| 【発明の名称】 |
基板処理装置 |
| 【発明者】 |
【氏名】清瀬 浩巳
【氏名】宮城 雅宏
【氏名】泉 昭
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| 【要約】 |
【課題】処理液ミストが装置外に流出することを防止する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャック２０と、このスピンチャック２０を収容した処理カップ３０と、処理カップ３０の上方に設けられたスプラッシュガード４０とを有する。スプラッシュガード４０の上端縁には、内下方に向かって突出した整流板４２が設けられている。この整流板４２は、処理カップ３０およびスプラッシュガード４０の内壁面に沿う上昇気流９１を内向き気流９２に変換して、ダウンフロー９０に合流させる。したがって、処理液ミストが処理チャンバ５０外に流出することはない。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板をほぼ水平に保持して回転させるための基板保持手段と、この基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の側方および下方を取り囲むように形成された容器と、上記基板保持手段に保持された基板よりも上方において、基板の回転領域の内方に向かう内向き気流を発生させるための内向き気流発生手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】上記内向き気流発生手段は、基板保持手段に保持された基板よりも高い位置において、基板の回転領域の内方に向けて突出して形成された整流部材を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】基板から飛散する処理液を捕獲するために、上記容器の上方に設けられたほぼ円筒状の飛散防止部材をさらに含み、上記整流部材は、上記飛散防止部材の内方に突出するように設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】上記整流部材は、水平面に対して−６０度から＋６０度までの範囲でほぼ直線状に突出していることを特徴とする請求項２ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】上記整流部材は、水平面に対して下向きの内向き気流を生じさせるものであることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】上記基板保持手段に保持された基板よりも上方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込むためのダウンフロー導入開口をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】基板をほぼ水平に保持して回転させるための基板保持手段と、この基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の側方および下方を取り囲むように形成された容器と、上記基板保持手段に保持された基板の回転領域よりも小さく形成され、上記基板保持手段に保持された基板よりも上方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込むためのダウンフロー導入開口とを含むことを特徴とする基板処理装置。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用ガラス基板などの各種の被処理基板に対して処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に薄膜のパターンを形成したり、ウエハの表面を洗浄したりするための各種の基板処理装置が用いられる。図８は、ウエハを１枚ずつ処理するための枚葉式基板処理装置の構成例を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置は、ウエハＷの表面を処理液によって処理するための装置であり、ウエハＷを水平に保持した状態で鉛直軸まわりに回転することができるスピンチャック１と、このスピンチャック１の側方および下方を包囲する処理カップ２と、この処理カップ２の上方に設けられてウエハＷからの処理液が周囲へ飛散することを防止する円筒状のスプラッシュガード３とを有している。
【０００３】処理カップ２およびスプラッシュガード３を包囲するように、処理チャンバ５が設けられている。処理チャンバ５の上方は開口しており、この基板処理装置が設置されるクリーンルーム内のダウンフロー１０をウエハＷに向けて導入することができるようになっている。スピンチャック１は、モータ（図示せず）からの回転力が与えられるスピン軸６と、スピン軸６の上端に取り付けられたスピンベース７と、このスピンベース７に取り付けられて、ウエハＷを周縁部で保持するためのチャック８とを有している。
【０００４】ウエハＷを処理液で処理する際に生じる処理液ミストを含む雰囲気が装置外に流出することを防止するために、処理カップ２の底面において、スピン軸６の近傍の位置には、排気口１１が開口している。この排気口１１は、排気管を介して適当な負圧源に接続されている。これにより、処理カップ２内の雰囲気を排気できるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】スピンチャック１が回転されると、スピンベース７の回転によって、その下方の空気に遠心力が与えられる。これにより、スピンベース７の下方では、スピン軸６から処理カップ２の側壁に向かう外向き気流が発生する。また、スピンチャック５に保持されて回転するウエハＷの上方においても、同様に、ウエハＷの回転中心から処理カップ２の側壁に向かう外向き気流が発生する。
【０００６】これらの外向き気流は、処理カップ２の側壁にぶつかって上方に方向を変え、スプラッシュガード３の内壁面に沿って上昇する上昇気流１３を生じさせる。この上昇気流１３は、処理液ミストを処理チャンバ５の外へと運び出すおそれがあるから、これにより、クリーンルーム内の空気が汚染されるおそれがある。スピンベース７の下方の外向き気流の一部は、排気口１１を介する排気によって捕捉される。しかし、とりわけスピンチャック１が高速回転している場合には、排気口１１よりも外側の気流を捕捉することができず、上記のような上昇気流１３の発生は避けられない。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、処理液ミストが装置外に流出することを防止できる基板処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板をほぼ水平に保持して回転させるための基板保持手段と、この基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の側方および下方を取り囲むように形成された容器と、上記基板保持手段に保持された基板よりも上方において、基板の回転領域の内方に向かう内向き気流を発生させるための内向き気流発生手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】基板保持手段が基板を回転させると、基板の上面側および下面側においては、基板や基板保持手段の周辺の空気に遠心力が与えられる。したがって、基板の上面側および下面側においては、基板の回転中心から外方に向かう気流が発生する。この外向き気流は、容器の内側壁にぶつかり、この内側壁に沿って上昇する上昇気流を生じさせる。
【００１０】一方、基板の回転領域の周縁部を除く領域である中央領域においては、上記外向き気流によって空気が押しのけられた領域に新たな空気を補う下降気流が発生する。また、基板処理装置の設置場所においては、多くの場合、ダウンフローが形成されている。いずれにせよ、基板の回転領域の中央領域においては、下降気流が発生している。
【００１１】そこで、この発明においては、基板保持手段に保持された基板よりも上方において基板の回転領域の内方に向かう内向き気流を発生させるようにしている。これにより、上記上昇気流の方向を基板の回転領域の内方に向けて変えることができる。こうして形成された内向きの気流は、上記下降気流と合流することになる。その結果、上記上昇気流によって運ばれる処理液ミストがこの基板処理装置外に流出することを防止できる。これにより、基板処理装置外の空気の汚染を防ぐことができる。
【００１２】なお、基板の回転領域とは、基板回転時の最大回転半径内の円形領域の上方の領域を指す。請求項２記載の発明は、上記内向き気流発生手段は、基板保持手段に保持された基板よりも高い位置において、基板の回転領域の内方に向けて突出して形成された整流部材を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１３】この構成によれば、上昇気流の方向を、整流部材によって、基板の回転領域の内方に変化させることで内向き気流を発生するようにしているので、処理液ミストが基板処理装置外に運び去られることを確実に防止できる。なお、整流部材は、基板の回転領域の内側にまで気流を案内することができるものであることが好ましい。これにより、より確実に処理液ミストの漏洩を防止できる。具体的には、整流部材は、基板の回転領域の内側に達する内縁部を有する板状体であってもよい。
【００１４】内向き気流発生手段は、たとえば、基板よりも上方において、内向きに気流を吐き出す吐出口を有するダクトと、このダクトに空気を圧送する手段（たとえば、ブロワなど）とを用いて構成することも可能である。請求項３記載の発明は、基板から飛散する処理液を捕獲するために、上記容器の上方に設けられたほぼ円筒状の飛散防止部材をさらに含み、上記整流部材は、上記飛散防止部材の内方に突出するように設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置である。
【００１５】この構成によれば、飛散防止部材によって、基板の表面や基板保持手段から飛散する処理液飛沫が基板処理装置外に飛び散ることを防止できる。そして、この飛散防止部材は、容器の上方に設けられているので、この飛散防止部材に整流部材を設けることによって、処理液ミストの流出を防止できる。なお、整流部材は、飛散防止部材の上端縁に設けられてもよいし、上下方向の途中部において内方に突出するように設けられてもよい。
【００１６】また、飛散防止部材は、容器と一体的に設けられてもよいが、容器への基板の搬入／搬出を容易にするためには、容器と分離可能に設けられて、容器に対して相対的に上下動し、容器との間に基板を搬入／搬出するためのスペースを確保できるように設けられていることが好ましい。請求項４記載の発明は、上記整流部材は、水平面に対して−６０度から＋６０度までの範囲でほぼ直線状に突出していることを特徴とする請求項２ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１７】この構成によれば、上昇気流を下降気流に合流する内向き気流に確実に変換させることができるので、処理液ミストの基板処理装置外への流出を確実に防止できる。請求項５記載の発明は、上記整流部材は、水平面に対して下向きの内向き気流を生じさせるものであることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１８】この構成によれば、さらに確実に上昇気流を下降気流に合流する内向き気流に変換させることができる。しかも、整流部材を板状体で構成しておけば、この基板処理装置が設置される場所にダウンフローが形成されている場合に、このダウンフローの一部が整流部材の上面によって、内下方に向かう内向き気流に変換される。これによっても、上記上昇気流による処理液ミストの運び出しを効果的に防ぐことができる。
【００１９】請求項６記載の発明は、上記基板保持手段に保持された基板よりも上方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込むためのダウンフロー導入開口をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板処理装置が設置される場所に形成されているダウンフローをダウンフロー導入開口から取り込むことができるので、処理液ミストの流出を効果的に防止できる。
【００２０】請求項７記載の発明は、基板をほぼ水平に保持して回転させるための基板保持手段と、この基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の側方および下方を取り囲むように形成された容器と、上記基板保持手段に保持された基板の回転領域よりも小さく形成され、上記基板保持手段に保持された基板よりも上方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込むためのダウンフロー導入開口とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００２１】この構成によれば、基板の回転領域よりも小さく形成されたダウンフロー導入開口からダウンフローを取り込むようにしているので、基板の回転領域外において上昇気流が生じたとしても、この上昇気流は上記ダウンフロー導入開口を通って流出することはできない。したがって、容器内で生じた処理液ミストが基板処理装置外に運び出されることがない。これにより、基板処理装置が設置される場所における空気の汚染を防止できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す簡略化した断面図である。この基板処理装置は、ウエハＷ（基板）を１枚ずつ処理液（薬液または純水）によって処理するための枚葉処理型の装置であり、処理対象のウエハＷを水平に保持して回転させるためのスピンチャック２０（基板保持手段）を備えている。スピンチャック２０は、処理カップ３０（容器）の内部空間に配置されている。処理カップ３０は、ほぼ回転体形状の内壁面を有するものであって、スピンチャック２０に下方から臨む底壁３１と、スピンチャック２０に側方から臨む側壁３２とを有し、上方に開口している。
【００２３】スピンチャック２０の上方には、スピンチャック２０に保持されたウエハＷから飛散する処理液を捕獲するためのスプラッシュガード４０（飛散防止部材）が備えられている。このスプラッシュガード４０は、ほぼ円筒形状に形成されており、上下動が可能であるように設けられていて、図示しない昇降機構によって、処理カップ３０の上端部に当接した下方位置と、処理カップ３０の上端との間にウエハＷの搬入／搬出スペースを確保した上方位置との間で昇降されるようになっている。
【００２４】スプラッシュガード４０は、円筒状の本体部４１と、この本体部４１の上端縁に、内方に向かってほぼ直線状に突出するように結合された整流板４２（整流部材）とを有している。整流板４２は、内方に向かうに従って下方に向かう逆円錐面に沿う板状体であり、平面視において円環状に構成されている。整流板４２の内縁部４２ａは、スピンチャック２０によって保持されたウエハＷの縁部よりも内方に対応する位置にまでせり出している。これにより、整流板４２の内縁部４２ａが形成する円は、ウエハＷの回転領域よりも小さな開口４３（ダウンフロー導入開口）を規定している。
【００２５】処理カップ３０およびスプラッシュガード４０は、処理チャンバ５０内に収容されている。この処理チャンバ５０は、上方が開口しており、この基板処理装置が設置されるクリーンルーム内のダウンフロー９０をスピンチャック２０に保持されたウエハＷに向けて取り込むことができるようになっている。スピンチャック２０は、モータなどを含む回転駆動機構２５からの回転力を得て鉛直軸まわりに回転する中空のスピン軸２１と、このスピン軸２１の上端に取り付けられた、たとえば円板状のスピンベース２２と、このスピンベース２２の周縁部に複数個立設されたチャック２３とを有している。このチャック２３は、ウエハＷの周縁部に当接して、このウエハＷを水平な状態で保持することができるようになっている。
【００２６】また、処理カップ３０の底壁３１には、排気口３３がたとえば２箇所に形成されており、この排気口３３は排気管３５を介して適当な負圧源３７に接続されている。この負圧源３７は、真空ポンプやブロワであってもよく、また、工場に設けられた排気用ユーティリティであってもよい。スピンチャック２０に保持されたウエハＷに処理液を供給するために、スプラッシュガード４０の上方にはウエハＷの上面に処理液を供給するノズル８１（処理液供給手段）が設けられている。また、スピンチャック２０のスピン軸２１を挿通する処理液供給管８３の上端には、ウエハＷの下面の中央に向けて処理液を吐出するノズル８２（処理液供給手段）が設けられている。
【００２７】クリーンルーム内のダウンフロー９０は、処理チャンバ５０の上方から、整流板４２の開口４３を通って、スピンチャック２０に保持されたウエハＷの上面に向けて導かれる。ウエハＷの上面の近傍では、ウエハＷの回転に伴って空気に遠心力が与えられるため、ウエハＷの中心から処理カップ３０の側壁３２に向かう外向き気流が発生する。また、スピンベース２２の下方においては、このスピンベース２２の回転により、空気に遠心力が与えられ、スピン軸２１から処理カップ３０の側壁３２に向かう外向き気流が発生する。これらの外向き気流は、処理カップ３０の側壁３２に沿い、さらに、スプラッシュガード４０の本体部４１の内壁面に沿って上昇する上昇気流９１を生じさせる。
【００２８】この上昇気流９１は、スプラッシュガード４０の上端縁の整流板４２の下面によって内下方に向けて経路を変えられ、内向き気流９２を生じさせる。この内向き気流９２は、処理チャンバ５０の上方からのダウンフロー９０と合流する。一方、整流板４２の上面は、開口４３よりも外側のダウンフローを内下方に向かう内向き気流に変換する働きを有している。そのため、整流板４２の内縁部４２ａ付近においては、整流板４２ａの上面および下面からの内向き気流が、処理チャンバ５０の上方からのダウンフロー９０に合流していることになる。
【００２９】以上のようにこの実施形態の構成によれば、整流板４２の働きによって、処理カップ３０の側壁３２およびスプラッシュガード４０の本体部４１の内壁面に沿う上昇気流９１が、ウエハＷの回転領域の内方に向かう内向き気流９２に変換される。これにより、処理チャンバ５０外に処理液雰囲気が運び去られることを防ぐことができるから、クリーンルーム内の空気が汚染されることを防止できる。
【００３０】図２は、スプラッシュガード４０の整流板４２の近傍の構成を拡大して示す断面図である。整流板４２は、水平面に対して、たとえば、約−３０度（「−」符号は、俯角であることを表す。）の角度θをなすように取り付けられている。これにより、整流板４２は、円筒状の本体部４１の内壁面に沿う上昇気流９１を内下方に向かう内向き気流９２に変換する働きを有する。
【００３１】ウエハＷの回転領域の内方に導かれた気流は、処理チャンバ５０の上方からのダウンフロー９０と合流するから、上昇気流９１を必ずしも下方に向かう気流に変換する必要はない。すなわち、整流板４２の水平面に対する角度が、−６０度〜＋６０度（「＋」符号は仰角であることを表す。）であれば、上昇気流９１中に含まれる処理液ミストをウエハＷの回転領域の内方に導き、ダウンフロー９０に乗せて処理カップ３０の内方に戻すことができる。
【００３２】図３は、上記のスプラッシュガード４０に代えて用いることができるスプラッシュガード４０Ａの構成を簡略化して示す断面図である。このスプラッシュガード４０Ａは、円筒状の本体部４１Ａと、この本体部４１Ａの上端に連なる整流板４２Ａ（整流部材）とを有している。整流板４２Ａは、鉛直断面において上方に凸になるように湾曲しており、その先端縁４２Ａａは、ウエハＷの回転領域の内方に位置していて、斜め下方を向いている。したがって、このスプラッシュガード４０Ａは、ウエハＷの回転領域よりも小さな円形の開口４３Ａ（ダウンフロー導入開口）を有しており、この開口４３Ａを介してクリーンルーム内のダウンフロー９０をウエハＷに向けて導くことができる。
【００３３】処理カップ３０の側壁３２からスプラッシュガード４０Ａの本体部４１Ａの内周面に沿って導かれる上昇気流は、湾曲した整流板４２Ａによって、ウエハＷの回転領域の内方に向かう内向き気流に変換される。これにより、処理液雰囲気が処理チャンバ５０の外部に運び出されることを防止できる。なお、整流板４２Ａの先端縁４２Ａａは、必ずしも下方を向いている必要はなく、水平面に対して±６０度の範囲の角度の方向に向けて、上昇気流を内方に導くことができるように整流板を構成しておけばよい。
【００３４】図４は、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す簡略化した断面図である。この図４において、上述の図１に示された各部に相当する部分には図１の場合と同一の参照符号を付して示す。この実施形態では、スプラッシュガード６０は、円筒状の本体部６１と、この本体部６１の上端縁に連なり、外方に向かって斜め上方に広がる整流板６２（整流部材）とを有している。すなわち、整流板６２は、ほぼ逆円錐面に沿う円環状の板状体であり、処理チャンバ５０の上部開口（ダウンフロー導入開口）からのダウンフロー９０をウエハＷの回転領域の内方に向かう内向き気流９３に変換して、本体部６１内に導くようになっている。
【００３５】この構成により、本体部６１の上端付近では、上昇気流９１によって運ばれてきた処理液ミストは、内向き気流９３によって、ウエハＷの回転領域の内方に向けて運ばれ、この処理液ミストは、ダウンフロー９０によって、処理カップ３０内に戻される。これにより、上記第１実施形態の場合と同様な作用および効果を達成することができる。
【００３６】図５は、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す簡略化した断面図である。この図５において、上記の図１に示された各部に対応する部分には図１の場合と同一の参照符号を付して示す。この実施形態においては、整流板を有しない円筒状のスプラッシュガード６５が用いられており、処理チャンバ５０の上部には、ダウンフローの導入を許容するための開口７１（ダウンフロー導入開口）を有する平板な円環状の整流板７２（整流部材）が設けられている。開口７１を規定する整流板７２の内周縁７２ａは、ウエハＷの回転領域よりも内方に位置している。すなわち、開口７１は、ウエハＷの回転領域よりも小さく形成されている。これにより、スプラッシュガード６５の内壁面に沿う上昇気流９１が処理チャンバ５０の上方に導かれることを防止している。
【００３７】上昇気流９１の少なくとも一部は、整流板７２によって、ウエハＷの回転領域の内方に向かう気流に変換され、この内向きの気流によって、処理液ミストは、開口７１を通るダウンフロー９０へと導かれる。これにより、上昇気流９１によって運ばれた処理液ミストは、再び下方に戻されることになる。整流板７２の下方においては、上記上昇気流９１の一部が、ウエハＷの回転領域の外方に向かうかもしれない。しかし、この気流中の処理液ミストは処理チャンバ５０の外部に出ていくことはないので、大きな問題はない。
【００３８】図６は、この発明の第４の実施形態の基板処理装置の構成を説明するための簡略化した断面図であり、スピンチャックに保持されたウエハＷの周縁近傍の構成が示されている。この実施形態においては、処理カップ３０Ａの上端縁には、ウエハＷの回転領域に向けて斜め下方に延びる逆円錐面に沿う円環状の整流板８０（整流部材）が固設されている。この整流板８０は、処理カップ３０Ａの側壁３２Ａに沿う上昇気流をウエハＷの回転領域の内方に向かう内向き気流に変換する働きを有する。これにより、上記上昇気流によって、処理液ミストが処理チャンバ外に運び去られることを防止できる。
【００３９】処理液ミストの漏洩を確実に防ぐためには、整流板８０の先端縁８０ａは、ウエハＷの回転領域の内方に位置していることが好ましい。ただし、この場合には、処理カップ３０Ａに対するウエハＷの搬入／搬出を可能にするために、たとえば、処理カップ３０Ａを、側壁３２Ａおよび整流板８０を含む部分と、底壁３１Ａとが上下に分割可能であるように構成しておく必要がある。なお、図６には、上下に分割された状態が二点鎖線で示されている。
【００４０】側壁３２Ａと底壁３１Ａとを固定して分割できないようにしておいてもよいが、その場合には、ウエハＷの搬入／搬出を容易にするために、整流板８０の先端縁８０ａが、ウエハＷの回転領域の外方に位置しているようにすることが好ましい。なお、図７に示すように、整流板８０のみを、処理液カップ３０Ａの上端縁から分離して上下動可能であるように構成してもよい。この場合には、整流板８０の先端縁８０ａをウエハＷの回転領域の内方に位置させることができ、かつ、処理カップ３０Ａの構成などに工夫をこらすことなく、ウエハＷの搬入／搬出を行える。
【００４１】この発明のいくつかの実施形態について説明したが、この発明は他の形態でも実施することができる。たとえば、図１の実施形態と図４の実施形態とを組み合わせ、スプラッシュガードの上端縁に、その内方および外方のいずれの方向にも突出する整流板を設けるようにしてもよい。また、スプラッシュガードに設けられる整流板は、その上端縁に設けられる必要はなく、上下方向の途中部に設けるようにしてもよい。
【００４２】さらに、ウエハＷよりも上方において内向き気流を発生させるには、整流板を用いる代わりに、たとえば、スプラッシュガードの上端縁付近において内方に向けられた吐出口を有するダクトを配置し、このダクトに空気を圧送するようにしてもよい。また、上記の実施形態においては、ウエハＷを処理する装置を例にとったが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板やＰＤＰ用ガラス基板のような他の種類の基板を処理する装置に対しても適用することができる。液晶表示装置用ガラス基板のような角形基板においては、回転中心から最も遠い最外方点が描く軌跡により囲まれた領域の上方の領域を基板の回転領域とみなせばよい。
【００４３】その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００２０７５５１
【氏名又は名称】大日本スクリーン製造株式会社
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| 【出願日】 |
平成９年（１９９７）７月２８日 |
| 【代理人】 |
【弁理士】
【氏名又は名称】稲岡 耕作 （外１名）
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| 【公開番号】 |
特開平１１−４２４６０ |
| 【公開日】 |
平成１１年（１９９９）２月１６日 |
| 【出願番号】 |
特願平９−２０１７９２ |
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