がダイパッド４に対して軟接着され、かつＩＣチップ７がダイパッド５上に軟接着される。
【００２５】ダイボンディング工程の後、リードフレーム３をワイヤボンダにセットして、ワイヤボンディングを行う。その結果、複数本のボンディングワイヤＷ1 を介して、感圧センサチップ６及びＩＣチップ７がそれぞれインナーリード部３ａに電気的に接続される。
【００２６】ワイヤボンディング工程の後、リードフレーム３を成形用金型内にセットして、モールド材２によるモールドを行う。モールドを行うと、ＩＣチップ７は完全にモールド材２の中に封入されてしまう。一方、感圧センサチップ６の周囲にはゲル収容部８が形成される。なお、このようなモールド工程に先立って、アウターリード部３ｂを略Ｌ字状に屈曲させるリードフォーミング工程を実施してもよい。勿論、モールド工程後にリードフォーミング工程を実施しても構わない。
【００２７】モールド工程の後、ゲル収容部８内にシリコーンゲル９を充填し、感圧センサチップ６をそのシリコーンゲル９によって完全に封止する。以上の結果、図１，図２に示す所望の加速度センサ１を得ることができる。
【００２８】次に、モールド材２としていくつかのものを用いて行なった比較試験について説明する。図５の表には、この比較試験において使用した各モールド材２の特性、即ち線膨張係数及び弾性率がそれぞれ示されている。
【００２９】表中、Ａで表わされるモールド材２は、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）である（比較例１）。その線膨張係数は２．５×１０-5／℃であり、弾性率は７５×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲外にある。
【００３０】Ｂで表わされるモールド材２は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）である（比較例２）。その線膨張係数は２．２×１０-5／℃であり、弾性率は１４０×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲外にある。
【００３１】Ｃで表わされるモールド材２は、エポキシ系のものである（実施例１）。その線膨張係数は１．４×１０-5／℃であり、弾性率は１２０×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲内にある。
【００３２】Ｄで表わされるモールド材２も、エポキシ系のものである（実施例２）。その線膨張係数は１．８×１０-5／℃であり、弾性率は１２０×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲内にある。
【００３３】Ｅで表わされるモールド材２も、エポキシ系のものである（実施例３）。その線膨張係数は１．５×１０-5／℃であり、弾性率は１２３×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲内にある。
【００３４】Ｆで表わされるモールド材２は、シリコーンゴム系のものである（実施例４）。その線膨張係数は１．７×１０-5／℃であり、弾性率は１１３×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲内にある。
【００３５】Ｇで表わされるモールド材２は、エポキシ系のものである（比較例３）。その線膨張係数は１．９×１０-5／℃であり、弾性率は２００×１０3 kg／cm2 である。従って、線膨張係数及び弾性率はともに好適範囲外にある。
【００３６】そして、以上列挙した各エラストマーを用いてそれぞれ加速度センサ１を製造するとともに、下記の点について「ＴＳＳ値」についての調査を行なった。ここで「ＴＳＳ値」とは、特定の温度幅を設定したときの感度変化率（％）を表わすものであり、Ｔemperature Ｓensitive Ｓhiftの頭文字をとったものである。例えば、基準温度Ｔ1 （℃）において、印加圧力が０（mmHg）のときのセンサ出力電圧をＶ01（Ｖ）、印加圧力がＰ1 （mmHg）のときのセンサ出力電圧をＶ1 （Ｖ）とする。この場合、単位圧力あたりのセンサ出力電圧（Ｖ／mmHg）は、次式１で表わされる。
【００３７】
ＶP1＝（Ｖ1 −Ｖ01）／Ｐ1 ・・・（１）
同様に温度Ｔ2 （℃）において、印加圧力が０（mmHg）のときのセンサ出力電圧をＶ02（Ｖ）、印加圧力がＰ2 （mmHg）のときのセンサ出力電圧をＶ2 （Ｖ）とする。この場合、単位圧力あたりのセンサ出力電圧（Ｖ／mmHg）は、次式２で表わされる。
【００３８】
ＶP2＝（Ｖ2 −Ｖ02）／Ｐ2 ・・・（２）
このときのＶP1→ＶP2のセンサ出力電圧の変化に基づいて、次式３のように表わしたものをＴＳＳ値（％）と定義する。
【００３９】
ＴＳＳ＝｛（ＶP2−ＶP1）／ＶP1｝×１００ ・・・（３）
なお、この比較試験では基準温度Ｔ1 を常温（具体的には２５℃）に設定し、かつ印加圧力を＋１００mmHgに設定した。そして、温度Ｔ2 を−４０℃，８０℃にした場合（つまり温度幅を１２０℃にした場合）についてＴＳＳ値を算出し、その値が許容範囲である±５％以内にあるか否かを調査した。その結果を図５の表に示す。同表に示された値は、−４０℃のときの値及び８０℃のときの値のうち大きいものの値である。なお、いくつかのものについては比較のために、図４のグラフにさらに詳細なデータを示す。同グラフの横軸は温度（℃）であり、縦軸はＴＳＳ値（％）である。白抜き三角（△）を通る線分は、比較例１であるＰＢＴのデータである。白抜き丸（○）を通る線分は、実施例３のデータである。黒塗り四角（■）を通る線分は、実施例４のデータである。実施例１及び実施例２についてのデータは、実施例３のデータに酷似していたため敢えてここでは割愛する。
【００４０】グラフ及び表から明らかなように、比較例１〜３についてはいずれもＴＳＳ値が±１５％以上であった。従って、ＴＳＳ値が許容範囲外になるという事実に鑑みると、×という判定を下さざるを得なかった。
【００４１】一方、実施例１〜４については、いずれもＴＳＳ値が±３％以下という小さな値に抑えられ、ＴＳＳ値が許容範囲内にあることが確認された。また、グラフからも明らかなように、それらの中でも実施例４のＴＳＳ値が際立って小さかった。従って、実施例１，２，３については○という判定を下し、実施例４については◎という判定を下した。
【００４２】次に、図３に基づき、この加速度センサ１の各構成材料間における熱応力の伝達について説明する。既に述べたように、加速度センサ１を構成している材料は複数種にわたっていて、それらは皆固有の熱歪量を有している。従って、加速度センサ１が温度変化に遭遇した場合、普通であれば、各構成材料には自身の物性に応じた大きさの熱応力が付加することになる。しかしながら、前記構成材料の中で容積的に最も大きな割合を占めているのは、図１，図２からも明らかなようにモールド材２である。しかも、モールド材２として使用されるエラストマーは金属材料である感圧センサチップ６やリードフレーム３に比べて線膨張係数が大きく、ゆえに熱歪量も大きいという特徴を有している。
【００４３】従って、リードフレーム３は、線膨張係数が比較的小さくても、モールド材２の変形に伴う応力を受けて変形する。これは、モールド材２以外の構成材料に加わる熱応力の大きさは、モールド材２に加わる熱応力の大きさに強く支配されることを意味する。もっとも、前記接着剤１０は硬化後に弾性体となり感圧センチップ６をダイパッド４に対して軟接着しうるエラストマーなので、ある程度の応力を緩和することが可能である。ところが、従来のようにモールド材２の物性の適正化が図られていないと、応力緩和域を超える応力が接着剤１０に付加しやすく、ダイアフラム部６ｂに大きな歪みをもたらす結果となる。
【００４４】それに対して、モールド材２の物性の適正化を図った本実施形態によると、応力緩和域を超える応力が接着剤１０に付加しにくくなると考えられる。よって、たとえモールド材２及びリードフレーム３に変形が起こっても、その影響は接着剤１０によって食い止められ、ダイアフラム部６ｂへの波及が回避されるものと推測されている。
【００４５】さて、以下に本実施形態において特徴的な作用効果を列挙する。
（イ）本実施形態では、モールド材２の線膨張係数及び弾性率を上記好適範囲内に設定することによる適正化を図っている。よって、材料間の熱歪量差が小さくなり、ダイアフラム部６ｂに加わる熱応力の低減が図られている。従って、ダイアフラム部６ｂの歪みが解消され、感度変化率も±３％以内という小さな値に抑えられる。ゆえに、温度特性に優れた加速度センサ１とすることができる。
【００４６】（ロ）本実施形態によれば、セラミックス基板上にセンサチップを軟接着するという対策や、センサ外部に温度補正用回路を設けるという対策を講じるまでもなく、±５％以内という許容範囲内に感度変化率を収めることができる。このため、セラミックス基板を使用する必要がなく、しかもセンサ外部に温度補正用回路を設ける必要もない。よって、低コストな加速度センサ１とすることができる。
【００４７】（ハ）また、セラミックス基板の接着工程も不要であるため、製造が簡単な加速度センサ１とすることができる。このため、加速度センサ１の生産性を確実に向上することができる。
【００４８】なお、本発明は上記の実施形態のみに限定されることはなく、例えば次のように変更することが可能である。
◎ 本発明は、リードフレーム３の形成材料として４２アロイとは異なる組成を有する鉄合金を選択した場合についても適用されることが可能である。このような鉄合金としては、例えば、約２９重量％のニッケルと約１７重量％のコバルトとを含むコバールや、約４６重量％のニッケルを含む４６アロイや、約５２重量％のニッケルを含む５２アロイや、約４２重量％のニッケルと約６重量％のクロームとを含む鉄合金や、約４５重量％のニッケルと約６重量％のクロームとを含む鉄合金などが挙げられる。以上列挙した鉄合金は４２アロイと組成が近似しており、４２アロイの物性と類似しているからである。
【００４９】◎ 実施形態において使用したシリコーンゴム系接着剤１０に代えて、非シリコーン系の接着剤を使用することも可能である。即ち、軟接着が可能なものであれば、例えばフッ素系接着剤、軟質エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤などの使用も許容されることができる。
【００５０】◎ 本発明は、シリコーンゲル９に代えてシリコーンオイルをシリコーン系封止材として用いた場合にも適用されることができる。
◎ ブリッジ回路を構成する抵抗体である歪みゲージ１１は、薄膜形成技術以外の手法によって形成されたものであっても勿論よい。例えば、印刷法、貼付法、不純物拡散法などにより形成された抵抗体によってブリッジ回路を構成してもよい。
【００５１】◎ 前記実施形態では本発明をセンサチップ６を利用した加速度センサ１に具体化したが、その他にも例えばセンサチップ６を利用した圧力センサに具体化することも勿論許容される。
【００５２】ここで、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
（１） 請求項１において、前記モールド材は線膨張係数及び弾性率が前記好適範囲内にある前記エポキシ系またはシリコーンゴム系の成形材料であることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。この構成であると、感度変化率が小さくて温度特性に優れるばかりでなく、製造が簡単であって低コストなセンサを確実に提供することができる。
【００５３】（２） 請求項１〜３のいずれか１項において、前記センサは加速度センサであり、前記センサチップはダイアフラム部表面側のエッジ領域に抵抗体を有する感圧センサチップであり、前記空間は前記感圧センサチップを包囲するゲル収容部内にある空間であり、その空間には前記ダイアフラム部に加速度を伝達する慣性体としてのシリコーンゲルが収容されていることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。
【００５４】なお、本明細書中において使用した技術用語を次のように定義する。「軟接着が可能な接着剤： 硬化後に弾性体となる性質を有するためセンサチップをダイパッドに対して弾性的に接着することができる接着剤のことを指し、例えばシリコーンゴム系接着剤やフッ素系接着剤等がある。」
【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の発明によれば、感度変化率が小さくて温度特性に優れるばかりでなく、製造が簡単であって低コストなダイアフラム式センサチップを利用したセンサを提供することができる。
【００５６】請求項２に記載の発明によれば、感度変化率が極めて小さくて温度特性に極めて優れるばかりでなく、製造が簡単であって低コストなダイアフラム式センサチップを利用したセンサを提供することができる。
【００５７】請求項３に記載の発明によれば、感度変化率を許容範囲である５％以内に確実に抑えることができる。
【出願人】 【識別番号】０００００３５５１
【氏名又は名称】株式会社東海理化電機製作所
【出願日】 平成９年（１９９７）７月４日
【代理人】 【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
【公開番号】 特開平１１−２３６１３
【公開日】 平成１１年（１９９９）１月２９日
【出願番号】 特願平９−１７９５９８