| 公開番号 | 発明の名称 |
| 特開平１１−３１７６６ | 半導体装置 |
| 特開平１１−３１７６７ | 変形可能な伝熱体 |
| 特開平１１−３１７６８ | 沸騰冷却装置 |
| 特開平１１−３１７６９ | 放熱板 |
| 特開平１１−３１７７０ | 発熱体冷却装置 |
| 特開平１１−３１７７１ | 半導体素子用ヒートシンクの製造方法 |
| 特開平１１−３１７７２ | 端子用素板とその製造方法 |
| 特開平１１−３１７７３ | 半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平１１−３１７７４ | 金属板の切断装置 |
| 特開平１１−３１７７５ | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれに使用するリ ードフレーム |
| 特開平１１−３１７７６ | 半導体チップパッケージ |
| 特開平１１−３１７７７ | リードフレームおよび半導体装置とその製造方法 |
| 特開平１１−３１７７８ | 半導体装置とその製造方法 |
| 特開平１１−３１７７９ | メモリシステム |
| 特開平１１−３１７８０ | メモリモジュールの矯正方法 |
| 特開平１１−３１７８１ | メモリモジュールおよびメモリシステム |
| 特開平１１−３１７８２ | 半導体パッケージ用ピッチ変換部品 |
| 特開平１１−３１７８３ | 半導体モジュール |
| 特開平１１−３１７８４ | 非接触ＩＣカード |
| 特開平１１−３１７８５ | 半導体集積回路試験装置 |
| 特開平１１−３１７８６ | 半導体集積回路 |
| 特開平１１−３１７８７ | 半導体集積回路装置 |
| 特開平１１−３１７８８ | ＣＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| 特開平１１−３１７８９ | 半導体基板上に形成された一対の電界効果トランジスタ |
| 特開平１１−３１７９０ | 半導体抵抗装置とその制御方法 |
| 特開平１１−３１７９１ | Ｂｉ層状強誘電体薄膜を有する電極構造、その形成方法および強誘電体薄膜メモリ素子 |
| 特開平１１−３１７９２ | 半導体記憶素子およびその製造方法 |
| 特開平１１−３１７９３ | 半導体記憶装置 |
| 特開平１１−３１７９４ | 半導体記憶装置 |
| 特開平１１−３１７９５ | 半導体装置およびその製造方法 |
| 特開平１１−３１７９６ | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| 特開平１１−３１７９７ | ＤＲＡＭトレンチ・セル中のトレンチ記憶コンデンサ用の新規の組込みストラップ |
| 特開平１１−３１７９８ | 不揮発性半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平１１−３１７９９ | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| 特開平１１−３１８００ | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
| 特開平１１−３１８０１ | トランジスタ、トランジスタアレイ、半導体メモリおよびトランジスタアレイの製造方法 |
| 特開平１１−３１８０２ | 半導体記憶装置とその製造方法 |
| 特開平１１−３１８０３ | ゲートアレイ |
| 特開平１１−３１８０４ | 固体撮像素子 |
| 特開平１１−３１８０５ | 光電子半導体集積回路装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１８０６ | 電極支持体 |
| 特開平１１−３１８０７ | 固体撮像素子 |
| 特開平１１−３１８０８ | 固体撮像装置とその製造方法 |
| 特開平１１−３１８０９ | 固体撮像素子 |
| 特開平１１−３１８１０ | 量子細線構造及び量子箱構造の形成方法 |
| 特開平１１−３１８１１ | 歪多重量子井戸構造の成長方法 |
| 特開平１１−３１８１２ | 電荷転送装置およびその製造方法 |
| 特開平１１−３１８１３ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１８１４ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１８１５ | トレンチ構造を有する半導体装置及びその製造方法 |