| 公開番号 | 発明の名称 |
| 特開平１１−３１６６６ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１６６７ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１６６８ | 半導体コンタクトおよびその方法 |
| 特開平１１−３１６６９ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１６７０ | 半導体基板の製造方法 |
| 特開平１１−３１６７１ | 研磨装置、研磨材及び研磨方法 |
| 特開平１１−３１６７２ | 基板処理方法および基板処理装置 |
| 特開平１１−３１６７３ | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| 特開平１１−３１６７４ | ウェーハ洗浄装置 |
| 特開平１１−３１６７５ | ケイ素誘導体又はケイ素を基材とした分離材料の層のための新規な化学機械的研磨方法 |
| 特開平１１−３１６７６ | 洗浄システム |
| 特開平１１−３１６７７ | エッチング方法及びエッチング装置 |
| 特開平１１−３１６７８ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１６７９ | 基板のドライエッチング装置 |
| 特開平１１−３１６８０ | 基板のドライエッチング装置 |
| 特開平１１−３１６８１ | アッシング方法およびその装置 |
| 特開平１１−３１６８２ | ドライエッチング方法および強誘電体メモリ素子の製造方法 |
| 特開平１１−３１６８３ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１６８４ | シリコン薄膜デバイスの製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１６８５ | プラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法 |
| 特開平１１−３１６８６ | プラズマ処理方法及びその装置 |
| 特開平１１−３１６８７ | 半導体基板に対する膜形成用炉心管の扉装置 |
| 特開平１１−３１６８８ | 複数の超小形電子部品及びダイヤモンド層を持つ成長基板を有する複合構造及びこの複合構造の製造方法 |
| 特開平１１−３１６８９ | バッファコート膜の形成方法 |
| 特開平１１−３１６９０ | 多孔質膜の形成方法 |
| 特開平１１−３１６９１ | 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法 |
| 特開平１１−３１６９２ | 半導体素子の配線の製造方法 |
| 特開平１１−３１６９３ | 半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平１１−３１６９４ | ＩＣ素子加工方法 |
| 特開平１１−３１６９５ | 回路パターンが形成されたウェハおよびその製造方法 |
| 特開平１１−３１６９６ | 半導体素子、半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平１１−３１６９７ | バンプ形成装置およびその方法 |
| 特開平１１−３１６９８ | 半導体装置、その製造方法及び実装構造 |
| 特開平１１−３１６９９ | 熱処理装置および熱処理容器 |
| 特開平１１−３１７００ | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
| 特開平１１−３１７０１ | 化合物半導体装置の形成方法 |
| 特開平１１−３１７０２ | 接着シートの貼付方法 |
| 特開平１１−３１７０３ | 半田接合装置 |
| 特開平１１−３１７０４ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平１１−３１７０５ | 半導体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| 特開平１１−３１７０６ | 半導体装置のモールド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型 |
| 特開平１１−３１７０７ | 半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平１１−３１７０８ | ボンダ |
| 特開平１１−３１７０９ | ベアチップ実装方法およびベアチップ接続構造ならびに半導体装置 |
| 特開平１１−３１７１０ | 非接触タグ製造時のＩＣチップ電極接続方法及び装置 |
| 特開平１１−３１７１１ | 半導体装置 |
| 特開平１１−３１７１２ | 半導体装置とその製造方法 |
| 特開平１１−３１７１３ | フィルムキャリアテープを用いたＢＧＡ型半導体装置 |
| 特開平１１−３１７１４ | 導電性ボールの移載方法 |
| 特開平１１−３１７１５ | 電子部品電極材料および電子部品電極製造方法 |